薄膜沉積設(shè)備產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)前瞻

薄膜沉積設(shè)備產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)前瞻光伏行業(yè)概覽（一）光伏產(chǎn)業(yè)鏈情況光伏產(chǎn)業(yè)鏈從上到下依次為：晶體硅料的生產(chǎn)和硅棒、硅錠、硅片的加工制作；光伏電池片的生產(chǎn)加工；光伏電池組件的制作；光伏應(yīng)用。行業(yè)產(chǎn)品主要用于光伏產(chǎn)業(yè)鏈的中游環(huán)節(jié)，為太陽能電池片廠商提供鍍膜設(shè)備，用于在電池片正面或背面鍍Al2O3和SiNX，是光伏電池片生產(chǎn)環(huán)節(jié)的關(guān)鍵工藝設(shè)備。（二）光伏行業(yè)發(fā)展概況2010年以來，全球太陽能光伏產(chǎn)業(yè)進(jìn)入了高速發(fā)展期，太陽能光伏年裝機(jī)容量快速增長，上游相關(guān)行業(yè)也得到迅速發(fā)展。2011年至2021年間，全球年度光伏新增裝機(jī)容量和累計(jì)裝機(jī)容量大幅增長，其中，新增裝機(jī)容量由2011年的32．2GW增加至2021年的170GW，增長超過5倍。IRENA根據(jù)《巴黎協(xié)定》制定的目標(biāo)進(jìn)行測(cè)算，從現(xiàn)在起至2050年，與能源有關(guān)的二氧化碳排放量需要每年減少3．5%左右，并在此后持續(xù)減少。因此，全球能源格局的深刻變革對(duì)于實(shí)現(xiàn)該協(xié)定的氣候目標(biāo)至關(guān)重要。隨著清潔能源的使用和迅速發(fā)展，太陽能和風(fēng)能將引領(lǐng)全球電力行業(yè)的轉(zhuǎn)型，取代傳統(tǒng)的化石燃料發(fā)電將成為可能。根據(jù)IRENA的預(yù)測(cè)，未來，風(fēng)力發(fā)電將占總電力需求的三分之一以上，而太陽能光伏發(fā)電將緊隨其后，占總電力需求的25%，這意味著在未來十年內(nèi)，太陽能光伏發(fā)電的全球總?cè)萘繉?018年的480?GW，到2030年達(dá)到2，840?GW，到2050年達(dá)到8，519?GW。按年增長率計(jì)算，到2030年，太陽能光伏發(fā)電的年新增容量較2018年水平需要增加近3倍，達(dá)到270?GW/年，到2050年，需要增加4倍，達(dá)到372?GW/年。到2050年，太陽能光伏將有助于減少4．9Gt的二氧化碳年排放量，占實(shí)現(xiàn)巴黎氣候目標(biāo)所需能源部門總減排量的21%。我國太陽能光伏產(chǎn)業(yè)起步相對(duì)國外較晚，但受惠于全球光伏行業(yè)的高速發(fā)展，憑借國家政策的大力支持與人力資源、成本優(yōu)勢(shì)，發(fā)展極為迅速。截至2021年底，我國光伏發(fā)電裝機(jī)量達(dá)307GW，同比增長21%，連續(xù)7年位居全球首位；2021年新增光伏發(fā)電裝機(jī)54．88GW，同比增長13．9%，連續(xù)9年位居世界第一。2020年9月中國提出了努力爭(zhēng)取2030年前實(shí)現(xiàn)碳達(dá)峰，2060年前實(shí)現(xiàn)碳中和的應(yīng)對(duì)氣候變化新目標(biāo)。根據(jù)中國光伏行業(yè)協(xié)會(huì)預(yù)測(cè)，在碳達(dá)峰、碳中和目標(biāo)下，十四五期間我國光伏市場(chǎng)將迎來市場(chǎng)化建設(shè)高峰，預(yù)計(jì)國內(nèi)年均光伏裝機(jī)新增規(guī)模在70-90GW。