
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
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文檔簡介
第一章原子排列上規(guī)則排列1第一頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第一節(jié)原子的結(jié)合方式第一章第一節(jié)原子結(jié)合方式材料的結(jié)構(gòu)層次結(jié)構(gòu)層次
應(yīng)用舉例原子結(jié)構(gòu)金剛石-切削工具刃原子排列:長程有序點(diǎn)火器原子排列:短程有序非晶硅-光通訊技術(shù)2第二頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第一節(jié)原子的結(jié)合方式第一章第一節(jié)原子結(jié)合方式材料的結(jié)構(gòu)層次(續(xù))結(jié)構(gòu)層次
應(yīng)用舉例納米結(jié)構(gòu)納米粒子微觀結(jié)構(gòu)金屬和合金的強(qiáng)度宏觀結(jié)構(gòu)汽車的防銹漆3第三頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第一節(jié)原子的結(jié)合方式1原子結(jié)構(gòu)
原子序數(shù)原子量阿佛伽德羅常數(shù)原子量單位電負(fù)性第一章第一節(jié)原子結(jié)合方式?2003Brooks/ColePublishing/ThomsonLearning?4第四頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四?2003Brooks/ColePublishing/ThomsonLearning?第一節(jié)原子的結(jié)合方式1原子結(jié)構(gòu)第一章第一節(jié)原子結(jié)合方式?2003Brooks/ColePublishing/ThomsonLearning?5第五頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第一節(jié)原子的結(jié)合方式2原子結(jié)合鍵
(1)離子鍵與離子晶體原子結(jié)合:電子轉(zhuǎn)移,結(jié)合力大,無方向性和飽和性;離子晶體;硬度高,脆性大,熔點(diǎn)高、導(dǎo)電性差。如氧化物陶瓷。第一章第一節(jié)原子結(jié)合方式?2003Brooks/ColePublishing/ThomsonLearning?6第六頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第一節(jié)原子的結(jié)合方式(2)共價鍵與原子晶體原子結(jié)合:電子共用,結(jié)合力大,有方向性和飽和性;原子晶體:強(qiáng)度高、硬度高(金剛石)、熔點(diǎn)高、脆性大、導(dǎo)電性差。如高分子材料。第一章第一節(jié)原子結(jié)合方式?2003Brooks/ColePublishing/ThomsonLearning??2003Brooks/ColePublishing/ThomsonLearning?7第七頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第一節(jié)原子的結(jié)合方式(3)金屬鍵與金屬晶體原子結(jié)合:電子逸出共有,結(jié)合力較大,無方向性和飽和性;金屬晶體:導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性、延展性好,熔點(diǎn)較高。如金屬。金屬鍵:依靠正離子與構(gòu)成電子氣的自由電子之間的靜電引力而使諸原子結(jié)合到一起的方式。第一章第一節(jié)原子結(jié)合方式8第八頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四?2003Brooks/ColePublishing/ThomsonLearning?9第九頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四?2003Brooks/ColePublishing/ThomsonLearning?10第十頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第一節(jié)原子的結(jié)合方式(4)分子鍵與分子晶體原子結(jié)合:電子云偏移,結(jié)合力很小,無方向性和飽和性。分子晶體:熔點(diǎn)低,硬度低。如高分子材料。第一章第一節(jié)原子結(jié)合方式?2003Brooks/ColePublishing/ThomsonLearning?11第十一頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第一節(jié)原子的結(jié)合方式(4)分子鍵與分子晶體氫鍵:(離子結(jié)合)X-H---Y(氫鍵結(jié)合),有方向性,如O-H—O第一章第一節(jié)原子結(jié)合方式?2003Brooks/ColePublishing/ThomsonLearning?12第十二頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第一節(jié)原子的結(jié)合方式3結(jié)合鍵分類(1)一次鍵
