薄膜太陽能電池產(chǎn)品介紹及應(yīng)用陳鴻彬

漢能薄膜太陽能產(chǎn)品介紹及應(yīng)用★密級目錄01光伏發(fā)電原理及系統(tǒng)組成02薄膜組件系列和優(yōu)勢03產(chǎn)品應(yīng)用介紹

第一部分光伏發(fā)電系統(tǒng)原理及組成PART0101光伏發(fā)電是利用半導(dǎo)體界面的光生伏特效應(yīng)而將光能直接轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿囊环N技術(shù)。這種技術(shù)的關(guān)鍵元件是太陽能電池，太陽能電池經(jīng)過串并聯(lián)后進(jìn)行封裝保護(hù)可形成大面積的太陽能電池組件，再配合上逆變器等部件就形成了光伏發(fā)電系統(tǒng)。光伏發(fā)電原理光伏發(fā)電系統(tǒng)示意圖薄膜組件并網(wǎng)逆變器匯流套件支架直流電纜壓塊螺栓數(shù)據(jù)采集器雙向電表光伏計量電表電表箱施工輔材混凝土配重交流配電箱漢能提供電網(wǎng)公司提供服務(wù)商提供光伏發(fā)電系統(tǒng)效率計算理論年發(fā)電量Q=P×R×ηs÷R0=5×1347×0.8÷1=5388kWh度（日發(fā)電量=14.76度）式中，P-系統(tǒng)直流總功率（裝機(jī)容量）5kW；R-年均太陽總輻射量1347kWh/m2；ηs-光伏系統(tǒng)發(fā)電效率0.8；R0-標(biāo)準(zhǔn)日照輻射強(qiáng)度即1kW/m2。其中，ηs=K1×K2×K3×K4×K5K1-光電電池運(yùn)行性能修正系數(shù)；K2-灰塵引起光電板透明度的性能修正系數(shù)；K3-光電電池升溫導(dǎo)致功率下降修正系數(shù)；K4-導(dǎo)電損耗修正系數(shù)；K5-逆變器效率；光伏發(fā)電系統(tǒng)效率計算等級年均總輻照量

（kWh/m2)日均輻照量

（kWh/m2)最豐富帶≥1750≥4.8很豐富帶1400-17503.8-4.8較豐富帶1050-14002.9-3.8一般<1050<2.9廣州市緯度：23.12°，經(jīng)度113.28°年均日輻照量水平：1347kwh/m2等效日均標(biāo)準(zhǔn)輻照時長：3.69h

第二部分薄膜組件產(chǎn)品系列和優(yōu)勢PART0202漢能產(chǎn)品生產(chǎn)基地及分布薄膜組件產(chǎn)品系列漢能產(chǎn)品CIGS銅銦鎵硒系列HNS-STXXHA鉑陽Siliconbased硅基薄膜系列歐瑞康MiasoleGlobalSolarSinglecellAltaDevicesGaAs砷化鎵薄膜AltaDevicesHNS-SDXXSinglecellSolibroSL2&SL2-FFlex-01N/WGG-03/04Powerflex-2/4/6薄膜組件產(chǎn)品介紹鉑陽組件（Apollo-經(jīng)典系列）HNS-BT63B透光組件電性能最大功率（W）63最大功率點(diǎn)電壓（V）70最大功率點(diǎn)電流（A）0.93開路電壓（V）89短路電流（A）1.12功率公差（W）0/+3結(jié)構(gòu)參數(shù)長（mm）*寬（mm）1245*635厚（mm，不包括接線盒）7.5重量（kg）18.6組件面積（m2）0.79接線盒類型背接/側(cè)接玻璃類型

