半導(dǎo)體薄膜技術(shù)基礎(chǔ)

PAGEPAGE8半導(dǎo)體薄膜技術(shù)基礎(chǔ)緒論薄膜技術(shù)的發(fā)展趨勢隨著電子器件越來越小，響應(yīng)速度越來越快，要求薄膜技術(shù)朝著亞微米和納米尺度發(fā)展，這類薄膜制造技術(shù)包括單晶薄膜，多晶薄膜，非晶薄膜和有機(jī)分子膜。薄膜制造技術(shù)主要有哪幾種物理氣相沉積PVD磁控濺射工藝? 濺射工藝是以一定能量的粒子（離子，中性原子，分子）轟擊固體表面，使固體近表面的原子或者分子獲得足夠的能量而逸出固體表面的工藝? 包括濺射刻蝕和薄膜沉積? 優(yōu)點(diǎn)：設(shè)備簡單，易于控制，鍍膜面積大和附著力強(qiáng)真空蒸發(fā)工藝? 將固體材料置于高真空環(huán)境下加熱，使之升華或蒸發(fā)并沉積在特定襯底上，以獲得薄膜的工藝方法。? 一般能得到多晶膜或者無定形膜，歷經(jīng)成核和成膜兩個(gè)過程? 主要工藝參數(shù)：襯底溫度越低，蒸發(fā)速度越高，薄膜的晶粒越細(xì)密分子束外延MBE? 分子束外延是一種新的晶體生長技術(shù)，其方法是將半導(dǎo)體襯底放置在超高真空的腔體中，需要生長的單晶物質(zhì)按元素的不同分別放在噴射爐中，由分別加熱到相應(yīng)溫度的各元素噴射出的分子流能在半導(dǎo)體襯底上生長出極薄的單晶體和幾種物質(zhì)交替的超晶格結(jié)構(gòu)?；瘜W(xué)氣相沉積CVD金屬有機(jī)化合物氣相沉積MOCVD離子注入涂覆Spin-coating? 類似光刻均勻膠的方式，通過旋轉(zhuǎn)涂覆的方式在半導(dǎo)體襯底上獲得厚度一致的薄膜材料的工藝方法? 主要工藝參數(shù)：旋轉(zhuǎn)速度，時(shí)間，所旋涂材料的粘度MOCVD工藝有哪些優(yōu)點(diǎn)和特點(diǎn)特點(diǎn)原材料一般是Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機(jī)化合物和Ⅴ、Ⅵ族元素的氫化物等目標(biāo)產(chǎn)物是Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體及其多元固溶體的薄層單晶材料反應(yīng)方式：在熱分解反應(yīng)在襯底上進(jìn)行氣相外延常壓或者低壓（10~100Torr）襯底溫度：500~1200℃優(yōu)點(diǎn)幾乎可以生長所有的化合物和合金半導(dǎo)體適合生長各種異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料可以生長超薄的外延層，臺階覆蓋率好，能夠獲得很陡的界面過渡薄膜生長速度易于控制，可以生長高純度的材料，能夠在大面積的半導(dǎo)體襯底上面生長薄膜，均勻性良好Spin-coating工藝影響薄膜質(zhì)量的工藝參數(shù)Spin-coating的工藝參數(shù)主要由旋轉(zhuǎn)速度、時(shí)間和所旋涂材料的粘度決定MBE主要研究的內(nèi)容和特點(diǎn)是什么內(nèi)容分子束外延主要研究的是不同結(jié)構(gòu)和不同材料的晶體和超晶格生長特點(diǎn)工藝溫度低可以嚴(yán)格控制外延層的厚度和薄膜的組成及摻雜濃度生長速度緩慢，襯底加工面積小硅單晶材料學(xué)硅在自然界中通常是以何種形式存在的硅在自然界的分布很廣，是組成巖石礦物的一種基本元素，以石英砂和硅酸鹽的形式最為常見硅的晶體結(jié)構(gòu)金剛石結(jié)構(gòu)——一種復(fù)式結(jié)構(gòu)，由兩個(gè)面心立方晶格套構(gòu)而成，一個(gè)相對于另一個(gè)在體對角線的方向上位移對角線長度的1/4? 