(化學(xué)鍵):金屬鍵、共價鍵、離子鍵。(2)二次鍵
(物理鍵):分子鍵和氫鍵。4原子的排列方式(1)晶體:原子在三維空間內(nèi)的周期性規(guī)則排列。長程有序,各向異性。(2)非晶體:――――――――――不規(guī)則排列。長程無序,各向同性。第一章第一節(jié)原子結(jié)合方式13第十三頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第二節(jié)原子的規(guī)則排列一
晶體學(xué)基礎(chǔ)1空間點(diǎn)陣與晶體結(jié)構(gòu)(1)空間點(diǎn)陣:由幾何點(diǎn)做周期性的規(guī)則排列所形成的三維陣列。特征:a原子的理想排列;b有14種。其中:陣點(diǎn)-空間點(diǎn)陣中的點(diǎn)。它是純粹的幾何點(diǎn),各點(diǎn)周圍環(huán)境相同。晶格-描述晶體中原子排列規(guī)律的空間格架。晶胞-空間點(diǎn)陣中最小的幾何單元。(2)晶體結(jié)構(gòu):原子、離子或原子團(tuán)按照空間點(diǎn)陣的實(shí)際排列。特征:a可能存在局部缺陷;b可有無限多種。第一章第二節(jié)原子規(guī)則排列14第十四頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第二節(jié)原子的規(guī)則排列2晶胞
(1)――-:構(gòu)成空間點(diǎn)陣的最基本單元。(2)選取原則:a能夠充分反映空間點(diǎn)陣的對稱性;b相等的棱和角的數(shù)目最多;c具有盡可能多的直角;d體積最小。(3)形狀和大小有三個棱邊的長度a,b,c及其夾角α,β,γ表示。(4)晶胞中點(diǎn)的位置表示(坐標(biāo)法)。第一章第二節(jié)原子規(guī)則排列SmithWF.FoundationsofMaterialsScienceandEngineering.McGRAW.HILL.3/E15第十五頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第二節(jié)原子的規(guī)則排列3布拉菲點(diǎn)陣14種點(diǎn)陣分屬7個晶系。第一章第二節(jié)原子規(guī)則排列16第十六頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第二節(jié)原子的規(guī)則排列4晶向指數(shù)與晶面指數(shù)晶向:空間點(diǎn)陣中各陣點(diǎn)列的方向。晶面:通過空間點(diǎn)陣中任意一組陣點(diǎn)的平面。國際上通用米勒指數(shù)標(biāo)定晶向和晶面。第一章第二節(jié)原子規(guī)則排列17第十七頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第二節(jié)原子的規(guī)則排列
(1)晶向指數(shù)的標(biāo)定a建立坐標(biāo)系。確定原點(diǎn)(陣點(diǎn))、坐標(biāo)軸和度量單位(棱邊)。b求坐標(biāo)。u’,v’,w’。c化整數(shù)。u,v,w.d加[]。[uvw](最小整數(shù))。說明:a指數(shù)意義:代表相互平行、方向一致的所有晶向。b負(fù)值:標(biāo)于數(shù)字上方,表示同一晶向的相反方向。c晶向族:晶體中原子排列情況相同但空間位向不同的一組晶向。用<uvw>表示,數(shù)字相同,但排列順序不同或正負(fù)號不同的晶向?qū)儆谕痪蜃?。第一章第二?jié)原子規(guī)則排列2h18第十八頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第二節(jié)原子的規(guī)則排列
(2)晶面指數(shù)的標(biāo)定a建立坐標(biāo)系:確定原點(diǎn)(非陣點(diǎn))、坐標(biāo)軸和度量單位。b量截距:x,y,z。c取倒數(shù):h’,k’,l’。d化整數(shù):h,k,k。e加圓括號:(hkl)。
(最小整數(shù)?)第一章第二節(jié)原子規(guī)則排列19第十九頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第二節(jié)原子的規(guī)則排列
(2)晶面指數(shù)的標(biāo)定
