GB/T 4377-1996半導體集成電路電壓調(diào)整器測試方法的基本原理

ICS31.200L56中華人民共和國國家標準GB/T4377-1996半導體集成電路電壓調(diào)整器測試方法的基本原理SemiconductorintegratedcircuitsGeneralprinciplesofmeasuringmethodsofvoltageregulator1996-07-09發(fā)布1997-01-01實施國家技術監(jiān)督局發(fā)布

次主題內(nèi)容與適用范圍引用標準3電特性測試………4.1電壓調(diào)整率Sv和電壓穩(wěn)定系數(shù)Sv。4.2電流調(diào)整率S，和電流穩(wěn)定系數(shù)S。4.3紋波抑制比Sm4.4輸出電壓溫度系數(shù)Sr4.5輸出電壓長期穩(wěn)定性S.4.6輸出噪聲電壓VNo·4.7備用消耗電流/o和備用消耗電流變化o4.8短路電流1os…4.9出阻抗Zo4.10基準電壓VREF4.11啟動電壓范圍Vor4.12熱調(diào)整率S?！?.13最小輸入輸出壓差I，-Volcma4.14入電壓變化瞬態(tài)響應時間和輸入電壓變化瞬態(tài)過沖電壓V14“.15負載電流交化瞬態(tài)響應時間和負教電流變化瞬態(tài)過沖電壓Vm"o，

中華人民共和國國家標準半導體集成電路電壓調(diào)整器測試方法的基本原理GB/T4377-1996Semiconductorintegratedcircuits代替GB4377-84Generalprinciplesofmeasuringmethodsofvoltageregulator主題內(nèi)容與適用范圍本標準規(guī)定了半導體集成電路電壓調(diào)整器(以下簡稱器件)電特性測試方法的基本原理本標準適用于半導體集成電路電壓調(diào)整器電特性的測試，不適用于雙端（單端口)器件。引用標準GB3431.1半導體集成電路文字符號電參數(shù)文字符號總的要求37在所有測試期間，應注意查明沒有寄生振蕩出現(xiàn)、3.2偷入電源對測試中所使用的信號頻率應基本上具有零阻抗。3.3應避免不希塑有的瞬態(tài)輸入電壓和電流。3.4如果測試結果由熱效應影響，則測試應在短時間內(nèi)完成。例如，推薦脈沖法，在這種情況中，應規(guī)定脈沖條件。3.5所有測試設備應僅引入忽略不計的誤差。上述適用于靜態(tài)測試和動態(tài)測試3.6相對于被測電壓差，輸出電壓測試設備應必須具有滿足要求的靈敏度。相適應的方法即是輸出電壓Vo與高穩(wěn)定預調(diào)基準電壓Vaer相比較。然后Vo與Veer之差被檢測和放大，最好采用增益穩(wěn)定放大3.7若無特殊說明,在器件測試期間，環(huán)境或參考點溫度偏離規(guī)定值的范圍應符合詳細規(guī)范的規(guī)定.3.8被測器件與測試系統(tǒng)連接或斷開時，不應超過器件的使用極限條件。3.9測試期間，被測器件應連接詳細規(guī)范所規(guī)定的附加網(wǎng)絡。3.10圖1為總測試電路，圖2～圖16為圖1分解后各參數(shù)的測試電路。3.1