第二部分 光電材料的光致原理

第二部分

光電材料的光致原理主要內(nèi)容2.1光致效應2.2光電效應2.2.1光電導效應2.2.2光生伏特效應2.2.3光電子發(fā)射效應2.2.4光磁電效應2.2.5光子牽引效應2.3熱電效應2.3.1溫差電效應2.3.2測輻射熱計效應2.3.3熱釋電效應2.1光致效應分為光電效應和熱電效應光電效應分為：光電導效應、光生伏特效應、光電子發(fā)射效應、光磁電效應以及光子牽引效應熱電效應分為：熱電偶效應、測輻射熱計效應以及熱釋電效應2.2光電效應當光照射到物體上使物體發(fā)射電子、或電導率發(fā)生變化、或產(chǎn)生光電動勢等，這種因光照而引起物體電學特性的改變統(tǒng)稱為光電效應。光電效應分為兩大類：內(nèi)外電效應，物質受到光照后所產(chǎn)生的光電子只在物質內(nèi)部運動而不會逸出物質外部的現(xiàn)象，這種現(xiàn)象多發(fā)生于半導體內(nèi)，內(nèi)光電效應又可分為光電導效應和光生伏特效應。外光電效應，物質受到光照后向外發(fā)射電子的現(xiàn)象，光電子發(fā)射效應就屬于這一類，多發(fā)生于金屬和金屬氧化物。2.2.1光電導效應（自由）載流子：導帶中的電子和價帶中的空穴熱平衡載流子：熱激發(fā)和復合作用非平衡載流子或光生載流子：光輻射作用光電導效應是指半導體受光照射后，其內(nèi)部產(chǎn)生光生載流子，使半導體中載流子數(shù)顯著增加而電阻減小的現(xiàn)象。分為本征光電導效應和非本征（雜質）光電導效應2.2.1光電導效應對于本征半導體：無光照時，暗電導率為：0=e(n0n+p0p)n0、p0：電子和空穴的濃度，n、p：電子和空穴的遷移率n=nL/Vp=pL/Vn、p：電子和空穴的漂移速率則暗電阻R0=L/A0，則暗電導g0=A0/L2.2.1光電導效應有光照時，在原來無光照的基礎上增加n和p

，故：

=e(nn+pp)則電導增量（半導體的光電導）為：g=A/L產(chǎn)生光電導效應的條件：

hEg

或hc/Eg

頻率，波長，c光速，h普朗克常數(shù)，Eg禁帶寬度2.2.1光電導效應對于非本征光電導效應，它是入射光輻射激發(fā)非本征半導體中雜質能級上的束縛態(tài)電子或空穴而產(chǎn)生光生載流子，使電導率發(fā)生變化。存在一個多數(shù)載流子的問題。則n=e(nn)(n型)

，p=e

(pp)(p型)

則gn=An/L(n型)

，gp=Ap/L(p型)

hc/Ei

雜質電離能Ei遠小于Eg2.2.1光電導效應的弛豫現(xiàn)象就是光輻射入射到本征或非本征半導體材料上，開始時隨著時間的增加光生載流子逐漸增多，經(jīng)過一定時間后，載流子濃度才逐漸趨于一穩(wěn)定值。此后，若突然遮斷入射的光輻射，光生載流子并不立即下降到照射前的水平，而是經(jīng)過一定時間才趨于照射前的水平，這一現(xiàn)象就叫光電導效應的弛豫現(xiàn)象。2.2.1光電導效應的弛豫現(xiàn)象建立穩(wěn)定的光生載流子濃度或停止輻射后下降到入射前的水平所需要的時間叫光電導的弛豫時間或時間常數(shù)。2.2.1光電導效應的靈敏度通常指在一定條件下，單位照度所引起的光電流，表示一定光強下光電流的強弱，可以用光電增益G表示。

G=/tL

其中tL=L2/U即G=U/L2其中l(wèi)是光電導體兩極間距，為遷移率，U為外加電源電壓，為光生載流子壽命，為量子產(chǎn)額。2.2.2

光生伏特效應光生伏特效應是指光照射在半導體PN結或金屬-半導體接觸上時，會在PN結或金屬-半導體接觸的兩側產(chǎn)生光電動勢的現(xiàn)象。發(fā)生在不同半導體形成的PN結、PIN結、金屬和半導體的肖特基勢壘以及異質勢壘等。內(nèi)建電場的理解：以為例，擴散，漂移零偏狀態(tài)，正向偏置，反向偏置pn2.2.2光生伏特效應光生伏特效應的產(chǎn)生條件：兩個光電流的產(chǎn)生過程光電流Ip正向電壓產(chǎn)生的電流I+總電流I=I+-Ippn2.2.3光電子發(fā)射效應在頻率為的光輻射作用下，處于真空或其他介質中的物質吸收光子能量后，其動能增加，在向表面運動的電子中有一部分電子能量較大，除在途中由于與晶格或其他電子碰撞而損失部分能量外，尚有足夠的能量足以克服物質表面的逸出功W，穿出表面進入真空或其他介質中，這一現(xiàn)象就叫光電子發(fā)射效應。具有光電子發(fā)射效應的材料叫光電子發(fā)射體。2.2.3光電子發(fā)射效應光電子發(fā)射服從的基本定律：斯托列托夫定律（光電發(fā)射第一定律）：發(fā)射的光電流（光電子數(shù)）與入射光強（或光通量）成正比。