第一章第二節(jié)原子規(guī)則排列(c)2003Brooks/ColePublishing/ThomsonLearning?例:標(biāo)定下列A,B,C面的指數(shù)。20第二十頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第二節(jié)原子的規(guī)則排列說明:a指數(shù)意義:代表一組平行的晶面;b0的意義:面與對應(yīng)的軸平行;c平行晶面:指數(shù)相同,或數(shù)字相同但正負(fù)號相反;d晶面族:晶體中具有相同條件(原子排列和晶面間距完全相同),空間位向不同的各組晶面。用{hkl}表示。e若晶面與晶向同面,則hu+kv+lw=0;f若晶面與晶向垂直,則u=h,k=v,w=l。
平移坐標(biāo)原點(diǎn):為了標(biāo)定方便。第一章第二節(jié)原子規(guī)則排列21第二十一頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第二節(jié)原子的規(guī)則排列
(3)六方系晶向指數(shù)和晶面指數(shù)a六方系指數(shù)標(biāo)定的特殊性:四軸坐標(biāo)系(等價晶面不具有等價指數(shù))。b晶面指數(shù)的標(biāo)定
標(biāo)法與立方系相同(四個截距);用四個數(shù)字(hkil)表示;i=-(h+k)。
第一章第二節(jié)原子規(guī)則排列(c)2003Brooks/ColePublishing/ThomsonLearning?22第二十二頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第二節(jié)原子的規(guī)則排列
(3)六方系晶向指數(shù)和晶面指數(shù)c晶向指數(shù)的標(biāo)定
標(biāo)法與立方系相同(四個坐標(biāo));用四個數(shù)字(uvtw)表示;t=-(u+w)。
依次平移法:適合于已知指數(shù)畫晶向(末點(diǎn))。
坐標(biāo)換算法:[UVW]~[uvtw]u=(2U-V)/3,v=(2V-U)/3,t=-(U+V)/3,w=W。第一章第二節(jié)原子規(guī)則排列23第二十三頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第二節(jié)原子的規(guī)則排列
(3)六方系晶向指數(shù)和晶面指數(shù)
第一章第二節(jié)原子規(guī)則排列24第二十四頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第二節(jié)原子的規(guī)則排列
(4)晶帶a――:平行于某一晶向直線所有晶面的組合。
晶帶軸
晶帶面b性質(zhì):晶帶用晶帶軸的晶向指數(shù)表示;晶帶面//晶帶軸;hu+kv+lw=0c晶帶定律
凡滿足上式的晶面都屬于以[uvw]為晶帶軸的晶帶。推論:(a)
由兩晶面(h1k1l1)(h2k2l2)求其晶帶軸[uvw]:u=k1l2-k2l1;v=l1h2-l2h1;w=h1k2-h2k1。(b)
由兩晶向[u1v1w1][u2v2w2]求其決定的晶面(hkl)。H=v1w1-v2w2;k=w1u2-w2u1;l=u1v2-u2v1。第一章第二節(jié)原子規(guī)則排列25第二十五頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第二節(jié)原子的規(guī)則排列
(5)晶面間距a――:一組平行晶面中,相鄰兩個平行晶面之間的距離。b計算公式(簡單立方):d=a/(h2+k2+l2)1/2注意:只適用于簡單晶胞;對于面心立方hkl不全為偶、奇數(shù)、體心立方h+k+l=奇數(shù)時,d(hkl)=d/2。第一章第二節(jié)原子規(guī)則排列低指數(shù)晶面的面間距較大;晶面間距越大,該面上原子排列越緊密;原子線密度最大的晶向上面間距最大。26第二十六頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第二節(jié)原子的規(guī)則排列二
典型晶體結(jié)構(gòu)及其幾何特征
第一章第二節(jié)原子規(guī)則排列香港國際機(jī)場案例討論:工程上大量使用鋼鐵材料,鋼和鐵在性能上差別較大,各有優(yōu)勢,設(shè)想這種差別的來源。27第二十七頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第二節(jié)原子的規(guī)則排列二
典型晶體結(jié)構(gòu)及其幾何特征
1三種常見晶體結(jié)構(gòu)
面心立方(A1,FCC)體心立方(A2,BCC)密排六方(A3,HCP)第一章第二節(jié)原子規(guī)則排列SmithWF.FoundationsofMaterialsScienceandEngineering.McGRAW.HILL.3/E28第二十八頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第二節(jié)原子的規(guī)則排列二
典型晶體結(jié)構(gòu)及其幾何特征
1三種常見晶體結(jié)構(gòu)