面板/背板浮法玻璃/浮法玻璃薄膜組件產(chǎn)品介紹歐瑞康組件（Oerlikon-雅致系列

）HNS-SD130透光組件電性能最大功率（W）130最大功率點(diǎn)電壓（V）54最大功率點(diǎn)電流（A）2.22開路電壓（V）71短路電流（A）2.65功率公差（W）0/+5結(jié)構(gòu)參數(shù)長（mm）*寬（mm）1300*1100厚（mm，不包括接線盒）6.8重量（kg）23.5組件面積（m2）1.43接線盒類型背接玻璃類型面板/背板浮法玻璃/半鋼化浮法玻璃薄膜組件產(chǎn)品介紹Solibro--旗艦系列（帶邊框/不帶邊框）SolibroSL2-（F）透光組件電性能最大功率（W）120/145最大功率點(diǎn)電壓（V）78.4/86.5最大功率點(diǎn)電流（A）1.53/1.62開路電壓（V）98.7/106.7短路電流（A）1.74/1.79功率公差（W）0/+5結(jié)構(gòu)參數(shù)長（mm）*寬（mm）1196.6*796/1190*789.5厚（mm，包括邊框）30mm/7.3重量（kg）18.1/16.5組件面積（m2）0.95/0.94接線盒類型背接玻璃類別面板/背板鋼化玻璃/浮法玻璃薄膜組件產(chǎn)品介紹Miasole組件MS150GG-04透光組件電性能最大功率（W）150-160W最大功率點(diǎn)電壓（V）19.2最大功率點(diǎn)電流（A）7.82開路電壓（V）24.4短路電流（A）9.08功率公差（W）0/+5結(jié)構(gòu)參數(shù)長（mm）*寬（mm）1611*665厚（mm，包括邊框）7.5mm重量（kg）18組件面積（m2）1.071接線盒類型背接玻璃類別面板/背板鋼化玻璃/鋼化玻璃薄膜組件產(chǎn)品介紹Miasole柔性組件FLEX-02W透光組件電性能最大功率（W）380最大功率點(diǎn)電壓（V）32.2最大功率點(diǎn)電流（A）11.49開路電壓（V）39.6短路電流（A）13.04功率公差（W）0/+5結(jié)構(gòu)參數(shù)長（mm）*寬（mm）2598*1000厚（mm，包括背膠）2.5/1.5mm重量（kg）6.2/5.1組件面積（m2）2.598

接線盒類型正接認(rèn)證

歐標(biāo)IEC61646/61730適用于非指定認(rèn)證其它區(qū)域

美標(biāo)UL1703薄膜組件產(chǎn)品介紹漢瓦HW-MQSG-01封裝材料高透光玻璃組件類型

采用美國先進(jìn)CIGS工藝制造，銅銦鎵硒組件優(yōu)勢1.三供曲面設(shè)計，外形美觀；2.可直接代替建材使用，綠色環(huán)保；3.防火、抗冰雹。透光組件電性能最大功率（W）30最大功率點(diǎn)電壓（V）8.6最大功率點(diǎn)電流（A）3.5開路電壓（V）10.6短路電流（A）4功率公差（W）0/+5結(jié)構(gòu)參數(shù)長（mm）*寬（mm）709*500厚（mm，包括邊框）14mm重量（kg）10組件面積（m2）0.355接線盒類型背接2薄膜電池在生產(chǎn)環(huán)節(jié)的優(yōu)勢目

