云南省曲靖市富源縣竹園鎮(zhèn)竹園中學(xué)高二物理下學(xué)期摸底試題含解析_第1頁
云南省曲靖市富源縣竹園鎮(zhèn)竹園中學(xué)高二物理下學(xué)期摸底試題含解析_第2頁
云南省曲靖市富源縣竹園鎮(zhèn)竹園中學(xué)高二物理下學(xué)期摸底試題含解析_第3頁
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文檔簡介

云南省曲靖市富源縣竹園鎮(zhèn)竹園中學(xué)高二物理下學(xué)期摸底試題含解析一、選擇題:本題共5小題,每小題3分,共計(jì)15分.每小題只有一個(gè)選項(xiàng)符合題意1.當(dāng)物體克服重力做功時(shí),物體的

(

)A.重力勢能一定減少,機(jī)械能可能不變

B.重力勢能一定增加,機(jī)械能一定增加

C.重力勢能一定增加,動(dòng)能可能不變D.重力勢能一定減少,動(dòng)能可能減少參考答案:B2.物體在地面附近繞地球做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的速度叫“第一宇宙速度”,其大小為A.7.9km/s

B.11.2km/s

C.16.7km/s

D.24.4km/s參考答案:A3.如圖5,水平放置的彈性長繩上有一系列均勻分布的質(zhì)點(diǎn)1、2、3…現(xiàn)使質(zhì)點(diǎn)1在豎直方向做簡諧振動(dòng),振動(dòng)將沿繩向右傳播,質(zhì)點(diǎn)1起振方向向上,當(dāng)振動(dòng)傳播到第13點(diǎn)時(shí),質(zhì)點(diǎn)1恰好完成一次全振動(dòng),此時(shí)質(zhì)點(diǎn)9的運(yùn)動(dòng)情況是

A.加速度方向向上

B.加速度正在增大C.速度方向向上

D.速度方向向下

參考答案:D4.下列敘述符合物理學(xué)史實(shí)的是:(

)A.惠更斯總結(jié)了許多有關(guān)波的實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象后提出著名的惠更斯原理,并用這一原理很好地解釋波的反射和折射現(xiàn)象中所遵循的規(guī)律B.托馬斯·楊通過對光干涉現(xiàn)象的研究,從而證實(shí)了光沿直線傳播是完全錯(cuò)誤的C.麥克斯韋提出電磁場理論,并用實(shí)驗(yàn)證實(shí)了電磁波的存在D.牛頓勇敢地拋棄經(jīng)典的時(shí)空觀,根據(jù)實(shí)驗(yàn)事實(shí)提出了狹義相對論的兩條基本原理參考答案:A5.(單選)有兩個(gè)共點(diǎn)力,一個(gè)力的大小是5N,另一個(gè)力的大小是7N,它們合力大小可能是(

)A、18N

B、13N

C、3N

D、1N參考答案:C二、填空題:本題共8小題,每小題2分,共計(jì)16分6.有一電池,當(dāng)兩端接3Ω電阻時(shí),輸出電流為1.0A,電池內(nèi)電壓為0.6V,該電池的電動(dòng)勢E=

V,內(nèi)阻r=

Ω,電池的輸出功率為

W,此時(shí)電源的效率為

。參考答案:3.6

0.6

3

83.3%

7.圖1甲為一列簡諧橫波在t=0.10s時(shí)刻的波形圖,P是平衡位置為x=1m處的質(zhì)點(diǎn),Q是平衡位置為x=4m處的質(zhì)點(diǎn),圖乙為質(zhì)點(diǎn)Q的振動(dòng)圖象,則()A.t=0.15s時(shí),質(zhì)點(diǎn)Q的加速度達(dá)到正向最大B.t=0.15s時(shí),質(zhì)點(diǎn)P的運(yùn)動(dòng)方向沿y軸負(fù)方向C.從t=0.10s到t=0.25s,該波沿x軸正方向傳播了6mD.從t=0.10s到t=0.25s,質(zhì)點(diǎn)P通過的路程為30cm