半導(dǎo)體薄膜技術(shù)中最常用的硅化合物有哪幾種氧化硅（SiO2）性質(zhì)? 硼磷砷銻等雜質(zhì)元素在二氧化硅中的擴(kuò)散速度比在硅中的要慢得多，初期二氧化硅膜被用于掩蔽薄膜? 制備工藝主要是高溫?zé)嵫趸に? 二氧化硅薄膜無定形玻璃狀結(jié)構(gòu)，短程有序，密度比石英晶體小，無固定熔點(diǎn)? 二氧化硅薄膜化學(xué)穩(wěn)定性高，不溶于水，質(zhì)與氫氟酸、熱磷酸反應(yīng)? 二氧化硅薄膜具有一定的絕緣性，當(dāng)二氧化硅中的電場強(qiáng)度達(dá)到某一數(shù)值時(shí)，二氧化硅薄膜將會(huì)失去其絕緣性，即二氧化硅薄膜的擊穿? 本征擊穿? 反應(yīng)SiO2薄膜本身特性，熱擊穿、電擊穿、熱電混合擊穿。? 非本征擊穿? 由于SiO2薄膜中的針孔、微裂紋、雜質(zhì)引起的，并不能反應(yīng)SiO2本身的特征氮化硅（Si3N4）用途? 在器件中可以用作鈍化膜、局部氧化掩蔽膜、擴(kuò)散掩蔽膜、絕緣介質(zhì)膜及雜質(zhì)或缺陷的萃取膜性質(zhì)? 氮化硅薄膜對H2O、O2、Na、Al、Ga、In等都具有極強(qiáng)的擴(kuò)散阻擋能力? Si3N4抗腐蝕性極強(qiáng)，只與氫氟酸反應(yīng)? 作為擴(kuò)散遮蔽膜時(shí)，Si3N4比SiO2薄膜的掩蔽能力強(qiáng)得多? Si3N4直接沉積在硅表面時(shí)，界面會(huì)存在極大的應(yīng)力與極高的界面態(tài)密度。所以通常采用Si/SiO2/Si3N4結(jié)構(gòu)——該結(jié)構(gòu)也能降低氧化堆垛層錯(cuò)? Si-Si3N4有晶態(tài)和非晶態(tài)兩種，器件加工中Si-Si3N4應(yīng)為非晶態(tài)? Si3N4幾乎不與水反應(yīng)，在濃強(qiáng)酸溶液中緩慢水解成銨鹽和二氧化硅，易溶于氫氟酸，不與稀酸反應(yīng)單質(zhì)形態(tài)下的多晶硅性質(zhì)? 是單晶硅的一種形態(tài)? 溶于氫氟酸和硝酸的混合酸? 高溫熔融狀態(tài)下，化學(xué)活性很高，幾乎能與任何材料作用? 多晶硅可以作為拉制單晶硅的原料? 子主題1? 多晶硅與單晶硅的差異? 多晶硅的各向異性不如單晶硅明顯? 導(dǎo)電性不如單晶硅顯著? 化學(xué)活性差異極小單晶硅的生長方法是什么直拉法CZ含義? 從石英坩堝中的硅膠體中拉制單晶主要用途? 拉制中、低阻以及重?fù)诫s單晶主要步驟? 多晶硅熔化? 引晶與頸縮? 放肩與等徑生長步驟? 1在惰性氣體環(huán)境中高溫融化多晶硅材料? 2高溫環(huán)境下保持硅熔融狀態(tài)，排除氣泡? 3下種：籽晶接觸熔融面的多晶硅表面，轉(zhuǎn)動(dòng)數(shù)分鐘，使籽晶與多晶硅熔融界面沾潤良好，并控制好溫度，使結(jié)晶界面形成單晶棱線? 4縮頸? 是直拉法獲知區(qū)熔法拉制單晶無位錯(cuò)的基礎(chǔ)，必須嚴(yán)格控制? 5放肩：采用減慢拉制速度和降低熔體溫度的方法，逐步增大單晶直徑，達(dá)到預(yù)定值? 6等徑生長：當(dāng)達(dá)到預(yù)定的單晶直徑時(shí)，提高提高拉制速度，單晶進(jìn)入等徑生長，通過控制拉制速度和熔體溫度，補(bǔ)償液面下降引起溫場的變化，達(dá)到晶體直徑的恒定? 7收尾：為避免位錯(cuò)反延，拉晶快要完成的時(shí)候提高拉制速度，逐步縮小晶體直徑，直到晶體脫落熔體區(qū)熔法FZ含義? 在區(qū)熔法中造成一個(gè)熔區(qū)，并令其通過多晶棒，把多晶變成單晶主要用途? 