肖特基整流橋行業(yè)需求與投資預(yù)測報(bào)告

肖特基整流橋行業(yè)需求與投資預(yù)測報(bào)告

超過90%的規(guī)模以上生產(chǎn)企業(yè)應(yīng)用了過程控制系統(tǒng)（PCS），生產(chǎn)過程基本實(shí)現(xiàn)了自動化控制。生產(chǎn)優(yōu)化系統(tǒng)（APC）、生產(chǎn)制造執(zhí)行（MES）、企業(yè)資源計(jì)劃管理系統(tǒng)（ERP）也已在企業(yè)中大范圍應(yīng)用，生產(chǎn)效率進(jìn)一步提高。石化、輪胎、化肥、煤化工、氯堿、氟化工等行業(yè)率先開展智能制造試點(diǎn)示范。十三五時(shí)期是我國石化和化學(xué)工業(yè)轉(zhuǎn)型升級、邁入制造強(qiáng)國的關(guān)鍵時(shí)期，行業(yè)發(fā)展面臨的環(huán)境嚴(yán)峻復(fù)雜，有利條件和制約因素相互交織，增長潛力和下行壓力同時(shí)并存。強(qiáng)化?；钒踩芾砑訌?qiáng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展與城市建設(shè)的規(guī)劃銜接，優(yōu)化危險(xiǎn)化學(xué)品規(guī)劃與布局，推進(jìn)城鎮(zhèn)人口密集區(qū)危險(xiǎn)化學(xué)品生產(chǎn)企業(yè)搬遷改造。加快淘汰高風(fēng)險(xiǎn)產(chǎn)品及工藝，提高危險(xiǎn)工藝的自動化控制水平和企業(yè)安全管理水平。實(shí)施全球化學(xué)品統(tǒng)一分類和標(biāo)簽制度（GHS），建立全產(chǎn)業(yè)鏈的危險(xiǎn)化學(xué)品安全監(jiān)管綜合信息平臺，啟動危險(xiǎn)化學(xué)品全生命周期管理試點(diǎn)，提升危險(xiǎn)化學(xué)品本質(zhì)安全水平。半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的競爭格局相較于國際半導(dǎo)體行業(yè)集中度較高、技術(shù)創(chuàng)新能力強(qiáng)等特點(diǎn)，我國半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)起步晚，并受制于國際半導(dǎo)體企業(yè)嚴(yán)密的技術(shù)封鎖，只能依靠自主創(chuàng)新，逐步提升行業(yè)的國產(chǎn)化程度。國際大型半導(dǎo)體企業(yè)如意法半導(dǎo)體、威世半導(dǎo)體、新電元、達(dá)爾科技、安森美等在我國市場上處于優(yōu)勢地位，構(gòu)成我國半導(dǎo)體分立器件市場競爭中的第一梯隊(duì)。通過長期技術(shù)積累，少數(shù)國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)已經(jīng)突破了部分半導(dǎo)體分立器件芯片技術(shù)的瓶頸，芯片的研發(fā)設(shè)計(jì)制造能力不斷提高，品牌知名度和市場影響力日益凸顯，盈利能力也明顯增強(qiáng)，形成我國半導(dǎo)體分立器件市場競爭中的第二梯隊(duì)。我國功率半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)的第三梯隊(duì)主要由大量的器件封裝企業(yè)組成，由于缺乏芯片設(shè)計(jì)制造能力，第三梯隊(duì)在我國半導(dǎo)體分立器件市場上的利潤空間低，競爭比較激烈。與國內(nèi)半導(dǎo)體分立器件行業(yè)集中度較低的發(fā)展現(xiàn)狀不同，以歐美為主的國外半導(dǎo)體分立器件行業(yè)經(jīng)過近60多年發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入集中度較高的發(fā)展階段。從市場集中度來看，全球穩(wěn)定市場份額下的前十名分立器件廠商市場集中度超過50%，而這些前十名廠商無論在技術(shù)及研發(fā)實(shí)力、人才儲備、資金實(shí)力等各方面都形成了明顯的競爭優(yōu)勢。中國作為全球最大的新興市場，國際廠商十分重視中國市場帶來的發(fā)展機(jī)遇，不斷增加研發(fā)、技術(shù)、資本和人員投入，進(jìn)行營銷網(wǎng)絡(luò)和市場布局，目前國際廠商仍占據(jù)中國分立器件市場的優(yōu)勢地位。國內(nèi)行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)通過持續(xù)自主創(chuàng)新和技術(shù)升級推動產(chǎn)品升級，與國際廠商展開競爭，并憑借銷售渠道和成本競爭力在傳統(tǒng)二極管、三極管、整流橋等產(chǎn)品領(lǐng)域及消費(fèi)電子、指示燈/顯示屏、照明等細(xì)分下游應(yīng)用領(lǐng)域取得了一定的市場競爭優(yōu)勢，企業(yè)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大。