參考答案:AB8.如圖(甲)是“測定電源電動(dòng)勢和內(nèi)阻”實(shí)驗(yàn)的電路圖,根據(jù)實(shí)驗(yàn)測得的幾組I、U數(shù)據(jù)作出U—I圖象如圖(乙)所示,由圖象可確定:該電源的電動(dòng)勢為

V,電源的內(nèi)電阻為

(計(jì)算結(jié)果保留兩位有效數(shù)字)。參考答案:1.40(1.39或1.41)(1分),

0.57(0.55~0.59都得分)9.電流強(qiáng)度:(1)定義:通過導(dǎo)體________的電荷量與通過這些電荷量所用_____的比值叫電流強(qiáng)度,公式為____;(2)電流是____量,規(guī)定_____電荷定向移動(dòng)的方向?yàn)殡娏鞣较?。參考答案:?)橫截面,時(shí)間,I=;(2)標(biāo),正10.某電子元件的電壓與電流的關(guān)系如右圖所示,將該電子元件與一個(gè)R=8Ω的電阻串聯(lián),再接至電動(dòng)勢E=3V,內(nèi)阻r=2Ω的電源上,則電路中電流I=_

mA。參考答案:130;11.(4分)圖是一列簡諧橫波在某一時(shí)刻的波形圖,此時(shí)點(diǎn)的速度方向向上,則該波向

(選填“左”或“右”)傳播,在處的質(zhì)點(diǎn)的加速度方向是向

(選填“上”或“下”)。

參考答案:右,下12.某同學(xué)用大頭針、三角板、量角器等器材測半圓形玻璃磚的折射率.開始玻璃磚的位置如圖中實(shí)線所示,使大頭針P1、P2與圓心O在同一直線上,該直線垂直于玻璃磚的直徑邊,然后使玻璃磚繞圓心O緩慢轉(zhuǎn)動(dòng),同時(shí)在玻璃磚的直徑邊一側(cè)觀察P1、P2的像,且P2的像擋住P1的像.如此觀察,當(dāng)玻璃磚轉(zhuǎn)到圖中虛線位置時(shí),上述現(xiàn)象恰好消失.此時(shí)只須測量出玻璃磚直徑邊繞O點(diǎn)轉(zhuǎn)過的角度θ,即可計(jì)算出玻璃磚的折射率.請用你的測量量表示出折射率n=.參考答案:解:當(dāng)恰好看不見P1、P2的像時(shí),剛好發(fā)生全反射現(xiàn)象,此時(shí)玻璃磚直徑轉(zhuǎn)過的角度θ為臨界角,折射率n=.故答案為:玻璃磚直徑邊繞O點(diǎn)轉(zhuǎn)過的角度θ,.13.右圖是等離子體發(fā)電機(jī)示意圖,平行金屬板間勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.5T,兩板間距離為0.2m,要使輸出電壓為220V,則等離子體垂直射入磁場的速度v0=

