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三極管的開關(guān)特性門電路教程演示文稿現(xiàn)在是1頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二(優(yōu)選)三極管的開關(guān)特性門電路教程現(xiàn)在是2頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二2.2二極管和三極管的開關(guān)特性二極管導(dǎo)通條件及導(dǎo)通時(shí)的特點(diǎn):二極管截止條件及截止時(shí)的特點(diǎn):現(xiàn)在是3頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二現(xiàn)在是4頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二現(xiàn)在是5頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二較大的反向漂移電流
一般為納秒數(shù)量級(jí)出現(xiàn)大量的反向電流的原因:現(xiàn)在是6頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二
在數(shù)字電路中,三極管是作為開關(guān)使用的。三極管
截止相當(dāng)于開關(guān)斷開;三極管飽和相當(dāng)于開關(guān)閉合;因此我們最關(guān)心三極管截止和飽和時(shí)的情況。
一、開關(guān)特性2.2.2三極管的開關(guān)特性現(xiàn)在是7頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.2.6雙極型三極管的特性曲線
(a)輸入特性曲線(b)輸出特性曲線現(xiàn)在是8頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.2.8用圖解法分析圖2.2.7電路
(a)電路圖(b)作圖方法現(xiàn)在是9頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二截止.飽和條件:截止條件:飽和條件:現(xiàn)在是10頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.2.9雙極型三極管的開關(guān)等效電路
(a)截止?fàn)顟B(tài)(b)飽和導(dǎo)通狀態(tài)現(xiàn)在是11頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.3.1二極管與門2.3最簡(jiǎn)單的與、或、非門電路現(xiàn)在是12頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.3.2二極管或門現(xiàn)在是13頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.3.3三極管非門(反相器)現(xiàn)在是14頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二
2.4TTL門電路
TTL(Transistor-Transistor-Logic)目前,我們使用的TTL門電路和中、小規(guī)模集成電路以74/54系列為主,包括做實(shí)驗(yàn)時(shí)所使用的芯片,都是這一系列產(chǎn)品。74/54系列又根據(jù)功耗的大小,速度的快慢等分為幾個(gè)子系列,如74SXX、74LSXX、74ALSXX、74HXX和74FXX等等。
(一)、TTL門電路我們以TTL與非門電路為例,分析一下TTL電路的特點(diǎn),特別是輸出級(jí)的結(jié)構(gòu),因?yàn)榇蠖鄶?shù)TTL門電路的輸出級(jí)都是這種結(jié)構(gòu)?,F(xiàn)在是15頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.4.1TTL反相器的典型電路現(xiàn)在是16頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二非門內(nèi)部電路工作原理A
為0.2v5v
3.4V2.1v1v1v0.9v1.4v0.7v0.3v3.6v0.5v現(xiàn)在是17頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二2、推拉輸出電路
推拉輸出電路:推拉輸出因T4和T5你通我止,你止我通而得名。它也叫圖騰柱(Totempole)輸出,有源上拉電路(Activepull-up)。
本推拉輸出電路由T4、T5、D2及R4組成,它的特點(diǎn)是無論輸出電平是高是低,輸出阻抗始終較低,負(fù)載能力強(qiáng)。同時(shí),電路轉(zhuǎn)換速度快。此電路相當(dāng)于反相器電路有一個(gè)阻值可變的集電極電阻RC,三極管飽和時(shí)變大,有利于加大飽和程度,降低輸出電壓;三極管截止時(shí)變小,有利于三極管退出飽和,降低高電平輸出阻抗。現(xiàn)在是18頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二二、TTL非門的主要外部特性
1、電壓傳輸特性V0隨Vi變化的規(guī)律
ab段:截止區(qū)Vi<0.6vV0=VHbc段:線性區(qū)VI=0.6~1.3V0隨VI增加線性下降。cd段:轉(zhuǎn)折區(qū)VI>1.3v以后V0加速下降。de段:飽和區(qū)VI增大。現(xiàn)在是19頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二2.4.4其它TTL門圖2.4.20TTL與非門電路現(xiàn)在是20頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.4.22TTL或非門電路現(xiàn)在是21頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.4.23TTL與或非門現(xiàn)在是22頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.4.24TTL異或門現(xiàn)在是23頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.4.25推拉式輸出級(jí)并聯(lián)的情況二、OC門現(xiàn)在是24頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.4.26集電極開路與非門的電路和圖形符號(hào)現(xiàn)在是25頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.4.27OC門輸出并聯(lián)的接法及邏輯圖OC門電路可以實(shí)現(xiàn)線與,高電壓、大電流的驅(qū)動(dòng)能力很強(qiáng),但失去了推拉功耗低、輸出速度快的優(yōu)點(diǎn)?,F(xiàn)在是26頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.4.31三態(tài)輸出門的電路圖和圖形符號(hào)
