半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展分析報(bào)告

2017導(dǎo)體市場(chǎng)分析告

、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升催生產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的原力-4-、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)伴隨著新興終端市的興起-5-2.1家電產(chǎn)業(yè)帶動(dòng)用半導(dǎo)體需求興起半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從美轉(zhuǎn)向.............-9-2.2、重導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從美、轉(zhuǎn)向韓、-10-、智能手機(jī)時(shí)代釀著第三次半導(dǎo)體業(yè)轉(zhuǎn)移-153.1智能手機(jī)時(shí)代韓臺(tái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)優(yōu)地位鞏固................................--3.2未來半導(dǎo)體產(chǎn)向大陸轉(zhuǎn)移是否是勢(shì)？.......................................-3.2.1、導(dǎo)投溫，產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移趨勢(shì)彰顯........................................-3.2.2、產(chǎn)轉(zhuǎn)根本動(dòng)力看半導(dǎo)體能成功向大陸轉(zhuǎn)................-3.3關(guān)于承接產(chǎn)業(yè)移模式的選擇問.-233.4總結(jié)：半導(dǎo)體業(yè)轉(zhuǎn)移深入，國產(chǎn)良機(jī)將至................................圖1產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移動(dòng)力的產(chǎn)生-5-圖、全球半導(dǎo)產(chǎn)業(yè)鏈變遷與產(chǎn)業(yè)-圖3美日半導(dǎo)產(chǎn)業(yè)變遷圖-7-圖4韓臺(tái)半導(dǎo)產(chǎn)業(yè)變遷圖-8-圖、全球半導(dǎo)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移原因分析-圖6美視機(jī)產(chǎn)量比較（萬-10圖7本年半導(dǎo)體產(chǎn)值額達(dá)21%億美元）-10-圖81980-2010年球存儲(chǔ)行業(yè)場(chǎng)份額變-10-圖9、崛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的..............................................................-11-圖10、年全球出貨量（百萬臺(tái)）..........................................-圖、1986-2016年特爾營收（億美元-12圖、DRAM場(chǎng)周期波動(dòng)大-圖、DRAM術(shù)持續(xù)級(jí)-圖、韓國采用大團(tuán)IDM模展業(yè)-13-圖、2000-2016年全球智手機(jī)出貨量（百萬臺(tái)--圖、2000-2016年通收（億美元）-15-圖17大陸智手機(jī)品牌全球市場(chǎng)額持續(xù)提升-圖、中國半導(dǎo)體場(chǎng)增速遠(yuǎn)高于全球億美元-圖19中國半導(dǎo)體費(fèi)全球占比持續(xù)提（億美元）17-圖20、年全球晶制造產(chǎn)能分布（千/，合成寸-17-圖21年全球半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)布（產(chǎn)值，億美元-17-圖222017-2020年新增晶圓廠集中大陸（座）-圖、國家集成電產(chǎn)業(yè)投資基金（大金）的成立與發(fā)展-圖、大基金重點(diǎn)投資導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)-圖、大基金重點(diǎn)關(guān)注四大領(lǐng)域-圖26NANDFlash技成熟后明顯降低本-圖27全球NAND量進(jìn)........................................21-圖28年3D三星占領(lǐng)先.............................................-圖、中國半導(dǎo)體細(xì)分行業(yè)值（億元--圖、中國半導(dǎo)體細(xì)分行業(yè)圖31中國IC計(jì)產(chǎn)在全球占比提....................................................-23-圖32陸IC設(shè)市場(chǎng)按銷售額占比-圖、四種發(fā)展模式比..........................................................................-

圖、中芯國際產(chǎn)能場(chǎng)份額排名............................................................-圖35臺(tái)逐成全球的半導(dǎo)體制基...........................................--圖、中國半導(dǎo)體業(yè)鏈-圖、半導(dǎo)體主要產(chǎn)品類：-圖、年球集電路細(xì)分領(lǐng)域占.................................................-30-圖、年球集電路終端應(yīng)用占.................................................-30-圖40、年球半導(dǎo)體市場(chǎng)增速有望升（億美元-表、年球前十大半導(dǎo)體公司排名...................................................15-表2陸現(xiàn)12寸廠產(chǎn)能統(tǒng)-18-表3陸在12寸廠產(chǎn)能統(tǒng)-18-表4中國存儲(chǔ)片投資情況-表、國內(nèi)主要導(dǎo)體上市公司梳-

我研究發(fā)半體產(chǎn)業(yè)移有兩大規(guī)律：

一是產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展升必然的結(jié)果，無法擋更無法逆轉(zhuǎn)我們認(rèn)為根本因?yàn)椴煌瑖以诋a(chǎn)品命周期的不同階段較競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)發(fā)生改變，催生產(chǎn)轉(zhuǎn)移的原動(dòng)力。二是產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)總是伴隨著新興電子品市場(chǎng)的興起，這因?yàn)樾屡d市場(chǎng)技術(shù)升級(jí)或產(chǎn)業(yè)鏈的變化，造就行業(yè)重新洗牌的機(jī)，承接國若能商機(jī)，并結(jié)自身的比較競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)制定正確的策略，住商機(jī)，產(chǎn)業(yè)將應(yīng)運(yùn)而生產(chǎn)轉(zhuǎn)移規(guī)具表：

家電產(chǎn)業(yè)帶民用半導(dǎo)體需求興起半產(chǎn)業(yè)從美轉(zhuǎn)日重導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，半體產(chǎn)業(yè)從美、日轉(zhuǎn)向、臺(tái)；智能手機(jī)時(shí)同樣孕育著一波的半導(dǎo)體產(chǎn)機(jī)會(huì)，我們認(rèn)為正是導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從美、韓臺(tái)向大陸的轉(zhuǎn)。大陸半導(dǎo)體業(yè)正從勞動(dòng)密集型向本密集型過渡，我認(rèn)為這是產(chǎn)轉(zhuǎn)移深入的表現(xiàn)各國在半導(dǎo)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的歷史進(jìn)程扮演著不同的角色發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)的模式也不盡同。美國是“創(chuàng)新引”模式，日本是“化吸收、自主創(chuàng)新模式，韓國“集中式發(fā)展，品牌越”模式，臺(tái)灣是與美國聯(lián)，晶圓代工”式。關(guān)于中國發(fā)展半體模式的選擇，中最初選取了與相似的代工展模式對(duì)于中國樣的大國從角度切入是不夠的，采用韓國IDM模的存儲(chǔ)發(fā)展路，是大陸半導(dǎo)體發(fā)展必經(jīng)之路。1升級(jí)移的任何產(chǎn)品都經(jīng)歷創(chuàng)新——成熟—標(biāo)準(zhǔn)化這生命周期，半導(dǎo)體不外。與產(chǎn)品生命周相應(yīng)的是，行業(yè)的發(fā)遵循技術(shù)密集型——資密集型——?jiǎng)诹γ芗偷霓D(zhuǎn)路徑。產(chǎn)品創(chuàng)新階段技術(shù)壟斷和產(chǎn)品差為特征，行業(yè)表現(xiàn)術(shù)密集型；到了成熟階段，技術(shù)本穩(wěn)定繼而投入減，而資本和管理要投入增加，業(yè)表現(xiàn)為資本密集型最后產(chǎn)品到了標(biāo)準(zhǔn)階段，成本控制成爭(zhēng)力的主要束，行業(yè)就表現(xiàn)為勞密集型。行業(yè)不同階生產(chǎn)要素的密集性發(fā)改變，使得各個(gè)國與地區(qū)的競(jìng)爭(zhēng)力發(fā)變。在創(chuàng)新段，創(chuàng)新國因?yàn)榧夹g(shù)勢(shì)有明顯的競(jìng)爭(zhēng)力而到了成熟和標(biāo)準(zhǔn)化階段，創(chuàng)新國要利用其它國家在資、勞動(dòng)力領(lǐng)域的優(yōu)保證產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力并開拓新的市，從而催生了產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)的原動(dòng)力。