錄薄膜電池在應(yīng)用環(huán)節(jié)的優(yōu)勢設(shè)備比較

3工藝比較

其他方面優(yōu)勢

薄膜電池在生產(chǎn)環(huán)節(jié)的優(yōu)勢

產(chǎn)業(yè)鏈比較生產(chǎn)環(huán)節(jié)4

薄膜電池在生產(chǎn)環(huán)節(jié)的優(yōu)勢光伏發(fā)電系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)鏈比較薄膜光伏電池及組件系統(tǒng)光伏電站硅棒（錠）硅片系統(tǒng)組件電池片光伏電站晶體硅薄膜硅材料勤提純晶體硅刊電池產(chǎn)畢業(yè)鏈單晶慢硅棒多晶硅斤錠切方切塊切片電池制考備電池封殖裝H2、O2、HC報l、Si等石英坩窩堝石墨填支架Si膽C粉鋼絲5N2、O2、PO碌Cl3、SiH4、氨柔氣、Ar、Na巧OH、鹽酸蓄、硝酸鍛、氫氟杠酸、TC懸A、異丙醇、多銀漿憶、鋁撿漿、吹銀鋁漿等玻璃、EV蒸A、TP裙T、焊帶闊、接線盒薄膜孫電池驢在生循產(chǎn)環(huán)券節(jié)的術(shù)優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)鏈壘環(huán)節(jié)較瓦多，整答合難度掀較大Si就H4制備H2、O2、HC尤l、Si硅基薄悶?zāi)る姵豊2、Ar、電子探清洗液秀、Sn注O2、ZnO2、Al6封裝玻璃雨、EVA、焊帶、漿接線盒薄膜秤電池殺在生暗產(chǎn)環(huán)滾節(jié)的枯優(yōu)勢硅基登薄膜連電池林產(chǎn)業(yè)尚鏈TC壁O玻璃CIG回S薄膜恩電池產(chǎn)情業(yè)鏈濺射靶厭材的制女備富含C泥u、In、壩Ga等元素的縣礦石CI投GS薄膜電接池Ar、認(rèn)Mo、您Cu、昆In、組Ga、Se（換或H2Se震）、反Cd協(xié)S（或Z衛(wèi)nS）役、Zn管O、A愚l、Mg饞F2封裝玻璃、附EVA番、焊帶思、接歪線盒鈉鈣玻約璃薄膜電擔(dān)池在生娛產(chǎn)環(huán)節(jié)繞的優(yōu)勢可實系現(xiàn)全敲產(chǎn)業(yè)腰鏈整雷合，丈電池猶制造糾的整賓個過隸程在鍬一個肚工廠胃內(nèi)即野可完幕成78設(shè)備比較薄膜毛電池潤在生輛產(chǎn)環(huán)襪節(jié)的霉優(yōu)勢硅基薄灑膜設(shè)備CIG豎S薄膜要設(shè)備123單晶硅唯設(shè)備流化床嗽反應(yīng)器分餾塔熱解爐多晶眾硅設(shè)宣備流化床教反應(yīng)器分餾鏈塔熱解爐456尾氣礎(chǔ)回收哪系統(tǒng)單晶爐硅棒股切斷碧機(jī)尾氣回端收系統(tǒng)多晶硅鋒澆鑄爐破錠跡機(jī)磨邊囑機(jī)TC愿O沉積抽爐激光切抱割機(jī)磨邊機(jī)激光切謊割機(jī)玻璃陪清洗沉機(jī)激光去役邊機(jī)玻璃撒清洗邀機(jī)激光去鄭邊機(jī)7891011滾圓機(jī)線鋸切送方線切捷片機(jī)硅片清健洗硅片解檢測廊與分殖類切方淚機(jī)(多線切搭割機(jī))線切片目機(jī)硅片書清洗硅片檢棉測與分背類12石英主坩堝柳制備石英坩芬堝制備13141516石墨制威備硅片清麥洗與織唇構(gòu)化等離朱子去釣邊機(jī)擴(kuò)散爐石墨支制備硅片清銹洗與織鬼構(gòu)化等離睜子去績邊機(jī)擴(kuò)散爐17181920212223絲印勿機(jī)PEC歉VD設(shè)備燒結(jié)爐分選機(jī)自動刮焊接提機(jī)層壓殃機(jī)測試臺絲印機(jī)PE親CV掩D設(shè)備燒結(jié)爐分選機(jī)自動焊壞接機(jī)層壓機(jī)測試痕臺PE赤CV誰D設(shè)備磁控模濺射筒系統(tǒng)退火刺爐分選機(jī)超聲姥焊機(jī)層壓機(jī)測試臺磁控先濺射簡系統(tǒng)硒化響爐化學(xué)浴封制備Cd浩S分選機(jī)超聲沙焊機(jī)層壓同機(jī)測試猛臺9工藝比較薄膜電透池在生緊產(chǎn)環(huán)節(jié)早的優(yōu)勢單晶硅多晶書硅硅基雨薄膜CI高GS（以濺云射后硒燙化為例）氫氯毫化工遺藝分餾工異藝熱解(1歷10親0℃樹)尾氣件回收氫氯祝化工終藝分餾工透藝熱解(1續(xù)10狗0℃濕)尾氣回慮收拉單叉晶(1斤40姑0℃啞)斷頭，撲切方切片澆鑄于（14踏00涌℃）破錠切片RCA清洗RC害A清洗玻璃該清洗LPC啊VD沉積TCO膜（200霞℃）玻璃檢清洗濺射妹沉積Mo電極擴(kuò)散(85奧0℃)擴(kuò)散(85枕0℃)PE故CV娘D（3獵50列℃）絲網(wǎng)半印刷等離子房誠體刻蝕烘干冰（X3：凈200筑℃）燒結(jié)塞（20故0~垮80亮0℃境）分選焊接層壓值（150赤℃）測試PEC腸VD（45前0℃）絲網(wǎng)淺印刷等離子毛體刻蝕烘干（X3：宗200血℃）燒結(jié)咱（20柴0~準(zhǔn)80扮0℃王）分選焊接層壓腿（150珠℃）測試PEC棋VD（18暖0~2礦20℃冊）磁控尸濺射激光切今割激光摘去邊退火（180僻℃）分選匯流咱焊接層壓焦（15睡0℃連）測試磁控濺棍射硒化法（50督0℃）激光登切割激光釀去邊分選匯流焊艷接層壓（15寶0℃用）測試電池尺隙寸：125兇x12蘭5mm、15屯6x介15主6m盆m、200鵝x20漿0mm電池尺烤寸：0.7恥9m、1.則43曲m、1.交54歌m電池尺住寸：0.7長5m、0.9橫4m工藝比薄膜易電池贈在生顧產(chǎn)環(huán)虹節(jié)的邁優(yōu)勢晶體硅越組件4次溫度防超過800度oC的高隔溫過訓(xùn)程硅基委薄膜漠組件4次溫度量低于250舒oC的低溫辟過程CI主GS薄膜組懲件1次500禮℃的高制溫過谷程5次溫彩度低蔑于400象oC的低溫河過程1次150箱℃的低鋒溫過銜程5次進(jìn)入錯真空系夢統(tǒng)3次進(jìn)入流真空系宣統(tǒng)2-3次進(jìn)勸入真酸空系驅(qū)統(tǒng)3次硅桶片RCA清洗嚼工藝3次玻申璃清寺洗工辱藝3次玻暈璃清狼洗工茄藝22222222較晶體硅行太陽能扭電池：醉耗電能燈高、耗政水高、稼耗人力封高,尺偉寸較小雜；薄膜警太陽偵能電留池：齒耗電獅能低輸、電疾池尺聰寸大1011磨邊一次油清洗一次激尊光二次治清洗PE碧CV養(yǎng)D二次激疊光PVD三次挺激光激光掃話邊退火芯片清清洗超聲據(jù)焊EV陣A敷稀設(shè)層壓裝接梢線盒組件測那試外觀清執(zhí)潔檢查裝箱電池板反壓排測試組件薄膜電替池在生權(quán)產(chǎn)環(huán)節(jié)雹的優(yōu)勢硅基薄榆膜電池掙生產(chǎn)工挎藝流程12薄膜電賓池在生篩產(chǎn)環(huán)節(jié)趴的優(yōu)勢CI鍋GS薄膜電丑池生產(chǎn)銷工藝流委程（以按濺射+硒化哄法為姻例）磨邊基板清哈洗Mo電宿極沉積一次激撥光磁控醉濺射純銅銦絹鎵測試秋與封曾裝激光糟掃邊三次秀激光磁控憑濺射藝背電課極二次激乓光化學(xué)浴床法沉積辭CdS硒化其他優(yōu)勢薄膜電謠池在生霸產(chǎn)環(huán)節(jié)絞的優(yōu)勢原材每料消催耗：薄膜電錫池的光休敏層厚憤度一般絕在0.閣5~3微米囑，相憶對于慌厚度劑為15助0~瞞20耕0微米纏的硅忘片大育大節(jié)圈省了不原材換料。能源回銜收期：晶體雞硅組攜件的階能源纖回收四期為即1.面5年管，而敲薄膜桑組件亂的能委源回收期僅先為0.營5~1軍年。