半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況（一）薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增長根據(jù)MaximizeMarketResearch數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，全球半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模從2017年的125億美元擴(kuò)大至2020年的172億美元，年復(fù)合增長率為11．2%。（二）薄膜沉積設(shè)備國產(chǎn)化率低我國半導(dǎo)體設(shè)備經(jīng)過最近幾年快速發(fā)展，在部分領(lǐng)域已有一定的進(jìn)步，但整體國產(chǎn)設(shè)備特別在核心設(shè)備化上的國產(chǎn)化率仍然較低。半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備行業(yè)基本由AMAT、ASM、Lam、TEL等國際巨頭壟斷。近年來隨著國家對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)投入及部分民營企業(yè)的興起，我國半導(dǎo)體制造體系和產(chǎn)業(yè)生態(tài)得以建立和完善。半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備的國產(chǎn)化率雖然由2016年的5%提升至2020年的8%，但總體占比尤其是中高端產(chǎn)品占比較低。（三）各類薄膜沉積設(shè)備發(fā)展態(tài)勢(shì)從半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備的細(xì)分市場(chǎng)上來看，根據(jù)Gartner統(tǒng)計(jì)，2019年全球半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備中PECVD、PVD、ALD設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模占比分別為33%、23%和11%；2020年全球半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備中PECVD、PVD、ALD設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模占比分別為34%、21%和12．8%。在半導(dǎo)體制程進(jìn)入28nm后，由于器件結(jié)構(gòu)不斷縮小且更為3D立體化，生產(chǎn)過程中需要實(shí)現(xiàn)厚度更薄的膜層，以及在更為立體的器件表面均勻鍍膜。在此背景下，ALD技術(shù)憑借優(yōu)異的三維共形性、大面積成膜的均勻性和精確的膜厚控制等特點(diǎn)，技術(shù)優(yōu)勢(shì)愈加明顯，在半導(dǎo)體薄膜沉積環(huán)節(jié)的市場(chǎng)占有率也將持續(xù)提高。薄膜沉積設(shè)備：集成電路奠基者薄膜沉積技術(shù)是以各類化學(xué)反應(yīng)源在外加能量（包括熱、光、等離子體等）的驅(qū)動(dòng)下激活，將由此形成的原子、離子、活性反應(yīng)基團(tuán)等在襯底表面進(jìn)行吸附，并在適當(dāng)?shù)奈恢冒l(fā)生化學(xué)反應(yīng)或聚結(jié)，漸漸形成幾納米至幾微米不等厚度的金屬、介質(zhì)、或半導(dǎo)體材料薄膜。作為芯片襯底之上的微米或納米級(jí)薄膜，是構(gòu)成了制作電路的功能材料層。隨著集成電路制造不斷向更先進(jìn)工藝發(fā)展，單位面積集成的電路規(guī)模不斷擴(kuò)大，芯片內(nèi)部立體結(jié)構(gòu)日趨復(fù)雜，所需要的薄膜層數(shù)越來越多，對(duì)絕緣介質(zhì)薄膜、導(dǎo)電金屬薄膜的材料種類和性能參數(shù)不斷提出新的要求。薄膜設(shè)備的發(fā)展支撐了集成電路制造工藝向更小制程發(fā)展。