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第十八講問題1:為什么要對(duì)運(yùn)放進(jìn)行頻率補(bǔ)償?運(yùn)放的頻率補(bǔ)償基本概念基本的負(fù)反饋系統(tǒng)A是放大器,,和ω?zé)o關(guān)當(dāng)環(huán)路增益,閉環(huán)增益無限大,電路振蕩。振蕩條件(巴克豪森判據(jù))則傳遞函數(shù)為
負(fù)反饋本身有180度相移,所以,環(huán)路總相移為360度2023/9/2概述4增益交點(diǎn)、相位交點(diǎn)基本概念:相位交點(diǎn):PX,相位=-180°時(shí)的角頻率。增益交點(diǎn):GX,增益=1時(shí)的角頻率。
穩(wěn)定條件:相位=-180°時(shí),增益>1,振蕩;增益=1時(shí),相位<-180°,穩(wěn)定。2023/9/2概述5穩(wěn)定條件:增益交點(diǎn)GX<相位交點(diǎn)PX
在一般反饋電路的處理中,F(xiàn)小于或等于1,且與頻率無關(guān);當(dāng)F<1,幅值曲線會(huì)下移,增益交叉點(diǎn)會(huì)向原點(diǎn)方向移動(dòng),系統(tǒng)更易穩(wěn)定。因此,常分析FA=A的相位圖和幅值圖(開環(huán)狀態(tài)下)。2023/9/2概述6波特(Bode)圖1、在每個(gè)零點(diǎn)頻率處,幅值曲線的斜率按20dB/dec變化;在每個(gè)極點(diǎn)頻率處,其斜率按-20dB/dec變化。2、對(duì)一個(gè)在左半平面的極點(diǎn)(零點(diǎn))頻率ωm
,相位約在0.1ωm處開始下降(上升),在ωm處經(jīng)歷-45°(+45的變化,在大約10ωm處達(dá)到-90°(+90°)的變化。右半平面的情況,反之。右半平面的零點(diǎn)對(duì)反饋系統(tǒng)的穩(wěn)定性更加有害,因?yàn)樗岣咴鲆?,但延遲相位。2023/9/2概述7極點(diǎn)位置與穩(wěn)定性的關(guān)系每個(gè)極點(diǎn)頻率表示為sp=jω+σp,沖擊響應(yīng)如圖2023/9/2概述8單極點(diǎn)系統(tǒng)單極點(diǎn)系統(tǒng)是穩(wěn)定的。因?yàn)樵鲆娼稽c(diǎn)GX<相位交點(diǎn)PX2023/9/2多極點(diǎn)系統(tǒng)9兩極點(diǎn)系統(tǒng)兩極點(diǎn)系統(tǒng)是穩(wěn)定的2023/9/2多極點(diǎn)系統(tǒng)10三極點(diǎn)系統(tǒng)三極點(diǎn)系統(tǒng)可能是不穩(wěn)定的?!赂郊拥臉O點(diǎn)(和零點(diǎn))對(duì)相位的影響比對(duì)幅值的影響更大。第二部分相位裕度及其與穩(wěn)定性關(guān)系2023/9/2相位裕度12相位裕度穩(wěn)定的邊緣情況
例如,在GX處,相位=-175°得到相位裕度(PM):定義為
PM=180°+∠FA(ω=ω1)
其中,ω1為增益交點(diǎn)頻率(單位增益帶寬。穩(wěn)定相位裕度相位裕度PM與系統(tǒng)的閉環(huán)增益之間的關(guān)系:相位裕度PM對(duì)應(yīng)的系統(tǒng)的總的相位應(yīng)為∠FA=PM-180°,對(duì)應(yīng)的頻率則為系統(tǒng)的截止頻率ω1,而此時(shí)所對(duì)應(yīng)的幅值為0dB,即|FA|=1。根據(jù)第八章的內(nèi)容可知系統(tǒng)的閉環(huán)增益為:上式兩邊求模就可得到在ω=ω1時(shí)系統(tǒng)閉環(huán)增益的幅值:
穩(wěn)定相位裕度由于在深度反饋時(shí)系統(tǒng)在低頻時(shí)的閉環(huán)增益為|Y/X|≈1/F,所以有:由上式可以看出其比值隨exp(j∠FA)的增大而增大,也即隨PM的增大而減小,PM越大系統(tǒng)越穩(wěn)定。
2023/9/2相位裕度15相位裕度對(duì)反饋系統(tǒng)穩(wěn)定性的影響(教材181頁)當(dāng)PM=45°時(shí),當(dāng)PM=60°時(shí),當(dāng)PM=90°時(shí),相位裕度PM與系統(tǒng)的閉環(huán)增益之間的關(guān)系穩(wěn)定相位裕度由上式可以看出:當(dāng)PM<60°時(shí),上式的值大于1,即表示在ω=ω1處系統(tǒng)的閉環(huán)頻率響應(yīng)存在一個(gè)尖峰,這表示該系統(tǒng)穩(wěn)定,但可能還存在減幅振蕩。當(dāng)PM=60°時(shí),上式的值為1,表明此時(shí)在系統(tǒng)的閉環(huán)頻率響應(yīng)中頻率峰值已不存在。這表示反饋系統(tǒng)的階躍響應(yīng)出現(xiàn)小的減幅振蕩現(xiàn)象,系統(tǒng)穩(wěn)定而且快速。所以通常認(rèn)為PM=60°是最合適的相位裕度。當(dāng)PM>60°時(shí),系統(tǒng)雖然很穩(wěn)定,但是其時(shí)間響應(yīng)速度減慢了。2023/9/2頻率補(bǔ)償17頻率補(bǔ)償增大PM的方法減少極點(diǎn)數(shù)減小帶寬2023/9/2頻率補(bǔ)償18單級(jí)運(yùn)放的頻率補(bǔ)償
極點(diǎn)位置:主極點(diǎn)Vout—電容最大鏡像極點(diǎn)A—寄生電容大極點(diǎn)N—寄生電容較大(PMOS)極點(diǎn)X/Y—寄生電容較小(NMOS)
2023/9/2頻率補(bǔ)償19單級(jí)運(yùn)放的頻率補(bǔ)償(續(xù))Bode圖,F(xiàn)=1(最壞情況下、開環(huán)情況下)降低GX
通過降低主極點(diǎn)頻率,降低GX
主極點(diǎn)只影響幅頻曲線可通過增加負(fù)載電容,降低主極點(diǎn)。提高PX
PX和A、N等極點(diǎn)位置有關(guān)降低A、N、X/Y點(diǎn)的寄生電容高頻應(yīng)用時(shí),L↓主極點(diǎn)應(yīng)如何調(diào)整呢?單級(jí)運(yùn)放的頻率補(bǔ)償(續(xù))
將相位裕度設(shè)定為45?,主極點(diǎn)應(yīng)如何調(diào)整呢?圖1補(bǔ)償前幅頻特性曲線圖2補(bǔ)償后幅頻特性曲線
增加負(fù)載電容,即調(diào)整主極點(diǎn),負(fù)載電容以因子ωp,o/ω’p,o而增大2023/9/2頻率補(bǔ)償21單級(jí)運(yùn)放的頻率補(bǔ)償(續(xù))
特別注意一個(gè)結(jié)論,如下圖所示,單位增益帶寬即為第一非主極點(diǎn),此時(shí)的相位裕度為45?。第一非主極點(diǎn)、單位增益帶寬、相位裕度的關(guān)系?PM的設(shè)計(jì)(補(bǔ)充材料)
設(shè)單位增益帶寬GBW,極點(diǎn)fp1、fp2….fN
頻率補(bǔ)償
設(shè)極點(diǎn)fp3….fN遠(yuǎn)大于單位增益帶寬GBWPM的設(shè)計(jì)
相位裕度PM設(shè)計(jì)
合理設(shè)計(jì)
第一非主極點(diǎn)越大,相位裕度越大!2023/9/2頻率補(bǔ)償24單級(jí)運(yùn)放的頻率補(bǔ)償(續(xù))↑Rout→AV↑,因此雖然ωp,out=(RoutCL)-1,但增大Rout并不能對(duì)運(yùn)放進(jìn)行補(bǔ)償總結(jié)(頻率補(bǔ)償)