在這些細(xì)分領(lǐng)域進(jìn)口的趨勢已經(jīng)逐步呈現(xiàn)，行業(yè)集中度也將進(jìn)一步提升，國內(nèi)龍頭廠商市場份額將進(jìn)一步擴(kuò)大。規(guī)范化工園區(qū)建設(shè)加強(qiáng)化工園區(qū)的規(guī)劃建設(shè)，科學(xué)布局化工園區(qū)。建立化工園區(qū)規(guī)范建設(shè)評價(jià)標(biāo)準(zhǔn)體系，開展現(xiàn)有化工園區(qū)的清理整頓，對不符合規(guī)范要求的化工園區(qū)實(shí)施改造提升或依法退出。開展化工園區(qū)和涉及危險(xiǎn)化學(xué)品重大風(fēng)險(xiǎn)功能區(qū)區(qū)域定量風(fēng)險(xiǎn)評估，科學(xué)確定區(qū)域風(fēng)險(xiǎn)等級和風(fēng)險(xiǎn)容量。支持化工園區(qū)開展智慧化工園區(qū)試點(diǎn)。半導(dǎo)體分立器件行業(yè)特點(diǎn)（一）半導(dǎo)體分立器件行業(yè)技術(shù)特點(diǎn)半導(dǎo)體分立器件的技術(shù)涵蓋電氣工程中的眾多領(lǐng)域，不同領(lǐng)域知識的結(jié)合促進(jìn)行業(yè)交叉邊緣新技術(shù)的不斷發(fā)展，并帶來廣闊的發(fā)展前景。隨著終端產(chǎn)品的整體技術(shù)水平要求越來越高，功率半導(dǎo)體分立器件技術(shù)也在市場的推動下不斷向前發(fā)展，CAD設(shè)計(jì)、離子注入、濺射、多層金屬化、亞微米光刻等先進(jìn)工藝技術(shù)已應(yīng)用到分立器件生產(chǎn)中，行業(yè)內(nèi)產(chǎn)品的技術(shù)含量日益提高、制造難度也相應(yīng)增大。目前日本和美國等發(fā)達(dá)國家的功率器件領(lǐng)域，很多VDMOS（功率場效應(yīng)管）、IGBT產(chǎn)品已采用VLSI（超大規(guī)模集成電路）的微細(xì)加工工藝進(jìn)行制作，生產(chǎn)線已大量采用8英寸、0．18微米工藝技術(shù)，大大提高了功率半導(dǎo)體分立器件的性能。產(chǎn)品性能提高的同時(shí)，半導(dǎo)體分立器件的產(chǎn)品鏈也在不斷延伸和拓寬?，F(xiàn)代功率半導(dǎo)體分立器件向大功率、易驅(qū)動和高頻化方向發(fā)展。晶閘管、MOSFET和IGBT在其各自領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)和性能的不斷突破，每類產(chǎn)品系列的規(guī)格、型號和種類愈加豐富。同時(shí)，新型產(chǎn)品如結(jié)合晶體管和晶閘管優(yōu)點(diǎn)的集成門極換流晶閘管（IGCT）及碳化硅、氮化鎵等寬禁帶功率半導(dǎo)體分立器件陸續(xù)被研發(fā)面世，并開始產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，應(yīng)用領(lǐng)域也滲透到能源技術(shù)、激光技術(shù)等前沿領(lǐng)域。我國半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的整體技術(shù)水平仍落后于日本、韓國、美國和歐洲，國內(nèi)產(chǎn)品種類較為單一，以硅基二極管、三極管和晶閘管為主，MOSFET、IGBT等產(chǎn)品近年才有所發(fā)展。目前，我國半導(dǎo)體分立器件制造企業(yè)通過持續(xù)的引進(jìn)消化吸收再創(chuàng)新以及自主創(chuàng)新，產(chǎn)品技術(shù)含量及性能水平已有大幅提高。部分優(yōu)質(zhì)企業(yè)在功率二極管及整流橋領(lǐng)域的技術(shù)工藝水平已經(jīng)達(dá)到或接近國際先進(jìn)水平，并憑借其成本、技術(shù)優(yōu)勢逐步實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。但在部分高端產(chǎn)品領(lǐng)域，目前國內(nèi)生產(chǎn)技術(shù)與國外先進(jìn)水平尚存在一定的差距。（二）半導(dǎo)體分立器件行業(yè)周期性，季節(jié)性，區(qū)域性特征1、半導(dǎo)體分立器件行業(yè)周期性半導(dǎo)體分立器件作為基礎(chǔ)性的功能元器件，應(yīng)用涵蓋了消費(fèi)電子、LED照明、智能電網(wǎng)、汽車電子、計(jì)算機(jī)及外設(shè)、網(wǎng)絡(luò)通訊等眾多下游領(lǐng)域。隨著半導(dǎo)體分立器件行業(yè)新型技術(shù)特征的發(fā)展，其應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒉粩鄶U(kuò)大。由于半導(dǎo)體分立器件所服務(wù)的行業(yè)領(lǐng)域較為廣泛，具體受下游單一行業(yè)周期性變化影響不顯著，但與整體宏觀經(jīng)濟(jì)景氣度具有一定的關(guān)聯(lián)性。