半導體器件智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下西安郵電大學

半導體器件智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下西安郵電大學西安郵電大學

第一章測試

不屬于化合物半導體的有（）。

A:鍺B:磷化鎵C:磷化鋁D:砷化鋁

答案:鍺

硅單晶晶體結構為（）。

A:立方體結構B:面心結構C:正四面體結構D:體心結構

答案:體心結構

屬于化合物半導體有（）。

A:砷化鎵B:氧化鎵C:硅D:氮化鎵

答案:砷化鎵;氧化鎵;氮化鎵

Si是一種IV族元素半導體（四主族）。（）

A:對B:錯

答案:對

半導體材料一般分為三種類型：無定型、多晶和單晶。（）

A:對B:錯

答案:對

第二章測試

以下關于半導體中電子有效質(zhì)量的描述，不對的選項是（）。

A:有效質(zhì)量具有質(zhì)量的量綱B:通過回旋共振實驗可以測出電子有效質(zhì)量C:有效質(zhì)量是一個常數(shù)D:有效質(zhì)量反映了晶格周期性勢場對電子的作用

答案:有效質(zhì)量是一個常數(shù)

雜質(zhì)半導體中電子占據(jù)施主能級的幾率可以直接套用費米分布函數(shù)來進行計算。（）

A:錯B:對

答案:錯

在單晶硅中摻入少量（）雜質(zhì)元素會形成N型半導體？

A:鍺B:磷C:硼D:鎵

答案:磷

單晶硅表面態(tài)密度的實驗值要比理論值高幾個數(shù)量級。（）

A:對B:錯

答案:錯

關于半導體表面態(tài)的描述，下列（）是錯誤的？

A:空態(tài)時呈中性而電子占據(jù)后帶負電的為施主型表面態(tài)B:慢態(tài)位于氧化層與空氣界面上，與體內(nèi)交換電子必須通過氧化層C:空態(tài)時帶正電而電子占據(jù)后呈中性的為施主型表面態(tài)D:快態(tài)位于氧化層與空氣界面上，與體內(nèi)交換電子必須通過氧化層

答案:空態(tài)時呈中性而電子占據(jù)后帶負電的為施主型表面態(tài);快態(tài)位于氧化層與空氣界面上，與體內(nèi)交換電子必須通過氧化層

第三章測試

以下關于PN結的描述，正確的的選項是（）。

A:PN結加反向偏壓時，勢壘區(qū)內(nèi)載流子產(chǎn)生率大于復合率B:PN結加正向偏壓時，外加電場的方向與自建電場方向相同C:平衡PN結，P區(qū)一側的費米能級高于N區(qū)一側的費米能級D:PN結具有單向導電性

答案:PN結加反向偏壓時，勢壘區(qū)內(nèi)載流子產(chǎn)生率大于復合率;PN結具有單向導電性

對于金屬和N型半導體緊密接觸，當Wm>Ws時，在界面處形成阻擋層（）

A:錯B:對

答案:對

對于單邊突變結，正確的的選項是（）

A:P區(qū)和N區(qū)兩邊的摻雜濃度有數(shù)量級的差別B:耗盡層寬度主要在重摻雜一側C:耗盡層寬度主要在輕摻雜一側D:內(nèi)建電勢主要降落在輕摻雜一側

答案:P區(qū)和N區(qū)兩邊的摻雜濃度有數(shù)量級的差別;耗盡層寬度主要在輕摻雜一側;內(nèi)建電勢主要降落在輕摻雜一側

正偏PN結耗盡層邊界處少子濃度隨正偏電壓增加而線性增加（）

A:對B:錯

答案:錯

對于單邊突變結，提高雪崩擊穿的方法有（）

A:選用禁帶寬度更大的半導體材料B:降低輕摻雜一側摻雜濃度C:增加輕摻雜一側摻雜濃度D:選用禁帶寬度較窄的半導體材料

答案:選用禁帶寬度更大的半導體材料;降低輕摻雜一側摻雜濃度

以PN+結為例，下列哪項可以提高PN結開關速度（）

A:減小P區(qū)少子的壽命B:降低正向電流C:增大P區(qū)少子的擴散長度D:提高串聯(lián)電阻R

答案:減小P區(qū)少子的壽命;降低正向電流

第四章測試

雙極晶體管的基區(qū)特點（）。

A:窄且摻雜重B:寬且摻雜輕C:寬且摻雜重D:窄且摻雜輕

答案:窄且摻雜輕

基區(qū)中的復合電流IVB受以下哪些因素影響（）。

A:基區(qū)的摻雜B:基區(qū)寬度C:基區(qū)中的電荷數(shù)D:基區(qū)的少子壽命

答案:基區(qū)的摻雜;基區(qū)寬度;基區(qū)中的電荷數(shù);基區(qū)的少子壽命

雙極晶體管中的結構參數(shù)會影響哪些器件性能（）。

A:基區(qū)的輸運系數(shù)B:共基接法的電流放大系數(shù)C:共射接法的電流放大系數(shù)D:發(fā)射區(qū)的發(fā)射效率

答案:基區(qū)的輸運系數(shù);共基接法的電流放大系數(shù);共射接法的電流放大系數(shù);發(fā)射區(qū)的發(fā)射效率

雙極晶體管的發(fā)射區(qū)摻雜要低。（）

A:錯B:對

答案:錯

NPN雙極晶體管中發(fā)射區(qū)的多子是電子（）

A:錯B:對

答案:對

第五章測試

NMOSFET的溝道導電載流子為（）。

A:電子和空穴B:固定負電荷C:電子D:空穴

答案:電子

MOSFET中閾值電壓（）。

A:基區(qū)的摻雜B:基區(qū)寬度C:基區(qū)的少子壽命D:基區(qū)中的電荷數(shù)

答案:基區(qū)的摻雜;基區(qū)寬度;基區(qū)的少子壽命;基區(qū)中的電荷數(shù)

MOS電容的CV曲線中反型后歸一化電容C/Cox保持水平時的頻率（）。

A:超高頻B:中頻C:高頻D:低頻

答案:高頻

當MOSFET中漏壓VD較小時，器件處于（）。

A:截止區(qū)B:飽和區(qū)C:放大區(qū)D:線性區(qū)

答案:線性區(qū)

MOSFET根據(jù)導電類型分為增強型和耗盡型器件。（）

A:對B:錯

答案:錯

第六章測試

JFET的J是指哪一個（）。

A:PN結B:漏區(qū)C:源區(qū)D:電極

答案:PN結

半導體激光器利用了哪一個原理（）。

A:光生伏特效應B:基區(qū)擴展效應C:電子空穴復合效應D:自建電場效應

答案:電子空穴復合效應

IGBT器件的特點（）。

A:相比于VDMOSFET導通電阻低B:相比于VDMOSFET導通電阻低C:平面結構D:不能工作于大電流下

答案:相比于VDMOSFET導通電阻低

功率肖特基整流器的優(yōu)點（）。