圖1產(chǎn)業(yè)移原動(dòng)力的產(chǎn)生創(chuàng)新期?術(shù)密集

成熟期?資本密集型

標(biāo)準(zhǔn)化?勞動(dòng)密集不同國家的爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)發(fā)生改變產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移原力產(chǎn)生美國是半導(dǎo)芯片的發(fā)源地，美國導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一直保持在全球的領(lǐng)先地，其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展與升級(jí)就伴隨著計(jì)與制造的分離、造的轉(zhuǎn)移。美國最初通過硅谷平臺(tái)匯集各領(lǐng)域的人才與源，儲(chǔ)備研發(fā)實(shí)力開發(fā)出電腦等跨時(shí)產(chǎn)品，借由端產(chǎn)品的創(chuàng)新，帶動(dòng)導(dǎo)體的需求成長。了成熟階段，技術(shù)本穩(wěn)定國到其生產(chǎn)方面的效不高心爭(zhēng)力在IC設(shè)等高技術(shù)集環(huán)節(jié)，開始動(dòng)將生產(chǎn)線外搬，采委外代工的模式，資本密集型和勞密集型的生產(chǎn)環(huán)轉(zhuǎn)交日本、臺(tái)灣、韓等具備資本與勞動(dòng)優(yōu)勢(shì)的國家。這就著產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移般從組裝和制造等勞密集型的環(huán)節(jié)最先始，其次是資本集型產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移而技術(shù)密集型的設(shè)計(jì)節(jié)則由美國保留。全球半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展主要經(jīng)歷了次大的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，一次是從美國日的轉(zhuǎn)移，第二是美國、日本向韓國臺(tái)灣的轉(zhuǎn)移。美國導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向外轉(zhuǎn)移以看做是半體產(chǎn)業(yè)在全球的擴(kuò)展移帶來了日等國家在造的反超，但美之后又開始將中心投新一輪技術(shù)的開發(fā)，也意味著新一輪期開始國將重點(diǎn)投向著重設(shè)計(jì)的ASIC和技持續(xù)處于領(lǐng)先地位，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)升，并借此又重回霸主位?？傊?，美國有最先進(jìn)的半導(dǎo)體技，可以根據(jù)國家半體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展重有選擇的保留最心利力最強(qiáng)的節(jié)——在IC設(shè)半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域國據(jù)絕對(duì)主導(dǎo)位。對(duì)美國而言，半體產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移是有為之，也是產(chǎn)業(yè)升必然要求和果。2轉(zhuǎn)移終端半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)歷了兩次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，一次是從美國向日的轉(zhuǎn)移，第二次從美日向韓臺(tái)的移，我們研究發(fā)現(xiàn)，兩次轉(zhuǎn)移都與新興端市場(chǎng)的興起有關(guān)從美國到日本產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移伴隨著家電場(chǎng)的興起，從美、向韓、臺(tái)的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)伴隨著PC市場(chǎng)的興。我們分析，這是為新興終端市場(chǎng)興起來了技術(shù)

創(chuàng)或級(jí)變了行業(yè)重新洗牌機(jī)會(huì)接能動(dòng)抓住商機(jī)，定正確的策略，發(fā)揮身的比較優(yōu)勢(shì)，產(chǎn)轉(zhuǎn)移將應(yīng)運(yùn)而生。圖2全導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈變遷與產(chǎn)移從美國到日本

從美日到韓臺(tái)終端產(chǎn)品半導(dǎo)體芯片求

1960軍工時(shí)代軍工電子

1970年代家電時(shí)代和存儲(chǔ)

1980年代PC初期階段存+微處理ASIC

1990PC及時(shí)代中央處理器

手機(jī)時(shí)代邏輯芯微理+存+擬電路代表廠商崛起

仙童TI

系統(tǒng)廠商：索尼、東芝IDM商：Hitachi

IC設(shè)計(jì)廠商：Xilin、nVIDIAIDM商三星晶圓代工廠商：積電

IP商ARMSynopsysIC設(shè)計(jì)廠商：高通、聯(lián)發(fā)、海思IDM廠商三星、海力士圓代工廠商：臺(tái)積電、聯(lián)電、中芯國

IDM廠

Fabless產(chǎn)生

產(chǎn)業(yè)鏈變遷

IP商IC設(shè)

IC設(shè)IDMFab測(cè)

IC設(shè)IDM

ICIDM

ICIDM以前

至代

以后

IC-ASIC興業(yè)證研究所從美國到日的第一次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，美國將裝配產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)到日本，日本裝起家學(xué)習(xí)美國導(dǎo)體技術(shù)，并將半導(dǎo)技術(shù)創(chuàng)新性家產(chǎn)業(yè)進(jìn)行對(duì)接的過，由此日本家產(chǎn)業(yè)與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)形成了良性互動(dòng)，化了索尼、東芝等統(tǒng)廠商年子產(chǎn)業(yè)從家電進(jìn)PC時(shí)催了對(duì)需求憑借在家電時(shí)代技術(shù)積累和出色的生管理能力現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)實(shí)現(xiàn)反超美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的繁榮持了將近20年1970-1990

80%43%80%43%圖3美日半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)變遷圖1970s

業(yè)變?軍工崛起

????

外轉(zhuǎn)

?領(lǐng)產(chǎn)??將重點(diǎn)投的M

?MPU取地位?美國，F(xiàn)abless

?Soc工，?美國卡位設(shè)計(jì)，包

100%

日本，

其他，60年代國動(dòng)力消失后期

其他遠(yuǎn)歐洲東地區(qū)33%43%拉丁美洲18%

日本

0%

1984198719901991廠商美國廠

0%

197519801985199019951996北美廠商日本廠商其他國家廠商

歐洲，中國，

臺(tái)灣，

美國，電

1974

A

占率

IC設(shè)

NEC得仙童面技術(shù)專實(shí)施權(quán)NEC/綜企業(yè)開始ICTI構(gòu)造專為條件與索合辦設(shè)廠

美

日歐

100%0%

0%

19802005美國日本歐洲其他地區(qū)

7543210

643321IC接?裝配起家?美IC?進(jìn)IC合

1975?廣闊家電展?VLSI計(jì)存儲(chǔ)

DRAM反?VLSI供資?DRAM領(lǐng)先?M

本支滑?半導(dǎo)?90年美國地位

商中到1?日本廠商離?日本半導(dǎo)業(yè)變從美日向韓的第二次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移則產(chǎn)發(fā)展息息關(guān)。第二次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移一方面表現(xiàn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)從美國轉(zhuǎn)向本后又開始轉(zhuǎn)向了國，另一方面也現(xiàn)為IDM式以外產(chǎn)生了單獨(dú)的計(jì)公司（）逐立出來的晶圓工（），臺(tái)灣切入晶圓工環(huán)節(jié)，并由此孵IC設(shè)計(jì)公司，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從美向臺(tái)灣的轉(zhuǎn)移。存儲(chǔ)的轉(zhuǎn)移因產(chǎn)帶動(dòng)術(shù)不斷升級(jí)日本經(jīng)濟(jì)泡沫無力資、技術(shù)升級(jí)落后韓國造環(huán)節(jié)晶圓工獨(dú)立出來則主因90代PC廣泛用與普及IC業(yè)開進(jìn)入以客戶為導(dǎo)向階段（為專門的而設(shè)計(jì)的集成電路）應(yīng)運(yùn)而，專門負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)的公誕生，與制造分離因此我們認(rèn)為從日到韓國的存儲(chǔ)業(yè)的轉(zhuǎn)移，與技術(shù)關(guān)；而制造環(huán)從美日向臺(tái)灣的轉(zhuǎn)移則與設(shè)計(jì)、制、封測(cè)這一分工模傳統(tǒng)IDM式變化關(guān)。

圖4韓臺(tái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)變遷圖1990s韓國半導(dǎo)體業(yè)變遷

至今?封裝轉(zhuǎn)移

?的DRAM?投入日的

?儲(chǔ)芯?日本資支寸晶圓廠建設(shè)

?場(chǎng)的?競(jìng)爭(zhēng)?韓國芯片圓廠LG財(cái)

其他三大財(cái)團(tuán)

財(cái)團(tuán)

