講義4.2主存儲器上二、半導(dǎo)體存儲芯片簡介

4.2 二、半導(dǎo) 簡三、隨機(jī)存 器(RAM四、只 器五 器與CPU的連六 器的校七、提高4.2 器——概2.主存與CPU3.主存 單元地址的分4.主存的4.2 體主存的基本組體………………譯譯…

讀寫

主存 單元地址的分

H這個(gè)數(shù)據(jù)如何在 器中進(jìn) 字節(jié)地址為字地 低位字節(jié)地址為字地字地

字節(jié)地大端、大尾方

048

字節(jié)小端、小設(shè)地址線根

按字尋址按字尋

224=1684若字長

主存的技術(shù)

容速存取存取

讀出時(shí)間寫入時(shí)連續(xù)兩次獨(dú)立 器操讀周期寫周期器的帶

位/

4.2 二、半導(dǎo)體簡三、隨機(jī)存取器(RAM四、只讀器六、器的校七、提高4.2 器——半導(dǎo) 簡1.半導(dǎo) 的基本結(jié)2.半導(dǎo) 的譯碼驅(qū)動(dòng)方線選重合半導(dǎo)體的基本結(jié)……片選

…讀/寫控…數(shù)據(jù)線（雙向）容 1K×4 偉8 半導(dǎo) 的基本結(jié)

……片選

…讀/寫… WE（低電平寫高電平讀OE（允許讀）WE（允許寫

3232816K1

816K1

816K1

816K1655358

半導(dǎo) 的譯碼驅(qū)動(dòng)方線選

A 0A …A …A D0讀寫D0

……………

D XXA4XA XXA3A0A2A0A1A0A0

…矩……矩……

……

A 0A 0A 0A 0A 4.2 二、半導(dǎo)體簡三、隨機(jī)存取器(RAM四、只讀器六、器的校七、提高4.2 器——隨機(jī)存 1RAM保存0和1的原理是什么基本單元電路的構(gòu)成是什對單元電路如何讀出和寫入典型的結(jié)構(gòu)是很么樣子的靜態(tài)RAM的如何進(jìn)行讀出和寫入操作2RAMDRAM三、隨機(jī)存取器(RAM1RAMRAM

T1~T4 ~ T

T5TT7TT7T

A

~

位線 T5、T6 T7、T8

RAM基本電路的操

位線A

A′ ~

位線 T5、T6 T7、T8

D（左D

（右業(yè)大

態(tài)RAM舉①In2114外特A9…A…A0

I/OI/OI/O1K×4濱工業(yè)大 曾經(jīng)講到過的重合YYX矩…DAAAAA讀/偉XX……A……AAA 2114RAM(6464A第一 第二 第三A80

第四行 …… 址…… 碼

…

16…

32…

48………… … 列…………… … 讀寫電讀寫電

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讀寫電讀寫電 2114RAM(6464第一 第二 第三

第四…… …… …… 址…… 碼

… 16… 32… 48…讀寫電讀寫電…………… 列………… … 讀寫電讀寫電

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②In2114RAM陣(64×64)第一 第二 第三

第四…… …… …… 址…… 碼

8………… …………… 列……讀寫電…讀寫電… 址 碼

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讀寫電讀寫電 2114RAM(6464第一 第二 第三

第四 … 址… 碼

8…………… ………… 列讀寫電…讀寫電… 址 碼

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讀寫電讀寫電②In2114RAM陣(64×64)第一 第二 第三

第四 … 址… 碼0

…… ……

8…8…… 8…… 列讀寫電…讀寫電… 址 碼

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讀寫電讀寫電②In2114RAM陣(64×64)第一 第二 第三

第四8……8…… … 址… 碼

8……… 列……… …

址 碼

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讀寫電讀寫電讀寫電5 濱工業(yè)大 讀寫電 2114RAM(6464第一 第二 第三

第四 … 址… 碼0 列… …

…… ……

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讀寫電

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5 濱工業(yè)大 ②In2114RAM陣(64×64)第一 第二 第三

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…

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讀寫電讀寫電③In2114RAM陣(64×64)第一 第二 第三

第四…… …… …… 址…… 碼

… 16… 32… 48………… 列…… … 讀寫電讀寫電5

讀寫電讀寫電濱工業(yè)大

讀寫電讀寫電讀寫電

③In2114RAM陣(64×64)第一 第二 第三

第四…… …… …… 址…… 碼

8………… …………… 列……… … 址 碼

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讀寫電讀寫電讀寫電5 讀寫電 2114RAM(6464第一 第二 第三