拉制高、中阻單晶以及大直徑晶體步驟特點(diǎn)? 對多晶形狀要求比較嚴(yán)格，成本高? 要求多晶棒表面光滑且外形均勻，下端磨成錐形，上端磨出槽以利于牢固地夾住多晶硅棒? 提高高頻輸出功率兩者共同點(diǎn)都使用籽晶和縮頸? 籽晶控制晶向? 縮頸控制位錯(cuò)在大直徑硅片的使用中，存在哪些影響工藝成品率的因素1硅片電參數(shù)的徑向均勻性問題雜質(zhì)濃度呈條紋狀分布2硅片的平整度問題翹曲導(dǎo)致?lián)隙仍黾?，而增加厚度可以有效改善這種趨勢，如何確定合適的厚度對半導(dǎo)體器件非常重要? 子主題13硅圓片的表面質(zhì)量問題加工過程中的損傷和沾污熱加工中的氧化層錯(cuò)和氣體誘生缺陷4工藝溫度的問題為了防止雜質(zhì)原子的擴(kuò)散引起結(jié)構(gòu)的退化，集成電路加工過程中應(yīng)盡量降低溫度——低溫工藝5工藝的復(fù)雜性問題不同材料之間的熱膨脹系數(shù)的匹配問題不同材料的相平衡點(diǎn)問題和薄膜材料的原子擴(kuò)散問題6分析儀器的問題高靈敏度和高分辨率常見的SiO2薄膜生長有哪些方法熱生長方法用途? 選擇擴(kuò)散的遮蔽層、鈍化膜及集成電路的隔離介質(zhì)和絕緣介質(zhì)熱沉積法直接通過加熱沉積的方法將SiO2沉積在Si襯底表面，薄膜質(zhì)量不好用途? 微波器件表面的鈍化膜濺射法工藝溫度低半導(dǎo)體器件的電絕緣介質(zhì)真空蒸發(fā)溫度低，設(shè)備復(fù)雜，SiO2薄膜質(zhì)量不致密半導(dǎo)體器件的電絕緣介質(zhì)外延利用外延技術(shù)沉積SiO2薄膜，薄膜致密，生長速度快，但生長溫度高，設(shè)備復(fù)雜集成電路的介質(zhì)隔離槽Si3N4薄膜的主要作用有哪些鈍化膜除HF外不與其他酸反應(yīng)局部氧化掩蔽膜除HF外不與其他酸反應(yīng)擴(kuò)散掩蔽膜可以實(shí)現(xiàn)SiO2無法實(shí)掩蔽的Al、Ga、In等雜質(zhì)的擴(kuò)散絕緣介質(zhì)膜雜質(zhì)或缺陷的萃取膜硅材料與半導(dǎo)體器件的關(guān)系1集成電路不僅對硅圓片的幾何尺寸和表面加工質(zhì)量提出了要求，而且對硅單晶的內(nèi)在質(zhì)量提出了要求2高密度集成電路要求嚴(yán)格控制單晶硅中雜質(zhì)與缺陷的密度與分布3硅單晶材料中的微缺陷對芯片的影響越來越大4器件參數(shù)對單晶硅中雜質(zhì)和缺陷的密度、分布特點(diǎn)、電活性等更加敏感薄膜基礎(chǔ)知識薄膜的基本應(yīng)用及常規(guī)定義定義薄膜是指厚度介于單原子到幾毫米間的薄金屬或有機(jī)物層，其在厚度方向上尺寸很小，并且由于表面界面的存在，使物質(zhì)的連續(xù)性發(fā)生中斷，使薄膜具有與固體材料不同的性質(zhì)用途超導(dǎo)薄膜? 是利用蒸發(fā)、噴涂等工藝方法沉積的厚度小于1um的超導(dǎo)材料? 速度更快、損耗更小、容量更大導(dǎo)電薄膜? 半導(dǎo)電薄膜? 半絕緣多晶硅薄膜? 導(dǎo)電薄膜? 外延生長的硅單晶薄膜? CVD生長的摻雜多晶硅薄膜、半絕緣多晶硅薄膜鐵電薄膜? 具有鐵電性且厚度為幾十納米到幾微米的膜材料稱為鐵電薄膜? 良好的鐵電性、壓電性、熱釋電性、電學(xué)及非線性光學(xué)等特性? 制備方法? SOL-GEL凝膠法? MOCVD法? PLD法? 濺射法電阻薄膜? 是一種具有很高阻值精度和極低溫度系數(shù)的片式電阻器? 材料一般是陶瓷基板? 制備方法? 真空蒸鍍? 直流或交流濺射? 化學(xué)沉積半導(dǎo)體薄膜? 非晶半導(dǎo)體薄膜? 性質(zhì)? 