晶胞原子數(shù)4;2;6點(diǎn)陣常數(shù)a=2/2r;a=4/3r/3;a=2r。第一章第二節(jié)原子規(guī)則排列SmithWF.FoundationsofMaterialsScienceandEngineering.McGRAW.HILL.3/E29第二十九頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第二節(jié)原子的規(guī)則排列二
典型晶體結(jié)構(gòu)及其幾何特征
1三種常見晶體結(jié)構(gòu)
配位數(shù)12;8(8+6);12致密度0.74;0.68;0.74配位數(shù)(CN):晶體結(jié)構(gòu)中任一原子周圍最近且等距離的原子數(shù)。致密度(K):晶體結(jié)構(gòu)中原子體積占總體積的百分?jǐn)?shù)。K=nv/V。第一章第二節(jié)原子規(guī)則排列4hSmithWF.FoundationsofMaterialsScienceandEngineering.McGRAW.HILL.3/E30第三十頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第二節(jié)原子的規(guī)則排列二
典型晶體結(jié)構(gòu)及其幾何特征
1三種常見晶體結(jié)構(gòu)
堆垛方式ABCABC..ABABAB..ABABAB..第一章第二節(jié)原子規(guī)則排列31第三十一頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第二節(jié)原子的規(guī)則排列二
典型晶體結(jié)構(gòu)及其幾何特征
1三種常見晶體結(jié)構(gòu)
第一章第二節(jié)原子規(guī)則排列(c)2003Brooks/ColePublishing/ThomsonLearning?(c)2003Brooks/ColePublishing/ThomsonLearning?32第三十二頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第二節(jié)原子的規(guī)則排列二
典型晶體結(jié)構(gòu)及其幾何特征
1三種常見晶體結(jié)構(gòu)
第一章第二節(jié)原子規(guī)則排列SmithWF.FoundationsofMaterialsScienceandEngineering.McGRAW.HILL.3/E33第三十三頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第二節(jié)原子的規(guī)則排列二
典型晶體結(jié)構(gòu)及其幾何特征
1三種常見晶體結(jié)構(gòu)
原子線密度………(最大的方向)……密排方向原子面密度………(最大的面)……密排面第一章第二節(jié)原子規(guī)則排列SmithWF.FoundationsofMaterialsScienceandEngineering.McGRAW.HILL.3/E34第三十四頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第二節(jié)原子的規(guī)則排列第一章第二節(jié)原子規(guī)則排列案例討論:工程上大量使用低碳鋼滲碳件,試分析材料的滲碳行為與哪些因素有關(guān)?晶格常數(shù)?結(jié)構(gòu)類型?致密度?....?SmithWF.FoundationsofMaterialsScienceandEngineering.McGRAW.HILL.3/E35第三十五頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第二節(jié)原子的規(guī)則排列二
典型晶體結(jié)構(gòu)及其幾何特征
結(jié)構(gòu)間隙正四面體正八面體四面體扁八面體四面體正八面體(個數(shù))84126126(rB/rA)0.2250.4140.290.150.2250.414間隙半徑(rB):間隙中所能容納的最大圓球半徑。第一章第二節(jié)原子規(guī)則排列36第三十六頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第二節(jié)原子的規(guī)則排列二
典型晶體結(jié)構(gòu)及其幾何特征
2離子晶體的結(jié)構(gòu)
(1)離子晶體的主要特點(diǎn)硬度高、脆性大;熔點(diǎn)高,熱膨脹系數(shù)小;絕緣;無色透明。
第一章第二節(jié)原子規(guī)則排列37第三十七頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第二節(jié)原子的規(guī)則排列二
典型晶體結(jié)構(gòu)及其幾何特征
2離子晶體的結(jié)構(gòu)
(2)離子晶體的結(jié)構(gòu)規(guī)則離子堆積:負(fù)離子堆積成骨架,正離子位于負(fù)離子配位多面體間隙中.
