GB/T 33922-2017MEMS壓阻式壓力敏感芯片性能的圓片級試驗(yàn)方法

ICS31200

L55.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T33922—2017

MEMS壓阻式壓力敏感芯片性能的

圓片級試驗(yàn)方法

WaferleveltestmethodsforMEMSpiezoresistivepressure-sensitive

dieperformances

2017-07-12發(fā)布2018-02-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T33922—2017

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

試驗(yàn)條件

4…………………1

大氣條件

4.1……………1

電磁條件

4.2……………2

振動條件

4.3……………2

測試系統(tǒng)

4.4……………2

試驗(yàn)的一般規(guī)定

5…………………………2

證書文件

5.1……………2

預(yù)熱時(shí)間

5.2……………2

連接方式

5.3……………2

試驗(yàn)內(nèi)容和方法

6…………………………2

試驗(yàn)準(zhǔn)備

6.1……………2

電阻

6.2…………………2

常壓輸出

6.3……………3

靜態(tài)性能試驗(yàn)

6.4………………………4

溫度性能試驗(yàn)

6.5………………………7

Ⅰ

GB/T33922—2017

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國微機(jī)電技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC336)。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草單位北京大學(xué)中機(jī)生產(chǎn)力促進(jìn)中心北京必創(chuàng)科技股份有限公司中國電子科

:、、、

技集團(tuán)公司第十三研究所中北大學(xué)

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人張威程紅兵陳得民李海斌崔波石云波朱悅

:、、、、、、。

Ⅲ

GB/T33922—2017

MEMS壓阻式壓力敏感芯片性能的

圓片級試驗(yàn)方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了壓阻式壓力敏感芯片簡稱壓力敏感芯片的術(shù)語和定義試驗(yàn)條件試驗(yàn)的

MEMS()、、

一般規(guī)定試驗(yàn)內(nèi)容和方法

、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于閉環(huán)和開環(huán)壓阻式壓力敏感芯片性能的圓片級試驗(yàn)

MEMS。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

GB/T2828.11:(AQL)

半導(dǎo)體器件第部分半導(dǎo)體傳感器壓力傳感器

GB/T2052214-3:———

微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)術(shù)語

GB/T26111(MEMS)

3術(shù)語和定義

和界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T20522GB/T26111。

31

.

壓阻式壓力敏感芯片piezoresistivepressure-sensitivedie

采用技術(shù)在硅襯底上制造腔膜結(jié)構(gòu)在膜上制作半導(dǎo)體電阻并組成惠斯通電橋利用半導(dǎo)

MEMS,,

體的壓阻效應(yīng)實(shí)現(xiàn)將壓力信號轉(zhuǎn)化為電信號的芯片

。

32

.

閉環(huán)壓阻式壓力敏感芯片closedlooppiezoresistivepressure-sensitivedie

惠