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文檔簡介

10材料科學(xué)與工程學(xué)科〔0805〕爭論生培育方案A、學(xué)術(shù)型碩士爭論生培育方案一、 培育目標(biāo)面進(jìn)展的高級專業(yè)人才。通過碩士階段學(xué)習(xí),把握材料科學(xué)與工程的根本理論和和開發(fā)工作。學(xué)位論文有肯定的穎性和應(yīng)用背景。二、 爭論方向材料物理與化學(xué)專業(yè)主要爭論方向:介電超晶格及其微構(gòu)造材料與器件介電、鐵電薄膜與集成器件人工帶隙材料半導(dǎo)體超晶格與光電器件全氧化物異質(zhì)構(gòu)造與器件納米材料與納米電子學(xué)型功能無機(jī)非金屬材料微構(gòu)造材料的設(shè)計(jì)材料設(shè)計(jì)中的高性能計(jì)算信息存儲材料與器件低維納米材料的掌握合成和組裝低維納米材料的高區(qū)分表征納米光子學(xué)材料材料學(xué)專業(yè)主要爭論方向:儲能材料與電池工程光催化能源和環(huán)境材料工程微電子互連材料與型金屬薄膜材料功能聚合物材料納米印刷與納米構(gòu)造制備掃描和透射電子顯微術(shù)型薄膜太陽能電池材料型發(fā)光材料型熱電材料燃料電池關(guān)鍵材料與工程根底型復(fù)合涂層材料生物納米材料和生物醫(yī)學(xué)材料生物分析與傳感技術(shù)材料加工工程專業(yè)主要爭論方向:納米壓印微納加工技術(shù)聚焦離子束微加工技術(shù)分子束外延技術(shù)原子層沉積技術(shù)晶體生長技術(shù)疇工程學(xué)三、 招生對象學(xué)歷在職人員,參與全國碩士爭論生統(tǒng)一考試合格,再經(jīng)面試合格者。四、 學(xué)習(xí)年限碩士爭論生:三年五、 課程設(shè)置碩士生爭論生畢業(yè)的學(xué)分要求:本專業(yè)本科入學(xué)者32個學(xué)分,非本專業(yè)本科或36AB,D2CD3-4學(xué)分。碩士階段A類:理論與實(shí)踐爭論(2學(xué)分)自然辯證法概論 〔1學(xué)分〕克思主義與社會科學(xué)方法論,或馬克思主義原著選讀〕英語 〔4學(xué)分〕B類:材料構(gòu)造 〔2學(xué)分〕材料性能 〔2學(xué)分〕材料熱力學(xué)與動力學(xué) 〔2學(xué)分〕C類:納米材料與技術(shù) 〔3學(xué)分〕電子顯微術(shù) 〔2學(xué)分〕材料設(shè)計(jì) 〔2學(xué)分〕D類:材料科學(xué)與工程進(jìn)展 〔3學(xué)分〕微納加工 〔2學(xué)分〕固體理論〔4學(xué)分〕分散態(tài)物理導(dǎo)論〔4學(xué)分〕半導(dǎo)體物理〔2學(xué)分〕低維分散態(tài)物理〔4學(xué)分〕分散態(tài)光物理學(xué)導(dǎo)論〔2學(xué)分〕半導(dǎo)體器件原理〔3學(xué)分〕電子薄膜物理〔4學(xué)分〕固體物理試驗(yàn)方法〔3學(xué)分〕固體外表化學(xué)〔2學(xué)分〕能源材料〔2學(xué)分〕生物材料〔2學(xué)分〕光化學(xué)根底〔2學(xué)分〕固體無機(jī)化學(xué)〔2學(xué)分〕功能高分子〔2學(xué)分〕固體外表分析〔2學(xué)分〕譜學(xué)根底〔2學(xué)分〕光纖技術(shù)與應(yīng)用〔3學(xué)分〕微納光子學(xué)〔2學(xué)分〕現(xiàn)代工學(xué)前沿探討〔2學(xué)分〕科學(xué)爭論方法導(dǎo)論〔2學(xué)分〕學(xué)問產(chǎn)權(quán)〔1學(xué)分〕信息檢索試驗(yàn)室安全〔1學(xué)分〕六、 培育方式導(dǎo)師負(fù)責(zé)全部培育工作?!骋灾v授為主,輔以自學(xué)。根底課和專業(yè)課以講授、獻(xiàn)。教學(xué)實(shí)習(xí):碩士生學(xué)習(xí)期間,須完成肯定學(xué)時的教學(xué)實(shí)習(xí),包括擔(dān)當(dāng)學(xué)七、 考核方式公共課和根底課以筆試考核為主。的把握狀況及綜合分析問題的力量。中期考核評定成績,對考核不合格或完成學(xué)業(yè)確有困難者,勸其退學(xué)或作肄業(yè)處理。八、 學(xué)位論文題。選題力求來自國家、省部級基金工程和企業(yè)橫向課題等。論文打算由爭論生在導(dǎo)師指導(dǎo)下擬定。九、 辯論和學(xué)位授予21人3〔不含導(dǎo)師其中正高職稱專家至少兩人,原則上不聘請外單位專家參與。SCIEI〔全文檢索〕收錄的刊物〔第一作者。如在辯論時尚未完成上述指標(biāo),可在一年內(nèi)補(bǔ)充。學(xué)位分會的意見依據(jù)有關(guān)規(guī)定做出是否授予學(xué)位的打算。B、博士爭論生培育方案一、培育目標(biāo)博士學(xué)位獲得者在材料科學(xué)與工程方面具有堅(jiān)實(shí)寬廣的理論根底和系統(tǒng)深能在本學(xué)科前沿學(xué)術(shù)和高技術(shù)領(lǐng)域上做出制造性的成果。二、爭論方向材料物理與化學(xué)專業(yè)主要爭論方向:介電超晶格及其微構(gòu)造材料與器件介電、鐵電薄膜與集成器件人工帶隙材料半導(dǎo)體超晶格與光電器件全氧化物異質(zhì)構(gòu)造與器件納米材料與納米電子學(xué)型功能無機(jī)非金屬材料微構(gòu)造材料的設(shè)計(jì)材料設(shè)計(jì)中的高性能計(jì)算信息存儲材料與器件低維納米材料的掌握合成和組裝低維納米材料的高區(qū)分表征納米光子學(xué)材料材料學(xué)專業(yè)主要爭論方向:儲能材料與電池工程光催化能源和環(huán)境材料工程微電子互連材料與型金屬薄膜材料功能聚合物材料納米印刷與納米構(gòu)造制備掃描和透射電子顯微術(shù)型薄膜太陽能電池材料型發(fā)光材料型熱電材料燃料電池關(guān)鍵材料與工程根底型復(fù)合涂層材料生物納米材料和生物醫(yī)學(xué)材料生物分析與傳感技術(shù)材料加工工程專業(yè)主要爭論方向:納米壓印微納加工技術(shù)聚焦離子束微加工技術(shù)分子束外延技術(shù)原子層沉積技術(shù)晶體生長技術(shù)疇工程學(xué)三、招生對象學(xué)歷在職人員,參與南京大學(xué)現(xiàn)代工程與應(yīng)用科學(xué)學(xué)院統(tǒng)一組織的博士生招生“申請-考核制”入學(xué)考試,筆試和面試均合格者。選擇直博,并通過面試合格者。入學(xué)后,享受博士生待遇。碩博連讀生:獲學(xué)士學(xué)位的優(yōu)秀應(yīng)屆本科畢業(yè)生,獲得保送推舉免試爭論生享受博士生待遇。中期考核未通過者,按碩士生要求培育畢業(yè)。四、培育年限:568五、培育方式2〔或相當(dāng)專業(yè)技術(shù)職務(wù)〕以上教師為副導(dǎo)師??鐚W(xué)科培育時,應(yīng)從相關(guān)學(xué)生爭論其相關(guān)課題至少一次。定具體課題,獨(dú)立從事科學(xué)爭論,取得創(chuàng)性成果。六、課程學(xué)習(xí)學(xué)問構(gòu)造下必要的根底。課程學(xué)習(xí)一般博士生攻讀博士學(xué)位期間,應(yīng)修總學(xué)分14學(xué)分,其中公共必修課程6學(xué)分〔博42學(xué)分44學(xué)分。2-3補(bǔ)修課程計(jì)成績,不計(jì)學(xué)分?!渤匦蕲h(huán)節(jié)外〕,一般應(yīng)在入學(xué)后一學(xué)年內(nèi)完成。課程設(shè)置見附錄。直博生〔A〕9〔B〕6〔C〕4-7〔D〕10-134學(xué)分。直博3-4非本專業(yè)本科或同等學(xué)歷入學(xué)者應(yīng)修總學(xué)分40個學(xué)分。其中公共必修課程程〕7〔D〕144學(xué)分?!渤匦蕲h(huán)節(jié)外〕,一般應(yīng)在入學(xué)后二學(xué)年內(nèi)完成。課程設(shè)置見附錄。碩博連讀生前兩年完成根底課及學(xué)位課程,課程要求同碩士生,本專業(yè)本科入學(xué)者32個學(xué)分,非本專業(yè)本科或同等學(xué)歷入學(xué)者36個學(xué)分。