美光

三星韓國初以組裝、封為主

財(cái)團(tuán)。三大財(cái)持續(xù)投D

三星D技術(shù)升級(jí)彎超車

海力士韓廠成DRAM場(chǎng)的（2015其他，臺(tái)，

歐，

院

中國，

南，

北美，

IC設(shè)產(chǎn)值億新臺(tái)幣）制造產(chǎn)值億新幣）

日本，，封產(chǎn)值億新臺(tái)幣）臺(tái)灣初以封裝為主?體產(chǎn)?封裝產(chǎn)出

政府大推進(jìn)半導(dǎo)體業(yè)?ASIC代，設(shè)計(jì)緊抓商的?研院?圓代

臺(tái)灣半體產(chǎn)業(yè)快速展?IC司成從設(shè)??入DRAM制19951997波價(jià)崩盤

臺(tái)灣成最大的晶圓造基2016）?化發(fā)?圓制?代工球封?臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)變遷我們對(duì)兩次導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的原因行總結(jié)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的發(fā)生都是天、地利、人和共同結(jié)果，但其中還可以總結(jié)出一個(gè)共的規(guī)律，那便伴隨著新興終端市興起帶來的技術(shù)變化是產(chǎn)業(yè)鏈變化，這以參考下圖的歸納

圖5全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移原因分第一次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移美國轉(zhuǎn)移情況

第二次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移美日轉(zhuǎn)移原因原因歸納

日本半導(dǎo)體技術(shù)新：從軍工到家技術(shù)變化

韓國存儲(chǔ)技術(shù)升

臺(tái)灣ASIC發(fā)展，設(shè)計(jì)、制造和封測(cè)?；止さ漠a(chǎn)業(yè)鏈新式出現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈變化此外，我們究還發(fā)現(xiàn)，半導(dǎo)體產(chǎn)轉(zhuǎn)移一般先從勞動(dòng)集型開始，例如接美國外包的組、封裝和測(cè)試等產(chǎn)業(yè)對(duì)半導(dǎo)體技術(shù)有了定的積累后，若承能抓住電子業(yè)終端市場(chǎng)興起的半體需求（如日本抓了家電市場(chǎng)的需求國和臺(tái)灣則住了PC時(shí)的機(jī)遇制確的策略、選擇確的切入點(diǎn)、進(jìn)行資本的集投資（韓國和臺(tái)灣于兩地資金實(shí)力、場(chǎng)空間、產(chǎn)業(yè)形等的不同，選擇不同的切入點(diǎn)，韓國擇了標(biāo)準(zhǔn)化程度高周期性強(qiáng)的存，而臺(tái)灣則選擇以銷為主接國Fabless的代工訂單把握自身的勢(shì)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)快速發(fā)展，從勞密集型產(chǎn)業(yè)向資本集型產(chǎn)業(yè)過渡，這程也伴隨著術(shù)積累的逐步增厚。、家電產(chǎn)業(yè)帶動(dòng)民用半體需求興起，半體產(chǎn)業(yè)從美轉(zhuǎn)向日年代到代是日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)興盛時(shí)期后續(xù)年左70年代代中期，日本半導(dǎo)產(chǎn)業(yè)崛起，源于日本化吸收美國軍工起的半導(dǎo)體技術(shù)，成功將導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用于家電場(chǎng)；代后期和年本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的繁榮源于產(chǎn)發(fā)展，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)從國轉(zhuǎn)向日本，并且日成功反超美國。年同于美國軍工動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，本作為二戰(zhàn)戰(zhàn)敗國軍事項(xiàng)目被全面禁止，本轉(zhuǎn)而采用“民用家?guī)?dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展”的略，利用家電市容量大、技術(shù)壁低、價(jià)格有優(yōu)勢(shì)的特，切入半導(dǎo)體市場(chǎng)日本從收音機(jī)以及字視像設(shè)備等用設(shè)備入手，在初期開了與美國的競(jìng)爭(zhēng)并成功占據(jù)全球電市場(chǎng)首位。同抓住家電市場(chǎng)興起帶的半導(dǎo)體需求，成了東芝、索尼、日這類系統(tǒng)廠商不僅成為全球家電市的龍頭，也躋身全半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的前列代是日本電業(yè)發(fā)展快的階日電視產(chǎn)甚過了美；70年代也是日半導(dǎo)體迅速成長的階年日本半導(dǎo)體產(chǎn)值達(dá)12.8美場(chǎng)份額達(dá)21%，美國美元，亦非常重要的半導(dǎo)體產(chǎn)國。

圖6日美視機(jī)產(chǎn)量比較（萬臺(tái)

圖7、日本1975年體產(chǎn)值份達(dá)21%億美元）日,12.8,

美,36.4,

歐,11,日本

美國聯(lián)合國，通產(chǎn)省，

日本電子協(xié)會(huì)，日本憑借在電領(lǐng)域的深耕，對(duì)半體技術(shù)有了一定的累。在美國進(jìn)DRAM產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的候，日本成為最合適最有能力承接的國。存儲(chǔ)芯片作為標(biāo)化程度較高的品，發(fā)展初期對(duì)技術(shù)求尚低，得益于計(jì)，日本憑其出色的生產(chǎn)管能力及對(duì)精細(xì)加工的長，成功大規(guī)模量了存儲(chǔ)芯片。年90代初期本過生優(yōu)和電子的輸出一度越了美國。美國導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的薄弱環(huán)節(jié)于產(chǎn)品制造和企業(yè)理：首先，生產(chǎn)方效率不高，產(chǎn)品不能很好地轉(zhuǎn)化市場(chǎng)上可信賴的產(chǎn)；其次，企業(yè)間的聯(lián)系較為松，企業(yè)在關(guān)鍵性產(chǎn)品的投入不足，重復(fù)技術(shù)開發(fā)造成了巨資源浪費(fèi)1983-1998年日本續(xù)保持制的領(lǐng)先，超美國，市占率躍居全球位。圖81980-2010全球存儲(chǔ)行業(yè)場(chǎng)份額變化數(shù)據(jù)來源：2重半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從、日轉(zhuǎn)向韓、臺(tái)PC段內(nèi)存）微處器）IBM公于1981年了第一部型號(hào)為的個(gè)人桌上型計(jì)算器，志著時(shí)代的到來PC出現(xiàn)以后的年個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)基圍繞展，而這其中最重要的兩個(gè)成就是半導(dǎo)體內(nèi)存

與處(MicroProcessor)。PC業(yè)的發(fā)展就伴著內(nèi)存以及微處理器術(shù)的不斷升級(jí)。

PC拓：中處理器CPU和ASIC進(jìn)入年半體依然遵循著摩爾定律進(jìn)PC應(yīng)來越廣泛，功能來越強(qiáng)大，時(shí)軟件就起了決定性作用，微軟Window操系大獲成功。奠定了其PC件霸主地位，為之提供配套CPU等產(chǎn)品的Intel之崛起。此外PC代半導(dǎo)體產(chǎn)品的性要求也發(fā)生了變電到消費(fèi)電子品異化競(jìng)爭(zhēng)使芯片定制化程度更高IC產(chǎn)開始進(jìn)入客戶為導(dǎo)向的階段一方面標(biāo)準(zhǔn)化功的IC已滿足整機(jī)戶對(duì)系統(tǒng)成本、可靠等要求，同時(shí)整機(jī)客戶則要求斷增加IC的度密片積系體積縮小，降低成本，高產(chǎn)品的性能價(jià)格比從而增強(qiáng)產(chǎn)品的競(jìng)力，得到更多場(chǎng)份額和更豐厚利潤一面PC中微理器和存儲(chǔ)是標(biāo)準(zhǔn)化品外芯片均是非準(zhǔn)化的，造成了芯片間信號(hào)傳遞的延遲不穩(wěn)定。由于兩個(gè)原因，IC設(shè)計(jì)公司興起為客戶提供ASIC的服務(wù)，以實(shí)現(xiàn)統(tǒng)的整體優(yōu)化；同時(shí)將制造包出去，形成了獨(dú)立晶圓代工環(huán)節(jié)。圖9PC崛半體產(chǎn)業(yè)的影存儲(chǔ)技術(shù)升微處理器升CPUASIC

