微電子科學與工程介紹課件

介紹要點1.經(jīng)典著作2.高校院系3.行業(yè)資源4.科學網(wǎng)站5.行業(yè)牛人6.總結介紹要點1.經(jīng)典著作1微電子的經(jīng)典書籍

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關鍵字：微電子經(jīng)典書籍

模擬CMOS集成電路設計作者:畢查德·拉扎維

半導體制造技術作者:MichaelQuirk/JulianSerda

晶體管原理與設計作者:陳星弼

模擬電路版圖的藝術作者:黑斯廷斯半導體制造技術作者:MichaelQuirk/JulianSerda

模擬集成電路的分析與設計作者:PaulR.Gay

微電子的經(jīng)典書籍

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2微電子科學與工程介紹課件3信息來源：豆瓣網(wǎng)信息來源：豆瓣網(wǎng)4期刊：《微電子學》

《微電子學》是由中國電子科技集團公司第二十四研究所主辦，并向國內外公開發(fā)行的科學技術刊物。國內統(tǒng)一連續(xù)出版物號：CN50-1090/TN；國際標準連續(xù)出版物號：ISSN1004-3365；國際刊名代碼（CODEN）：WEIDFK；雙月刊，A4幅面，128頁，每逢雙月20日出版。

《微電子學》創(chuàng)刊于1971年。她經(jīng)歷了中國微電子事業(yè)從無到有的創(chuàng)業(yè)歷程，目睹了微電子科研戰(zhàn)線上無數(shù)次沖鋒陷陣；她肩負著傳播微電子科學技術知識的重任，記載著微電子科研工作者辛勤的耕耘和豐碩的收獲。多年來,《微電子學》為推動和促進我國微電子事業(yè)的發(fā)展做出了應有的貢獻。在廣大讀者和作者的熱心支持和辛勤澆灌下，《微電子學》已獲得巨大的社會效益，成為廣大工程技術人員的良師益友，深受廣大讀者的喜愛，在半導體、微電子學界和業(yè)界贏得了很高的聲譽?！段㈦娮訉W》是中國權威期刊檢索工具書《中文核心期刊要目總覽》評定的無線電電子學、電信技術類“中文核心期刊”和《中國科技論文統(tǒng)計與分析》引用期刊，即“中文科技核心期刊”；《微電子學》是首批入選“中國期刊方陣”的“雙效期刊”，曾多次榮獲電子工業(yè)部、信息產(chǎn)業(yè)部、工業(yè)和信息化部“編輯質量獎”、“優(yōu)秀電子科技期刊獎”、“電子科技期刊報道選題獎”、“期刊學術技術水平優(yōu)秀獎”等榮譽。《微電子學》已被多家國內外知名數(shù)據(jù)庫收錄，其中包括英國INSPEC數(shù)據(jù)庫、俄羅斯《文摘雜志》（РЖ）數(shù)據(jù)庫，和中國學術期刊綜合評價數(shù)據(jù)庫、中國科學引文數(shù)據(jù)庫、中文核心期刊（遴選）數(shù)據(jù)庫、中國知網(wǎng)－中國期刊網(wǎng)、萬方數(shù)據(jù)－數(shù)字化期刊群、維普資訊－中文科技期刊數(shù)據(jù)庫，以及《電子科技文摘》、《中國無線電電子學文摘》等重要檢索文獻。信息來源：百度關鍵字：微電子的期刊編輯出版：微電子學雜志編輯部

主辦：中國電子科技集團公司第二十四研究所

出版周期：雙月刊出版地：重慶市

語種：中文ISSN：1004-3365期刊：《微電子學》

《微電子學》是由中國電子科技集團公司第5中國知名論文

來源于百度，搜索內容為：中國微電子知名論文微電子學研究院的5篇論文被微機電系統(tǒng)領域頂級國際會議——IEEE第26屆微機電系統(tǒng)國際會議（IEEE

MEMS

2013）錄用。其中，有兩篇來自于張海霞教授研究團隊，一篇由吳文剛教授指導的碩士研究生完成。值得一提的是，另有兩篇論文是2009級本科生常一陽、歐陽偉作為第一作者完成，分別由張錦文副教授和王瑋副教授指導的。這是微電子學研究院首次由本科生作為第一作者在IEEEMEMS會議上發(fā)表論文。IEEEMEMS會議是MEMS領域的國際頂級會議。第26屆會議將于2013年1月20—24日在臺北舉行，最終錄用311篇高水平論文（論文錄用率為40%）。

中國知名論文

來源于百度，搜索內容為：中國微電子知名論文微電6中國高校情況

（百度知道）211院校：

排名學校名稱等級排名學校名稱等級排名學校名稱等級1北京大學A+6東南大學A11浙江大學A2西安電子科技大學A+7西安交通大學A12吉林大學A3清華大學A+8電子科技大學A13天津大學A4復旦大學A9南京大學A

