數(shù)字集成電路-課件8

數(shù)字集成電路_課件8第一頁，共51頁。8.1緒論大多數(shù)大型存儲器的首選結構：隨機存取結構存儲器的各個位置可隨機順序按一個固定的速率進行存取，而存取的速率與其物理位置無關存儲陣列由簡單的單元電路組成，這些單元電路排列起來以共享水平行和豎直列的連接。水平方向上只被存儲器陣列外部所驅動的線叫字線豎直方向上數(shù)據(jù)流入和流出單元的線叫位線第二頁，共51頁。存儲器系統(tǒng)的結構第三頁，共51頁。存儲器設計的總體結構第四頁，共51頁。存儲器類型讀/寫存儲器讀寫隨機存取存儲器（RAM）靜態(tài)RAM（SRAM）動態(tài)RAM（DRAM）內(nèi)容尋址存儲器（CAM）非易失性存儲器只讀存儲器（ROM）可編程只讀存儲器（PROM）可擦除可編程只讀存儲器（EPROM）電可擦除可編程只讀存儲器（E2PROM）Flash存儲器基于鐵電材料的存儲器（FRAM）第五頁，共51頁。隨機存取存儲器時序參數(shù)第六頁，共51頁。8.2MOS譯碼器第七頁，共51頁。8.2MOS譯碼器第八頁，共51頁。預譯碼器結構第九頁，共51頁。6位地址的兩級譯碼器結構第十頁，共51頁。用邏輯強度的方法確定譯碼器尺寸第十一頁，共51頁。8.3靜態(tài)RAM單元設計基本的SRAM單元和電壓傳輸特性第十二頁，共51頁。六管（6T）SRAM單元第十三頁，共51頁。字線和雙位線結構第十四頁，共51頁。6TSRAM的讀操作第十五頁，共51頁。6TSRAM的寫操作第十六頁，共51頁。8.4SRAM列I/O電路第十七頁，共51頁。地址轉變探測電路第十八頁，共51頁。列譯碼和多路選擇第十九頁，共51頁。寫驅動器電路第二十頁，共51頁?；镜淖x電路第二十一頁，共51頁。8.5存儲器體系結構第二十二頁，共51頁。8.6內(nèi)容尋址存儲器內(nèi)容尋址存儲器（CAM）也叫相聯(lián)存儲器通過使用關鍵詞和存儲的標簽相匹配從而對標簽相關聯(lián)的數(shù)據(jù)進行定位常用來建造高度關聯(lián)的cache（高速緩沖）存儲器第二十三頁，共51頁。相聯(lián)存儲器查詢機制第二十四頁，共51頁。CAM查詢陣列的排列第二十五頁，共51頁。CAM單元的原理圖第二十六頁，共51頁。CAM和SRAM陣列的結構圖第二十七頁，共51頁。8.7現(xiàn)場可編程門陣列現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）SRAM編程反熔絲編程FPGA是一個獨立的可編程的邏輯器件，可以迅速實現(xiàn)一個復雜的邏輯系統(tǒng)第二十八頁，共51頁。FPGA芯片的總體結構第二十九頁，共51頁。島狀的FPGA體系結構第三十頁，共51頁?；镜目删幊?-LUT（查詢表）第三十一頁，共51頁。3-LUT的編程第三十二頁，共51頁。可編程的連接第三十三頁，共51頁。FPGA的I/O緩沖第三十四頁，共51頁。8.8動態(tài)讀/寫存儲器去掉了上拉器件的靜態(tài)RAM單元第三十五頁，共51頁。三管（3T）DRAM單元第三十六頁，共51頁。單管（1T）DRAM單元第三十七頁，共51頁。1TDRAM陣列結構第三十八頁，共51頁。64KbDRAM框圖第三十九頁，共51頁。8.9只讀存儲器基本ROM單元第四十頁，共51頁。不同的ROM陣列結構第四十一頁，共51頁。8.10其他存儲器EPROM單元結構第四十二頁，共51頁。EPROM的寫/擦除過程第四十三頁，共51頁。E2PROM2T結構第四十四頁，共51頁。寫/擦除操作的E2PROM陣列結構第四十五頁，共51頁。E2PROM讀操作第四十六頁，共51頁?；蚍情TFlash存儲器結構第四十七頁，共51頁?；蚍情TFlash存儲器的寫/