具有和晶態(tài)半導(dǎo)體類似的能帶結(jié)構(gòu)? 也有導(dǎo)帶、價(jià)帶和禁帶? 存在大量的缺陷，這些缺陷在禁帶中引入一系列局域能級，能影響非晶半導(dǎo)體薄膜的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)? 分類? 硫系玻璃? 熔體冷卻法或氣相沉積法? 四面體鍵非晶態(tài)半導(dǎo)體? 蒸發(fā)? 濺射? 化學(xué)氣相沉積? 應(yīng)用? 太陽能電池板? 多晶半導(dǎo)體薄膜? 應(yīng)用? 半導(dǎo)體集成電路? 制備方法? 低壓化學(xué)氣相沉積LPCVD? 固相晶化法SPC? 準(zhǔn)分子激光晶化法ELA? 金屬橫向誘導(dǎo)法MILC? 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD鈍化膜? 指在金屬表面形成金屬氧化物或鹽類，這些物質(zhì)緊密地覆蓋在金屬表面上形成鈍化膜? 分類? 電化學(xué)鈍化? 化學(xué)鈍化? 防腐光電薄膜? 用途? LCD面板薄膜內(nèi)部常見的缺陷點(diǎn)缺陷空位、空洞、雜質(zhì)和位錯(cuò)薄膜的基本性質(zhì)力學(xué)性質(zhì)附著性質(zhì)? 主要取決于薄膜與襯底的附著力? 主要取決于薄膜生長的初始階段? 附著? 物理吸附? 簡單附著? 薄膜與襯底的結(jié)合力? 范德華力? 性能的決定因素? 襯底表面質(zhì)量? 薄膜與襯底的界面? 非常清楚的分界面? 擴(kuò)散附著? 薄膜與襯底的結(jié)合力? 兩種固體之間的相互擴(kuò)散或溶解? 性能的決定因素? 子主題1? 薄膜與襯底的界面? 漸變界面，并不明顯? 通過中間層附著? 通過反應(yīng)蒸發(fā)、反應(yīng)濺射、蒸發(fā)或者濺射過渡層、襯底表面摻雜等工藝方法，在薄膜與襯底之間形成一個(gè)化合物中間層，從而形成薄膜與襯底之間的中間層附著? 通過宏觀效應(yīng)附著? 機(jī)械鎖合? 當(dāng)襯底上有微孔或微裂紋時(shí)，在薄膜沉積過程中，就會(huì)有入射原子進(jìn)入其中，形成薄膜與襯底之間的機(jī)械鎖合? 雙電層吸引? 利用薄膜和襯底之間的界面產(chǎn)生雙電層，通過異性電荷之間的相互吸引而提高薄膜與襯底之間的附著力，其數(shù)值接近于范德華力? 化學(xué)吸附? 通過薄膜與襯底之間形成的化學(xué)鍵，如離子鍵、共價(jià)鍵和金屬鍵產(chǎn)生的鍵力而形成的吸附，附著力是薄膜與襯底之間附著強(qiáng)度的具體體現(xiàn)? 附著力的測試方法? 劃痕法? 拉張法? 剝離法? 影響附著力的因素? 薄膜和襯底的材料? 用表面能量小的薄膜材料覆蓋在表面能量大的襯底表面上，會(huì)產(chǎn)生很好的浸潤，從而增強(qiáng)附著力? 襯底的表面狀態(tài)? 對襯底進(jìn)行清潔和活化處理? 薄膜的沉積工藝? 濺射工藝的附著力大于蒸發(fā)工藝? 薄膜沉積速率越快，薄膜結(jié)構(gòu)越疏松，內(nèi)用力越大，附著力越小內(nèi)應(yīng)力? 分類? 固有（本征）應(yīng)力? 來源于薄膜中的缺陷? 非固有（非本征）應(yīng)力? 來源于薄膜和襯底之間的、由于熱膨脹系數(shù)不同或晶格失配等引起的相互作用力? 影響因素? 襯底? 工藝沉積過程? 薄膜本身的影響機(jī)械性能電學(xué)性質(zhì)金屬薄膜? 電導(dǎo)性取決于薄膜的結(jié)構(gòu)、厚度以及加工過程中的溫度介質(zhì)薄膜? 定義? 不顯示電導(dǎo)特性的絕緣體的總稱? 用途? 