轉(zhuǎn)為博士生后,課程要求14學(xué)分,6〔42學(xué)分443-4七、主要培育環(huán)節(jié)博士生資格考試的時間不得少于二年,直博生和碩博連讀生不得少于三年。格,予以分流。開題報告和意義、爭論內(nèi)容、爭論方案、預(yù)期爭論目標(biāo)等,口頭報告的時間應(yīng)不少于20分鐘。書面報告的字?jǐn)?shù)應(yīng)不少于1.0萬字,參考文獻(xiàn)不少于50篇,外文文獻(xiàn)不1中期檢查3-520公室備案。中期檢查不通過者,不能進(jìn)入博士論文辯論階段。階段性工作進(jìn)展成果匯報展,并由工學(xué)院教師評出最正確墻報獎,予以嘉獎。學(xué)術(shù)溝通為了拓寬博士生的學(xué)術(shù)視野,加強(qiáng)其學(xué)術(shù)溝通力量,規(guī)定如下:培育期內(nèi),直博生或碩博連讀生須參與20次以上學(xué)術(shù)活動,其中5次為跨102級學(xué)科的學(xué)術(shù)報告。每次學(xué)術(shù)活動應(yīng)有不少于50011科研力量11教學(xué)實(shí)習(xí)1八、博士學(xué)位論文博士學(xué)位論文撰寫博士學(xué)位論文是博士生科學(xué)爭論工作的全面總結(jié),是博士生培育質(zhì)量和學(xué)指導(dǎo)下由博士生獨(dú)立完成。博士學(xué)位論文撰寫是博士生培育過程的根本訓(xùn)練之〔碩士〕學(xué)位論文博士學(xué)位論文盲審3〔隱去爭論生、指導(dǎo)教師等根本信息;通3或同意修改后直接辯論票,方可正式進(jìn)入博士學(xué)位論文辯論程序。九、辯論和學(xué)位授予博士學(xué)位論文預(yù)辯論及辯論申請和授予博士學(xué)位的重要程序。申請博士學(xué)位論文辯論的條件及有關(guān)要求見5〔不含導(dǎo)師23改論文資料,重辯論一次。學(xué)位授予博士爭論生在攻讀學(xué)位期間發(fā)表論文的水平和數(shù)量是博士爭論生培育質(zhì)量間所取得的科研成果需要到達(dá)以下條件之一:〔具體參見附件為準(zhǔn)〕發(fā)表與學(xué)位論文相關(guān)1〔第一作者;在中國科學(xué)技術(shù)信息爭論所公布的SCI2〔第一作者;在中國科學(xué)技術(shù)信息爭論所公布的SCI3〔第一作者。為表達(dá)工科特點(diǎn),規(guī)定如下:獲得中國制造專利1〔已授權(quán),為第一學(xué)生專利人11〔已授權(quán),為第一學(xué)生專利人11位論文相關(guān)的學(xué)術(shù)論文。附錄:博士生課程設(shè)置及學(xué)分要求一、一般博士生課程設(shè)置及學(xué)分要求學(xué)分,其中公共必修課程6學(xué)分,學(xué)44學(xué)分。課程設(shè)置如下:公共必修課程〔6〕馬克思主義與當(dāng)代 〔2學(xué)分〕博士生英語 〔4學(xué)分〕學(xué)科專業(yè)要求課程〔4〕可選修本學(xué)科或相關(guān)學(xué)科的爭論生課程,未修過《材料科學(xué)與工程進(jìn)展〔3〕的博士生要求必修此課程。未在本學(xué)院進(jìn)展過《試驗(yàn)室安全》培訓(xùn)〕的博士生,須修此課程。必修環(huán)節(jié)〔4〕類別學(xué)分要求備注學(xué)術(shù)活動12500必選,考察11學(xué)分20開題報告面報告的字?jǐn)?shù)應(yīng)不少于1.0萬字,參考文獻(xiàn)不少必選,考察5030生辦公室備案。工程模擬申請就所爭論的課題方向獨(dú)立進(jìn)展一次模擬科研工程申請,提交相應(yīng)的工程申請書,并由博士生指導(dǎo)必選,考察學(xué)術(shù)報告博士生參與國際、國內(nèi)會議或博士生論壇,做口頭報告或墻報展現(xiàn)??蛇x,考察博士生創(chuàng)工程博士生在讀期間獲得校級、省級或國家級博士生創(chuàng)工程并順當(dāng)完成??蛇x,考察教學(xué)實(shí)習(xí)未有過教學(xué)實(shí)習(xí)經(jīng)受的博士生,須完成肯定學(xué)時的教學(xué)實(shí)習(xí),包括擔(dān)當(dāng)學(xué)校和院系本科課程的輔可選,考察導(dǎo)、答疑、批改作業(yè)和指導(dǎo)試驗(yàn)課等教學(xué)工作。