隨著半導(dǎo)體行業(yè)整體景氣度的提升，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)呈現(xiàn)快速增長態(tài)勢(shì)，拉動(dòng)市場(chǎng)對(duì)薄膜沉積設(shè)備需求的增加。根據(jù)MaximizeMarketResearch數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2017-2020年全球半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模分別為125億美元、145億美元、155億美元和172億美元，2021年擴(kuò)大至約190億美元，年復(fù)合增長率為11．04%。預(yù)計(jì)全球半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模在2025年將從2021年的190億美元擴(kuò)大至340億美元，保持年復(fù)合15．7%的增長速度。近年來，下游產(chǎn)業(yè)新技術(shù)、新產(chǎn)品快速發(fā)展，正迎來市場(chǎng)快速增長期。5G手機(jī)、新能源汽車、工業(yè)電子等包含的半導(dǎo)體產(chǎn)品數(shù)量較傳統(tǒng)產(chǎn)品大比例提高；人工智能、可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)等新業(yè)態(tài)的出現(xiàn)，對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)品產(chǎn)生了新需求。經(jīng)過不斷發(fā)展，根據(jù)不同的應(yīng)用演化出了PECVD、LPCVD、濺射PVD、ALD等不同的設(shè)備用于晶圓制造的不同工藝。其中，PECVD是薄膜設(shè)備中占比最高的設(shè)備類型，占整體薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)的33%；ALD設(shè)備目前占據(jù)薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)的11%；SACVD是新興的設(shè)備類型，屬于其他薄膜沉積設(shè)備類目下的產(chǎn)品，占比較小。在晶圓制造過程中，薄膜起到產(chǎn)生導(dǎo)電層或絕緣層、阻擋污染物和雜質(zhì)滲透、提高吸光率、臨時(shí)阻擋刻蝕等重要作用。隨著集成電路的持續(xù)發(fā)展，晶圓制造工藝不斷走向精密化，芯片結(jié)構(gòu)的復(fù)雜度也不斷提高，需要在更微小的線寬上制造。制造商要求制備的薄膜品種隨之增加，最終用戶對(duì)薄膜性能的要求也日益提高。這一趨勢(shì)對(duì)薄膜沉積設(shè)備產(chǎn)生了更高的技術(shù)要求，市場(chǎng)對(duì)于高性能薄膜設(shè)備的依賴逐漸增加。隨著集成電路的持續(xù)發(fā)展，產(chǎn)線逐漸升級(jí)，晶圓廠對(duì)薄膜沉積設(shè)備數(shù)量和性能的需求將繼續(xù)隨之提升。越先進(jìn)制程的產(chǎn)線所需的薄膜沉積設(shè)備數(shù)量越多。先進(jìn)制程使得晶圓制造的復(fù)雜度和工序量都大大提升，為保證產(chǎn)能，產(chǎn)線上需要更多的設(shè)備。隨著當(dāng)前存儲(chǔ)器性能瓶頸的出現(xiàn)，主流工藝方式不斷拓展，精密結(jié)構(gòu)加工所需的設(shè)備性能要求不斷增加。在FLASH存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，隨著主流制造工藝由2DD發(fā)展為3DD結(jié)構(gòu)，相關(guān)產(chǎn)線中薄膜設(shè)備支出占比由18%提升至26%，結(jié)構(gòu)的復(fù)雜化導(dǎo)致對(duì)于薄膜沉積設(shè)備的需求量也逐步增加。半導(dǎo)體設(shè)備屬于高新技術(shù)領(lǐng)域，相關(guān)廠商均在各自專業(yè)技術(shù)領(lǐng)域耕耘幾十年。從全球市場(chǎng)份額來看，薄膜沉積設(shè)備行業(yè)呈現(xiàn)出高度壟斷的競(jìng)爭(zhēng)局面，行業(yè)基本由應(yīng)用材料（AMAT）、先晶半導(dǎo)體（ASMI）、泛林半導(dǎo)體（Lam）、東京電子（TEL）等國際巨頭壟斷。2019年，ALD設(shè)備龍頭東京電子和先晶半導(dǎo)體分別占據(jù)了31%和29%的市場(chǎng)份額，剩下40%的份額由其他廠商占據(jù)；而應(yīng)用材料則基本壟斷了PVD市場(chǎng)，占85%的比重，處于絕對(duì)龍頭地位；在CVD市場(chǎng)中，應(yīng)用材料全球占比約為30%，連同泛林半導(dǎo)體的21%和TEL的19%，三大廠商占據(jù)了全球70%的市場(chǎng)份額。CVD設(shè)備需求量大，設(shè)備種類較多。國內(nèi)從事CVD設(shè)備開發(fā)銷售的公司主要有北方華創(chuàng)、中微公司和拓荊科技。北方華創(chuàng)主要研發(fā)PVD、LPCVD和APCVD設(shè)備，中微公司主要研發(fā)MOCVD設(shè)備，和拓荊科技的PECVD以及SACVD設(shè)備無直接競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系。各公司專注于不同細(xì)分領(lǐng)域，共同發(fā)展彌補(bǔ)國內(nèi)企業(yè)在相關(guān)行業(yè)的短板。除了光刻、薄膜沉積以及刻蝕三大核心工藝外，其他前道設(shè)備雖然占比不高，但同樣不可或缺。從芯片制造工藝來看，包括涂膠顯影設(shè)備、清洗設(shè)備、離子注入設(shè)備以及擴(kuò)散設(shè)備。其中涂膠顯影設(shè)備與光刻機(jī)共同完成光刻工藝；清洗機(jī)與CMP共同完成芯片的各步驟的清洗與拋光；離子注入機(jī)和擴(kuò)散爐則專注于摻雜工藝。半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展政策半導(dǎo)體設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)和技術(shù)進(jìn)步的關(guān)鍵，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中占有重要地位。為推動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展，增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和國際競(jìng)爭(zhēng)力，我國近年來從戰(zhàn)略地位、人才、資金、技術(shù)、稅收、市場(chǎng)等各方面出臺(tái)了一系列支持性政策。半導(dǎo)體設(shè)備分類發(fā)展現(xiàn)狀及驅(qū)動(dòng)因素以產(chǎn)業(yè)鏈應(yīng)用環(huán)節(jié)來劃分，半導(dǎo)體設(shè)備可分為前道工藝設(shè)備（晶圓制造）和后道工藝設(shè)備（封裝測(cè)試）兩個(gè)大類。其中后道工藝設(shè)備還可以細(xì)分為封裝設(shè)備和測(cè)試設(shè)備。設(shè)備中的前道設(shè)備占據(jù)了整個(gè)市場(chǎng)的80%-85%，其中光刻機(jī)，刻蝕機(jī)和薄膜設(shè)備是價(jià)值量最大的三大環(huán)節(jié)，各自所占的市場(chǎng)規(guī)模均達(dá)到了前道設(shè)備總量的20%以上。因此，全球半導(dǎo)體設(shè)備前十名廠商之中，有多家是平臺(tái)型企業(yè)，橫跨多個(gè)半導(dǎo)體工藝環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈龐大復(fù)雜的特性，使得很難有某一家公司能夠在所有設(shè)備領(lǐng)域做到全覆蓋。來自全球各個(gè)國家的企業(yè)共享整個(gè)市場(chǎng)。從2021年的全球競(jìng)爭(zhēng)格局來看，第一梯隊(duì)top5的收入規(guī)模均在百億規(guī)模左右或以上，排名前top10的公司營收體量也要在20億美元以上。對(duì)比國內(nèi)設(shè)備龍頭北方華創(chuàng)2021年電子裝備業(yè)務(wù)（包含集成電路業(yè)務(wù)和泛半導(dǎo)體業(yè)務(wù)）約為79．5億元人民幣的營收，我國半導(dǎo)體裝備行業(yè)的營收規(guī)模距行業(yè)頭部廠商仍存在較大差距，替代空間巨大。按照2021財(cái)年半導(dǎo)體業(yè)務(wù)收入排名，全球前五大半導(dǎo)體設(shè)備廠商分別為應(yīng)用材料242億美元營收，ASML約211億美元營收，東京電子171億美元營收，泛林半導(dǎo)體165億美元應(yīng)收，柯磊82億美元營收。分地區(qū)來看，排名前十的廠商中有五家日本公司，四家美國公司，以及一家荷蘭公司。2021年全球營收排名前五的設(shè)備廠商均屬于前道設(shè)備的應(yīng)用廠商，與前道設(shè)備占據(jù)80%以上的設(shè)備市場(chǎng)相匹配。同時(shí)，前五大廠商中有三家是平臺(tái)型（應(yīng)用材料，泛林半導(dǎo)體，東京電子），橫跨刻蝕，薄膜，清洗，離子注入等多個(gè)領(lǐng)域，對(duì)比來看，國內(nèi)許多公司也在橫向拓展業(yè)務(wù)領(lǐng)域以不斷突破天花板，向平臺(tái)型轉(zhuǎn)型。比如，中微公司從刻蝕及化合物半導(dǎo)體外延設(shè)備延展到集成電路薄膜設(shè)備；萬業(yè)企業(yè)從離子注入設(shè)備延展到其嘉芯半導(dǎo)體子公司，覆蓋除光刻機(jī)之外的幾乎全部前道大類；盛美上海從清洗，電鍍等業(yè)務(wù)逐步覆蓋，爐管，沉積及其他前道品類。半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)波動(dòng)性成長，產(chǎn)業(yè)鏈最下游電子應(yīng)用終端發(fā)生新變化，產(chǎn)生新需求。半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)呈現(xiàn)波動(dòng)性上漲的趨勢(shì)。近二十年間半導(dǎo)體設(shè)備的周期性正在減弱，行業(yè)成長趨勢(shì)加強(qiáng)。得益于各類電子終端的芯片需求，智能化，網(wǎng)聯(lián)化，AIOT的發(fā)展，行業(yè)規(guī)模連續(xù)四年出現(xiàn)大幅度的正增長。2022年仍將維持較高增速，這在半導(dǎo)體設(shè)備發(fā)展歷史上極為罕見。先進(jìn)制程（5nm以下先進(jìn)制程）的擴(kuò)產(chǎn)和研發(fā)投入變得十分巨大，同時(shí)成熟制程的芯片需求量大大提升。根據(jù)ASML的財(cái)報(bào)顯示，Arf光刻機(jī)單價(jià)在6000萬歐元左右，EUV光刻機(jī)單價(jià)在1．5億歐元左右，而最新一代預(yù)告的3nm/2nm世代光刻機(jī)預(yù)計(jì)的單價(jià)將在3億歐元以上，先進(jìn)制成的研發(fā)和突破成本以指數(shù)曲線的形式上升。在先進(jìn)制程未來2nm，1nm的發(fā)展方向愈發(fā)接近物理極限的同時(shí)，成熟制程經(jīng)濟(jì)效益在不斷提高，車規(guī)MCU，超級(jí)結(jié)MOS，光伏IGBT等成熟制程芯片大量缺貨，交付期延長，使得行業(yè)重新審視成熟制程產(chǎn)線的經(jīng)濟(jì)效益，臺(tái)積電也在2022年提出在未來三年將成熟制程擴(kuò)產(chǎn)50%。