(a)控制端高電平有效(b)控制端低電平有效三、三態(tài)門Enable:控制端,又稱使能端現(xiàn)在是27頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二三態(tài)輸出門
三態(tài):電路輸出端可以處于三種狀態(tài):高電平、低電平和懸空態(tài)。
推拉輸出的特點(diǎn)是T4、T5輪流導(dǎo)通,如果我們使T4、T5全都截止,則輸出端處于懸空態(tài),也稱高阻態(tài)?,F(xiàn)在是28頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.4.32用三態(tài)輸出門接成總線結(jié)構(gòu)現(xiàn)在是29頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.4.33用三態(tài)輸出門實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的雙向傳輸現(xiàn)在是30頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二現(xiàn)在是31頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二2.6CMOS門電路2.6.1、CMOS反相器工作原理
CMOS電路的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是:一個(gè)N溝道管和一個(gè)P溝道管配對(duì)使用,即N、P互補(bǔ)(Comp-lementary)。P管作負(fù)載管,N管作輸入管,兩管柵極接在一起。
注意:P溝的開啟電壓是負(fù)值柵極電壓要低于源極。兩管導(dǎo)通時(shí)的電阻較小為RON兩管截止時(shí)的電阻很大為ROFF
現(xiàn)在是32頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二N溝道增強(qiáng)型和P溝道增強(qiáng)型現(xiàn)在是33頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二(1)當(dāng)輸入電壓VI為低電平時(shí),VI=0T1管導(dǎo)通,T2管截止,輸出電壓V0為:
VDD
(2)當(dāng)輸入電壓VI為高電平時(shí),VI=VDDT1管截止,T2管導(dǎo)通,輸出電壓V0為:0v
與TTL反相器相比,輸出高電平更高(=VDD),穩(wěn)態(tài)時(shí),且總有一個(gè)管子是截止的,工作電流極小,功耗極低?,F(xiàn)在是34頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.6.2CMOS反相器的電壓傳輸特性現(xiàn)在是35頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.6.3CMOS反相器的電流傳輸特性現(xiàn)在是36頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.6.4不同VDD下CMOS反相器的噪聲容限現(xiàn)在是37頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.6.5CMOS反相器輸入端噪聲容限與VDD的關(guān)系現(xiàn)在是38頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.6.6CMOS反相器的輸入保護(hù)電路
(a)CC4000系列的輸入保護(hù)電路
(b)74HC系列的輸入保護(hù)電路現(xiàn)在是39頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.6.7CMOS反相器的輸入特性
(a)圖2.6.6(a)電路的輸入特性
(b)圖2.6.6(b)電路的輸入特性現(xiàn)在是40頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.6.8vO=VOL時(shí)CMOS反相器的工作狀態(tài)現(xiàn)在是41頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.6.9CMOS反相器的低電平輸出特性現(xiàn)在是42頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.6.10vO=VOH時(shí)CMOS反相器的工作狀態(tài)現(xiàn)在是43頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.6.11CMOS反相器的高電平輸出特性現(xiàn)在是44頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.6.12CMOS反相器傳輸延遲時(shí)間的定義現(xiàn)在是45頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.6.13VDD和CL對(duì)傳輸延遲時(shí)間的影響現(xiàn)在是46頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.6.14CMOS反相器的交流噪聲容限現(xiàn)在是47頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.6.15CMOS反相器的瞬時(shí)導(dǎo)通電流現(xiàn)在是48頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.6.16CMOS反相器對(duì)負(fù)載電容的充、放電電流現(xiàn)在是49頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.6.17CMOS反相器的靜態(tài)漏電流
(a)vI=0(b)vI=VDD現(xiàn)在是50頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.6.18CMOS與非門現(xiàn)在是51頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.6.19CMOS或非門現(xiàn)在是52頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.6.20帶緩沖級(jí)的CMOS與非門電路現(xiàn)在是53頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.6.21帶緩沖級(jí)的CMOS或非門電路現(xiàn)在是54頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.6.22漏極開路輸出的與非門CC40107現(xiàn)在是55頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.6.23CMOS傳輸門的電路結(jié)構(gòu)和邏輯符號(hào)現(xiàn)在是56頁(yè)\一共有61頁(yè)\編輯于星期二圖2.6.24
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