自選課程在為博士生制定具體培育打算時,導(dǎo)師可依據(jù)爭論工作需要和博士生的學(xué)科生可以依據(jù)自己的需要進(jìn)展選修。自選課程計(jì)成績,不計(jì)學(xué)分。補(bǔ)修課程2-3二、直博生課程設(shè)置及學(xué)分要求〔A〕9〔B〕6〔C〕4-7〔D〕10-134學(xué)分。直博3-4非本專業(yè)本科或同等學(xué)歷入學(xué)者應(yīng)修總學(xué)分40個學(xué)分。其中公共必修課程程〕7〔D〕144學(xué)分。公共必修課程〔9〕A類:理論與實(shí)踐爭論(2學(xué)分)自然辯證法概論 〔1學(xué)分〕克思主義與社會科學(xué)方法論,或馬克思主義原著選讀〕馬克思主義與當(dāng)代 〔2學(xué)分〕博士生英語 〔4學(xué)分〕學(xué)科、專業(yè)必修課程〔10-13學(xué)分〕B類:材料構(gòu)造 〔2學(xué)分〕材料性能 〔2學(xué)分〕材料熱力學(xué)與動力學(xué) 〔2學(xué)分〕C類:納米材料與技術(shù) 〔3學(xué)分〕ElectronMicroscopy材料設(shè)計(jì)學(xué)科、專業(yè)選修課程〔10-13學(xué)分〕D類:微納加工固體理論半導(dǎo)體物理低維分散態(tài)物理半導(dǎo)體器件原理電子薄膜物理固體外表化學(xué)生物材料功能高分子譜學(xué)根底微納光子學(xué)學(xué)問產(chǎn)權(quán)信息檢索試驗(yàn)室安全必修環(huán)節(jié)〔4〕

〔2學(xué)分〕〔2學(xué)分〕〔3學(xué)分〕〔2學(xué)分〕〔4學(xué)分〕〔4學(xué)分〕〔2學(xué)分〕〔4學(xué)分〕〔2學(xué)分〕〔3學(xué)分〕〔4學(xué)分〕〔3學(xué)分〕〔2學(xué)分〕〔2學(xué)分〕〔2學(xué)分〕〔2學(xué)分〕〔2學(xué)分〕〔2學(xué)分〕〔2學(xué)分〕〔2學(xué)分〕〔3學(xué)分〕〔2學(xué)分〕〔2學(xué)分〕〔2學(xué)分〕〔1學(xué)分〕〔1學(xué)分〕類別學(xué)分要求備注1205學(xué)術(shù)活動500字的必選,考察1博士生進(jìn)展口頭報告的時間應(yīng)不少于20開題報告面報告的字?jǐn)?shù)應(yīng)不少于1.0萬字,參考文獻(xiàn)不少必選,考察5030生辦公室備案。1就所爭論的課題方向獨(dú)立進(jìn)展一次模擬科研工程工程模擬申請申請,提交相應(yīng)的工程申請書,并由博士生指導(dǎo)必選,考察學(xué)術(shù)報告博士生創(chuàng)工程

學(xué)分博士生參與國際、國內(nèi)會議或博士生論壇,做口頭報告或墻報展現(xiàn)。學(xué)分博士生在讀期間獲得校級、省級或國家級博士生創(chuàng)工程并順當(dāng)完成。學(xué)分直博生須完成肯定學(xué)時的教學(xué)實(shí)習(xí),包括擔(dān)當(dāng)學(xué)

可選,考察可選,考察教學(xué)實(shí)習(xí) 校和院系本科課程的輔導(dǎo)、答疑、批改作業(yè)和指可選,考察導(dǎo)試驗(yàn)課等教學(xué)工作。自選課程在為博士生制定具體培育打算時,導(dǎo)師可依據(jù)爭論工作需要和直博生的學(xué)科生可以依據(jù)自己的需要進(jìn)展選修。自選課程可計(jì)入非學(xué)位學(xué)分。補(bǔ)修課程三、碩博連讀生課程設(shè)置及學(xué)分要求前兩年完成根底課及學(xué)位課程,課程要求同碩士生,本專業(yè)本科入學(xué)者3236同一般博士生。必修環(huán)節(jié)要求同直博生。碩博連讀生跨一級學(xué)科選修課不少于3-4類別學(xué)分要求備注學(xué)術(shù)活動15500必選,考察開

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