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人工寶石及寶石優(yōu)化處理教育部職業(yè)教育寶玉石鑒定與加工專業(yè)教學資源庫GemsandJadeIdentificationandProcessingTeachingResourceLibrary冷坩堝法晶體生長工藝冷坩堝法晶體生長工藝晶體生長完畢后，慢慢降溫退火一段時間，然后停止加熱，冷卻到室溫后，取出結(jié)晶塊，用小錘輕輕拍打，一顆顆合成立方氧化鋯單晶體便分離出來。冷坩堝法晶體生長工藝整個生長過程約為2O小時。每一爐最多可生長6Okg晶體，未形成單晶體的粉料及殼體可回收再次用于晶體生長。生長出的晶塊呈不規(guī)則柱狀體，無色透明，肉眼見不到包裹體和氣泡。冷坩堝法晶體生長工藝

合成立方氧化鋯晶體易于著色，對于彩色立方氧化鋯晶體的生長，需要在氧化鋯和穩(wěn)定劑的混合料中加入著色劑。將無色合成立方氧化鋯晶體放在真空下加熱到2000℃進行還原處理，還能得到深黑色的合成立方氧化鋯晶體。冷坩堝法晶體生長工藝摻質(zhì)

成

分占總重量百分比晶體顏色Ce2O30.15紅色Pr2O30.1黃色Nd2O32.0紫色Ho2O30.13淡黃色Er2O30.1粉紅色V2O50.1黃綠色Cr2O30.3橄欖綠色Co2O30.3深紫色CuO0.15淡綠色Nd2O3+Ce2O30.09+0.15攻瑰紅色Nd2O3+CuO1.1+1.1淡藍色Co2O3+CuO0.15+1.0紫藍色Co2O3+V2O5

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