太陽(yáng)能電池市場(chǎng)的現(xiàn)狀及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)分析

太陽(yáng)能電池市場(chǎng)的現(xiàn)狀及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)分析太陽(yáng)能電池市場(chǎng)的現(xiàn)狀及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)雖然光伏等新能源產(chǎn)業(yè)總體保持了快速發(fā)展態(tài)勢(shì)，但傳統(tǒng)石化能源占能源總體消耗量的比例仍然較高，全球生態(tài)環(huán)境問(wèn)題形勢(shì)依舊嚴(yán)峻。根據(jù)國(guó)際可再生能源署（IRENA）發(fā)布的有關(guān)報(bào)告，可再生能源占一次能源總供應(yīng)量的份額必須從2017年的約14%增長(zhǎng)到2050年的約65%，太陽(yáng)能光伏將引領(lǐng)全球電力行業(yè)的轉(zhuǎn)型。未來(lái)光伏產(chǎn)業(yè)的市場(chǎng)空間仍十分廣闊。隨著異質(zhì)結(jié)電池的量產(chǎn)工藝在近年來(lái)逐步成熟，國(guó)內(nèi)外企業(yè)均大量布局GW級(jí)別異質(zhì)結(jié)電池生產(chǎn)線。根據(jù)中信證券不完全統(tǒng)計(jì)，截至2021年8月，全球異質(zhì)結(jié)電池的規(guī)劃產(chǎn)能已經(jīng)超過(guò)120GW，隨著設(shè)備、關(guān)鍵材料的進(jìn)一步降本和工藝提升，預(yù)計(jì)異質(zhì)結(jié)電池量產(chǎn)節(jié)奏將進(jìn)一步加快，從而進(jìn)一步推動(dòng)太陽(yáng)能電池用濺射靶材行業(yè)的增長(zhǎng)。濺射靶材市場(chǎng)下游市場(chǎng)情況濺射靶材下游應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，在平面顯示、信息存儲(chǔ)、光伏電池、半導(dǎo)體芯片等行業(yè)被廣泛應(yīng)用。其中平面顯示市場(chǎng)中，應(yīng)用最為廣泛，占比34%；其次為、信息存儲(chǔ)、光伏電池，占比分別為29%、21%。濺射靶材能夠提升平板顯示器中大面積膜層的均勻性，提高生產(chǎn)率并降低成本。2016-2020年我國(guó)大陸平板顯示產(chǎn)能從29%提升到51%，居全球首位，預(yù)計(jì)2022年將達(dá)到56%。從產(chǎn)品類別來(lái)看，2020年平板顯示產(chǎn)品中OLED占比約為29．3%，預(yù)計(jì)2022年將提升到33．9%。目前國(guó)內(nèi)平板顯示產(chǎn)能全球領(lǐng)先，預(yù)計(jì)隨著OLED技術(shù)不斷成熟和產(chǎn)能逐步釋放，預(yù)計(jì)未來(lái)將持續(xù)滲透，驅(qū)動(dòng)濺射靶材市場(chǎng)空間增長(zhǎng)。濺射靶材是制備集成電路的核心材料之一。有相關(guān)資料顯示，濺射靶材在晶圓制造材料和封裝測(cè)試材料中，市場(chǎng)分別占比為2．6%和2．7%。2021年是中國(guó)十四五開(kāi)局之年，在國(guó)內(nèi)宏觀經(jīng)濟(jì)運(yùn)行良好的驅(qū)動(dòng)下，國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)繼續(xù)保持快速、平穩(wěn)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，2021年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)首次突破萬(wàn)億元。中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2021年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售額為10458．3億元，同比增長(zhǎng)18．2%。隨著下游市場(chǎng)不斷發(fā)展，帶動(dòng)國(guó)內(nèi)集成電路材料需求持續(xù)提升。有數(shù)據(jù)顯示，2021年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到650億元，預(yù)計(jì)2022年將增長(zhǎng)至665億元。而隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的進(jìn)一步增長(zhǎng)，濺射靶材需求將隨之繼續(xù)拉升，維系成長(zhǎng)。濺射靶材可用于薄膜太陽(yáng)能電池的制備中。據(jù)了解，和傳統(tǒng)的晶體硅太陽(yáng)能電池相比，薄膜太陽(yáng)能電池大大減少了材料用量，從而大幅降低制造成本和產(chǎn)品價(jià)格，同時(shí)，薄膜太陽(yáng)能電池還具有制造溫度低、應(yīng)用范圍大等特點(diǎn)，從市場(chǎng)前景來(lái)看，薄膜太陽(yáng)能電池在光伏建筑一體化、大規(guī)模低成本發(fā)電站建設(shè)等方面比傳統(tǒng)的晶體硅太陽(yáng)能電池具有更加廣闊的市場(chǎng)空間。由此隨著碳中和、碳達(dá)峰目標(biāo)的提出，光伏裝機(jī)量提升確定性強(qiáng)，光伏用濺射靶材市場(chǎng)將穩(wěn)步增長(zhǎng)。近年來(lái)隨著國(guó)內(nèi)光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，光伏電池規(guī)?？焖僭鲩L(zhǎng)。數(shù)據(jù)顯示，2021年我國(guó)光伏發(fā)電累計(jì)裝機(jī)容量為30656萬(wàn)千瓦，較上年同比增長(zhǎng)21%，新增裝機(jī)容量為5493萬(wàn)千瓦，較上年同比增長(zhǎng)14%；2022年1-6月我國(guó)光伏發(fā)電累計(jì)裝機(jī)容量為33677萬(wàn)千瓦，較上年同比增長(zhǎng)25．8%，新增裝機(jī)容量為3088萬(wàn)千瓦，較上年同比增長(zhǎng)137．4%。隨著全球經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展及相關(guān)技術(shù)創(chuàng)新的推動(dòng)下，近年來(lái)全球?yàn)R射靶材行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)步增長(zhǎng)。據(jù)資料顯示，2021年全球?yàn)R射靶材行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模為213億美元，同比增長(zhǎng)8．7%。得益于政策利好以及在技術(shù)創(chuàng)新推動(dòng)下芯片、光伏高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)需求不斷釋放，我國(guó)濺射靶材行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。據(jù)資料顯示，2021年我國(guó)建設(shè)靶材行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模為375．8億元，同比增長(zhǎng)11．5%。濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈中國(guó)濺射靶材上游為各種原材料，包括金屬、合金、陶瓷化合物；中游主要為靶材制造、濺射鍍膜；下游廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片、平面顯示、信息存儲(chǔ)、太陽(yáng)能電池、智能玻璃等。中國(guó)濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈上游金屬上市企業(yè)包括新疆眾和、天山鋁業(yè)、銅陵有色、安寧股份、中環(huán)股份等，合金企業(yè)包括江贛鋒鋰業(yè)、興業(yè)礦業(yè)、浙富控股、廈門(mén)鉤業(yè)、寒銳鉆業(yè)等。中游的濺射靶材企業(yè)主要為日礦金屬、霍尼韋爾、東曹、普萊克斯、有研新材、金鉬股份、新疆眾和、隆華科技、江豐電子、康達(dá)新材、阿石創(chuàng)、超卓航科等。下游集成電路企業(yè)包括中芯國(guó)際、長(zhǎng)電科技、韋爾股份、通富微電、華天科技等，太陽(yáng)能電池企業(yè)包括通威股份、隆基綠能、天合光能、晶科能源、TCL中環(huán)等。濺射靶材發(fā)展趨勢(shì)近年來(lái)我國(guó)對(duì)濺射靶材行業(yè)重視程度不斷提升，各類政策出臺(tái)推動(dòng)行業(yè)積極發(fā)展，明確對(duì)于國(guó)內(nèi)靶材企業(yè)進(jìn)口國(guó)內(nèi)不能生產(chǎn)、性能不滿足需求的自用生產(chǎn)性原材料及消耗品免征進(jìn)口關(guān)稅。