日本的衰落韓國的崛起美IDM公英特爾崛起臺(tái)灣切入晶代工環(huán)節(jié)下面我們對(duì)三類受益公司分別進(jìn)分析，韓國的崛起臺(tái)灣切入晶圓工環(huán)節(jié)則對(duì)應(yīng)著第次半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移：計(jì)力的半公司首先益產(chǎn)起的受益者首先是擁有芯設(shè)計(jì)能力的公司——芯設(shè)計(jì)公司或者是IDM公司它接接下游需時(shí)成美芯公司爾（IDM說英特爾公司的成長基就是業(yè)的成長史。年英特爾營收長與全球PC貨量都于快速成長期，兩基本保持著一致的趨勢(shì)2000-2011年著出增速的放緩爾營收成長放緩至出現(xiàn)衰退；年之后PC貨在衰退，但英特營收穩(wěn)中有升則主要益于英特爾面向后時(shí)型，如布物聯(lián)網(wǎng)以及數(shù)據(jù)中心務(wù)器芯片等。

圖10、1986-2016年球出（百萬）400

圖11、英特爾營收億美元）700350300250200150100500

-10%-20%

6005004003002001000

-10%-20%-30%PC起DRAM求國抓住遇美國半導(dǎo)體業(yè)的優(yōu)勢(shì)主要是在技密集型的設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)而在制造環(huán)節(jié)美卻沒有優(yōu)勢(shì)反技術(shù)轉(zhuǎn)化為產(chǎn)品生產(chǎn)能力一直是美的弱勢(shì)PC崛催生了對(duì)需求美國強(qiáng)大的科研能力其基據(jù)整個(gè)市但是由于轉(zhuǎn)成生產(chǎn)的能力不高1979年本由劃獲成功搶先美國進(jìn)入64K-DRAM時(shí)，DRAM場(chǎng)份額逐漸被日本占年代由于日本經(jīng)濟(jì)泡沫，無持續(xù)投資支持術(shù)升級(jí)8晶圓廠的設(shè)，產(chǎn)業(yè)式微，而國抓住這一機(jī)遇，韓三星、海力士崛起直到今天一直保持球的寡頭地。韓國從切取得成，是因?yàn)镈RAM行標(biāo)準(zhǔn)化程度高、周期強(qiáng)和技術(shù)更新的三大特征：標(biāo)準(zhǔn)化程度為后進(jìn)者提供彎道超機(jī)會(huì)益DRAM塊化變革其從計(jì)算機(jī)主上獨(dú)立出來為具標(biāo)準(zhǔn)化接口的模塊產(chǎn)品（存條得的者和生產(chǎn)的關(guān)聯(lián)度降低，產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)化程度高，可替性加強(qiáng)生產(chǎn)能力可彌補(bǔ)技術(shù)能力的差距對(duì)后進(jìn)者是一個(gè)很的切入點(diǎn)。周期性強(qiáng)要企業(yè)具備規(guī)模優(yōu)勢(shì)于DRAM市巨供需變化的影響波動(dòng)性高于導(dǎo)體全行業(yè)水平，生者的收益就會(huì)隨之化。在周期性低谷，小規(guī)模企業(yè)難支撐，只有大型企業(yè)以憑借規(guī)模優(yōu)勢(shì)降成本，并且擁有夠的資金支持，度過低谷。技術(shù)更新速快需要持續(xù)的重資產(chǎn)入。終端市場(chǎng)對(duì)內(nèi)容量要求不斷提，根據(jù)摩爾定律發(fā)展進(jìn)步才能來產(chǎn)品成本的下降DRAM技升級(jí)非常，需要持續(xù)的金投入以實(shí)現(xiàn)技術(shù)升，降低成本。

圖12DRAM場(chǎng)周期性波動(dòng)大

圖13DRAM技續(xù)升級(jí)半導(dǎo)體率

DRAM率110.0%200120082009201020112012201320142015韓國選取DRAM用財(cái)團(tuán)主的IDM式搶占地正是由于樣的發(fā)展特點(diǎn)業(yè)適合韓國財(cái)團(tuán)導(dǎo)的IDM式標(biāo)準(zhǔn)化程度高促進(jìn)市場(chǎng)趨于完競(jìng)爭(zhēng)，成本和技術(shù)成市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的主導(dǎo)因，韓國大財(cái)團(tuán)三、現(xiàn)代和LG的IDM展模式優(yōu)盡顯。憑借強(qiáng)大的資優(yōu)勢(shì)，韓國半導(dǎo)體商持續(xù)大規(guī)模投入逆勢(shì)擴(kuò)展產(chǎn)能形成規(guī)效應(yīng)，產(chǎn)品成本優(yōu)明顯；另一方，韓國為了搶占先初期采用全面術(shù)移植模式的基礎(chǔ)上用“官產(chǎn)學(xué)”行合作研發(fā)，極大得短了技術(shù)開發(fā)周期最快速度追趕際領(lǐng)先技術(shù)。而此，日本經(jīng)濟(jì)泡沫，無投寸晶圓廠，給韓的起飛帶來了機(jī)會(huì)韓國大財(cái)團(tuán)決策迅速國導(dǎo)業(yè)得到飛速發(fā)模1993年首度成為球DRAM產(chǎn)一上年先開發(fā)出256MDRAM益于亞洲金融機(jī)后的景氣回升國存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)一飛天，至今仍牢牢據(jù)絕對(duì)領(lǐng)先地位。圖14韓國用大財(cái)團(tuán)模發(fā)DRAM產(chǎn)

發(fā)

韓國大財(cái)團(tuán)IDM式

RAM256M搶先

韓國存儲(chǔ)芯雖起步晚于日本，但些恰好免于和美國直接競(jìng)爭(zhēng)，又日本衰退的時(shí)候趁崛起。同時(shí)，韓國的財(cái)團(tuán)模式使其存儲(chǔ)片行業(yè)不僅能御行業(yè)

低谷，更能勢(shì)擴(kuò)展，其崛起過程恰好經(jīng)歷了PC和手機(jī)兩輪的爆發(fā)，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)模在這過程中快速成。以此而言，韓國展存儲(chǔ)芯片可踩準(zhǔn)了每一個(gè)節(jié)奏才成就了今天的霸主位。PC動(dòng)ASIC發(fā)，臺(tái)灣創(chuàng)新圓代工模式ASIC在1980年出現(xiàn)ASIC得發(fā)展的根本因下需從轉(zhuǎn)向PC比產(chǎn)消電子制化度高。美大在化品如DRAM消費(fèi)品IC競(jìng)不日情況下，發(fā)揮美國在件技術(shù)，CAD技及創(chuàng)造性設(shè)計(jì)的傳統(tǒng)優(yōu)勢(shì)發(fā)力于。ASIC的解決了非標(biāo)準(zhǔn)化IC帶問題，讓IC設(shè)更便。得益于年公首先實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)了計(jì)算機(jī)助工程獨(dú)立的IC設(shè)司營運(yùn)而生類IC設(shè)司沒有自己工廠IC的FablessASIC的出現(xiàn)推動(dòng)IC產(chǎn)進(jìn)一步由IDM解為垂直分工形態(tài)IC設(shè)與制造分離。臺(tái)灣企業(yè)進(jìn)半導(dǎo)體生產(chǎn)的途徑，一是適逢美國無晶廠的設(shè)計(jì)公司的興，從代工(OEM工)起，本島及海外市，第一條切入途徑取成功。其二是以標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)為重點(diǎn)效日本和國以記憶體別為重心把競(jìng)爭(zhēng)能力集于投資規(guī)模，以及技、經(jīng)驗(yàn)的累積上，最終以失敗告終。第一條切入徑的成功與臺(tái)灣“半體教父”張忠謀發(fā)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)變化帶來商業(yè)機(jī)遇息息關(guān)張謀在年確地在IDMfabless之的盾到利基所在，在灣當(dāng)局的幫助下成立灣積體電路公司，為全世界第一家專的晶圓代工公創(chuàng)的半導(dǎo)體產(chǎn)模式IC制中核心的晶圓代工獨(dú)立出來，構(gòu)成球分工的一環(huán)。臺(tái)灣半導(dǎo)體崛關(guān)鍵在于從制造節(jié)切入，采用晶圓工的模式，符合臺(tái)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。臺(tái)于島內(nèi)市場(chǎng)狹，無力支撐產(chǎn)業(yè)成長實(shí)施外向型半導(dǎo)體展戰(zhàn)略，尋求際市場(chǎng)，選擇從生產(chǎn)造環(huán)節(jié)切入，通過圓代工，承接全球工合同，成功產(chǎn)業(yè)引入島內(nèi)并成功展壯大。同時(shí)，制分離可有效降低開半導(dǎo)體元件之金門檻，促成大量fabless型IC設(shè)公司開始茁，進(jìn)而達(dá)成設(shè)計(jì)、制造封測(cè)之完整的半導(dǎo)體業(yè)鏈，建立獨(dú)霸全的半導(dǎo)體制造基地而第二條切路徑的失敗使得臺(tái)與韓國走上不同的半導(dǎo)體發(fā)展之路，這不是灣自主選擇結(jié)果而是因?yàn)镈RAM不符臺(tái)灣競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)首先是金投入方面，產(chǎn)講術(shù)創(chuàng)新和規(guī)模經(jīng)濟(jì)，韓可憑借財(cái)團(tuán)雄厚的金實(shí)力促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展而以中小企業(yè)為主的灣廠商在籌資能力面遠(yuǎn)不及三星、現(xiàn)大財(cái)團(tuán)，因在和韓廠競(jìng)爭(zhēng)時(shí)始終于劣勢(shì)。其次是期性產(chǎn)業(yè)，撐得住因景循環(huán)造成的巨額虧損經(jīng)及1997年波價(jià)崩盤后，因營風(fēng)險(xiǎn)過大遂漸漸退此市場(chǎng)，寧可選擇率、風(fēng)險(xiǎn)皆較低的代工作為發(fā)方向。因們認(rèn)承接國能否選取符自身競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的切入，在產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移趨勢(shì)下自主抓住商業(yè)遇導(dǎo)業(yè)轉(zhuǎn)移中必不可少的一。

00000000001111111000000000011111113代醞半導(dǎo)？、智能手機(jī)時(shí)代美韓臺(tái)導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)地鞏固蘋果在年出，了智能手機(jī)的時(shí)代，智能手機(jī)的及率迅速上升。處器、ROM、基帶、頻、攝像頭、管理IC等片蓬勃發(fā)展處理器AP和與應(yīng)用和用戶體驗(yàn)息相關(guān)，每代產(chǎn)品都在不斷提射端則由于從2G逐級(jí)至全網(wǎng)通，單機(jī)的射頻需求量不斷增；手機(jī)手機(jī)進(jìn)入存量爭(zhēng)時(shí)代，拍照性能求不斷提高，要求不斷提高ISP先從中離內(nèi)到中因性能提升將ISP片獨(dú)立出來能機(jī)從增量時(shí)代逐漸入存量構(gòu)級(jí)續(xù)促進(jìn)半導(dǎo)體的發(fā)。我們認(rèn)為智手機(jī)終端市場(chǎng)帶動(dòng)的導(dǎo)體需求，首先最益的是美國設(shè)計(jì)公這從歷史中經(jīng)得到證明。高通公的成長史基本就對(duì)著全球智能手機(jī)行成長，2009-2014年能機(jī)快速成長，高通收也保持著相應(yīng)地強(qiáng)成長。圖15年智能手貨萬）圖162000-2016年通營收（億美元）1600

250%

3001400120010008006004002000

200%150%100%50%0%

250200150100500

-10%-20%002

102

202

302

402

502

602

702

802

902

002

102

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0002

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8002

9002

0102

1102

2102

3102

4102

5102

6102另外，智能機(jī)也造就了持續(xù)繁榮今天的韓國、臺(tái)灣導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。韓國存廠商三星和海士始終保持在全球龍的地位，臺(tái)灣則在IC設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)培育了科晶圓工環(huán)節(jié)培育了臺(tái)積電在環(huán)節(jié)培育了月矽全球舉足輕重的半導(dǎo)體商。在2016年球前大導(dǎo)體廠商中美國占了家，韓國占了家臺(tái)灣占了1家表12016全十大半導(dǎo)體司排名排序12345678910

公司Intel三星臺(tái)積電高通博通海力士美光TI東芝NXP

國家美國韓國臺(tái)灣美國新加坡韓國美國美國日本歐洲

銷售額（億元）

市場(chǎng)份額17%13%9%5%5%4%4%4%3%3%數(shù)據(jù)來源：IC，

2未來半體產(chǎn)業(yè)向大陸轉(zhuǎn)移是否是趨勢(shì)？我們?cè)诘诙械难芯堪l(fā)現(xiàn)，電子業(yè)新興終端市場(chǎng)的起都伴隨著半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)移電對(duì)應(yīng)的是半導(dǎo)體業(yè)從美國向日本的移PC崛形成了美國把控設(shè)計(jì)產(chǎn)移到韓國、晶圓代轉(zhuǎn)移到臺(tái)灣的全球業(yè)鏈分工這樣的歷史律來看，智能手機(jī)終市場(chǎng)的興起也極有能孕育著半導(dǎo)體產(chǎn)新一輪產(chǎn)業(yè)移。大陸積極布局半體，業(yè)界逐漸形成識(shí)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在向大陸轉(zhuǎn)移。業(yè)界對(duì)這一問題的分普遍停留在現(xiàn)象，不是深入到根本原我們?cè)诒竟?jié)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的象進(jìn)行分析，同時(shí)深入分析半導(dǎo)體產(chǎn)大陸轉(zhuǎn)移的本動(dòng)力是否存在。2.1、體投資升溫，產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移趨勢(shì)彰顯市場(chǎng)：本給不足，陸為半導(dǎo)體制造的投資地中國半導(dǎo)體需求旺盛，主要益于大陸智能手機(jī)終的興起，大陸智能品牌全球市場(chǎng)份持續(xù)提升2016年品牌智能手機(jī)出貨量達(dá)6.38球智能手機(jī)出量為億部。年智能手機(jī)品的市場(chǎng)份額已經(jīng)從2013年的提了，儼然已為全球最重要的智能機(jī)生產(chǎn)地，催生了半導(dǎo)體的強(qiáng)勁求。圖17陸能手機(jī)品牌全球市持續(xù)提升出貨

出貨

0

digitimes，從需求來看中國正成為全球最重的半導(dǎo)體市場(chǎng)。從地區(qū)市場(chǎng)占比16年中國消費(fèi)半導(dǎo)體價(jià)值已經(jīng)超過1千美元全量的了美國、歐洲和日本成為全球最大的市場(chǎng)從成長性來看，中半導(dǎo)體市場(chǎng)同增速持續(xù)高于全球今年月份中國半導(dǎo)體市的同比增速略超，歷史新高，且高出全球?qū)w市場(chǎng)增速將近個(gè)百分點(diǎn)。

圖18國導(dǎo)體市場(chǎng)增速遠(yuǎn)高億美元）圖19國體消費(fèi)球比提億美元）

占比

和其他

同比350300250

1000900800700

200150100500

-5%-10%

6005004003002001000

207226

243241235244254253238248

284305數(shù)據(jù)來源：SIA

數(shù)據(jù)來源：SIA而從供給來，中國地區(qū)晶圓制造能僅占全球10.8%；種需系顯失衡使得中國場(chǎng)成為半導(dǎo)體制造廠的“兵家必爭(zhēng)之地圖202016全球晶圓制造產(chǎn)能布（千/月，折圖212016年半體消費(fèi)市場(chǎng)分布（值，合成8寸

億美元），，

，，

647

和其他

，，

995，，105332%

327320數(shù)據(jù)來源：IC，

2925

數(shù)據(jù)來源：SEMI，本土供需失使得大陸正成為全球?qū)w制造投資的黃圣地SEMI預(yù)～2020年將有62座的圓入營運(yùn)座廠中，7座發(fā)用的晶圓晶廠均是產(chǎn)型廠房區(qū)陸年將有26座的圓入營運(yùn)新增晶圓廠比重高達(dá)美增晶圓廠有10座臺(tái)灣有9座均達(dá)陸地區(qū)新增晶廠房數(shù)量的一半。圖22、2017-2020年球增圓中在（座）86420數(shù)據(jù)來源：SEMI，