我國半導(dǎo)體設(shè)備廠商精準(zhǔn)卡位12英寸成熟制程所對(duì)應(yīng)設(shè)備，覆蓋28nm/14nm以上節(jié)點(diǎn)成熟制程領(lǐng)域并不斷完善。半導(dǎo)體設(shè)備處于產(chǎn)業(yè)鏈最上游環(huán)節(jié)，中游的芯片代工晶圓廠采購芯片加工設(shè)備，將制備好的晶圓襯底進(jìn)行多個(gè)步驟數(shù)百道上千道工藝的加工，配合相關(guān)設(shè)備，通過氧化沉積，光刻，刻蝕，沉積，離子注入，退火，電鍍，研磨等步驟完成前道加工，再交由封測(cè)廠進(jìn)行封裝測(cè)試，出產(chǎn)芯片成品。芯片的制造在極其微觀的層面，90nm的晶體管大小與流行感冒病毒大小類似。在制程以納米級(jí)別來計(jì)量的芯片領(lǐng)域，生產(chǎn)加工流程在自動(dòng)化高精密的產(chǎn)線上進(jìn)行，對(duì)設(shè)備技術(shù)的要求極高。無論是設(shè)備的制造產(chǎn)線，還是晶圓廠的生產(chǎn)產(chǎn)線，所有芯片的生產(chǎn)加工均在無塵室中完成。任何外部的灰塵都會(huì)損壞晶圓，影響良率，因此對(duì)于環(huán)境和溫度的控制也有一定的要求。在代工廠中，晶圓襯底在自動(dòng)化產(chǎn)線上在各個(gè)設(shè)備間傳送生產(chǎn)，歷經(jīng)全部工藝流程大致所需2-3個(gè)月的時(shí)間，這其中不包括后道封裝所需要的時(shí)間。通常來說，晶圓廠中的設(shè)備90%的時(shí)間都在運(yùn)行，剩余時(shí)間用于調(diào)整和維護(hù)。前道工藝步驟繁雜，工序繁多，是芯片出產(chǎn)過程中技術(shù)難度較大，資金投入最多的環(huán)節(jié)。在芯片代工廠中的芯片的工藝制備流程：氧化、勻膠、曝光、顯影、刻蝕、沉積、研磨、離子注入、退火。離子注入完成之后，繼續(xù)沉積二氧化硅層，然后重復(fù)涂膠，光刻，顯影，刻蝕等步驟進(jìn)入另一個(gè)循環(huán)，用以挖出連接金屬層（導(dǎo)電層）的通孔，從而使互通互聯(lián)得以是現(xiàn)在晶圓中。實(shí)現(xiàn)這一功能的是使用物理氣相沉積的方式沉積金屬層。上述步驟在晶圓的生產(chǎn)制造中將重復(fù)數(shù)次，直到一個(gè)完成的集成電路被制作完成。最后，將制備好的晶圓進(jìn)行減薄，切片，封裝，檢測(cè)。完成后到的工藝流程，至此，一顆完整的芯片制作完成。半導(dǎo)體設(shè)備主要由七大設(shè)備零部件構(gòu)成：光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、離子注入設(shè)備、機(jī)械拋光設(shè)備及封裝、測(cè)試設(shè)備?？涛g機(jī)：微觀世界雕刻師作為半導(dǎo)體制造過程中三大核心工藝之一，刻蝕可以簡(jiǎn)單理解為用化學(xué)或物理化學(xué)方法有選擇地在硅片表面去除不需要的材料的過程，可以分為干法刻蝕和濕法刻蝕，目前市場(chǎng)主流的刻蝕方法均為干法刻蝕，可將其分為CCP刻蝕和ICP刻蝕。CCP刻蝕主要是以高能離子在較硬的介質(zhì)材料上，刻蝕高深寬比的深孔、溝槽等微觀結(jié)構(gòu)；而ICP刻蝕主要是以較低的離子能量和極均勻的離子濃度刻蝕較軟的或較薄的材料。三星宣布將成為全球首家采用GAA工藝進(jìn)行3nm制程的生產(chǎn)，相較于FinFET工藝，GAA被譽(yù)為突破3nm制程的有力手段。每一代芯片新技術(shù)的突破，晶體管體積都會(huì)不斷縮小，同時(shí)性能不斷提升。從平面MOSFET結(jié)構(gòu)到FinFET晶體管架構(gòu)，再到后面的GAA結(jié)構(gòu)甚至MBCFET結(jié)構(gòu)，晶體管的復(fù)雜度不斷提升，對(duì)刻蝕和薄膜沉積等核心技術(shù)提出了更高的要求。隨著芯片制程的提升，受到光刻機(jī)波長的限制，往往需要采用多次曝光，才能得到要求的線寬，實(shí)現(xiàn)更小的尺寸。