電子電路第一章習題課課件

電子電路第一章習題課2011.3.251.1說明PN結(jié)的工作原理P型區(qū)到N型區(qū)的過渡帶兩邊的自由電子和空穴濃度相差很大，在濃度差下形成擴散運動，P區(qū)的空穴（多子）向N區(qū)擴散，N區(qū)的自由電子（多子）向P區(qū)擴散，在過渡區(qū)域產(chǎn)生強烈的復(fù)合作用使自由電子和空穴基本消失，在過渡帶中產(chǎn)生一個空間電荷區(qū)（耗盡區(qū)），擴散運動使過渡帶內(nèi)失去了電中性，產(chǎn)生電位差和電場，分別稱為接觸電位差和內(nèi)建電場，內(nèi)建電場由N區(qū)指向P區(qū)阻礙多子的擴散運動，卻促進過渡帶中少子的漂移運動，漂移運動中和過渡區(qū)中的電荷從而削弱內(nèi)建電場，隨著擴散運動和漂移運動的進行，最后達到一個平衡狀態(tài)，即內(nèi)建電場的強度恰好使擴散運動和漂移運動的速度相等，這種平衡稱為動態(tài)平衡，這時過渡帶中的接觸電位差，內(nèi)建電場強度，空間電荷區(qū)寬度均處于穩(wěn)定值，這時我們認為PN結(jié)已經(jīng)形成，并把P、N的過渡帶稱為PN結(jié)，PN結(jié)的寬度為空間電荷區(qū)的寬度。1.2設(shè)二極管1.4埋層穩(wěn)壓管的性能特點是什么？(教材13頁）1.5設(shè)定圖P1.5中D1和D2的正向?qū)妷海嫵雠cvi對應(yīng)的輸出信號電壓波形。開始仿真并雙擊示波器觀察，可看到如下波形（注意調(diào)整示波器的設(shè)置）1.6假設(shè)圖P1.6中D的正向?qū)妷?，試畫出兩端的波形；求出中的直流電流分量和上的直流電壓?.8圖P1.8所示為具有電容濾波的橋式整流電路，試分析并畫出的波形圖。1.8Multisim步驟如圖搭建電路（為簡化電路形式，電源直接用交流電源，電容電阻參數(shù)可以自行修改）運行后可以看到如下波形作為對比可觀察去掉電容后的波形（1.7）iE=iC+iB

iC=αiE+ICBO

iB=iB1+iB2-ICBO

iB1+iB2=(1-α)iE是共基BJT的直流電流增益。1.3.61.3.81.10畫出NPN和PNPBJT工作在放大狀態(tài)的偏置電路；畫出共基和共射BJT的輸入和輸出特性曲線；說明截止區(qū)、飽和區(qū)和放大區(qū)的特點；在伏安特性曲線上能定義哪些直流參數(shù)？哪些交流參數(shù)？說明共射BJT的、和的物理意義。（2）共射NPN型BJT的輸入和輸出特性如圖所示：

共射輸入特性曲線表示集、射極間電壓固定時，基極電流與基、射極間電壓之間的關(guān)系

共射輸出特性曲線表示基極電流固定時，集電極電流與集、基極間電壓之間的關(guān)系

1.12設(shè)某PNP管的

，畫出混合型交流等效電路，求。1.13畫出N溝道JFET的轉(zhuǎn)移特性曲線和漏極特性曲線；指出電阻區(qū)和夾斷區(qū)以及它們的分界線；寫出轉(zhuǎn)移特性方程式；定義。1.14畫出N溝道耗盡型與增強型MOSFET的轉(zhuǎn)移特性曲線和漏極特性曲線；標明電阻區(qū)及夾斷區(qū)以及它們的分界線；定義；寫出它們在可變電阻區(qū)和恒流區(qū)的特性方程式。1.15已知某3DJ6（N-JFET）的漏極特性如圖P1.15所示。試由漏極特性作出三種情況下的轉(zhuǎn)移特性。1.16已知某P溝道JFET的參數(shù)：

×，試求出

時的完整小信號等效電路。1.17設(shè)PMOSFET的工藝參數(shù)：

×

靜態(tài)工作電流試畫出它的低頻小信號等效電路。若時的等效電路中的受控電流源。1.18試簡述MOSFET的主要特性。1、電壓（電場）控制特性；

2、可變電阻特性；

3、在夾斷區(qū)（放大區(qū)）iD與vGS的平方率特性；

4、在亞閥區(qū)的導電特性；

5、背柵控制特性（體效應(yīng)）；

6、轉(zhuǎn)移特性曲線的零溫度系數(shù)特點；

7、與BJT相似，在放大區(qū)具有溝道調(diào)制效應(yīng)。1.19MOSFET的亞閥區(qū)導電特性有什么特點？與BJT作對比，在MOS管時，它們是否還有放大能力？

在vBS<0下，只有vGS>VGS(th)才可能形成溝道。vBS對導電溝道也有一定的控制能力，這種現(xiàn)象稱為體效應(yīng)或襯底調(diào)制效應(yīng)。VGS(th)的值改變iD的值，因而vBS對iD有控制作用，B極又稱為背柵。1.20解釋MOSFET的體效應(yīng)，它對MOSFET的放大作用有何影響？背柵caaebdcf4、溫度下降時，二極管的導通電壓____，反向飽和電流____。增大減小5、硅管的導通電壓比鍺管的____，反向飽和電流比鍺管的____。大小6、BJT具有電流放大作用的內(nèi)部條件是：發(fā)射區(qū)摻雜濃度____，基區(qū)摻雜濃度____且制作得很____，集電結(jié)面積____；外部條件是發(fā)射結(jié)____，集電結(jié)____。高薄低大正偏反偏7、當溫度升高時，BJT的參數(shù)B____，ICBO____，發(fā)射結(jié)正向壓降UBE____，共射輸入特性曲線將____，輸出特性曲線將____，而且輸出特性曲線之間的間隔將____。增大增加減小左移上移加大10、結(jié)型場效應(yīng)管屬電流表達式是8、三極管工作有三個區(qū)域:

在放大區(qū)時，偏置為___________和___________；飽和區(qū)的偏置為___________和___________；

截止區(qū)的偏置為___________和___________。發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏9、場效應(yīng)管屬____控制型器件，它通過改變________來控制________。描述這一控制作用的參數(shù)為________，其定義式為。電壓低頻跨導柵源電壓漏極電流發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)正偏發(fā)射結(jié)反偏集電結(jié)反偏11、對N溝道JFET工作在恒流區(qū)時____，工作在可變電阻區(qū)時____，工作在預(yù)夾斷狀態(tài)時____。abc12、N溝道JFET管的UGS必須為____，P溝道JFET管的