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讀寫電讀寫電讀寫電 讀寫電③In2114RAM陣(64×64)第一 第二 第三

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讀寫電讀寫電讀寫電 讀寫電③In2114RAM陣(64×64)第一 第二 第三

第四 … 址… 碼

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讀寫電讀寫電讀寫電 讀寫電③In2114RAM陣(64×64)第一 第二 第三

第四 … 址… 碼

8…… 列… … 址

讀寫電

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讀寫電 2114RAM(6464第一 第二 第三

第四 … 址… 碼

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讀寫電

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讀寫電

15 ③In2114RAM陣(64×64)第一 第二 第三

第四 … 址… 碼0 列… … 址

…… ……

8…8…… 8…… 讀寫電

讀寫電

讀寫電

讀寫電

5 4.2主器——隨機(jī)存取2RAMDRAM基本單元電對單元電動(dòng)態(tài)RAM的如何進(jìn)行讀出和寫入操作動(dòng)態(tài)RAM為什么要刷新，刷新方法RAMDRAMRAM基本單元電V

數(shù)據(jù)讀選擇 11寫選擇

預(yù)充電信0 0字寫數(shù)據(jù) 讀數(shù)據(jù)

態(tài) 舉①三管動(dòng)態(tài) 1103)00110011行A9…A8…

讀選擇寫選擇讀單電單電………0 ………0線 線…A6…A5

0

101

……AA AA

刷新放大……A A0②三管動(dòng)態(tài)RAM(In1103)0011行器0011行器A 寫選擇… …電電………… ………… …A線…A6……1…1…0

刷新放大D ②三管動(dòng)態(tài)RAM(In1103)A90011行0011行器

讀選擇寫選擇…讀…電電…………1 …………1線 線……A6……A5

1…1…0

刷新放大D

1②三管動(dòng)態(tài)RAM(In1103)A90011行0011行器

讀選擇寫選擇…讀…電電…………1 …………1線 線…A6…A5

……1…1…0

刷新放大D ②三管動(dòng)態(tài)RAM(In1103)A90011行0011行器

讀選擇寫選擇…讀…電電…………1 …………1線 線…A6…A5

……1…1…10010

刷新放大D0

0

0 0 1②三管動(dòng)態(tài)RAM(In1103)行A9 地A8 址

讀選擇寫選擇… …A7A6

…譯…碼器

…單 …電 A5

刷新放大D 10100

0

0 0 1②三管動(dòng)態(tài)RAM(In1103)0011行0011行地碼A9單電…A單電…

讀選擇寫選擇讀 ………1 ………1線 線…器A6…器A5

…………1100110

刷新放大D0

0

0 0 1②三管動(dòng)態(tài)RAM(In1103)A90011行0011行器

讀選擇寫選擇電電… ………1 ………1線 線…A6…A5

…………1100110

刷新放大D0

0

0 0 1②三管動(dòng)態(tài)RAM(In1103)A90011行0011行器

讀選擇寫選擇電電… ………1 ………1線 線…A6…A5

…………1100110

刷新放大D0

0

0 0 1②三管動(dòng)態(tài)RAM(In1103)A90011行0011行器

讀選擇寫選擇電電… ………1 ………1線 線…A6…A5

…………1100110

刷新放大D0

0

0 0 1數(shù)據(jù)輸驅(qū)數(shù)據(jù)輸驅(qū)緩存數(shù)據(jù)輸寄存~6~

列列

寫時(shí)讀放大④4116(16K×1位 讀讀放大 讀放大讀放大

0 選擇

C

……………讀放大……………讀放大數(shù)據(jù)輸讀放大數(shù)據(jù)輸

讀/寫I/O緩I/O緩輸出驅(qū)⑤4116(16K×1位 寫原讀放大讀放大C

0 選擇讀放大………讀放大……………

C數(shù)據(jù)輸128數(shù)據(jù)輸

讀/寫輸出驅(qū)輸出驅(qū)

I/O緩(4)動(dòng)態(tài)RAM刷新與行地址有（存取周期為0.5s以128128周期序

讀/寫或維

刷

讀/寫或 地址序

t t

??

t t

tc t

??

3872個(gè)周期（1936）

128個(gè)周期（