柔性組益件：薄膜桑電池喬可以論采用宣聚酰纖亞胺箏、不財銹鋼移等柔師性襯謹(jǐn)?shù)字祁^備輕怪質(zhì)、可卷騾曲的受柔性躁組件債。技術(shù)呆提升煉空間葬：晶系體硅爛電池喇接近揚(yáng)極限欣效率討，效棉率提額升空映間有煎限；迫薄膜拌電池的理論律效率為澇29%延，提升遲空間較懷大（C練IGS曠的實驗西室效率亦已達(dá)到2活0.察8%庫，量輩產(chǎn)效翻率與浙晶體厘硅組閥件相漆當(dāng)）弓。13應(yīng)用諒環(huán)境薄膜電僅池在應(yīng)想用環(huán)節(jié)報的優(yōu)勢發(fā)電性日能應(yīng)用環(huán)節(jié)建筑且美學(xué)14電薄膜荷電池控在應(yīng)學(xué)用環(huán)鈔節(jié)的弊優(yōu)勢-發(fā)電性領(lǐng)能薄膜寶電池港的溫閉度系柔數(shù)較除小，川高溫遲性能屑佳發(fā)在散盆射光滔環(huán)境征下，喘性能庫較好性能陰影遮筐擋功率咳損失較翠小15技術(shù)參數(shù)對比硅基薄膜組件CIGS薄膜組件單晶硅組件多晶硅組件Pmax溫度系數(shù)-0.21%/℃-0.31%/℃-0.47%/℃-0.46%/℃最大系統(tǒng)電壓1000VDC1000VDC1000VDC1000VDC工作溫度-40~85℃-40~85℃-40~85℃-40~85℃使用壽命25年25年25年25年適宜安裝地區(qū)熱帶、溫帶、寒帶熱帶、溫帶、寒帶溫帶、寒帶溫帶、寒帶16薄膜直電池罷在應(yīng)扣用環(huán)嗎節(jié)的場優(yōu)勢-發(fā)電性浸能溫度系按數(shù)小，虹高溫性賠能佳當(dāng)工顯作溫肥度高戲于2債5℃惱時，偏溫度陵每升促高1貢℃，僻硅基己薄膜誘組件利、單認(rèn)晶硅仇組件攝和多止晶硅犧組件疑的最臭大功豪率分價別降低0帝.21推%、0監(jiān).31臂%、0良.47殊%和0今.46坊%。1000W太陽能電池因溫度上升所引起的功率下降對比表硅基薄膜電池其他晶體硅電池溫度（℃）Pmax（W)Pmax(W)(SanyoHIT)Pmax(W)(Otherc-Si)509439138886092087884270897843798758868267758087480975217薄膜電規(guī)池在應(yīng)忙用環(huán)節(jié)壺的優(yōu)勢-發(fā)電櫻性能德國權(quán)雙威TU隔V評測報僑告顯示工作溫運(yùn)度大于蔬25℃往時，太芽陽能電筋池的最憤大功率助隨著溫傻度的升譽(yù)高而減赴小。由竄于硅基叨薄膜電池誦溫度練系數(shù)低較小開，工胖作溫恰度在勢75餅℃時孔，硅墨基薄筐膜電廁池比尿晶體踢硅電俊池多慚發(fā)電(8稀86角-7降75徐)/775=12歐.5士%18薄膜鹽電池泉在應(yīng)儉用環(huán)增節(jié)的遮優(yōu)勢-發(fā)電性攝能Pho真ton測試結(jié)林果：硅臨基薄膜嚷組件（碑非微）需與兩家珍晶硅組羽件發(fā)電賺量比較201飲1年初襖至20處12年站第一季度末旁，硅基悉薄膜組揪件的累計手發(fā)電量腥比阿特右斯晶硅翁組件舅高8欠.1儲%；筆比夏普晶硅殼組件高罪15.蜂74%蘋。測試婦地點(diǎn):Aa陰ch壓en(德國地西北部努城市)緯度頑:N50戀°年平均形溫度:11℃年平均須輻照度任:100率0kW萬h/m219薄膜電支池在應(yīng)懷用環(huán)節(jié)市的優(yōu)勢-發(fā)電性秀能Ph膚ot訓(xùn)on測試結(jié)展果：硅致基薄膜溜組件（開非微）帽與Fi闊rs沉tSol宋ar碲化艷鎘薄擔(dān)膜組裂件發(fā)給電功謝量比毛較20咐11紐奉年初浴至2續(xù)01著2年播第一死季度初末，搏硅基碗薄膜賠組件紙的累忌計發(fā)騰電量禍比F外ir盤stSol粘ar碲牲化鎘薄僵膜組件高全4.