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無機(jī)材料科學(xué)基礎(chǔ)復(fù)習(xí)
主要參考書《無機(jī)材料科學(xué)基礎(chǔ)》陸佩文主編,武漢工業(yè)大學(xué)出版社《無機(jī)材料科學(xué)基礎(chǔ)》張其土主編,華東理工大學(xué)出版社第一章、晶體結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)1、晶體的基本概念晶體的本質(zhì):質(zhì)點(diǎn)在三維空間成周期性重復(fù)排列晶體的基本性質(zhì):結(jié)晶均一性、各向異性、自限性、對(duì)稱性、最小內(nèi)能性2、對(duì)稱的概念物體中的相同部分作有規(guī)律的重復(fù)對(duì)稱要素:對(duì)稱面、對(duì)稱中心、對(duì)稱軸(對(duì)稱軸的類型和特點(diǎn))
(L1、L2、L3、L4、L6、C、P)4次倒轉(zhuǎn)軸不能被其他的對(duì)稱要素及其組合取代對(duì)稱操作:對(duì)稱要素的組合必須滿足晶體的整體對(duì)稱要求,不是無限的13、典型的晶體結(jié)構(gòu)(晶體結(jié)構(gòu)的描述方法)CaF2結(jié)構(gòu)、金剛石結(jié)構(gòu)、金紅石結(jié)構(gòu)、剛玉結(jié)構(gòu)、
CaTiO3、尖晶石結(jié)構(gòu)
14、硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)、硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)分類的依據(jù)
15、層狀硅酸鹽晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn),(晶胞參數(shù)a和b值相近)16、在面心立方和體心立方中,最密排的平面的晶面符號(hào)是什么?(111)、(110)17、一晶面在x、y、z軸上的截距分別為2a、3b、6c,求出該晶面的晶面指數(shù)。(321)18、為什么等軸晶系晶體有原始、面心、體心而無底心格子?19、O2-作而心立方堆積時(shí),根據(jù)電價(jià)規(guī)則,在下面情況下,空隙內(nèi)各需填入何種價(jià)數(shù)的陽離子,并對(duì)每一種結(jié)構(gòu)舉出—個(gè)例子。(a)所有四面體空隙位置均填滿;(b)所有八而體空隙位置均填滿;(c)填滿—半四面體空隙位置;(d)填滿—半八面休空隙位置。第二章、晶體結(jié)構(gòu)缺陷1、缺陷的概念2、熱缺陷(弗倫克爾缺陷、肖特基缺陷)熱缺陷是一種本征缺陷、高于0K就存在,熱缺陷濃度的計(jì)算影響熱缺陷濃度的因數(shù):溫度和熱缺陷形成能(晶體結(jié)構(gòu))3、雜質(zhì)缺陷、固溶體4、非化學(xué)計(jì)量化合物結(jié)構(gòu)缺陷(半導(dǎo)體)種類、形成條件、缺陷的計(jì)算等5、連續(xù)置換型固溶體的形成條件6、影響形成間隙型固溶體的因素7、組分缺陷(補(bǔ)償缺陷):不等價(jià)離子取代形成條件、特點(diǎn)(濃度取決于摻雜量和固溶度)缺陷濃度的計(jì)算、與熱缺陷的比較
8、缺陷反應(yīng)方程和固溶式
9、固溶體的研究與計(jì)算寫出缺陷反應(yīng)方程
固溶式、算出晶胞的體積和重量
理論密度(間隙型、置換型)和實(shí)測(cè)密度比較10、位錯(cuò)概念刃位錯(cuò):滑移方向與位錯(cuò)線垂直,伯格斯矢量b與位錯(cuò)線垂直
螺位錯(cuò):滑移方向與位錯(cuò)線平行,伯格斯矢量b與位錯(cuò)線平行第三章、非晶體固體1、熔體的概念:不同聚合程度的各種聚合物的混合物硅酸鹽熔體的粘度與組成的關(guān)系2、非晶態(tài)物質(zhì)的特點(diǎn)3、玻璃的通性4、Tg、Tf,相對(duì)應(yīng)的粘度和特點(diǎn)5、網(wǎng)絡(luò)形成體、網(wǎng)絡(luò)變性體、網(wǎng)絡(luò)中間體計(jì)算(如Pb玻璃中Pb2+的作用)
正硅酸鉛PbSiO4玻璃的密度為7.36g/cm3,求這種鉛玻璃中氧的密度為多少?如果將它與熔融石英玻璃(密度為2.2g/cm3)中的氧密度相比較,試指出在這種鉛玻璃中鉛離子所在的位置。(其中原子量分別為O:16,Si:28,Pb:207)。6、玻璃形成的熱力學(xué)觀點(diǎn)7、玻璃的結(jié)構(gòu)學(xué)說(二種玻璃結(jié)構(gòu)學(xué)說的共同之處和不同之處)8、玻璃的結(jié)構(gòu)參數(shù)Z可根據(jù)玻璃類型定,先計(jì)算R,再計(jì)算X、Y注意網(wǎng)絡(luò)中間體在其中的作用。9、硼的反?,F(xiàn)象10、硅酸鹽晶體與硅酸鹽玻璃的區(qū)別11、容易形成玻璃的物質(zhì),在熔點(diǎn)附近有較高的粘度、Tg/Tm>2/312、玻璃的組成為13wt%Na2O、13wt%CaO和74wt%SiO2,試計(jì)算其非橋氧的百分?jǐn)?shù)。
第四章、表面與界面1、晶體的表面雙電層與表面能的關(guān)系,固體是如何降低其表面能的?固體表面的雙電層厚度主要取決于什么?
