GB/T 26067-2010硅片切口尺寸測試方法

ICS29045

H17.

中華人民共和國國家標準

GB/T26067—2010

硅片切口尺寸測試方法

Standardtestmethodfordimensionsofnotchesonsiliconwafers

2011-01-10發(fā)布2011-10-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T26067—2010

前言

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位有研半導體材料股份有限公司萬向硅峰電子股份有限公司

:、。

本標準主要起草人杜娟孫燕盧立延樓春蘭

:、、、。

Ⅰ

GB/T26067—2010

硅片切口尺寸測試方法

1范圍

11本標準定性的提供了判定硅片基準切口是否滿足標準限度要求的非破壞性測試方法本方法的

.。

測試原理同樣適用于其他切口尺寸的測量

。

12本標準中物體平面尺寸為時通過倍的放大后會在投影屏上形成的影像通

.0.1mm,202.0mm,

過倍放大后會產(chǎn)生的投影本方法可以發(fā)現(xiàn)切口輪廓上的最小尺寸細節(jié)

505.0mm。。

13本標準不提供切口頂端的曲率半徑的測試

.。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

計數(shù)抽樣檢驗程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T2828.11:(AQL)

半導體材料術語

GB/T14264

3術語和定義

界定的術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法概述

41本方法是利用一系列輪廓模板在顯示屏上的投影與載物臺上的待測硅片的切口投影相比較從而

.,

得到待測硅片的切口是否滿足規(guī)定要求

。

42使硅片切口邊緣的投影與定位硅片位置的定位銷投影相切此時切口底部的投影應位于或者低

.。,

于切口和深度模板的一條已設定基準線并且硅片邊緣的投影位于或高于輪廓板上的另外一條基準線

,。

43重新定位硅片使硅片的邊緣和輪廓模板中硅片外圍線重合此時切口底部的投影應在輪廓模

.,“”,

板上切口最深線和切口最淺線之間

。

44切口邊緣的投影與切口角度輪廓模板上一系列切口角度相比較其中選擇輪廓模板中與切口邊緣

.,

吻合最好的那個角的角度值作為切口的角度

。

45還可以使用邊緣輪廓儀對于切口形狀進行精確測量具體參見附錄

.,A。

5干擾因素

51切口邊緣處任何其他材料的沾污或者粗糙通過光路會產(chǎn)生扭曲的投影圖像導致檢測出錯誤的切

.,

口尺寸

。

52切口位置相對于硅片中心點的校準是得到準確切口參數(shù)的重要環(huán)節(jié)

.。

53磨削工具的磨損以及過程變差可能導致切口邊緣不直使切口頂點的半徑不唯一在這種情況

.,。

下要特別關注定位切口投影圖像在輪廓模板上的正確位置

,。

54按照特定晶向滾磨硅片邊緣形成的切口是對硅片