m/s,a是發(fā)電機(jī)的

極。(發(fā)電機(jī)內(nèi)阻不計(jì))參考答案:三、簡答題:本題共2小題,每小題11分,共計(jì)22分14.如圖9所示是雙縫干涉實(shí)驗(yàn)裝置,使用波長為6.0×10-7m的橙色光源照射單縫S,在光屏中央P處(到雙縫的距離相等)觀察到亮條紋,在位于P點(diǎn)上方的P1點(diǎn)出現(xiàn)第一條亮條紋中心(即P1到S1、S2的路程差為一個(gè)波長),現(xiàn)換用波長為4.0×10-7m的紫色光照射單縫時(shí),問:(1)屏上P處將出現(xiàn)什么條紋?(2)屏上P1處將出現(xiàn)什么條紋?參考答案:(1)亮條紋(2)暗條紋15.分子勢能隨分子間距離r的變化情況可以在如圖所示的圖象中表現(xiàn)出來,就圖象回答:(1)從圖中看到分子間距離在r0處分子勢能最小,試說明理由.(2)圖中分子勢能為零的點(diǎn)選在什么位置?在這種情況下分子勢能可以大于零,也可以小于零,也可以等于零,對嗎?(3)如果選兩個(gè)分子相距r0時(shí)分子勢能為零,分子勢能有什么特點(diǎn)?參考答案:解:(1)如果分子間距離約為10﹣10m數(shù)量級時(shí),分子的作用力的合力為零,此距離為r0.當(dāng)分子距離小于r0時(shí),分子間的作用力表現(xiàn)為斥力,要減小分子間的距離必須克服斥力做功,因此,分子勢能隨分子間距離的減小而增大.如果分子間距離大于r0時(shí),分子間的相互作用表現(xiàn)為引力,要增大分子間的距離必須克服引力做功,因此,分子勢能隨分子間距離的增大而增大.從以上兩種情況綜合分析,分子間距離以r0為數(shù)值基準(zhǔn),r不論減小或增大,分子勢能都增大.所以說,分子在平衡位置處是分子勢能最低點(diǎn).(2)由圖可知,分子勢能為零的點(diǎn)選在了兩個(gè)分子相距無窮遠(yuǎn)的位置.因?yàn)榉肿釉谄胶馕恢锰幨欠肿觿菽茏畹忘c(diǎn),據(jù)圖也可以看出:在這種情況下分子勢能可以大于零,也可以小于零,也可以等于零是正確的.(3)因?yàn)榉肿釉谄胶馕恢锰幨欠肿觿菽艿淖畹忘c(diǎn),最低點(diǎn)的分子勢能都為零,顯然,選兩個(gè)分子相距r0時(shí)分子勢能為零,分子勢能將大于等于零.答案如上.【考點(diǎn)】分子勢能;分子間的相互作用力.【分析】明確分子力做功與分子勢能間的關(guān)系,明確分子勢能的變化情況,同時(shí)明確零勢能面的選取是任意的,選取無窮遠(yuǎn)處為零勢能面得出圖象如圖所示;而如果以r0時(shí)分子勢能為零,則分子勢能一定均大于零.四、計(jì)算題:本題共3小題,共計(jì)47分16.如圖,三棱鏡的橫截面為直角三角形ABC,∠A=30°,∠B=60°。一束平行于AC邊的光線自AB邊的P點(diǎn)射入三棱鏡,在AC邊發(fā)生反射后從BC邊的M點(diǎn)射出,若光線在P點(diǎn)的入射角和在M點(diǎn)的折射角相等。(1)求三棱鏡的折射率;(2)在三棱鏡的AC邊是否有光線射出,寫出分析過程(不考慮多次反射)。參考答案:(1)(2)無光線射出17.如圖所示,在傾角為45°的斜面OA左側(cè)有一豎直檔板,檔板與斜面OA間有垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B=0.2T,檔板上有一小孔P,OP=0.6m,現(xiàn)有一質(zhì)量m=4×10-20kg,帶電量q=+2×10-14C的粒子,從小孔以速度v0=3×104m/s水平射進(jìn)磁場區(qū)域.粒子重力不計(jì).(1)粒子在磁場中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑是多少?(2)通過調(diào)整粒子進(jìn)入磁場的速度大小可以控制粒子打到斜面OA時(shí)的速度方向,現(xiàn)若要粒子垂直打到斜面OA上,則粒子進(jìn)入磁場的速度該調(diào)整為多少?此情況下粒子打到斜面OA的時(shí)間又為多少?參考答案:18.(15分)如圖所示,圖a表示,空間有一寬為2L的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,方向垂直紙面向外。abcd是由均勻電阻絲做成的邊長為L的正方形線框,總電阻為R。線框以垂直磁場邊界的速度勻速通過磁場區(qū)域。在運(yùn)動(dòng)過程中,線框ab、cd兩邊始終與磁場邊界平行。線框剛進(jìn)入磁場的位置x=0,x軸沿水平方向向右。求:(1)cd邊剛進(jìn)入磁場時(shí),ab兩端的電勢差,并指明哪端電勢高;(2)線框穿過磁場的過程中,線框中產(chǎn)生的焦耳熱;(3)在下面的b圖中,畫出ab兩端電勢差隨距離變化的圖像。其中。參考答案:解析:(1)cd切割磁感線產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢:

①回路中的感應(yīng)電流:

②(1分)ab兩端的電動(dòng)勢差

③(2分)b端電勢比a端高

(1分)(2)設(shè)線框從cd邊

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