鮑林第一規(guī)則(負(fù)離子配位多面體規(guī)則)在離子晶體中,正離子周圍形成一個負(fù)離子配位多面體,正負(fù)離子間的平衡距離取決于正負(fù)離子半徑之和,正離子的配位數(shù)取決于正負(fù)離子的半徑比。
第一章第二節(jié)原子規(guī)則排列38第三十八頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第二節(jié)原子的規(guī)則排列二
典型晶體結(jié)構(gòu)及其幾何特征
2離子晶體的結(jié)構(gòu)
(2〕離子晶體的結(jié)構(gòu)規(guī)則
負(fù)離子配位多面體:在離子晶體結(jié)構(gòu)中,與某一個正離子成配位關(guān)系而鄰接的各個負(fù)離子中心線所構(gòu)成的多面體。第一章第二節(jié)原子規(guī)則排列39第三十九頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第二節(jié)原子的規(guī)則排列二
典型晶體結(jié)構(gòu)及其幾何特征
2離子晶體的結(jié)構(gòu)
(2)離子晶體的結(jié)構(gòu)規(guī)則
鮑林第二規(guī)則(電價規(guī)則含義):一個負(fù)離子必定同時被一定數(shù)量的負(fù)離子配位多面體所共有。鮑林第三規(guī)則(棱與面規(guī)則):在配位結(jié)構(gòu)中,共用棱特別是共用面的存在,會降低這個結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。
第一章第二節(jié)原子規(guī)則排列40第四十頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第二節(jié)原子的規(guī)則排列二
典型晶體結(jié)構(gòu)及其幾何特征
2離子晶體的結(jié)構(gòu)
(3)常見離子晶體的結(jié)構(gòu)
第一章第二節(jié)原子規(guī)則排列41第四十一頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第二節(jié)原子的規(guī)則排列二
典型晶體結(jié)構(gòu)及其幾何特征
3共價晶體的結(jié)構(gòu)
(1〕飽和性:一個原子的共價鍵數(shù)為8-N。(2〕方向性:各鍵之間有確定的方位(配位數(shù)小,結(jié)構(gòu)穩(wěn)定)
第一章第二節(jié)原子規(guī)則排列42第四十二頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第二節(jié)原子的規(guī)則排列三多晶型性元素的晶體結(jié)構(gòu)隨外界條件的變化而發(fā)生轉(zhuǎn)變的性質(zhì)。
如:Fe(α---γ----δ).第一章第二節(jié)原子規(guī)則排列SmithWF.FoundationsofMaterialsScienceandEngineering.McGRAW.HILL.3/E43第四十三頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第二節(jié)原子的規(guī)則排列三多晶型性例:計算-鐵轉(zhuǎn)變?yōu)?鐵時的體積變化。(1)假定轉(zhuǎn)變前后鐵原子半徑不變。(2)R2=0.97R1。第一章第二節(jié)原子規(guī)則排列SmithWF.FoundationsofMaterialsScienceandEngineering.McGRAW.HILL.3/E44第四十四頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第二節(jié)原子的規(guī)則排列四
影響原子半徑的因素(1)溫度與應(yīng)力。(2)結(jié)合鍵的影響。(3)配位數(shù)的影響