2、半導(dǎo)體分立器件行業(yè)季節(jié)性由于半導(dǎo)體分立器件應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，下游客戶季節(jié)性需求呈現(xiàn)此消彼長的動態(tài)均衡，行業(yè)的季節(jié)性特征不明顯，但是第一季度受到春節(jié)假期的影響，工廠開工時(shí)間較短，故第一季度銷售較全年比重往往相對較小。3、半導(dǎo)體分立器件行業(yè)區(qū)域性國內(nèi)半導(dǎo)體分立器件的生產(chǎn)及研發(fā)主要集中在經(jīng)濟(jì)較為發(fā)達(dá)、工業(yè)基礎(chǔ)配套完善的區(qū)域。經(jīng)過多年發(fā)展，我國已形成了三大電子信息產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)，即以江浙滬為中心的長江三角洲地區(qū)，以廣州、深圳為龍頭的珠江三角洲地區(qū)以及以北京、天津?yàn)檩S線的環(huán)渤海灣地區(qū)。實(shí)施創(chuàng)新驅(qū)動戰(zhàn)略完善以企業(yè)為主體、市場為導(dǎo)向、產(chǎn)學(xué)研用相結(jié)合的產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新體系，加強(qiáng)產(chǎn)學(xué)研用縱向合作，強(qiáng)化工藝技術(shù)、專用裝備和信息化技術(shù)的橫向協(xié)同，大力推進(jìn)集成創(chuàng)新，構(gòu)建一批有影響力的產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟。在化工新材料、精細(xì)化學(xué)品、現(xiàn)代煤化工等重點(diǎn)領(lǐng)域建成國家和行業(yè)創(chuàng)新平臺。圍繞滿足國家重大工程及國計(jì)民生重大需求，支持開展互聯(lián)網(wǎng)雙創(chuàng)平臺建設(shè)，著力突破一批共性關(guān)鍵技術(shù)和成套裝備。加快化工新材料等新產(chǎn)品的應(yīng)用技術(shù)開發(fā)，注重與終端消費(fèi)需求結(jié)合，加快培育新產(chǎn)品市場。加強(qiáng)知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)，加大人才培養(yǎng)和引進(jìn)，營造大眾創(chuàng)業(yè)、萬眾創(chuàng)新的良好社會氛圍。需求預(yù)測十三五期間，在穩(wěn)步推進(jìn)新型城鎮(zhèn)化和消費(fèi)升級等因素的拉動下，石化化工產(chǎn)品市場需求仍將保持較快增長。2015年我國城鎮(zhèn)化率約為56%，預(yù)計(jì)到2020年將超過60%，超過5000萬人將從農(nóng)村走向城市，新型城鎮(zhèn)化和消費(fèi)升級將極大地拉動基礎(chǔ)設(shè)施和配套建設(shè)投資，促進(jìn)能源、建材、家電、食品、服裝、車輛及日用品的需求增加，進(jìn)而拉動石化化工產(chǎn)品需求持續(xù)增長。同時(shí)，2020年我國將全面建成小康社會，居民人均收入將比2010年翻一番，社會整體消費(fèi)能力將增長120%以上，居民消費(fèi)習(xí)慣也將從溫飽型向發(fā)展型轉(zhuǎn)變，對綠色、安全、高性價(jià)比的高端石化化工產(chǎn)品的需求增速將超過傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)。半導(dǎo)體分立器件行業(yè)發(fā)展趨勢信息產(chǎn)業(yè)數(shù)字化、智能化、網(wǎng)絡(luò)化的不斷推進(jìn)，新材料（如GaN、AlN、SiC、SiGe、銻化物、金剛石、有機(jī)材料等）和新技術(shù)（如微納米、MEMS、碳納米管等）的不斷涌現(xiàn)，都將對半導(dǎo)體分立器件未來的發(fā)展產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響，將會從不同的側(cè)面促進(jìn)半導(dǎo)體分立器件向高頻、寬帶、高速、低噪聲、大功率、大電流、高線性、大動態(tài)范圍、高效率、高亮度、高靈敏度、低功耗、低成本、高可靠、微小型等方面快速發(fā)展。此外，隨著智能移動終端、5G網(wǎng)絡(luò)、物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車、大數(shù)據(jù)、人工智能等新興行業(yè)的發(fā)展，新型半導(dǎo)體分立器件也將不斷涌現(xiàn)。當(dāng)前半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)正在發(fā)生深刻的變革，其中新材料成為產(chǎn)業(yè)新的發(fā)展重心。