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第3章發(fā)光二極管(LED)引言制作LED的材料LED工作原理外量子效率先進(jìn)LED結(jié)構(gòu)LED性能的影響因素LED的輸出功率和調(diào)制帶寬影響LED穩(wěn)定性的因素1史上第一只LED1962年美國(guó)通用電氣實(shí)驗(yàn)室的HolonyakN博士研制GaAsP紅色LED氮?dú)獗Wo(hù)的玻璃封裝亮度不夠(發(fā)光效率<0.1lm/W)不便于安裝使用,而且很貴2LED的發(fā)展1962年1970年1983年1991年1998年3藍(lán)光LED芯片45I.引言LED是通過(guò)自發(fā)輻射過(guò)程發(fā)光的器件,與通過(guò)受激輻射發(fā)光的半導(dǎo)體激光器相比,其不同之處在于:結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單;價(jià)格低廉;可靠性高。但其不足之處在于:響應(yīng)速度低;輸出功率小;輸出頻譜寬。6在正向外加偏置下,少數(shù)載流子注入P-N結(jié)(注入)LED的主要應(yīng)用場(chǎng)合:信息顯示光源(通信、照明等)1.LED器件內(nèi)部的主要光電過(guò)程:(LED功能是將輸入的電能轉(zhuǎn)換為光能輸出)注入的少數(shù)載流子與半導(dǎo)體材料中的多數(shù)載流子復(fù)合(復(fù)合)光子輻射(發(fā)光)7改進(jìn)的LED:高輸出功率高響應(yīng)速度高耦合效率第一代LED:GaAlAs-LED,第二代LED:InGaAsP-LED,LED的劃代:8II.LED的材料選擇原則發(fā)光器件的材料選擇,首先要考慮的是器件的發(fā)光效率。電子-空穴對(duì)的復(fù)合過(guò)程有兩種:輻射復(fù)合:產(chǎn)生光子;非輻射復(fù)合:不產(chǎn)生光子,能量以其他形式散失。
在LED的發(fā)光過(guò)程中,兩種輻射機(jī)理同時(shí)存在,要提高器件的發(fā)光效率,必須盡量使非輻射復(fù)合所占比重更小。間接帶隙材料內(nèi)部的復(fù)合過(guò)程大多屬于非輻射復(fù)合,例如俄歇過(guò)程。因而半導(dǎo)體光源的材料絕大多數(shù)都是直接帶隙材料,間接帶隙材料無(wú)法用于制作光源。例如Si和Ge都不能用于制作半導(dǎo)體光源。9光源的特點(diǎn)和用途發(fā)射光子能量接近于材料帶隙;可見(jiàn)光區(qū)域的光子能量范圍:1.7eV-2.8eV;長(zhǎng)途通信用光源的光波長(zhǎng)在光纖中的損耗要低:1.3和1.55um局域網(wǎng)通信所用光源成本要低:例如GaAs光源(0.85um)與光電檢測(cè)器的制作過(guò)程類似,LED也需要利用外延生長(zhǎng)技術(shù)生成外延層,在外延層上制作發(fā)光區(qū),材料的選擇必然受到晶格匹配的限制。常用材料為GaAs系列和InP系列材料,這兩類容易滿足晶格匹配條件,且材料制作工藝成熟。10可見(jiàn)光的光波波長(zhǎng)范圍在770-350納米之間。波長(zhǎng)不同的電磁波,引起人眼的顏色感覺(jué)不同。770-622nm,感覺(jué)為紅色;622-597nm,橙色;597-577nm,黃色;577-492nm,綠色;492-455nm,藍(lán)靛色;455-350nm,紫色。110.70.80.91.01.11.21.31.41.5衰減(dB/km)第一窗口第二窗口波長(zhǎng)——λ(μm)普通單模光纖的衰減隨波長(zhǎng)變化示意圖6543210。40。2第三窗口