武漢(武新芯武漢(武新芯尤其是12寸廠紛紛向國祭出合作旗的策略本土廠商奮起直追。寸圓廠成為全球半體制造的軍：根IC計(jì)，年前寸(200mm)晶是IC制主流，但2008年12(圓就經(jīng)取而代之，年寸晶圓占據(jù)全球晶產(chǎn)能的比重已達(dá)2017年全球投入運(yùn)的55量產(chǎn)型晶圓廠外，有34座晶圓廠，測(cè)年12寸晶圓占據(jù)球晶圓產(chǎn)能的比重將加至。寸廠產(chǎn)能持續(xù)向國轉(zhuǎn)移：基于中國廣的市場(chǎng)，國際半導(dǎo)制造巨頭紛紛在中國設(shè)。大陸地區(qū)12寸圓廠現(xiàn)有產(chǎn)（按設(shè)計(jì)產(chǎn)能）為/月約占全球12寸圓產(chǎn)的有中自韓國廠商30%來陸本土廠商，10%自美國商，10%來臺(tái)灣廠商。表2大陸現(xiàn)有晶圓廠產(chǎn)能計(jì)廠商中芯國際中芯國際中芯國際華力微

地點(diǎn)北京北京上海上海

設(shè)計(jì)能（千片/月

生產(chǎn)項(xiàng)目晶圓代工晶圓代工晶圓代工晶圓代工漢新芯英特爾三星海聯(lián)電

武漢大連西安無錫廈門

NOR/NANDNandNandFlash晶工半導(dǎo)體制造能向大陸轉(zhuǎn)移已成為可逆轉(zhuǎn)的趨勢(shì)，轉(zhuǎn)的動(dòng)力一是來國際廠商持續(xù)在大設(shè)廠二大本廠政府和大基金支持下積投廠。目前在建的12寸圓廠共10條據(jù)現(xiàn)有規(guī)劃，達(dá)產(chǎn)后新增能65片/月有產(chǎn)的1.2倍增的寸產(chǎn)能中來自大陸圓廠9%來自臺(tái)灣晶廠3%美國晶圓廠。表3大陸在建12圓廠產(chǎn)能計(jì)廠商地

能

生產(chǎn)項(xiàng)目

投資金額

預(yù)計(jì)產(chǎn)進(jìn)中芯國際上

(千/晶代工

億元

中芯國際深華力微上4

圖像傳感器輯路

億元

底長江存儲(chǔ)NOR/Nand晉華集成泉6DRAM嵌入式

億美元億元

初投，預(yù)計(jì)/德科瑪淮

COS傳感芯片

億元紫光深

Flash+10k

億美元

工工臺(tái)積電力晶Globalfoundri

南京合肥重慶

一期：

晶工板動(dòng)晶圓代工（期：CMOS藝；二期：FD-SOI藝）

億元億元億美元

下半，一期：2018Q4投產(chǎn)；：2019Q4投產(chǎn)大金重資晶圓代工存儲(chǔ)，支持本土廠商起國家集成電產(chǎn)業(yè)基金簡稱為大基，于年式成立2015年底首募資規(guī)模將近億，2016承投資項(xiàng)目將近個(gè)，承諾投資額將近700。圖23、家成電路產(chǎn)業(yè)投資基大基金）的成立發(fā)展動(dòng)地方設(shè)立基國業(yè)》2014年6月

2014年月有

產(chǎn)業(yè)有限2014年月

2015年年

近407002016年年為率

1387.2隨著國家集電產(chǎn)業(yè)基金的投入中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)投資密，動(dòng)密業(yè)密型業(yè)而是轉(zhuǎn)接的常現(xiàn)根DRAMeXchange統(tǒng)大基金重點(diǎn)投資了集電路制造業(yè)，預(yù)計(jì)大金在集成電路制造環(huán)節(jié)投資額不低于總規(guī)模60%；比次高的是設(shè)計(jì)端，設(shè)端投資占比不低于規(guī)模的27%。家投入制端是因?yàn)橹圃焓钱a(chǎn)發(fā)展的基石，也是國家實(shí)半導(dǎo)體自給率快速提這一目標(biāo)的必然選。截止2016年年，國家大基金已經(jīng)資了國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)、制造、封測(cè)、設(shè)備大領(lǐng)域的龍，分別為紫光集團(tuán)、芯國際、長電科技中微半導(dǎo)體，投資為億民幣億港元億億民幣，總規(guī)模折合人幣約150億元。除了持龍頭企業(yè)外，大基在設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域扶持了一些特色企如設(shè)計(jì)端的斗（導(dǎo)航系統(tǒng)芯片納（打印機(jī)片端蘭8英寸產(chǎn)線光電（化合物半體產(chǎn)線在所有的投領(lǐng)域中，大基金未來重點(diǎn)推進(jìn)的有四大域，包括了半導(dǎo)體鏈中晶圓代的先進(jìn)制程級(jí)和存儲(chǔ)國產(chǎn)化兩大領(lǐng)域；外還包括了推進(jìn)半導(dǎo)體發(fā)展的兩大術(shù)手段，一是推進(jìn)高芯片聯(lián)盟的“產(chǎn)學(xué)用”融合；二是理與國際并購?fù)ㄟ^資本運(yùn)作的手段入國外的技術(shù)和人，推進(jìn)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展

圖24、基重點(diǎn)投資半導(dǎo)體制節(jié)

圖25、大基重點(diǎn)關(guān)注的四大領(lǐng)重視集成電路制造業(yè)推進(jìn)存儲(chǔ)器國產(chǎn)化建立高端芯片聯(lián)盟理性參與并購

?芯迅速形成規(guī)模產(chǎn)力?2/20nm、量，研10nm?局DFlash、DRAMXPOINT、PCRAMRRAM等技術(shù)?長存儲(chǔ)、福建晉、合肥、深圳存儲(chǔ)基地?涵產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)企、著名院校和究院所的聯(lián)盟，現(xiàn)“產(chǎn)學(xué)研”融合?是PUFPGA、存MEMORYAD/DA、傳感MEMS等品?乏濟(jì)技術(shù)強(qiáng)大的濟(jì)主體時(shí)，理參與國際并購，僅是資本運(yùn)，更要考慮產(chǎn)能否落地?cái)?shù)據(jù)來源：eXchange

根據(jù)大基金總經(jīng)理丁文武發(fā)言整理，2.2、業(yè)轉(zhuǎn)移的根本動(dòng)力看半導(dǎo)體能成功向大陸轉(zhuǎn)移新興終端孕著產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的根本原，一是技術(shù)的變化二是產(chǎn)業(yè)鏈的變化家從晶圓代和存儲(chǔ)兩個(gè)角度發(fā)展導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，能否成也主要是看能否抓促進(jìn)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移技術(shù)變化和產(chǎn)業(yè)鏈變這兩大商機(jī)。對(duì)存而言，主要是要住智能手機(jī)帶來3D技術(shù)升級(jí)需求；對(duì)晶圓工而言，產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)了利好大陸半導(dǎo)產(chǎn)業(yè)的變化——大廣闊的智能手機(jī)市場(chǎng)化出了大批的IC設(shè)公司，通過IC設(shè)孵化薄弱的制造環(huán)是未來的發(fā)展之重NANDFlash向3D，技術(shù)級(jí)放緩，提供中國道超車機(jī)存儲(chǔ)技發(fā)展到現(xiàn)在始處于放緩趨勢(shì)，一面是由于制程的提帶來價(jià)比下降，另一面是由于Flash發(fā)展陷了瓶頸，開始轉(zhuǎn)向3DFlash新技術(shù)的研時(shí)間較短，大部分的家還處于研發(fā)試驗(yàn)段，短期內(nèi)無法量。存儲(chǔ)芯片除要求速度提升，內(nèi)存大之外還需要關(guān)注能的穩(wěn)定性，制程帶來了速度提升，卻降低了存儲(chǔ)片的穩(wěn)定性。為了決穩(wěn)定性的問題同時(shí)適應(yīng)小體積等市場(chǎng)需求DH造術(shù)技發(fā)展DNANFLASH通增體硅層的辦法高位面積存儲(chǔ)密度善存儲(chǔ)單元性能。3DD不能加容量，也可以將成本在較低水平。整來看NAND比2Xnm級(jí)品量密度高，讀速度快，耗電量節(jié)省