單級(jí)運(yùn)放主要通過增加負(fù)載電容CL,實(shí)現(xiàn)頻率的補(bǔ)償。CL的大小、和第一主極點(diǎn)的大小取決于單位增益大小和相位裕度大小。2023/9/2頻率補(bǔ)償26單級(jí)運(yùn)放的頻率補(bǔ)償(續(xù))全差動(dòng)套筒式運(yùn)放:沒有鏡像極點(diǎn)包含一個(gè)主極點(diǎn)(輸出極點(diǎn))和一個(gè)非主極點(diǎn)(X或Y)PMOS的共源共柵中的極點(diǎn)(N或K)可以和輸出極點(diǎn)合并(在教材的183頁有闡述具體的理由)。穩(wěn)定CMOS多級(jí)運(yùn)放的補(bǔ)償
實(shí)際應(yīng)用中運(yùn)算放大器往往是一個(gè)多級(jí)放大器,且常使用在閉環(huán)狀態(tài),為了使能穩(wěn)定地工作,必須進(jìn)行頻率補(bǔ)償,頻率補(bǔ)償?shù)碾娐肥鞘瓜到y(tǒng)的GX小于PX。運(yùn)算放大器頻率補(bǔ)償?shù)姆椒ㄖ饕袃深悾阂活惙Q為滯后補(bǔ)償(也稱為積分補(bǔ)償)。另一類為超前補(bǔ)償(也稱微分補(bǔ)償)。滯后補(bǔ)償法一般又分為二種:?jiǎn)坞娙菅a(bǔ)償法(密勒電容法)RC補(bǔ)償法超前補(bǔ)償法
超前補(bǔ)償法是在放大器中加入超前網(wǎng)絡(luò),有意引入零點(diǎn)抵消極點(diǎn),這在多級(jí)放大器中有相應(yīng)的應(yīng)用。補(bǔ)充材料:兩級(jí)運(yùn)放三個(gè)極點(diǎn),E和A是重要的,極點(diǎn)X在高頻,可忽略。如何補(bǔ)償,才能使系統(tǒng)穩(wěn)定?等效為為了簡(jiǎn)化分析,僅分析E、A節(jié)點(diǎn)。
簡(jiǎn)化模型
簡(jiǎn)化模型
補(bǔ)償前后對(duì)比
補(bǔ)償前
補(bǔ)償后右半平面零點(diǎn)PX靠近原點(diǎn)-90?相移GX遠(yuǎn)離原點(diǎn)+20dB/dec
結(jié)果:不穩(wěn)定消除右半平面零點(diǎn)
方法1:消除零點(diǎn)
方法2:ωZ為負(fù)零點(diǎn),與ωp2抵消2023/9/2二級(jí)運(yùn)放設(shè)計(jì)實(shí)例36二級(jí)運(yùn)放設(shè)計(jì)實(shí)例(optional)約束條件電源電壓工藝溫度設(shè)計(jì)描述小信號(hào)增益頻率響應(yīng),增益帶寬積GB相位裕度PM輸入共模范圍(ICMR)輸出擺幅轉(zhuǎn)換速率功耗負(fù)載電容CL2023/9/2二級(jí)運(yùn)放設(shè)計(jì)實(shí)例37關(guān)系方程60degPM要求
p2>2.2GB
,
else>10GB2023/9/2二級(jí)運(yùn)放設(shè)計(jì)實(shí)例38設(shè)計(jì)步驟0.確定正確的電路偏置,保證所有晶體管處于飽和區(qū)。為保證良好的電流鏡,并確保M4處于飽和區(qū)(Sx=Wx/Lx)I6=I72023/9/2二級(jí)運(yùn)放設(shè)計(jì)實(shí)例39設(shè)計(jì)步驟(續(xù))1.根據(jù)需要的PM=60deg求Cc(假定
z>10GB)2.由已知的Cc并根據(jù)轉(zhuǎn)換速率的要求(或功耗要求)選擇ISS(I5)的范圍;3.設(shè)計(jì)W3/L3(W4/L4
)滿足上ICMR(或輸出擺幅)要求;4.驗(yàn)證M3處鏡像極點(diǎn)是否大于10GB5.設(shè)計(jì)W1/L1(W2/L2
)滿足GB的要求6.設(shè)計(jì)W5/L5滿足下ICMR(或輸出擺幅)要求;2023/9/2二級(jí)運(yùn)放設(shè)計(jì)實(shí)例40設(shè)計(jì)步驟(續(xù))7.根據(jù)
p2>2.2GB
計(jì)算得到g
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