介電性能——各種集成電路和各種MOS半導(dǎo)體器件? 電導(dǎo)來源? 離子型電導(dǎo)? 電子型電導(dǎo)? 介質(zhì)薄膜的擊穿性? 定義? 當(dāng)施加到介質(zhì)薄膜上的電場強(qiáng)度達(dá)到某一數(shù)值時(shí)，它便立刻失去絕緣性能，這稱為介質(zhì)薄膜的擊穿? 分類? 軟擊穿? 擊穿時(shí)并不是燒毀，而是長期穩(wěn)定地維持低電阻狀態(tài)? 硬擊穿? 擊穿后如果持續(xù)施加電場，則會(huì)燒毀? 本征擊穿? 外電場超過介質(zhì)薄膜本身抗電強(qiáng)度而產(chǎn)生的擊穿? 非本征擊穿? 薄膜結(jié)構(gòu)缺陷而導(dǎo)致的擊穿半導(dǎo)體薄膜? 單晶半導(dǎo)體薄膜? 分類? 硅外延薄膜? 定義? 原子以單晶的形式排列在單晶襯底上，使最后形成的薄膜層的晶格結(jié)構(gòu)恰好是襯底晶格結(jié)構(gòu)的外延，厚度一般在1~20um? 制造方法? 化學(xué)氣相沉積法（CVD）? 主要性質(zhì)? 外延膜厚度的均勻性? 主要受反應(yīng)氣體流速的影響? 流速快? 外延膜中間厚邊緣薄? 流速慢? 外延膜中間薄邊緣厚? 電阻率的均勻性? 反應(yīng)氣體中雜質(zhì)的數(shù)量和種類? 自摻雜效應(yīng)? 在外延膜的生長過程中，來自襯底中的雜質(zhì)摻雜? 抑制自摻雜? 在CVD過程中降低氣壓（LPCVD）? 降低外延膜的生長速率? 增大氣體流量? 使用低蒸氣壓摻雜劑? SOS薄膜（SiOnSappire）? 定義? 在藍(lán)寶石襯底上異質(zhì)外延生長的薄膜? 異質(zhì)外延帶來的缺點(diǎn)? 硅和藍(lán)寶石的熱膨脹系數(shù)不同，在SOS薄膜中會(huì)存在壓應(yīng)力，高密度晶格缺陷? 壓應(yīng)力會(huì)使硅薄膜的導(dǎo)帶能量發(fā)生變化，從而引起電導(dǎo)率的變化? 結(jié)構(gòu)缺陷會(huì)影響電導(dǎo)率和電阻率? 硅膜和藍(lán)寶石襯底間存在過渡區(qū)（20~40nm），還存在襯底的鋁摻雜（鋁-硅-氧化物）? 界面能級密度偏小，導(dǎo)致漏電流? Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體薄膜? 定義? 利用CVD工藝，在各種襯底上加工出單晶薄膜? 性質(zhì)? 禁帶寬度大? 直接轉(zhuǎn)換導(dǎo)電類型? Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體薄膜? 多晶半導(dǎo)體薄膜? 電學(xué)性質(zhì)受晶粒尺寸、晶粒間界和晶粒間界處缺陷密度的影響? 非晶半導(dǎo)體薄膜? 分類? 硫硒碲系? 制備工藝? 真空蒸發(fā)? 陰極濺射? 液相沉積? 性質(zhì)? 電子傳輸性能? 激活型導(dǎo)電? 大的熱電勢? 較高的光導(dǎo)性能? 四面體系? 氧化物半導(dǎo)體薄膜? 分類? SnO2? InO2? Cd2SnO4? 性質(zhì)? 透明導(dǎo)電? 電氣? 通光性? 導(dǎo)電性? 光學(xué)? 對可見光和紅外光有較好的選擇發(fā)射特性介電性質(zhì)介電性能是指在電場作用下，表現(xiàn)出對靜電能的儲蓄和損耗的性質(zhì)，通常用介電常數(shù)和介質(zhì)損耗來表示介質(zhì)在外加電場時(shí)會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電荷而削弱電場，原外加電場（真空中）與最終介質(zhì)中電場比值即為介電常數(shù)(permittivity),又稱誘電率半導(dǎo)體薄膜特有性質(zhì)常見的薄膜襯底有哪幾種玻璃襯底石英玻璃? 