C波段1525~1565nm
1.571.62
L波段12III.LED的工作原理正向偏置條件下,注入少數(shù)載流子,并與多數(shù)載流子復(fù)合,產(chǎn)生光子,光子穿過(guò)一定厚度的半導(dǎo)體材料向外輻射,形成光輸出。正向偏置,注入少數(shù)載流子:電子注入P區(qū),空穴注入N區(qū);少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合,產(chǎn)生光子;光子出射。描述這一發(fā)光過(guò)程的效率的參數(shù)主要有:輻射效率、注入效率、出光效率以及內(nèi)量子效率和外量子效率。131.輻射效率其定義為:在載流子復(fù)合過(guò)程中,輻射復(fù)合在總的復(fù)合過(guò)程中所占的比例。14由于:直接帶隙材料間接帶隙材料152.注入效率在正向偏置條件下,注入PN結(jié)的電流由三部分構(gòu)成:注入到P區(qū)的電子擴(kuò)散電流Jn;注入到N區(qū)的空穴擴(kuò)散電流Jp;中間耗盡層中由陷阱復(fù)合導(dǎo)致的電流JGR
在這三種電流中,只有前兩者的復(fù)合過(guò)程會(huì)產(chǎn)生光子,例如Jn注入到P區(qū)后,電子成為少數(shù)載流子,與P區(qū)的空穴復(fù)合產(chǎn)生光子。而JGR是由中間耗盡區(qū)的陷阱引起的復(fù)合所消耗,并不產(chǎn)生光子。由于P區(qū)靠近發(fā)光表面,因而只有Jn引起的發(fā)光才是有效的。注入效率就是注入的Jn在總電流中所占的比例。16光子出射光子被吸收頂層底層17為減少光子的再吸收,提高發(fā)光效率,發(fā)光區(qū)要靠近出射面;提高注入效率,必須盡量提高Jn的值;使用高純度材料,減少陷阱雜質(zhì),可以降低JGR,提高發(fā)光效率。18由三種電流的表達(dá)式,要增大Jn所占比重,提高注入效率,應(yīng)該使P區(qū)輕摻雜,N區(qū)重?fù)诫s,即使用PN+結(jié)。對(duì)于這種結(jié),ND》NA,且對(duì)于III族或者V族元素,電子遷移率要遠(yuǎn)大于空穴遷移率,因此Jn要遠(yuǎn)大于Jp,注入效率接近于1。對(duì)于同質(zhì)結(jié)來(lái)說(shuō),存在下列等式:19對(duì)于異質(zhì)結(jié),亦存在下列等式:異質(zhì)結(jié)中,兩種材料的帶隙差越大,對(duì)載流子的限制作用越強(qiáng),就注入效率越高。203.內(nèi)量子效率:21在器件設(shè)計(jì)過(guò)程中,P區(qū)的摻雜濃度要綜合考慮,摻雜濃度低則注入效率高,但輻射效率下降;摻雜濃度高則輻射效率提高,而注入效率降低。激光器工作所需要的典型載流子濃度退簡(jiǎn)并狀態(tài)低注入?yún)^(qū)GaAs半導(dǎo)體激光器在300K時(shí)的溫度特性輻射復(fù)合壽命22復(fù)合過(guò)程半導(dǎo)體材料中電子-空穴對(duì)的復(fù)合過(guò)程分為兩類:輻射復(fù)合和非輻射復(fù)合。輻射復(fù)合:帶間復(fù)合;淺雜質(zhì)-帶間復(fù)合:淺施主-帶間復(fù)合、導(dǎo)帶-淺受主復(fù)合;激子復(fù)合;施主-受主對(duì)復(fù)合。非輻射復(fù)合:俄歇復(fù)合;多聲子躍遷;深能級(jí)復(fù)合中心復(fù)合;表面復(fù)合。23帶間復(fù)合淺施主-價(jià)帶復(fù)合導(dǎo)帶-淺受主復(fù)合施主-受主對(duì)復(fù)合24DirectPhononAssistedTrapAssistedDonor-AcceptorRelated25直接復(fù)合(1)直接復(fù)合(2)26陷阱復(fù)合(1)陷阱復(fù)合(2)27施主-受主對(duì)復(fù)合(2)施主-受主對(duì)復(fù)合(1)28有聲子參與的俄歇過(guò)程29【例題3.1】