倒15循%。測試地燃點(diǎn):Aac貫hen(德國坑西北部允城市)緯度陽:N50°年平均評溫度:11矩℃年平肚均輻寇照度閑:10吳00kWh/m220薄膜戀電池行在應(yīng)叼用環(huán)括節(jié)的究優(yōu)勢-發(fā)電終性能位于晝Sa仔nt購aCru昆z的電雀池組件盛陣列不同電胃池組件惜在美國鮮加州S牽ant透aCru市z（37°N）發(fā)電李量的比堡較[來源哄：Al續(xù)lanGr航eg廈g,Te孝re錘nc謝ePar肯ker罷,an信dRo滿nSw要en略so須n,聰Ar塘ea示lwo規(guī)rl愿dExa濤min膀ati糧onofPVSys涉temDe胞si叼gnan稍dPe什rf擠or蜜ma管nc快e.扭]在同魔一地窗點(diǎn)，立相同例傾角旺下，揮硅基底薄膜骨組件胸的年安發(fā)電奮量比斃晶硅句組件繪多達(dá)沾14圈%。21薄膜電饞池在應(yīng)墻用環(huán)節(jié)執(zhí)的優(yōu)勢-發(fā)電性鉛能CIS電池與頭晶硅電蠶池發(fā)電暑性能比較[來源膏：So瘦lar乞-fr成ont招ier診./B敲ro陸ch眉ur永e]CIS吧薄膜電勇池比晶滿體硅電勁池年發(fā)撫電量多考10%甘！測試地稱點(diǎn)：日很本厚木購市（北狂緯35聯(lián)度26川分）測試時值間：2襯009術(shù)年7月段~20訪10年污6月22薄膜著電池取在應(yīng)禍用環(huán)螺節(jié)的黃優(yōu)勢-發(fā)電栗性能[來源灣：Ka鞋iW.Jan卡sen演,Su題pa父rm僻aB.Kad動am,andJa勵me峰sF.Gro儀eli掃nge盜r,“Th遺eAd策va削nt煩ag煙esofAmo撿rph陽ousSil課ico內(nèi)nPh累ot融ov熔ol爺ta刷icMod薄ule刃sinGri眠d-t認(rèn)iedsy吸st省em知s”慕]五種電殃池組件央在西班渡牙Ma第ll家or至ca（39°N）實測秩的累計批年發(fā)電日量比較經(jīng)比較?。合嗤皹?biāo)稱功釘率下，欠5種太如陽能電池們的發(fā)電寧量依次份為雙節(jié)詢硅基薄必膜電池討、銅輔銦鎵膚硒電篇池、完多晶日硅電肢池、單晶硅閃電池、雜碲化鎘悅電池。23薄膜電尚池在應(yīng)格用環(huán)節(jié)耐的優(yōu)勢-發(fā)電林性能弱光早發(fā)電晌效果僑更佳散射光療條件下討（早晨劣、傍晚蘆及多云斥天氣）歡，薄膜批組件發(fā)祖電更有糧優(yōu)勢。當(dāng)光照霜強(qiáng)度減偉小時，劍非晶硅倍材料的貞轉(zhuǎn)換效迅率與晶混體硅材帽料有掉明顯濱的差搞別非晶硅釣隨光強(qiáng)摸的減小否先增大窄，在大梢約100在W/m2時，轉(zhuǎn)社換效率歲達(dá)到最袋大值；曾然后隨光強(qiáng)顧的減小深而減小露，但變?nèi)位任吭?0洋%的范圍切。晶體硅全隨光強(qiáng)花的減小飲而減小遣，當(dāng)光獻(xiàn)強(qiáng)從100蘆0W/幫m2減小限到1卸0W墊/m2時，單奮晶硅的腳轉(zhuǎn)換效率雅減小壩43促%，思多晶腸硅減叫小6盜3%丘。24薄膜電瓣池在應(yīng)技用環(huán)節(jié)這的優(yōu)勢-發(fā)電謙性能同功率深的硅基佩薄膜組肺件與晶白體硅組遲件發(fā)電量比值隨侵天氣的由變化在兩種染測試條膜件下硅尺基薄膜秋組件與機(jī)晶體硅戀組件發(fā)狗電量比共值均大類于10森0%，買平均多掀出10客%以上刮的發(fā)電量紡。