1010圖263DNANDFlash技術(shù)后明顯成本Micron，，技起不中國追趕仍有會(huì)3DFlash技先者是三星，在年在西正式投產(chǎn)接存頭先后開始在進(jìn)行技術(shù)發(fā)止到2016年半依舊只有三星夠規(guī)?；慨a(chǎn)，且在3D品中市占率為61%，遙領(lǐng)先2016年半年，其他廠為了維持競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)相繼加大力度對(duì)進(jìn)投開始逐漸片在3D上一枝獨(dú)秀但是也僅僅領(lǐng)先業(yè)界2年右中廠過加大技術(shù)投和研發(fā)合作，追趕際主流技術(shù)。圖27球NAND3DNAND量進(jìn)度

圖2820163DNANDFlash三占體廠

3D

3D量產(chǎn)度

西安廠

161718b2b5b6M12M14IM大連廠

量產(chǎn)量產(chǎn)轉(zhuǎn)移及中動(dòng)量產(chǎn)量產(chǎn)

美光/英特爾26%東/閃迪海力士

三星61%國內(nèi)儲(chǔ)存陣基良好，技術(shù)進(jìn)展未展明國展陣長江存儲(chǔ)旗的武漢新芯基礎(chǔ)較好有一定的追趕基礎(chǔ)長江存儲(chǔ)是國家力發(fā)展儲(chǔ)存行業(yè)中心有10年閃存制造經(jīng)驗(yàn)納了經(jīng)驗(yàn)豐富的國際化理團(tuán)隊(duì)和大量的專儲(chǔ)備人才時(shí)參與全球化競(jìng)爭(zhēng)的知產(chǎn)權(quán)平臺(tái)備發(fā)3DFlash技基礎(chǔ)。武漢新芯采技術(shù)合作和專利授權(quán)可的方式快速切入Flash研發(fā)前研發(fā)進(jìn)展較順利。一方面，武新芯長期和中科院電子研究所通過產(chǎn)

度結(jié)合的模，展開Flash的合技術(shù)研發(fā)；另一方面武新芯和半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司簽訂NAND授協(xié)合動(dòng)NAND劃2017年底就能取得48層證，2018年量產(chǎn)。目前江存儲(chǔ)的層F產(chǎn)已經(jīng)成功實(shí)了工藝器件和電路計(jì)的整套技術(shù)驗(yàn)證過電學(xué)特性等項(xiàng)指標(biāo)測(cè)試預(yù)要求已樣品提以中國未來3DFlash技趕前景明朗NANDFlash成未來發(fā)展體或此趕據(jù)DRAMeXchange預(yù)年體NANDFlash產(chǎn)NANDFlash產(chǎn)重攀升至，年6%的速有顯著增長NANDFlash晚將于年超越整體Flash市場(chǎng)的一半來市場(chǎng)的主體至2020年中國整體Flash需求維持每年40%增長率憑借3DFlash的高增長，路趕超國際巨頭，實(shí)存儲(chǔ)行業(yè)的騰飛。大陸IC快崛起，有望帶動(dòng)制造國化IC計(jì)是大陸半體速最快的環(huán)節(jié)，產(chǎn)首次過封測(cè)業(yè)年IC設(shè)計(jì)產(chǎn)值為622億則達(dá)到了億合增長率為27.5%去裝業(yè)在中國導(dǎo)體產(chǎn)值中占比過半由于設(shè)計(jì)業(yè)增速明高于封測(cè)業(yè)，大陸體產(chǎn)值逐漸成了“設(shè)計(jì)—制造—封”兩頭大中間小結(jié)構(gòu)2016年，大陸封測(cè)業(yè)產(chǎn)值為億元，計(jì)第一超過了封測(cè)業(yè)。圖29國導(dǎo)體細(xì)分行業(yè)產(chǎn)值元

圖30、中半細(xì)分行業(yè)增速CSIA，

CSIA大陸IC設(shè)產(chǎn)值在球的比重也斷高2016首次超過臺(tái)大IC設(shè)產(chǎn)值在全球場(chǎng)的占有率逐步提升2009僅7.1%，2015年。根據(jù)CSIA數(shù)IC設(shè)產(chǎn)值在年首超過臺(tái)灣IC設(shè)業(yè)產(chǎn)值年紫光展銳手機(jī)芯片出貨量超過6億，全球占率約30%；期聯(lián)發(fā)科出貨量為億顆。海的“麒麟”芯片性能高通“驍龍”相當(dāng)成為華為高端智能機(jī)的差異競(jìng)爭(zhēng)特點(diǎn)。年的智能電視芯片到萬，比增長78%市占率約2016年大陸的海思營收聯(lián)發(fā)科；思和展銳均超過臺(tái)灣設(shè)計(jì)二大廠商聯(lián)詠。

圖31國IC計(jì)產(chǎn)業(yè)在全球比升

圖32、2016大設(shè)市場(chǎng)按售額占比，

ICInsights，時(shí)雖然中國是很的PC制基地，但中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)沒有受益于本土市起灣半體產(chǎn)業(yè)占了先機(jī)發(fā)大智手機(jī)時(shí)代，大陸同樣是強(qiáng)的制造基地，但與時(shí)不同，大陸目已經(jīng)孵化出了大量的IC設(shè)公，望制造環(huán)節(jié)，帶晶圓代工的發(fā)展。、關(guān)于承接產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移模的選擇問題①美創(chuàng)新領(lǐng)式從半導(dǎo)體軍時(shí)代—家電時(shí)代PC時(shí)—手機(jī)代家時(shí)被反超外，美國托創(chuàng)新始終引領(lǐng)著全半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展但由于美國制造能較差，創(chuàng)新產(chǎn)進(jìn)入成熟期后，需要助他國的資本、勞力和市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)，拓產(chǎn)品市場(chǎng)。美國通過創(chuàng)帶來的先發(fā)者優(yōu)勢(shì)，控著全球半導(dǎo)體產(chǎn)鏈中附加值最的環(huán)節(jié)—IC計(jì)和半導(dǎo)體高端備，在每個(gè)時(shí)代都生了全球最頂尖的導(dǎo)體公司：如軍工時(shí)代德州儀器PC時(shí)的英特爾智能手機(jī)時(shí)代的高。②日吸自主創(chuàng)新模式日的起先源自府的“官產(chǎn)學(xué)”推以及美國的持，承接了美軍半導(dǎo)體后，看了產(chǎn)業(yè)輪動(dòng)和經(jīng)濟(jì)切，民用市場(chǎng)需求不打開，成功地用在戰(zhàn)后興盛起來家用電器承接DRAM產(chǎn)日的成功離不開內(nèi)生金人才以及外部持、技術(shù)引進(jìn)，消化收前人的積累，開新市場(chǎng)并且自主創(chuàng)這是最強(qiáng)的發(fā)崛起模式。在日本陷入濟(jì)困境時(shí)，美國進(jìn)行壞性創(chuàng)新重回半導(dǎo)霸主行業(yè)，過于依吸收美國技并消化的日本，此時(shí)成為美國的主要競(jìng)對(duì)手，自身又無力持續(xù)地大規(guī)投資。由于產(chǎn)品的單性和技術(shù)及成本優(yōu)的喪失，日本很快半導(dǎo)體衰退。目前日本致力于技創(chuàng)新，力求轉(zhuǎn)型。③韓中式展牌超越戰(zhàn)略

韓國模式最著的特點(diǎn)是抓住利基場(chǎng)、集國家力量充發(fā)揮競(jìng)爭(zhēng)力，養(yǎng)核心優(yōu)勢(shì)業(yè)波動(dòng)的供需占市場(chǎng)主導(dǎo)地位有表性的便是行業(yè)。韓國日本衰退時(shí)期，抓住遇，投8晶圓廠并培育出寡頭三星、力士等廠商。韓國這種自而下、投資主導(dǎo)的模，由大財(cái)團(tuán)、大企主導(dǎo)，優(yōu)點(diǎn)在于集量辦大事，造出知名品牌。但韓模式的局限也正是此，資本過于集中儲(chǔ)器，韓國導(dǎo)體產(chǎn)值80%以來存半導(dǎo)體，非存儲(chǔ)型半的國產(chǎn)化率只有左。存市場(chǎng)景氣的時(shí)候韓國半導(dǎo)體成績十靚麗。但在存儲(chǔ)器不景氣時(shí)，類半導(dǎo)體行業(yè)離不開大的資本實(shí)力來渡寒冬。④灣—國，發(fā)展晶圓代模式灣模式是基臺(tái)灣有限的內(nèi)需市場(chǎng)，發(fā)展外型經(jīng)濟(jì)為主導(dǎo)。臺(tái)積華電子為代表的廠，開創(chuàng)晶圓代工模，促進(jìn)原有的產(chǎn)業(yè)分工，深深嵌全球市場(chǎng)，成為美乃至全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不可或缺的一個(gè)環(huán)。本質(zhì)上而言臺(tái)灣模式是通過改變有半導(dǎo)體企業(yè)經(jīng)營式，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈利重配，從全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中分一杯，并培育出實(shí)力不小覷的代工廠、封廠和設(shè)計(jì)商，成獨(dú)特競(jìng)爭(zhēng)力，僅臺(tái)電一家獲取了晶圓工行業(yè)的利潤。臺(tái)灣從晶圓代入手通過晶圓廠漸培育相關(guān)的產(chǎn)業(yè)群化IC計(jì)帶動(dòng)下游封測(cè)。聯(lián)發(fā)科及聯(lián)詠正是聯(lián)電向純粹代工廠型過程中先后剝出來的設(shè)計(jì)商，月光和矽品，則成為大的封測(cè)廠。圖33種展模式對(duì)比

DRAM

最產(chǎn)1970-1990代

1990年-

最產(chǎn)1990年-代數(shù)據(jù)來源：中國最初選了與臺(tái)灣相似的半導(dǎo)產(chǎn)業(yè)發(fā)展模式，臺(tái)模式簡單地說是建一個(gè)服務(wù)模，先啟晶工業(yè)務(wù)包積(TSMC)和華電(UMC)等公司，作航空母艦。與此同時(shí)發(fā)展與增值服務(wù)有的業(yè)務(wù)，范圍覆蓋了設(shè)計(jì)服務(wù)、封、設(shè)計(jì)維修和晶圓級(jí)試公司等。然后這母艦再孵化出眾多IC設(shè)計(jì)公司——形“艦隊(duì)設(shè)、制造、封裝完整的半導(dǎo)產(chǎn)業(yè)鏈。對(duì)中國而言臺(tái)灣模式是一個(gè)很好切入點(diǎn)，因?yàn)榇箨憣?dǎo)體產(chǎn)業(yè)的很多情當(dāng)時(shí)的臺(tái)灣似，如從勞動(dòng)密集型封裝起步，政府推力度強(qiáng)，采用研結(jié)合

的模式等。鑒臺(tái)灣發(fā)展模式，目已取得初步成果，圓代工環(huán)節(jié)大已經(jīng)培育出了中芯際12和8晶圓廠的產(chǎn)能中際份額都身前十。圖34、芯際產(chǎn)能市場(chǎng)份額排全球寸晶圓廠產(chǎn)能排全8寸廠產(chǎn)能排

全球6寸圓產(chǎn)進(jìn)入前

TSMC*

TI

Hynix

Micro

UMC

Intel*

TI數(shù)據(jù)，

臺(tái)灣使用這模式花了15年得芯片的費(fèi)和生產(chǎn)達(dá)到均衡事務(wù)部領(lǐng)導(dǎo)的臺(tái)灣亞米項(xiàng)目是從年始的助灣建立起了英的晶圓設(shè)計(jì)和制造術(shù)，進(jìn)而推動(dòng)了臺(tái)灣導(dǎo)體行業(yè)的投資增，臺(tái)灣半體出口量終于過了總的進(jìn)口量。圖35、逐步成長為全球的半制基地單位：十億美元

設(shè)計(jì)制造司臺(tái)灣創(chuàng)意電子和智原科發(fā)展壯大臺(tái)IC口超過總進(jìn)口量

日月光代表的臺(tái)灣IC封裝測(cè)試公，位列世界第一IC制球金融海嘯業(yè)模型風(fēng)靡球

(E)

由臺(tái)積電化出聯(lián)發(fā)科等眾IC計(jì)公司

臺(tái)灣亞微米項(xiàng)目啟動(dòng)，自擁有8寸

全球互聯(lián)網(wǎng)沫

的晶圓設(shè)計(jì)制造技術(shù)

立交通大學(xué)臺(tái)灣一家導(dǎo)體廠

聯(lián)華電子積電成立，立，開I貨供專I制造服務(wù)美R公司技術(shù)轉(zhuǎn)移

亞洲金融危機(jī)63

19791991199520052009中國學(xué)習(xí)臺(tái)模式過代工和封的旗艦聯(lián)盟一化IC設(shè)對(duì)中

儲(chǔ)芯儲(chǔ)芯國這樣的大代工角度切入不夠的灣用一花了才得芯片的消費(fèi)生產(chǎn)達(dá)到均衡。中國樣一個(gè)大國，芯片費(fèi)已經(jīng)占全球的3上，與臺(tái)灣土市場(chǎng)狹小有著質(zhì)的別，依靠“代工”一條腿走路道且長。學(xué)習(xí)韓國模則可以緩解“大國之揮大國之韓國是通過儲(chǔ)切入半導(dǎo)體領(lǐng)域的我們前面分析臺(tái)灣國走上不同的半導(dǎo)發(fā)展之路，是臺(tái)灣主選擇，是因?yàn)镈RAM

不符臺(tái)灣競(jìng)爭(zhēng)勢(shì)。先是資金投入面，DRAM業(yè)講求技術(shù)創(chuàng)新和規(guī)經(jīng)濟(jì)，韓國可憑借團(tuán)雄厚的資金實(shí)力促產(chǎn)業(yè)發(fā)展，而以中小業(yè)為主的臺(tái)灣廠商籌資能力方面遠(yuǎn)不及三星、現(xiàn)代大財(cái)團(tuán)。其次周期產(chǎn)業(yè)，需要能撐得因景氣循環(huán)造成的巨額虧在經(jīng)過1997年波價(jià)盤后經(jīng)險(xiǎn)過大遂漸漸出此市場(chǎng)，寧可選擇率、風(fēng)險(xiǎn)皆較低的圓代工作為發(fā)展方而中國這樣個(gè)大國，資金實(shí)力雄、政府支持半導(dǎo)體廠建設(shè)，不存在臺(tái)領(lǐng)的爭(zhēng)勢(shì)此D是大陸競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)的，是另一個(gè)實(shí)半導(dǎo)體國產(chǎn)化好的切入點(diǎn)。國家大力投存儲(chǔ)芯片圓代工存儲(chǔ)芯片兩條腿走合國和臺(tái)灣經(jīng)，這一模式符中國的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，中半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起的度大概率超過年的臺(tái)灣和韓國。表4國儲(chǔ)芯片投資情況企業(yè)三星海力士英特爾長江存紫光國長鑫晉華

地點(diǎn)西安無錫大連武漢北京合肥泉州

產(chǎn)能原原60k60k

投資額43億美元36億美元55億美元240美元600元494元億美元

量產(chǎn)時(shí)間2018H220102018H22018H2

項(xiàng)目3DFlash，二期存儲(chǔ)器3DFlash3DFlash存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器、總結(jié)：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)深入，國產(chǎn)化良將至半導(dǎo)體制造中國轉(zhuǎn)移，中國半導(dǎo)產(chǎn)業(yè)正從勞動(dòng)密集向資本密集型轉(zhuǎn)變隨著電子產(chǎn)新興終端的興起先的是美國卡位IC設(shè)第次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移除外因?yàn)楫a(chǎn)業(yè)鏈尚未形成確分工，設(shè)計(jì)、制和封測(cè)一體化國的生產(chǎn)能力直是弱項(xiàng)，因而催生制造和封測(cè)環(huán)節(jié)向轉(zhuǎn)移的原動(dòng)力，其家迎來半導(dǎo)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的機(jī)遇。半體產(chǎn)業(yè)變遷的歷史本是這一規(guī)律的演。日本從裝配家，引入美國半導(dǎo)體術(shù)，并整合進(jìn)家電品中。家電市崛起，抓住這一機(jī)的日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迅崛起場(chǎng)崛起先益的是英特爾等IC設(shè)公，國灣分別抓住了儲(chǔ)和晶