IK=SK愛因斯坦定律（光電發(fā)射第二定律）：入射光頻率增加時，從材料表面逸出的光電子的最大動能也成比例增加，而與入射光強無關。

1/2mv2m=h-W2.2.3光電子發(fā)射效應光電子發(fā)射過程的幾個階段：三個對于金屬或合金：逸出功是常數(shù)，只能用于可見光和紫外光的光電子發(fā)射探測器。對于半導體：由于摻雜的影響，半導體的費米能級的位置在變化，故它的逸出功不是常數(shù)，應用范圍可擴展到近紅外波段。2.2.4光磁電效應將半導體樣品置于磁場中，磁場方向與光輻射方向和樣品上兩電極連線垂直，能量足夠的光子垂直入射到半導體樣品上，通過本征吸收而產(chǎn)生電子-空穴對。由于材料的吸收作用，光強隨著進入材料的深度呈指數(shù)規(guī)律下降，所以在半導體樣品內(nèi)形成光生載流子濃度梯度，于是光生載流子將從濃度大的表面向濃度小的體內(nèi)擴散，在擴散過程中光生載流子切割磁力線，由于帶相反電荷的電子和空穴朝相同的方向運動以及磁場產(chǎn)生的洛侖茲力的作用，電子和空穴分別向樣品的兩端偏轉，于是在樣品兩端產(chǎn)生累積電荷，從而建立起一個電場，由于這個電場是光和磁同時作用產(chǎn)生的，故稱為光磁電效應。2.2.5光子牽引效應由于光子具有動量，在半導體中傳播的光子與材料中的自由載流子碰撞發(fā)生動量傳遞，載流子從光子那里獲得動量，受到有效的推動。在開路條件下，半導體樣品內(nèi)將建立一個縱向電場以阻止載流子的運動，半導體樣品兩端便產(chǎn)生一個電壓。這種現(xiàn)象就叫光子牽引效應。由于這一效應不涉及載流子的產(chǎn)生復合過程，所以響應速度快。2.3熱電效應物質的某些特性隨著入射光輻射的加熱作用所引起的溫度變化而變化的現(xiàn)象，叫熱電效應。包括溫差電效應、測輻射熱計效應、熱釋電效應等2.3.1溫差電效應當由兩種不同材料制成的兩個結點出現(xiàn)溫差時，在該兩點間就有電動勢產(chǎn)生，通過這兩點的閉合回路中就有電流流過，這個現(xiàn)象就叫溫差電效應。它包括塞貝克效應、珀耳帖效應和湯姆遜效應。一、塞貝克效應當由兩種不同的導體或半導體組成閉合回路的兩個結點置于不同的溫度時，在兩個結點之間就產(chǎn)生一個電動勢，這個電動勢在閉合回路中引起電流，這個現(xiàn)象就叫塞貝克效應。

V12=a12Ta12為塞貝克系數(shù)，表示單位溫差所產(chǎn)生的電動勢的凈增量。二、珀耳帖效應當由兩種不同材料的導體或半導體構成的電路中通過電流時，在兩個結點處就會有熱交換進來或交換出去，熱交換速率與通過的電流成正比，這種現(xiàn)象就叫珀耳帖效應。熱交換率與通過的電流I之間的關系：

dQp/dt=12I12珀耳帖系數(shù)，表示單位電流在單位時間通過結點時該結點吸收或放出的熱。12為正，且電流為正時，表示放出熱量，電流為負時，表示吸收熱量。12為負時，相反。三、湯姆遜效應在單一均質導體或半導體中存在著與珀耳帖效應相同的現(xiàn)象，如果通有電流的材料有溫差存在，也就是說，當電流通過具有一定溫度提督的均質導體或半導體時，就會可逆地吸收熱量或放出熱量，這一現(xiàn)象就叫湯姆遜效應。

Q=12IdT/dt12湯姆遜系數(shù)，表示單位溫差通過單位電流吸熱或放熱的速率。2.3.2測輻射熱計效應入射光輻射的加熱作用引起材料電阻率變化的現(xiàn)象稱為測輻射熱計效應。用電阻溫度系數(shù)TCR來表示材料電阻與溫度的關系。

TCR=dR/RdTTCR與材料的種類和溫度有關，它是描述測輻射熱計材料的電阻值對溫度變化靈敏程度的基本參數(shù)。2.3.2測輻射熱計效應對于金屬（電阻與溫度成正比）：

TCR=B/TB比例系數(shù)，金屬的TCR為正。對于半導體：

TCR=-B/T2B=3000K，半導體的TCR為負。2.3.3熱釋電效應某些物質吸收光輻射后將其轉換成熱量，這個熱量使晶體的溫度升高，溫度的變化又改變了晶體內(nèi)晶格的間距，這就引起在居里溫度以下存在的自發(fā)極化強度的變化，從而在晶體的特定方向上引起表面電荷的變化，這就是熱釋電效應。目前有32種晶類，其中有20種是壓電晶類，其中的10種具有自發(fā)極化特性。叫極性晶類。2.3.3熱釋電效應對于極性晶體，即使外加電場和應力均為零，晶體內(nèi)正負電荷中心不重合，具有一定的電矩，也就是說晶體本身具有自發(fā)極化特性，所以單位體積