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文檔簡介
薄膜的物理氣相沉積(II)
——濺射法及其他PVD方法
肖萍2011.03.253.1氣體放電現(xiàn)象與等離子體原理:直流電場作用下物質(zhì)的濺射現(xiàn)象。1.沉積薄膜的襯底是可以接地的,也可以是處于浮動(dòng)點(diǎn)位或是處于一定的正、負(fù)電位。靶材:需要濺射的材料(陰極);真空室:接地的(負(fù)電位)。3.1.1氣體放電現(xiàn)象描述氣體放電現(xiàn)象是離子建設(shè)過程的基礎(chǔ)。V=E-IR直流氣體放電體系:見圖3.2放電現(xiàn)象描述:1.湯生放電:隨著放點(diǎn)電流的迅速增加,電壓變化不大的放電階段。2.電暈放電:在湯生放電后期,在電場強(qiáng)度較高的點(diǎn)擊尖端部位開始出現(xiàn)一些跳躍的電暈光斑。3.等離子體:在湯生放電階段之后,氣體會(huì)發(fā)生突然的放電擊穿現(xiàn)象,這是氣體開始具備了相當(dāng)?shù)膶?dǎo)電能力,這種具備一定的導(dǎo)電能力的氣體稱為等離子體!4.輝光:氣體中導(dǎo)電粒子的數(shù)目大量增加,離子碰撞過程中伴隨的能量轉(zhuǎn)移也夠大,所以放電氣體會(huì)發(fā)生明顯的輝光。3.1.2輝光放電現(xiàn)象及等離子體鞘層實(shí)質(zhì):部分的氣體分子開始分解為可以導(dǎo)電的離子與電子,即形成了等離子體。放電擊穿:當(dāng)氣體壓力與電極間距的乘積pd為某一數(shù)值時(shí),氣體最容易發(fā)生放電擊穿。帕邢曲線(定律):描述放電擊穿規(guī)律的曲線,稱為帕邢曲線(定律)。詳見圖3.3(2)等離子子體鞘層1.不同的粒子還具有極為不同的平均速度。2.電子與離子具有不同的速度的一個(gè)直接后果是形成所謂的等離子體鞘層,即相當(dāng)于等離子體來講,任何未予等離子體中或其附近的物體都將自動(dòng)的處于一個(gè)負(fù)電位,并且在其表面外將伴隨有正電荷的積累。3.物體表面對(duì)于離子和電子的吸引和排斥作用還會(huì)在表面外形成一個(gè)充斥了正離子體鞘層。如圖3.4等離子體鞘層點(diǎn)位△Vp=kTe/eln(M+/2.3Me)1/2Te:電子溫度m+/Me:離子與電子的質(zhì)量比K:玻爾茲曼常數(shù)e:電子所攜帶的電量上式表明:鞘層電位正比于電子溫度且與離子和電子的質(zhì)量比有關(guān)。直流輝光放電右下為輝光放電裝置實(shí)物圖理解:陰極接地,處于零電位。量計(jì)件的全部電壓降幾乎均集中在陰極鞘層中。圖3.5為電位圖3.1.3輝光放電過程中電子的碰撞∵在輝光放電等離子體中,電子的速度、能量遠(yuǎn)高于離子的速度與能量。∴電子不僅是等離子體導(dǎo)電過程中的主要載流子而且在粒子相互碰撞、電離的過程中也起著重要作用。原理:等離子體中高速運(yùn)動(dòng)的電子與其他粒子的碰撞是維持氣體放電的主要微觀機(jī)制。電子的碰撞彈性碰撞:粒子總動(dòng)能和總動(dòng)量保持不變,不存在粒子內(nèi)能的變化,即無粒子的激發(fā)、電離、復(fù)合過程發(fā)生。E?/E?=4M?M?cos2θ/(M?+M?)2M:相應(yīng)粒子的質(zhì)量θ:碰撞前粒子1的運(yùn)動(dòng)方向與碰撞后粒子2運(yùn)動(dòng)方向的夾角。分解反應(yīng),如eˉ+CF?
CF?﹡+F﹡+eˉ1.在這一碰撞過程中,分子被分解成為兩個(gè)反應(yīng)基團(tuán)。2.上述各種處于高能態(tài)的粒子的化學(xué)活性將遠(yuǎn)高于原來的分子.注意:除了有電子參加的碰撞過程之外,中性原子、離子之間的碰撞也在同時(shí)發(fā)生。非彈性碰撞的三種過程1)電離過程,如eˉ+Ar=>Ar﹢+2eˉ(這一過程發(fā)生在能量較高時(shí),它導(dǎo)致電子
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