一個(gè)LED其主體結(jié)構(gòu)為GaAs材料制作的PN結(jié),工作在300K室溫條件下,GaAs本征半導(dǎo)體載流子密度為2×106cm-3。PN結(jié)的參數(shù)如下,求此PN結(jié)的注入效率。30【解】
少子濃度為擴(kuò)散長(zhǎng)度為:3132【例題3.2】GaAs材料制作的LED,其參數(shù)與例題3.1中相同,假設(shè)注入的總的電流為0.35mA,輻射效率為0.5。(1)請(qǐng)計(jì)算此LED產(chǎn)生的光子流;(2)GaAs帶隙為1.43eV,計(jì)算產(chǎn)生的光功率。【解】
注入的電子電流為產(chǎn)生的光子流為3334IV.外量子效率外量子效率表征的是器件的總的發(fā)光效率,也稱為表觀效率,即器件從外界來(lái)看的總發(fā)光效率。351.出光效率定義:
指從發(fā)光面出射的光子數(shù)占發(fā)光區(qū)產(chǎn)生的總的光子數(shù)的比例。發(fā)光區(qū)產(chǎn)生的光子并非都能出射,這是因?yàn)樵诎雽?dǎo)體材料中存在多種導(dǎo)致光子損耗的因素:發(fā)光區(qū)產(chǎn)生的光子需要穿過(guò)一定厚度的材料才能到達(dá)出射面,在此過(guò)程中材料會(huì)吸收光子,產(chǎn)生電子-空穴對(duì);到達(dá)出射面的光子,由于界面的菲涅爾反射,有一部分光子無(wú)法出射,形成菲涅爾反射損耗;在出射界面處,若入射角大于臨界角,會(huì)發(fā)生全反射,因而只有有限角度范圍內(nèi)的光子能夠出射。362.提高出光效率的措施(1)盡量減小吸收損耗;容易想到的思路是使用吸收系數(shù)小的材料,如間接帶隙材料,但這不是好的辦法,因?yàn)殚g接帶隙材料輻射效率很低;可以考慮減小吸收層的厚度,讓發(fā)光區(qū)盡量靠近表面,但表面陷阱密度高,引起的復(fù)合屬于非輻射復(fù)合,造成器件發(fā)光效率下降;有效的方法是使用異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu),限制層材料帶隙比發(fā)光區(qū)材料帶隙更大,相對(duì)于發(fā)光區(qū)的光子而言是透明的,無(wú)吸收。37(2)降低菲涅爾損耗;
+n界面處的反射率為R,這種反射損耗稱為菲涅爾損耗。
對(duì)于GaAs與空氣之間的界面:38兩種介質(zhì)的折射率相差越大,界面處的菲涅爾損耗就越高。降低菲涅爾損耗的措施:在界面處加上一個(gè)透明的電介質(zhì)罩,盡量減小兩種介質(zhì)的折射率差。例如,如果用折射率為1.6的透明材料在GaAs光源外部制作電介質(zhì)罩,其菲涅爾損耗將從33%降低到15%。39(3)降低表面全反射損耗;
在出射面,如果入射光角度大于臨界角,光波會(huì)以全反射的形式被反射回器件內(nèi)部而不是從界面輻射出去。這種損耗稱為全反射損耗。