耐高溫，膨脹系數(shù)低，耐熱震性、化學(xué)穩(wěn)定性和電絕緣性好? 能透過紫外線和紅外線，只溶于氫氟酸和熱磷酸? 使用溫度? 1000℃高硅酸鹽玻璃? 以二氧化硅為主要成分，含鈉鈣硅酸鹽、鈉鋁硅酸鹽等的玻璃? 一定的化學(xué)穩(wěn)定性，熱穩(wěn)定性，機(jī)械強(qiáng)度和硬度硼硅酸鹽玻璃? 線膨脹系數(shù)介于石英玻璃和普通玻璃之間，耐熱性和耐久性? 使用溫度? 550℃普通玻璃? 以CaO和Na2O成分代替高價(jià)硼酸鹽和難溶的氧化鋁成分而制成的玻璃品種? 透光、隔熱、耐磨陶瓷襯底性能? 優(yōu)異的絕緣電阻、耐壓、介電損耗等? 耐熱，傳熱性能，化學(xué)穩(wěn)定性和強(qiáng)度影響因素? 主要成分的機(jī)體類型? 非主要成分組成? 雜質(zhì)? 玻璃質(zhì)中間物分類? 氧化鋁襯底? 氧化鋁的介電性能隨著其純度提高而提高? 藍(lán)寶石襯底? 藍(lán)寶石在GHz的超高頻范圍內(nèi)的介電損耗小，熱導(dǎo)率大? 微波器件襯底? 表面非常光潔? 集成電路和精密薄膜的襯底單晶體襯底單晶襯底對外延膜的質(zhì)量有重要影響? 襯底晶體的各向異性會(huì)產(chǎn)生裂紋? 熱膨脹系數(shù)不同會(huì)產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力分類? 單晶硅? 良好的各向異性，能導(dǎo)電，具有半導(dǎo)體性質(zhì)? 金剛石? 石墨? 耐高溫，熱膨脹系數(shù)小，導(dǎo)電性好，導(dǎo)熱性好? 良好的化學(xué)穩(wěn)定性，耐酸、耐堿耐有機(jī)溶劑腐蝕? 砷化鎵? 半絕緣高阻材料? 高頻、高溫、低溫性能好，噪聲小，抗輻射能力強(qiáng)塑料襯底金屬襯底襯底清洗的目的在不損傷襯底表面或者結(jié)構(gòu)的情況下，從襯底表面去除物理或者化學(xué)沾污常用的清洗工藝濕法清洗現(xiàn)階段清洗的主要工藝? 優(yōu)點(diǎn)? 能將結(jié)構(gòu)完全清洗? 缺點(diǎn)? 進(jìn)入結(jié)構(gòu)中的清洗液無法排出并干燥? 成本問題、廢液處理問題、環(huán)保問題干法清洗定義? 通過將沾污轉(zhuǎn)化成揮發(fā)性的化合物、刻蝕襯底材料和濺射等方式去除襯底表面沾污，干法清洗工藝可以采用更為靈活的熱增強(qiáng)效應(yīng)，有替代濕法清洗的優(yōu)勢分類? 濺射清洗? 熱增強(qiáng)清洗? 氣相清洗? 定義? 利用液體工藝中對應(yīng)物質(zhì)的氣相等效物與襯底表面的沾污物質(zhì)相互作用，從而達(dá)到去除沾污目的的一種清洗方法? 優(yōu)點(diǎn)? 器件性能更穩(wěn)定? 化學(xué)用品的用量有所減少? 效率高? 等離子清洗? 光刻膠去除? 工藝簡單、操作方便、沒有殘留物? 光化學(xué)清洗氣相干洗清洗確定半導(dǎo)體薄膜加工所進(jìn)行的襯底清洗工藝確定的主要依據(jù)沾污的類型去除沾污的難易程度以及處理液能否順利排出并干燥清洗操作過程中的材料損失和表面粗糙度常見的RCA清洗工藝步驟及各個(gè)步驟的目的1)配制氫氟酸溶液（1：20，本次100ml2000ml）2)硅片支架清洗、吹干待用3)取硅片放于支架上，按照順序放好4)配3＃液（硫酸：H2O2=3:1，本次660ml：220ml），硫酸最后加，同時(shí)另一容器煮水5)用3＃液煮洗，15min，加熱至250℃，拎起支架稍涼片刻6)將支架放