以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料為代表的新材料半導(dǎo)體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優(yōu)異的性能而受到行業(yè)關(guān)注，有望成為新型的半導(dǎo)體材料。SiC、GaN等半導(dǎo)體材料屬于新興領(lǐng)域，具有極強(qiáng)的應(yīng)用戰(zhàn)略性和前瞻性。目前美歐、日韓及中國臺灣等地區(qū)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)SiC、GaN等新材料半導(dǎo)體功率器件的量產(chǎn)。新材料半導(dǎo)體的涌現(xiàn)將不斷提升半導(dǎo)體器件的性能，使得產(chǎn)品能夠滿足更多應(yīng)用領(lǐng)域的需求。對國內(nèi)市場而言，功率二極管、功率三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化，而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品，尤其是高功率器件，由于其技術(shù)及工藝的先進(jìn)性，還較大程度上依賴進(jìn)口，未來進(jìn)口替代空間巨大。目前，國內(nèi)行業(yè)內(nèi)企業(yè)通過多年的技術(shù)和資本積累，依托國家產(chǎn)業(yè)政策的重點(diǎn)扶持，也已開始布局新型半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，并取得了一定成效。未來伴隨著移動智能終端、5G網(wǎng)絡(luò)、物聯(lián)網(wǎng)、新能源、AR/VR等新興行業(yè)的發(fā)展，新型半導(dǎo)體分立器件將不斷涌現(xiàn)，在替代原有市場應(yīng)用的同時(shí)，將持續(xù)開拓新興應(yīng)用領(lǐng)域。同時(shí)，為了使現(xiàn)有半導(dǎo)體分立器件能適應(yīng)市場需求的快速變化，需要采用新技術(shù)、開發(fā)新的應(yīng)用材料、繼續(xù)優(yōu)化完善結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、制造工藝和封裝技術(shù)等，提高器件的性能。此外，下游電子信息產(chǎn)品小型化、智能化發(fā)展趨勢，必然要求內(nèi)嵌其中的半導(dǎo)體分立器件等關(guān)鍵零部件盡可能小型化、微型化以及多功能化。為適應(yīng)整機(jī)裝配效率和提高整機(jī)性能可靠性、穩(wěn)定性的要求，半導(dǎo)體分立器件將趨于體積小型化、組裝模塊化、功能系統(tǒng)化。半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)鏈主要包含器件及芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、封裝測試三大工藝環(huán)節(jié)，根據(jù)所涉及經(jīng)營環(huán)節(jié)的不同，半導(dǎo)體分立器件制造業(yè)的經(jīng)營模式分為縱向一體化（IDM）以及垂直分工兩種。由于分立器件在投資規(guī)模方面采用IDM模式具備經(jīng)濟(jì)效益上的較強(qiáng)可行性，同時(shí)半導(dǎo)體分立器件的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和生產(chǎn)工藝都對產(chǎn)品性能產(chǎn)生較大影響，對企業(yè)設(shè)計(jì)與工藝結(jié)合能力要求較高，業(yè)內(nèi)領(lǐng)先企業(yè)一般沿著原有業(yè)務(wù)進(jìn)行產(chǎn)業(yè)鏈延伸，逐步完善IDM模式發(fā)展。由于不同企業(yè)的發(fā)展歷程及技術(shù)優(yōu)勢不同，分立器件行業(yè)發(fā)展IDM模式有兩種典型路徑：一類是以芯片技術(shù)為基礎(chǔ)的企業(yè)，該類企業(yè)通常在特定品種的分立器件擁有較強(qiáng)的競爭優(yōu)勢，為客戶提供自主芯片對應(yīng)的分立器件，在發(fā)展過程中逐步補(bǔ)強(qiáng)封測技術(shù)和產(chǎn)能。另一類是以封測技術(shù)為基礎(chǔ)的企業(yè)，該類企業(yè)具備多品種、多規(guī)格的產(chǎn)品系列，可以為客戶提供一站式采購服務(wù)，在發(fā)展過程中不斷發(fā)展芯片技術(shù)和產(chǎn)能。促進(jìn)傳統(tǒng)行業(yè)轉(zhuǎn)型升級嚴(yán)格控制尿素、磷銨、電石、燒堿、聚氯乙烯、純堿、黃磷等過剩行業(yè)新增產(chǎn)能，對符合政策要求的先進(jìn)工藝改造提升項(xiàng)目應(yīng)實(shí)行等量或減量置換。探索建立落后產(chǎn)能法制化、市場化退出機(jī)制，引導(dǎo)企業(yè)開展并購重組，發(fā)揮市場優(yōu)勝劣汰的競爭機(jī)制和倒逼機(jī)制，