5哈爾濱工業(yè)大學A10華中科技大學A

B+等(21個)：上海交通大學、合肥工業(yè)大學、北京工業(yè)大學、華南理工大學、華南師范大學、河北工業(yè)大學、山東大學、南開大學、北京理工大學、大連理工大學、西北工業(yè)大學、中山大學、北京郵電大學、上海大學、西安理工大學、華東師范大學、蘭州大學、貴州大學、武漢大學、廈門大學、北京航空航天大學B等(21個)：湖南大學、南京理工大學、黑龍江大學、北京交通大學、西北大學、同濟大學、杭州電子科技大學、四川大學、中國科學技術大學、山東師范大學、揚州大學、湘潭大學、重慶郵電大學、河北大學、重慶大學、江南大學、福州大學、廣東工業(yè)大學、蘇州大學、長春理工大學、哈爾濱理工大學C等(14個)：名單略安大大概排三四十名中國高校情況

（百度知道）211院校：

7源于百度，檢索結果2009年安大微電子培養(yǎng)方案培養(yǎng)目標：本專業(yè)培養(yǎng)具有微電子學、電子技術、信息系統(tǒng)知識的高級工程技術人才。畢業(yè)后能從事VLSI設計、微電子器件與工藝、電子線路設計、計算機應用方面的工作。主要課程：半導體物理、半導體器件物理、集成電路設計原理、信號與系統(tǒng)、電子線路、通信原理、電磁場與微波技術、數(shù)字信號處理、數(shù)據(jù)結構、微機原理及應用等。就業(yè)去向：國家機關、大中專院校、科研院所、集成電路設計、微電子器件制造、電子、通信以及與電子信息技術相關的企事業(yè)單位。授予學位：工學學士。安大微電子培養(yǎng)方案源于百度，檢索結果2009年安大微電子培養(yǎng)方案培養(yǎng)目標：本專8行業(yè)資源

信息來源百度博客隨著第三次工業(yè)革命的興起，硅作為一種新材料引起世人的重視，微電子作為一個獨立的專業(yè)逐漸從物理學中分離出來。第三次工業(yè)革命起源于美國，因此，微電子專業(yè)也首先從美國興起。在現(xiàn)在知識經(jīng)濟時代，信息技術是基礎和支柱，而微電子技術又是信息技術的基礎和支柱，因此微電子引起世界各國的高度重視，都積極發(fā)展微電子專業(yè)教育，為微電子工業(yè)培養(yǎng)研究開發(fā)人才。

美國對微電子專業(yè)的教育是相當重視的，在美國的“麻省理工大學”、“斯坦福大學”等世界知名大學都設有微電子專業(yè)，并視為國家重點學科。美國的微電子研究所遍布美國大部分高校，并且對微電子研究的投資是相當巨大的。

微電子學在我國起步較晚，在五六十年代，作為半導體物理專業(yè)研究。隨著改革開放，我國現(xiàn)代化建設對微電子人才需求迫切，微電子專業(yè)逐漸發(fā)展并普及起來?，F(xiàn)在，北京大學、清華大學、南開大學、西安交通大學等大部分重點院校都設有微電子專業(yè)。行業(yè)資源

信息來源百度博客隨著第三次工業(yè)革命的興起，硅作為9李志堅同志是我國微電子的先驅，現(xiàn)任北京大學微電子研究所所長，中科院院士，主要從事微電子新工藝新器件新結構集成電路、微機電系統(tǒng)（MEMS）等方面的研究，已經(jīng)出版著作5部，發(fā)表學術論文150余篇，獲得國家發(fā)明獎、教育部科技進步獎等13項國家和部委級獎勵。劉訓春同志作為中科院微電子中心課題負責人，曾長期從事硅雙極高速集成電路的研究。研制成功當時在國內領先的肖特基TTL和ECL等電路及等平面隔離等技術。近幾年來，從事CaAs器件的研究。首次報導了在高溫退火時砷蒸汽對難溶金屬Au∕WSiN柵的影響并研究成功高跨導、亞微米Au∕WSiN柵自對準GaAs器件。圓滿完成了“七五”和“八五”攻關課題研究。張利春同志任北京大學教授，主要從事多晶硅發(fā)射極超高速器件及集成電路技術、GeSi異質結雙極器件及其集成電路，多晶硅技發(fā)射極和GeSi異質結高頻功率晶體管等方面的理論模型、器件結構、工藝技術和電路設計的研究工作。已發(fā)表學術論文80余篇，獲國家發(fā)明專利3項，獲全國科學大會獎、國家重大科技成果獎、國家教委科技進步獎等8項國家和部委級獎勵。