為全反射臨界角。例如,對(duì)于GaAsP材料制作的LED:403.耦合效率光源發(fā)出的光波經(jīng)過(guò)調(diào)制變成攜帶信息的光信號(hào),再耦合進(jìn)光纖,才能在光纖中以全反射的形式傳輸。要提高耦合效率,就需要設(shè)計(jì)更好的光源結(jié)構(gòu),或者采用合適的耦合結(jié)構(gòu),使光源發(fā)出的光波更好地耦合進(jìn)光纖。41光纖的全反射角為:其中An為光纖的數(shù)值孔徑,光源與光纖的最大耦合效率為:42【例題3.3】光束由GaAs材料向空氣入射,計(jì)算界面處的反射率和全反射角;如果光束是從GaAs向折射率為1.5的玻璃介質(zhì)入射,計(jì)算其反射率和全反射角。若空氣介質(zhì)換為玻璃,反射率和全反射角分別為:結(jié)論:采用電介質(zhì)罩結(jié)構(gòu),可有效降低菲涅爾損耗和全反射損耗。43【例題3.4】一個(gè)出射光能分布符合余弦規(guī)律的LED,出射光束耦合進(jìn)光纖,光纖纖芯折射率1.5,包層折射率1.4,計(jì)算光纖的最大接收角和光源與光纖的最大耦合效率。即:LED發(fā)出的光波中,最多只有6%能夠耦合進(jìn)光纖。44V.先進(jìn)的LED結(jié)構(gòu)
1.雙異質(zhì)結(jié)LED45雙異質(zhì)結(jié)LED:使用大帶隙材料的限制層將發(fā)光區(qū)與出射面隔開(kāi),一方面光子出射過(guò)程中穿過(guò)限制層時(shí)不會(huì)被吸收;另一方面,可使發(fā)光區(qū)遠(yuǎn)離表面缺陷,提高發(fā)光效率。中間發(fā)光區(qū)稱為有源區(qū)或者激活區(qū),厚度為0.1-0.2um;有源區(qū)材料(GaAs)帶隙比限制層材料(AlGaAs)帶隙?。划愘|(zhì)結(jié)的生成需要外延生長(zhǎng)技術(shù)。
雙異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)可使注入的電子和空穴被兩側(cè)勢(shì)壘有效束縛在中間有源區(qū),使有源區(qū)匯聚了較高濃度的載流子,提高了注入效率。無(wú)論是電子電流還是空穴電流都是有效注入,都對(duì)發(fā)光有貢獻(xiàn)。462.邊輻射LED限制層(將載流子限制在有源區(qū))背反射鏡(減少光損耗)光波47①注入的電流被局限在一個(gè)帶狀區(qū)域內(nèi);②有源區(qū)兩側(cè)的限制層折射率比有源區(qū)低。使光束集中在一個(gè)較小區(qū)域內(nèi)出射,光能集中,且由于兩側(cè)限制層形成類似平板波導(dǎo)的作用,光束出射時(shí)發(fā)散角較小,大部分能量集中在較小的錐形角度內(nèi),使其與光纖之間的耦合效率較高。有源區(qū)兩側(cè)的限制層材料的帶隙比有源區(qū)材料帶隙小,形成勢(shì)壘作用,對(duì)載流子有較強(qiáng)的限制,使載流子被束縛在有源區(qū),有源區(qū)集中了較高的載流子濃度,提高了注入效率。其中P區(qū)一側(cè)形成了電子的勢(shì)壘,N區(qū)一側(cè)形成了空穴的勢(shì)壘。限制層材料折射率比有源區(qū)折射率低,相當(dāng)于平板波導(dǎo),光束在界面易形成全反射,對(duì)光束有較強(qiáng)的限制作用,使光能集中在較小區(qū)域內(nèi)出射。483.面輻射激光器