在國(guó)內(nèi)良好的政策環(huán)境和各細(xì)分市場(chǎng)廣闊的市場(chǎng)空間下，國(guó)內(nèi)濺射靶材企業(yè)市占率提升空間大，機(jī)會(huì)逐步開(kāi)啟。此外高性能濺射靶材是顯示面板、半導(dǎo)體、太陽(yáng)能電池、記錄媒體不可缺少的原材料，進(jìn)而廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、智能家電、通信照明、光伏、計(jì)算機(jī)、工業(yè)控制、汽車(chē)電子等多個(gè)下游應(yīng)用領(lǐng)域。我國(guó)是全球最大的消費(fèi)電子產(chǎn)品生產(chǎn)國(guó)、出口國(guó)和消費(fèi)國(guó)，也是全球最大的集成電路半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó)和進(jìn)口國(guó)，在最終下游眾多生產(chǎn)及消費(fèi)領(lǐng)域的需求驅(qū)動(dòng)了我國(guó)高性能濺射靶材行業(yè)快速增長(zhǎng)。因此，未來(lái)高性能濺射靶材行業(yè)高速成長(zhǎng)的確定性較高，基本不會(huì)受到偶發(fā)性或突發(fā)性因素影響。隨著全球平面顯示、半導(dǎo)體、太陽(yáng)能電池、記錄存儲(chǔ)等行業(yè)生產(chǎn)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張，直接帶動(dòng)了高性能濺射靶材行業(yè)的發(fā)展，使得中國(guó)國(guó)內(nèi)濺射靶材使用量快速增長(zhǎng)，給國(guó)內(nèi)濺射靶材廠商帶來(lái)良好的發(fā)展機(jī)遇。濺射靶材指采用物理氣相沉積技術(shù)在基材上制備薄膜的原材料，靶材是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料，更換不同的靶材可以得到不同的薄膜。濺射靶材是PVD（物理氣相沉積）領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用量最大的鍍膜材料。濺射是制備薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用荷能粒子（通常是離子），在真空中經(jīng)過(guò)加速聚集，而形成高速度能的粒子束流，轟擊固體表面，粒子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換，使固體表面的原子離開(kāi)固體并沉積在基板表面，被轟擊的固體即為濺射靶材。濺射靶材的種類較多，即使相同材質(zhì)的濺射靶材也有不同的規(guī)格。按照不同的分類方法，可將濺射靶材分為不同的類別。濺射技術(shù)作為薄膜材料制備的主流工藝，其應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，如平面顯示、集成電路半導(dǎo)體、太陽(yáng)能電池、信息存儲(chǔ)、工具改性、光學(xué)鍍膜、電子器件、高檔裝飾用品等行業(yè)。濺射靶材產(chǎn)業(yè)集中度高、技術(shù)門(mén)檻高、設(shè)備投資大，具有規(guī)?；a(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量相對(duì)較少，國(guó)內(nèi)高性能濺射靶材市場(chǎng)尚處于發(fā)展初期，具有規(guī)?；a(chǎn)能力和較強(qiáng)研發(fā)能力的廠商數(shù)量仍然偏少，隨著全球分工及產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移，國(guó)內(nèi)廠商正處于對(duì)國(guó)際廠商的加速替代過(guò)程中，已有如江豐電子、阿石創(chuàng)、有研新材、隆華科技、先導(dǎo)薄膜、歐萊新材以及映日科技等公司掌握了高性能濺射靶材研發(fā)及生產(chǎn)環(huán)節(jié)的相關(guān)技術(shù)并可以進(jìn)行批量生產(chǎn)。20世紀(jì)90年代以來(lái)，隨著消費(fèi)電子等終端應(yīng)用市場(chǎng)的高速發(fā)展，濺射靶材的市場(chǎng)規(guī)模日益擴(kuò)大，呈現(xiàn)高速增長(zhǎng)的勢(shì)頭。