李志堅同志是我國微電子的先驅，現(xiàn)任北京大學微電子研究所所長，10

從建國到現(xiàn)在，我國在微電子領域取得了輝煌的成就，這些成就的取得離不開一批微電子科研人員和高校知名教授的共同努力。王陽元微電子技術在新世紀仍然將具有巨大的開發(fā)潛力，因為新材料不斷出現(xiàn)，硅也將繼續(xù)保持其使用的優(yōu)勢地位。同其它關鍵技術相比，微電子技術越成熟，其未來的開發(fā)可能性就越大。未來的微電子技術的高溫、高頻、高數(shù)據(jù)傳輸率和超導方面將展現(xiàn)出全新的面貌。另外，納米技術的發(fā)展，也將為微電子發(fā)展提供新的天地。

在我國，電子行業(yè)方興未艾，蓬勃發(fā)展，尤其在現(xiàn)在知識經(jīng)濟下，IT業(yè)發(fā)展得如火如荼。如今，國際電子市場與國內接軌，電子類產(chǎn)品將受到很大沖擊。這些發(fā)展和變化給微電子專業(yè)人才既帶來了機遇，也帶來了挑戰(zhàn)。對于微電子教育，國家投入的人力物力在逐漸加強，相信微電子專業(yè)必將有一個光明的前途。從建國到現(xiàn)在，我國在微電子領域取得了輝煌的成就，這些成就的11微電網(wǎng)站微電子技術與半導體技術第一門戶-中國微電子網(wǎng)中國科學院微電子研究所網(wǎng)站清華大學微電子所網(wǎng)站復旦微電子網(wǎng)站電子科技大學微電子網(wǎng)站天馬微電子集團網(wǎng)微電網(wǎng)站微電子技術與半導體技術第一門戶-中國微電子網(wǎng)12專業(yè)牛人

百度：微電子專家中科院院士

中國微電子專家-李志堅

李志堅，清華大學微電子學研究所教授，中國科學院院士，我國著名微電子專家。1928年生，浙江鎮(zhèn)海人。畢業(yè)于浙江大學物理系，1958年獲蘇聯(lián)列寧格勒大學副博士學位。1958年起在清華大學工作，長期擔任電子工程系半導體教研室主任，微電子所所長職務?，F(xiàn)任清華大學學術委員會副主任，國家信息化專家資深委員會委員。校外職務有：中國電子學會副理事長，全國科協(xié)委員，半導體和集成技術學會副主任委員，“電子學報”編委，“半導體學報”編委會副主任，以及國家超晶格實驗室，國家表面物理實驗室等學術委員會主任。曾多次獲國家獎勵，包括榮獲1997年度陳嘉庚信息科學獎和2000年度何梁何利基金科學與技術進步獎。專業(yè)牛人

百度：微電子專家中科院院士

中國微電子專家-李志堅13鄭耀宗-中國科學院院士,中國著名微電子學專家鄭耀宗簡介:鄭耀宗，男，1939年2月9日生于香港，籍貫廣東中山。微電子學專家。1963年畢業(yè)于香港大學，獲理學士學位。1967年獲加拿大卑詩大學博士學位。香港大學校長、教授。1999年當選為中國科學院院士。長期以來對金屬－氧化硅－硅(MOS)系統(tǒng)及其器件物理和工藝技術進行了系統(tǒng)研究。發(fā)明了摻氯化氫硅氧化技術，解決了當時MOS器件和集成電路閾值電壓漂移、不能穩(wěn)定工作的難題，使MOS器件和電路的性能、可靠性和成品率大大提高。在國際上首先提出了MOS反型層載流子表面粗糙度散射理論，在MOS集成電路進入深亞微米階段后，這一機理已成為決定MOS反型層載流子遷移率的主要因素，這是對MOS器件物理的一大發(fā)展。是較早開展氮化硅技術的研究者之一。在深亞微米器件模型研究工作中取得重要成果。鄭耀宗-中國科學院院士,中國著名微電子學專家鄭耀宗簡介:14王陽元微電子學專家,中國科學院院士

男，1935年1月生，漢，中國共產(chǎn)黨黨員，浙江寧波人。1958年畢業(yè)于北京大學物理系；1958年至今在北京大學工作，1982年至1983年美國加州大學伯克利分校高級訪問學者。1995年當選為中國科學院信息技術科學部院士。王陽元現(xiàn)為北京大學信息科學技術學院教授(1985年)、微電子學研究院首席科學家。王陽元微電子學專家,中國科學院院士

男，1935年1月生，漢15心得體會

在使用搜索引擎前,應該先考慮所找信息中的關鍵字,因為有時候我們在查找的過程中沒有輸入準確的關鍵字,往往所搜索出來的東西都是與之無關的;之后再進一步確定選擇何種搜索引擎。所以書上說關鍵字的選擇對信息的查找結果是至關重要的。

我有的時候還運用目錄搜