(高配位結(jié)構(gòu)向低配位結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變時,體積膨脹,原子半徑減小減緩體積變化。)(4)核外電子分布的影響(一周期內(nèi),隨核外電子數(shù)增加至填滿,原子半徑減小至一最小值。)第一章第二節(jié)原子規(guī)則排列6h45第四十五頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第三節(jié)原子的不規(guī)則排列第一章第三節(jié)原子不規(guī)則排列案例討論:工程上大量使用形變加工的方法改善金屬材料的強(qiáng)度及其它性能,從材料晶體結(jié)構(gòu)的角度設(shè)想其中的原理。46第四十六頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第三節(jié)原子的不規(guī)則排列維納斯“無臂”之美更深入人心晶體缺陷賦予材料豐富內(nèi)容第一章第三節(jié)原子不規(guī)則排列47第四十七頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第三節(jié)原子的不規(guī)則排列
原子的不規(guī)則排列產(chǎn)生晶體缺陷。晶體缺陷在材料組織控制(如擴(kuò)散、相變)和性能控制(如材料強(qiáng)化)中具有重要作用。晶體缺陷:實(shí)際晶體中與理想點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)發(fā)生偏差的區(qū)域。點(diǎn)缺陷:在三維空間各方向上尺寸都很小的缺陷。如空位、間隙原子、異類原子等。線缺陷:在兩個方向上尺寸很小,而另一個方向上尺寸較大的缺陷。主要是位錯。面缺陷:在一個方向上尺寸很小,在另外兩個方向上尺寸較大的缺陷。如晶界、相界、表面等。第一章第三節(jié)原子不規(guī)則排列48第四十八頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第三節(jié)原子的不規(guī)則排列一點(diǎn)缺陷1點(diǎn)缺陷的類型(1)空位:肖脫基空位-離位原子進(jìn)入其它空位或遷移至晶界或表面。弗蘭克爾空位-離位原子進(jìn)入晶體間隙。(2)間隙原子:位于晶體點(diǎn)陣間隙的原子。(3)置換原子:位于晶體點(diǎn)陣位置的異類原子。第一章第三節(jié)原子不規(guī)則排列49第四十九頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第三節(jié)原子的不規(guī)則排列一點(diǎn)缺陷第一章第三節(jié)原子不規(guī)則排列(c)2003Brooks/ColePublishing/ThomsonLearning50第五十頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第三節(jié)原子的不規(guī)則排列一點(diǎn)缺陷肖脫基空位弗蘭克爾空位第一章第三節(jié)原子不規(guī)則排列51第五十一頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第三節(jié)原子的不規(guī)則排列一點(diǎn)缺陷2點(diǎn)缺陷的平衡濃度(1)點(diǎn)缺陷是熱力學(xué)平衡的缺陷-在一定溫度下,晶體中總是存在著一定數(shù)量的點(diǎn)缺陷(空位),這時體系的能量最低-具有平衡點(diǎn)缺陷的晶體比理想晶體在熱力學(xué)上更為穩(wěn)定。(原因:晶體中形成點(diǎn)缺陷時,體系內(nèi)能的增加將使自由能升高,但體系熵值也增加了,這一因素又使自由能降低。其結(jié)果是在G-n曲線上出現(xiàn)了最低值,對應(yīng)的n值即為平衡空位數(shù)。)(2)點(diǎn)缺陷的平衡濃度C=Aexp(-?Ev/kT)第一章第三節(jié)原子不規(guī)則排列52第五十二頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第三節(jié)原子的不規(guī)則排列一點(diǎn)缺陷3點(diǎn)缺陷的產(chǎn)生及其運(yùn)動(1)點(diǎn)缺陷的產(chǎn)生平衡點(diǎn)缺陷:熱振動中的能力起伏。過飽和點(diǎn)缺陷:外來作用,如高溫淬火、輻照、冷加工等。(2)點(diǎn)缺陷的運(yùn)動(遷移、復(fù)合-濃度降低;聚集-濃度升高-塌陷)第一章第三節(jié)原子不規(guī)則排列53第五十三頁,共六十三頁,編輯于2023年,星期四第三節(jié)原子的不規(guī)則排列一點(diǎn)缺陷4點(diǎn)缺陷與材料行為(1)結(jié)構(gòu)變化:晶格畸變(如空位引起晶格收縮,間隙原子引起晶格膨脹,置換原子可引起收縮或膨脹。)(2)性能變化:物理性能(如電阻率增大,密度減小。
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