受到發(fā)展歷史及技術(shù)限制的影響，我國(guó)濺射靶材行業(yè)起步較晚，目前多數(shù)濺射靶材企業(yè)產(chǎn)品仍主要應(yīng)用于下游的中低端產(chǎn)品，高端濺射靶材產(chǎn)品則多為國(guó)外進(jìn)口。我國(guó)高性能濺射靶材行業(yè)在國(guó)家戰(zhàn)略政策支持以及下游眾多應(yīng)用領(lǐng)域需求的支撐下，行業(yè)技術(shù)不斷突破，產(chǎn)品性能不斷提升，帶動(dòng)高性能濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大。濺射靶材應(yīng)用場(chǎng)景半導(dǎo)體芯片是對(duì)濺射靶材的成分、組織和性能要求的最高的領(lǐng)域。具體來(lái)講，半導(dǎo)體芯片的制作過(guò)程可分為硅片制造、晶圓制造和芯片封裝等三大環(huán)節(jié)，其中，在晶圓制造和芯片封裝這兩個(gè)環(huán)節(jié)中都需要用到金屬濺射靶材。靶材在晶圓制造環(huán)節(jié)主要被用作金屬濺鍍，常采用PVD工藝進(jìn)行鍍膜，通常使用純度在99．9995%（5N5）及以上的銅靶、鋁靶、鉭靶、鈦靶以及部分合金靶等；靶材在芯片封裝環(huán)節(jié)常用作貼片焊線的鍍膜，常采用高純及超高純金屬銅靶、鋁靶、鉭靶等。具體來(lái)看，半導(dǎo)體領(lǐng)域用量較多的濺射靶材主要有鉭靶、銅靶、鋁靶、鈦靶等，其中銅靶和鉭靶多配合起來(lái)使用，分別用于生成銅導(dǎo)電層和鉭阻擋層，在110nm以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)中大量使用；鋁靶和鈦靶則主要用于8英寸晶圓110nm以上技術(shù)節(jié)點(diǎn)中導(dǎo)電層和阻擋層的制備。隨著芯片制程持續(xù)微縮，銅靶和鉭靶需求有望持續(xù)增長(zhǎng)，而汽車(chē)芯片等仍廣泛使用成熟制程，鋁靶和鈦靶仍有大量應(yīng)用。半導(dǎo)體芯片用金屬濺射靶材的作用，就是給芯片上制作傳遞信息的金屬導(dǎo)線。具體工藝過(guò)程為，在完成濺射工藝后，使各種靶材表面的原子一層一層地沉積在半導(dǎo)體芯片的表面上，然后再通過(guò)的特殊加工工藝，將沉積在芯片表面的金屬薄膜刻蝕成納米級(jí)別的金屬線，將芯片內(nèi)部數(shù)以億計(jì)的微型晶體管相互連接起來(lái)，從而起到傳遞信號(hào)的作用。光伏靶材應(yīng)用場(chǎng)景光伏領(lǐng)域?qū)Π胁牡氖褂弥饕潜∧る姵睾虷IT光伏電池（本征薄膜異質(zhì)結(jié)電池），目前市場(chǎng)主流的晶體硅太陽(yáng)能電池較少用到濺射靶材。其中自2015年三洋的HIT專利保護(hù)結(jié)束后，技術(shù)壁壘消除，HIT電池電池開(kāi)始推廣，近年來(lái)發(fā)展迅速。光伏電池用靶材形成背電極，靶材濺射鍍膜形成的太陽(yáng)能薄膜電池的背電級(jí)主要有三個(gè)用途：第一，它是各單體電池的負(fù)極；第二，它是各自電池串聯(lián)的導(dǎo)電通道；第三，它可以增加太陽(yáng)能電池對(duì)光的反射。目前太陽(yáng)能薄膜電池用濺射靶材主要為方形板狀，純度要求一般在99．99%（4N）以上。其中薄膜電池較為常用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶（氧化鋁鋅）等，HIT電池則主要使用ITO靶材作為其透明導(dǎo)電薄膜。鋁靶、銅靶主要用于導(dǎo)電層薄膜，鉬靶、鉻靶用于阻擋層薄膜，ITO靶、AZO靶用于透明導(dǎo)電層薄膜。濺射靶材行業(yè)概述濺射工藝是物理氣相沉積（PVD）技術(shù)的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術(shù)之一，而濺射靶材正是該工藝的關(guān)鍵原材料。以晶圓制造為例，需要反復(fù)重復(fù)薄膜沉積工藝，用于導(dǎo)電層、阻擋層、接觸層、介電層等的制備，薄膜沉積工藝通常分為物理氣相沉積（PVD）技術(shù)和化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)，其中PVD常用來(lái)生長(zhǎng)鋁、銅、鈦、鉭等金屬薄膜，CVD常用來(lái)制備氧化硅等絕緣薄膜。除鎢接觸層和銅互連層外的絕大多數(shù)金屬薄膜都是用PVD技術(shù)生成，而濺射則是目前最主流的PVD技術(shù)。濺射是利用離子源產(chǎn)生的離子，在真空中經(jīng)過(guò)加速聚集，而形成高速度能得離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換，使固體表面的原子離開(kāi)固體并沉積在基底