2、潤(rùn)濕的概念、定義改善潤(rùn)濕的方法:去除表面吸附膜(提高固體表面能)、改變表面粗糙度、降低固液界面能3、表面粗糙度對(duì)潤(rùn)濕的影響4、吸附膜對(duì)潤(rùn)濕的影響5、彎曲表面的效應(yīng)(開爾文公式的應(yīng)用)6、界面的分類與特點(diǎn)7、決定晶界構(gòu)型的因素(界面能與晶界能的相互關(guān)系)8、粘土荷電的原因、粘土與水的作用、電動(dòng)電位9、泥漿膠溶的原理與條件、粘土泥漿屬于塑性流動(dòng)10、泥漿發(fā)生觸變的原因9、等含量規(guī)則、等比例規(guī)則、背向規(guī)則、杠桿規(guī)則、連線規(guī)則、切線規(guī)則、重心規(guī)則。10、獨(dú)立析晶(非平衡析晶)11、三元相圖析晶路徑的分析判斷化合物的性質(zhì)劃分副三角形標(biāo)出界線上的溫度走向和界線的性質(zhì)確定無變量點(diǎn)的性質(zhì)分析具體的析晶路程第六章、擴(kuò)散與固相反應(yīng)1、固體中擴(kuò)散的特點(diǎn)2、菲克定律(宏觀現(xiàn)象)菲克第一定律:穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散菲克第二定律:不穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散3、擴(kuò)散系數(shù)是一個(gè)什么樣的參數(shù)4、擴(kuò)散推動(dòng)力(化學(xué)位梯度)5、擴(kuò)散系數(shù)的一般熱力學(xué)關(guān)系式6、質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散方式(五種、其中空位最常見,所需能量最?。?、本征擴(kuò)散、非本征擴(kuò)散,及其相應(yīng)的擴(kuò)散系數(shù)D產(chǎn)生本征擴(kuò)散與非本征擴(kuò)散的原因,分析、計(jì)算8、螢石結(jié)構(gòu)的ZrO2中Zr4+和O2-哪個(gè)擴(kuò)散的活化能大?Zr4+9、固相反應(yīng)的定義、泰曼溫度10、固相反應(yīng)的轉(zhuǎn)化率11、固相反應(yīng)的一般動(dòng)力學(xué)關(guān)系(反應(yīng)的總阻力=各個(gè)分阻力之和)12、固相反應(yīng)的特點(diǎn)(化學(xué)反應(yīng)動(dòng)力學(xué)范圍、擴(kuò)散動(dòng)力學(xué)范圍)13、楊德爾方程G<0.314、金斯特林格方程G<0.815、如果要合成MgAl2O4,可提供選擇的原料為MgCO3、Mg(OH)2、MgO、Al2O3·3H2O、γ-Al2O3、α-Al2O3,從提高反應(yīng)速率的角度出發(fā),選擇什么原料較好?16、濃度差會(huì)引起擴(kuò)散,擴(kuò)散是否總是從高濃度處向低濃度處進(jìn)行?為什么?11、分相現(xiàn)象、分相的概念及判斷12、無擴(kuò)散型相變的特點(diǎn)由于存在均勻切變,使晶體發(fā)生外形變化由于相變過程無擴(kuò)散,新相與母相的化學(xué)成分相同母相與新相之間具有一定的取向關(guān)系相變速度極快13、試討論非均勻成核的活化能與接觸角θ的關(guān)系,并證明當(dāng)接觸角θ為90度時(shí),非均勻活化能的是均勻成核活化能的一半。
第八章、燒結(jié)1、燒結(jié)的概念、定義2、燒成與燒結(jié)、燒結(jié)與固相反應(yīng)3、燒結(jié)的推動(dòng)力(過剩的表面能G)4、燒結(jié)的模型(燒結(jié)初期的動(dòng)力學(xué)關(guān)系、頸部增長(zhǎng)率與燒結(jié)收縮率之間的關(guān)系)5、固態(tài)燒結(jié)的類型、特點(diǎn)、公式(與時(shí)間、粒徑的關(guān)系)、計(jì)算蒸發(fā)-凝聚傳質(zhì)過程的特點(diǎn)(△L/L=0)6、液態(tài)燒結(jié)的類型、特點(diǎn)、公式(與時(shí)間、粒徑的關(guān)系)、計(jì)算7、液相燒結(jié)與固相燒結(jié)的異同點(diǎn)8、晶粒生長(zhǎng)與二次再結(jié)晶的概念(燒結(jié)中后期)9、晶粒生長(zhǎng)的計(jì)算公式:D2-Do2=kt10、晶粒生長(zhǎng)與二次再結(jié)晶的區(qū)別11、造成二次再結(jié)晶的原因以及防止方法12、在有雜質(zhì)(或燒結(jié)添加劑存在下)的晶粒生長(zhǎng):G3-Go3=kt13、約束晶粒生長(zhǎng)的因素、燒結(jié)過程中晶界移動(dòng)的情況(三種)14、下列過程中哪一個(gè)能使燒結(jié)體強(qiáng)度增大,而不產(chǎn)生坯體宏觀上的收縮?試說明之。(a)蒸發(fā)-冷凝;(b)體積擴(kuò)散;(c)粘性流動(dòng);(d)溶解-沉淀
15、有一個(gè)平均粒徑為5μm的粉末壓塊,若燒結(jié)2小時(shí),頸部增長(zhǎng)x/r=0.1,若不考慮晶粒生長(zhǎng)等,試問若分別
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