通過(guò)蝕刻在LED表面形成小孔;將裸光纖插入小孔,用環(huán)氧樹(shù)脂固定,直接與LED耦合;光束出射后直接耦合進(jìn)光纖。49(a)面輻射LED通過(guò)折射率匹配介質(zhì)與多模光纖耦合(b)面輻射LED通過(guò)微透鏡與多模光纖耦合50面輻射LED與邊輻射LED的光束出射情況51【思考題】為什么在同質(zhì)結(jié)LED中,應(yīng)該使電子注入電流盡量大,空穴注入電流盡量小,而在異質(zhì)結(jié)LED中,并不需要這樣做?與普通的面發(fā)射LED相比較,為什么邊輻射LED與光纖之間的耦合效率更高?52VI.LED的性能描述LED的光-電特性(P-I特性)
LED屬于自發(fā)輻射發(fā)光,不存在閾值特性。由于器件發(fā)熱導(dǎo)致輸出飽和注入電流輸出光功率低注入條件下:53LED的P-I特性:注入電流較小時(shí),輸出光功率與注入電流是線性關(guān)系,輸出光功率隨注入電流的增大而線性增加;注入電流越大,器件發(fā)熱越明顯,俄歇復(fù)合逐漸加??;當(dāng)注入電流增大到一定程度,俄歇復(fù)合更加明顯,消耗了大量的載流子,輸出光功率不再隨注入電流增加而增大,即器件的輸出達(dá)到“飽和”狀態(tài)。542.LED的頻譜特性LED發(fā)光機(jī)理為自發(fā)輻射,產(chǎn)生的大量光子之間頻率、相位、方向都互不關(guān)聯(lián),輸出光具有較大的頻譜寬度。55LED線寬的估算(以能量表示):
在低注入條件下
在高注入條件下n為載流子濃度,Nc為導(dǎo)帶的有效帶邊密度。(室溫300K)563.LED的瞬態(tài)響應(yīng)57LED調(diào)制帶寬頻率3dB帶寬10.5與載流子壽命成正比58注入電流越大,載流子密度就越高,載流子復(fù)合加劇,響應(yīng)速度提高;一個(gè)典型的LED其復(fù)合壽命在ns量級(jí),帶寬在GHz量級(jí)。594.LED發(fā)光的溫度特性溫度對(duì)LED的工作特性有重要影響,這種影響從兩個(gè)方面體現(xiàn)出來(lái):(1)在較高溫度下,更多的載流子以漏電流的形式到達(dá)電極區(qū),而不是相互復(fù)合產(chǎn)生光子;(2)溫度越高,俄歇復(fù)合越強(qiáng),降低了器件的發(fā)光效率。60
低溫
漏電流小
(a)注入載流子(空穴)注入載流子(電子)61結(jié)溫高注入載流子的能級(jí)更加分散,有些具有較高能量漏電流大漏電流注入載流子(電子)漏電流62溫度對(duì)輸出光功率的影響:
T1為器件的溫度參數(shù),其值越大,器件對(duì)溫度變化越不敏感,溫度特性越好。在注入電流較大的情況下,為了有效抑制器件的溫度效應(yīng),往往采用脈沖電流源,而不是連續(xù)電流源。InGaAsP材料:GaAs材料:63VII.輸出功率及調(diào)制帶寬輸出光子流輸出光功率為單位時(shí)間單位體積內(nèi)由于輻射復(fù)合消耗的載流子數(shù)目;為單位時(shí)間單位體積內(nèi)外界注入的載流子數(shù)目。64要提高LED的輸出光功率,器件設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮:注入載流子密度:輸出光功率隨載流子密度線性變化。器件橫截面積:在注入電流密度不變條件下,器件橫截面積越大輸出光功率越大,呈線性關(guān)系。但是,受限于器件的制作工藝,橫截面積不可能太大,因面積越大越容易引入缺陷。有源區(qū)厚度:其他條件不變時(shí),厚度越大,則發(fā)光區(qū)體積越大,產(chǎn)生的光子就越多,輸出光功率就越大。但響應(yīng)速度下降。輸出功率與帶寬存在一定的矛盾關(guān)系,器件設(shè)計(jì)時(shí)需綜合考慮。