計(jì)算機(jī)組成原理RAM實(shí)驗(yàn)報(bào)告

...wd......wd......wd...山東大學(xué)軟件學(xué)院組成原理實(shí)驗(yàn)報(bào)告〔實(shí)驗(yàn)〕課程名稱計(jì)算機(jī)組織與構(gòu)造實(shí)驗(yàn)報(bào)告學(xué)生姓名：學(xué)號(hào)：指導(dǎo)教師：陳志勇實(shí)驗(yàn)地點(diǎn)：硬件實(shí)驗(yàn)室實(shí)驗(yàn)時(shí)間：2014年12月11日一、實(shí)驗(yàn)工程名稱：RAM實(shí)驗(yàn)二、實(shí)驗(yàn)?zāi)康模海?了解半導(dǎo)體靜態(tài)隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器RAM的工作原理及其使用方法。２.掌握半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的字、位擴(kuò)展技術(shù)。三、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容：RAM實(shí)驗(yàn)構(gòu)造圖INTEL2114靜態(tài)存儲(chǔ)器：Intel2114RAM存儲(chǔ)器芯片為雙列直插式集成電路芯片，共有18個(gè)引腳，各引腳的功能如下：A0-A9：10根地址信號(hào)輸入引腳。：讀／寫控制信號(hào)輸入引腳，當(dāng)為低電平時(shí)，使輸入三態(tài)門導(dǎo)通，信息由數(shù)據(jù)總線通過(guò)輸入數(shù)據(jù)控制電路寫入被選中的存儲(chǔ)單元；反之從所選中的存儲(chǔ)單元讀出信息送到數(shù)據(jù)總線。I/O1~I/O4：4根數(shù)據(jù)輸入／輸出信號(hào)引腳。：片選信號(hào)，低電平有效，通常接地址譯碼器的輸出端。第一局部：采用1Kx4的芯片，構(gòu)成1Kx8的存儲(chǔ)器。第二局部：采用1Kx4的芯片，構(gòu)成2Kx4的存儲(chǔ)器。四、實(shí)驗(yàn)要求：◆采用1Kx4的芯片，構(gòu)成1Kx8的存儲(chǔ)器。選擇五個(gè)不連續(xù)的存貯單元地址，分別存入不同內(nèi)容，作單個(gè)存貯器單元的讀/寫操作實(shí)驗(yàn)。◆采用1Kx4的芯片，構(gòu)成2Kx4的存儲(chǔ)器?！舯仨毷褂米g碼器進(jìn)展擴(kuò)展〔三輸入都用，接開(kāi)關(guān)〕。選擇五個(gè)不連續(xù)的存貯單元地址，分別存入不同內(nèi)容，作單個(gè)存貯器單元的讀/寫操作實(shí)驗(yàn)。選用適當(dāng)芯片，根據(jù)各種控制信號(hào)的極性和時(shí)序要求，設(shè)計(jì)出實(shí)驗(yàn)線路圖。分別設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)步驟。使用開(kāi)關(guān)進(jìn)展數(shù)據(jù)加載，通過(guò)指示燈顯示實(shí)驗(yàn)結(jié)果，記錄試驗(yàn)現(xiàn)象，寫出實(shí)驗(yàn)報(bào)告。給出字?jǐn)U展試驗(yàn)中每片RAM芯片的地址范圍。五、參考器件：RAM采用兩片MM2114隔離部件采用74LS125譯碼器采用74LS138備注：為簡(jiǎn)化試驗(yàn)，地址可只用低4位〔其余地址可接地〕。六、實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)記錄及結(jié)果分析：字?jǐn)U展的實(shí)驗(yàn)操作：1.初始化：將k15〔74LS125的C信號(hào)〕推至高電平，斷開(kāi)開(kāi)關(guān)輸入。將k13〔RAM片選信號(hào)〕推至低電平，選中RAM。將k14(讀寫控制)推至高電平讀取狀態(tài)，以防選地址過(guò)程中對(duì)沿路數(shù)據(jù)進(jìn)展修改。2.寫入數(shù)據(jù)：將k0~k3的四個(gè)開(kāi)關(guān)調(diào)至想要輸入的地址。將k4~k11調(diào)整至想要的二進(jìn)制輸入值。將k15〔74LS125的C信號(hào)〕推至低電平，連接開(kāi)關(guān)輸入。將k14〔讀寫控制〕推至低電平寫入狀態(tài)，寫入數(shù)據(jù)。3.讀取數(shù)據(jù)：將k14〔讀寫控制〕推至高電平讀取狀態(tài)，斷開(kāi)對(duì)RAM的寫入。將k15〔74LS125的C信號(hào)〕推至高電平，斷開(kāi)開(kāi)關(guān)對(duì)扽燈泡的影響，讀取數(shù)據(jù)。位擴(kuò)展的實(shí)驗(yàn)操作：1.初始化：將k15〔74LS125的C信號(hào)〕推至高電平，斷開(kāi)開(kāi)關(guān)輸入。將k13〔第一塊RAM片選信號(hào)〕推至低電平，選中RAM，同時(shí)確保將k12〔第二塊RAM片選信號(hào)〕推至高電平，使RAM失效。將k14(讀寫控制)推至高電平讀取狀態(tài)，以防選地址過(guò)程中對(duì)沿路數(shù)據(jù)進(jìn)展修改。2.寫入數(shù)據(jù)：將k0~k3的四個(gè)開(kāi)關(guān)調(diào)至想要輸入的地址。將k4~k7調(diào)整至想要的二進(jìn)制輸入值。將k15〔74LS125的C信號(hào)〕推至低電平，連接開(kāi)關(guān)輸入。將k14〔讀寫控制〕推至低電平寫入狀態(tài)，寫