多云絞天氣時斃，硅基紡薄膜組膨件表現(xiàn)墳更佳。[來先源：兼Ro想nSwe醫(yī)nso固n,Fla旱tRoo駝fTh釣in逃-f壓il場mPVCo蓬mp列ar冠edtoTil折tedThi減nFi脅lmandCr步y(tǒng)s僑ta激ll熊in闖ePV蠢]測試津條件地點(diǎn)：挽San帥taCru雞zPTC拘：日照聞100斑0W/持m2環(huán)境紅溫度瘡20悔℃風(fēng)速捎1m里/sSTC售：日照留100醒0W/冷m2電池賄溫度伶25狠℃大氣山環(huán)境憤AM販1.腥5光伏建唇筑應(yīng)用具中，遮網(wǎng)擋難以視避免，琴局部遮申擋對薄找膜組件艘和晶體釀硅組件奸功率的影不響有所紛不同：晶體硅乖組件：甩單電池戴片被完嘆全遮擋闖時，整掘個組件必的輸出傅功率損揉失75舌%；薄膜毒組件瞞：遮送擋組尸件面御積的虛10轟%，呆整個跨組件紐奉功率翠損失攔僅1鄙0%慮。此外，心晶體硅付組件受還安裝傾攪角和表墻面灰塵久的影響伏比薄膜虹組件大劉。[來勿源：烈呂芳莊，江沃燕興蘆，劉馬莉敏博，曹陜志峰燦，《少太陽貌能發(fā)誓電》墾]25薄膜電職池在應(yīng)汁用環(huán)節(jié)孤的優(yōu)勢-發(fā)電辰性能陰影信遮擋斧功率育損失刻較小秘密管--佳?2君01睬7Han貼erg軟yThi彼nFil漿mPo買we咸rGro值upLim拾ite鐵d薄膜猴組件晶硅組捏件晶硅雜組件棟玻璃危采用拘毛邊必玻璃且墨帶邊桃框，搭表面職不光膊滑，易積嫂灰、殺積雪盜，影寫響電謝池發(fā)電椅量。棍薄膜亂組件挑采用救純平鋼化格玻璃，蕉表面光愈滑，易清餡理。薄膜犬組件棟跟晶歷硅組承件對賤比環(huán)境特點(diǎn)組件比較薄膜組件晶硅組件溫差大收縮系數(shù)收縮系數(shù)一致收縮系數(shù)不一致，易破損風(fēng)沙大封裝材料雙層玻璃堅固耐用沙石對軟性TPT有損傷隱患紫外光線強(qiáng)EVA黃化位于電池片下方大部分紫外線被電池吸收，不易黃化位于電池片上方易黃化，功率下降組件壽命受EVA影響工作溫度高溫度系數(shù)溫度系數(shù)小，發(fā)電量受高溫影響小溫度系數(shù)大，高溫效果不佳26薄膜電悟池在應(yīng)堡用環(huán)節(jié)寄的優(yōu)勢-應(yīng)用廊環(huán)境普通抓組件--應(yīng)用環(huán)鵝境廣泛浮法稍玻璃薄膜電耍池EV阻A層背板玻卷璃鋼化赤玻璃EVA層晶體硅電池EV見A層TPT背板薄膜箱組件Vs晶硅潛組件秘密-跑-?2賴017Han犯erg指yTh僵inFi蟻lmPow國erGro墓upLi毯mi型te挨d22屋面嫌通風(fēng)額改造后出現(xiàn)當(dāng)?shù)碾姵乩垭[裂問示題，降藝低功率肺損失。漢能組筍件的安波全性1.可靠天性優(yōu)懂勢-囑機(jī)械派性能新增欄材桿薄膜組姥件采用槐雙玻結(jié)嗚構(gòu)封裝品，機(jī)械你性能出導(dǎo)眾?？裳子行Х蓝轮咕Ч瓒杲M件因承載荷測黑試、運(yùn)輸、筐受力秘密憲--新增邀欄桿漢能組羨件的安們?nèi)詼y試缺條件因組鋤件工趕藝原謊因，疤薄膜氧組件銀對陰掌影遮斑擋（合植被辣、建牽筑或竹鳥糞界等）嗎具有販顯著魂地抗熱斑燦效果吹。免維護(hù)演狀態(tài)下角，可有陣效避免絲式組件故旋障?2緣瑞01希7Han縣erg慣yTh替inFil迅mPo么we盛rGro熔upLim篇ite感d2.可靠性揉優(yōu)勢-轎耐熱斑迅性能屋面通燙風(fēng)改造秘密-姓-?2軌017Ha丟ne渴rg輛yTh蓮inFi意lmPow巡壽erGr甲o(hù)u葉pLi桌m(xù)i積te北d24漢能婦組件現(xiàn)