這對(duì)刻蝕速率、各向異性、刻蝕偏差、選擇比、深寬比、均勻性、殘留物、等離子體引起的敏感器件損傷、顆粒沾污等指標(biāo)上對(duì)刻蝕設(shè)備都提出了更高的要求。我國因無法購買EUV光刻機(jī)而無法進(jìn)行更先進(jìn)制程的產(chǎn)線建設(shè)，如果想要用28nm產(chǎn)線生產(chǎn)14nm線寬的芯片，只能通過多次刻蝕才有可能實(shí)現(xiàn)，這使得對(duì)刻蝕的需求進(jìn)一步提升。從全球范圍來看，刻蝕設(shè)備主要由美國泛林半導(dǎo)體、日本東京電子以及美國應(yīng)用材料三家占據(jù)領(lǐng)先地位，2020年三家市場(chǎng)份額合計(jì)占比近9成。目前國內(nèi)有中微公司和北方華創(chuàng)兩家刻蝕設(shè)備供應(yīng)商，從營收端來看，2020年和2021年中微公司和北方華創(chuàng)刻蝕設(shè)備營收占國內(nèi)總刻蝕市場(chǎng)規(guī)模的9．19%和10．48%左右，隨著公司的訂單逐步釋放，國產(chǎn)化率有望明顯提升。光伏設(shè)備行業(yè)（一）光伏設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況按照光伏電池產(chǎn)業(yè)鏈，可將光伏設(shè)備分為硅片設(shè)備、電池片設(shè)備、組件設(shè)備，其中硅片設(shè)備主要包括多晶鑄錠爐、單晶爐、切片機(jī)、切斷機(jī)、硅片檢測(cè)分選設(shè)備等；電池片設(shè)備主要包括清洗制絨設(shè)備、擴(kuò)散爐、刻蝕設(shè)備、鍍膜設(shè)備、激光開槽設(shè)備、絲網(wǎng)印刷機(jī)等；組件設(shè)備主要包括劃片機(jī)、自動(dòng)串焊機(jī)、自動(dòng)疊層設(shè)備、層壓機(jī)、自動(dòng)包裝機(jī)等。我國光伏電池設(shè)備制造企業(yè)通過工藝與裝備的創(chuàng)新融合，以提高設(shè)備產(chǎn)能、自動(dòng)化程度及轉(zhuǎn)換效率為目標(biāo)，同時(shí)適應(yīng)大硅片生產(chǎn)，已具備了成套工藝設(shè)備的供應(yīng)能力，基本實(shí)現(xiàn)設(shè)備，并在國際競(jìng)爭(zhēng)中處于優(yōu)勢(shì)地位。自2010年以來，中國一直是全球最大的光伏設(shè)備市場(chǎng)。2018年，我國光伏設(shè)備產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)到了220億元。2019年達(dá)到了250億元，同比增長13．6%。2020年，光伏設(shè)備產(chǎn)業(yè)規(guī)模超過280億元，在新冠疫情等客觀不利因素的影響下仍保持增長。2021年，隨著光伏企業(yè)產(chǎn)能擴(kuò)張的計(jì)劃發(fā)布，相關(guān)設(shè)備廠商訂單不斷增加，我國光伏設(shè)備產(chǎn)業(yè)規(guī)模超過400億元。在光伏行業(yè)降本增效的發(fā)展趨勢(shì)推動(dòng)下，新產(chǎn)品、新技術(shù)層出不窮，相應(yīng)量產(chǎn)和擴(kuò)產(chǎn)需求催生更多的生產(chǎn)設(shè)備需求，在國內(nèi)巨大市場(chǎng)需求拉動(dòng)下，光伏設(shè)備廠商收入快速增長。（二）光伏薄膜沉積設(shè)備應(yīng)用情況光伏薄膜沉積設(shè)備主要應(yīng)用于太陽能晶硅電池片的制造環(huán)節(jié)，根據(jù)電池不同工藝和所需的薄膜性質(zhì)，所采用的薄膜沉積設(shè)備會(huì)有所不同。2018年-2021年，我國新建成產(chǎn)線基本全部為PERC產(chǎn)線，針對(duì)目前已經(jīng)大規(guī)模生產(chǎn)的PERC電池生產(chǎn)技