65一般情況下:例如有些LED:100.11.010調(diào)制帶寬(MHz)輸出功率(mW)AlGaAsLEDsInGaAsPLEDs66VIII.LED的可靠性及壽命任何器件都有其使用壽命,通常用輸出功率的變化來(lái)判斷LED是否已經(jīng)達(dá)到了其使用壽命。但不同的系統(tǒng)其判別的標(biāo)準(zhǔn)并不相同,例如一般通信系統(tǒng)可以將門(mén)限值設(shè)定為50%,即當(dāng)LED發(fā)出光功率下降到其額定功率的50%時(shí),認(rèn)為其到達(dá)了使用壽命;而某些對(duì)光源功率有更高要求的系統(tǒng)可能將門(mén)限值設(shè)定得更高一些,比如80%,即當(dāng)輸出功率下降到額定功率的80%時(shí)就必須更換。影響LED壽命的因素主要包括:早期失效;反常失效;漸變失效。67(1)早期失效早期失效是指在器件的制作階段,由于材料質(zhì)量較差或者制作工藝不成熟,在器件內(nèi)部造成了大量的缺陷,嚴(yán)重影響了器件的性能。這種失效對(duì)于制作者會(huì)造成損失,但是對(duì)于最終使用者不會(huì)帶來(lái)影響,因?yàn)樵谠O(shè)備出廠之前有個(gè)“考機(jī)”過(guò)程,即對(duì)設(shè)備通電達(dá)100小時(shí)左右,觀察是否損壞。帶有早期失效的器件,一般無(wú)法通過(guò)這個(gè)過(guò)程的檢驗(yàn),因而在出廠前就會(huì)被剔除,不可能到使用者手中。68(2)反常失效反常失效是指器件內(nèi)部的缺陷由于統(tǒng)計(jì)性的運(yùn)動(dòng)特性,可能會(huì)產(chǎn)生聚集,造成器件使用壽命降低。例如,有些帶有缺陷的器件,在器件工作溫度升高時(shí),會(huì)向有源層匯聚,使有源層缺陷密度較高,器件效率及輸出功率下降嚴(yán)重。帶有反常失效的器件其壽命遠(yuǎn)大于“考機(jī)”時(shí)間,因而在出廠前無(wú)法剔除,但是其使用壽命比正常壽命要短得多。因而這種缺陷對(duì)于使用者來(lái)講危害是比較大的。69(3)漸變失效漸變失效是指質(zhì)量良好的器件在正常使用時(shí)的逐漸老化過(guò)程。任何器件在使用過(guò)程中其性能會(huì)逐漸下降,最終其性能不能滿足使用要求。使用壽命一般簡(jiǎn)稱為MTTF(MeanTimeToFailure)不同材料的LED其使用壽命差別較大。GaAsInP70本章主要內(nèi)容總結(jié)
LED的定義
LED的工作過(guò)程
輻射效率
注入效率
出光效率
內(nèi)量子效率
外量子效率
耦合效率
LED線寬(頻譜)的估算
先進(jìn)的LED結(jié)構(gòu)
LED的性能
LED的可靠性71【例題3.5】一個(gè)由P-N+型同質(zhì)結(jié)構(gòu)成的LED,其工作參數(shù)如下。計(jì)算:(1)器件的總量子效率;(2)單位時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生的載流子數(shù)目;(3)注入電流I。72(1)器件的總量子效率(外量子效率):(2)單位時(shí)間產(chǎn)生的載流子數(shù)目:
出光效率為0.2,即產(chǎn)生的光功率中有20%能夠輸出,而輸出功率為1mW,因而產(chǎn)生的光功率為5mW,對(duì)應(yīng)光子數(shù)目為:73(3)注入電流I:總的量子效率的含義是單位時(shí)間內(nèi)輸出的光子個(gè)數(shù)與輸入的電子個(gè)數(shù)的比值
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