GB/T 41852-2022半導(dǎo)體器件微機(jī)電器件MEMS結(jié)構(gòu)黏結(jié)強(qiáng)度的彎曲和剪切試驗(yàn)方法

ICS3108099

CCSL5.5.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T41852—2022/IEC62047-132012

:

半導(dǎo)體器件微機(jī)電器件MEMS結(jié)構(gòu)

黏結(jié)強(qiáng)度的彎曲和剪切試驗(yàn)方法

Semiconductordevices-Micro-electromechanical

devices—Bend-andshear-typetestmethods

ofmeasuringadhesivestrengthforMEMSstructures

IEC62047-132012Semiconductordevices—Micro-electromechanical

(:,

devices—Part13Bend-andshear-tetestmethodsof

:yp

measurinadhesivestrenthforMEMSstructuresIDT

gg,)

2022-10-12發(fā)布2022-10-12實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T41852—2022/IEC62047-132012

:

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

試驗(yàn)方法

4…………………1

通則

4.1…………………1

數(shù)據(jù)分析

4.2……………3

試驗(yàn)設(shè)備

5…………………4

通則

5.1…………………4

執(zhí)行器

5.2………………4

測(cè)力傳感器

5.3…………………………4

校準(zhǔn)系統(tǒng)

5.4……………4

記錄儀

5.5………………4

試樣

6………………………4

試樣設(shè)計(jì)

6.1……………4

試樣制備

6.2……………5

試驗(yàn)條件

7…………………5

安裝方法

7.1……………5

試驗(yàn)速度

7.2……………5

試樣校準(zhǔn)

7.3……………5

試驗(yàn)環(huán)境

7.4……………6

試驗(yàn)報(bào)告

8…………………6

附錄資料性技術(shù)背景

A()………………7

參考文獻(xiàn)

……………………10

GB/T41852—2022/IEC62047-132012

:

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件等同采用半導(dǎo)體器件微電子機(jī)械器件第部分結(jié)構(gòu)粘

IEC62047-13:2012《13:MEMS

附強(qiáng)度的彎曲和剪切試驗(yàn)方法

》。

本文件做了下列最小限度的編輯性改動(dòng)

:

為與現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)協(xié)調(diào)將標(biāo)準(zhǔn)名稱改為半導(dǎo)體器件微機(jī)電器件結(jié)構(gòu)黏結(jié)強(qiáng)度的彎

a),《MEMS

曲和剪切試驗(yàn)方法

》;

增加了公式中l(wèi)和D的解釋

b)(1)“c”“”;

增加了附錄中圖的標(biāo)引符號(hào)說(shuō)明

c)A。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國(guó)微機(jī)電技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC336)。

本文件起草單位中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所河北美泰電子科技有限公司中機(jī)生產(chǎn)力

:、、

促進(jìn)中心有限公司紹興中芯集成電路制造股份有限公司武漢飛恩微電子有限公司江蘇紫心新材料

、、、

研究院有限公司寧波志倫電子有限公司

、。

本文件主要起草人李倩王偉強(qiáng)李根梓顧楓單偉中周嘉李志東崔波武亞宵田松杰

:、、、、、、、、、、

李凡亮潘安宇茅曙

、、。

Ⅰ

GB/T41852—2022/IEC62047-132012

:

半導(dǎo)體器件微機(jī)電器件MEMS結(jié)構(gòu)

黏結(jié)強(qiáng)度的彎曲和剪切試驗(yàn)方法

1范圍

本文件規(guī)定了利用柱狀試樣測(cè)量微尺寸單元與襯底間黏結(jié)強(qiáng)度的試驗(yàn)方法本文件適用于對(duì)襯底

。

上寬度和厚度分別介于的微結(jié)構(gòu)進(jìn)行黏結(jié)強(qiáng)度測(cè)試

1μm~1mm。

器件的微尺寸單元是由通過(guò)淀積電鍍涂膠光刻等工藝在襯底上制作出的層疊精細(xì)薄膜

MEMS、、、

圖形組成的器件包含大量不同材料間的界面在制造或使用過(guò)程中這些界面偶爾會(huì)發(fā)生分

。MEMS,

層連接界面處的材料結(jié)合性決定了黏結(jié)強(qiáng)度此外界面附近的缺陷和殘余應(yīng)力會(huì)隨工藝條件的變化

。,,

而變化極大地影響?zhàn)そY(jié)強(qiáng)度本文件規(guī)定了微尺寸單元的黏結(jié)強(qiáng)度試驗(yàn)方法以便于優(yōu)選器

,。,MEMS

件的材料和工藝條件

。

由于組成器件的材料和尺寸范圍非常廣泛用于測(cè)量微尺寸單元的儀器也未被全面推廣

MEMS,,

本文件沒(méi)有對(duì)試樣的材料尺寸和性能做出特別限制

、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導(dǎo)體器件微機(jī)電器件第部分薄膜材料的拉伸試驗(yàn)方法

IEC62047-2:20062: