GB/T 14863-2013用柵控和非柵控二極管的電壓電容關(guān)系測定硅外延層中凈載流子濃度的方法

ICS29045

H80.

中華人民共和國國家標(biāo)準

GB/T14863—2013

代替

GB/T14863—1993

用柵控和非柵控二極管的電壓電容關(guān)系

測定硅外延層中凈載流子濃度的方法

Methodfornetcarrierdensityinsiliconepitaxiallayersbyvoltage-capacitance

ofgatedandungateddiodes

2013-12-31發(fā)布2014-08-15實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準化管理委員會

GB/T14863—2013

前言

本標(biāo)準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準代替用柵控和非柵控二極管的電壓電容關(guān)系測定硅外延層中凈載流

GB/T14863—1993《-

子濃度的標(biāo)準方法

》。

本標(biāo)準與相比主要有下列變化

GB/T14863—1993,:

增加了標(biāo)準的前言

———“”;

調(diào)整并增加了引用標(biāo)準

———;

對試驗條件試驗方法進行了簡化和調(diào)整

———、;

對附錄進行了調(diào)整

———。

本標(biāo)準由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本標(biāo)準由中國電子技術(shù)標(biāo)準化研究院歸口

。

本標(biāo)準起草單位信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心中國電子科技集團公司第四十六研究

:、

所中國電子技術(shù)標(biāo)準化研究院

、。

本標(biāo)準主要起草人何秀坤董顏輝周智慧段曙光劉筠

:、、、、。

本標(biāo)準所代替標(biāo)準的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T14863—1993。

Ⅰ

GB/T14863—2013

用柵控和非柵控二極管的電壓電容關(guān)系

測定硅外延層中凈載流子濃度的方法

1范圍

本標(biāo)準規(guī)定了用柵控和非柵控二極管的電壓電容關(guān)系測定硅外延層中凈載流子濃度的測試方法

。

本標(biāo)準適用于外延層厚度不小于某一最小厚度值見附錄相同或相反導(dǎo)電類型襯底上的型或

(A)n

型外延層的凈載流子濃度測量本標(biāo)準也適用于硅拋光片的凈載流子濃度測量

p。。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

硅外延層擴散層和離子注入層薄層電阻的測定直排四探針法

GB/T14141、

硅外延層載流子濃度測定汞探針電容電壓法

GB/T14146-

重摻雜襯底上輕摻雜硅外延厚度的紅外反射測量方法

GB/T14847

用磨角和染色技術(shù)測定硅外延或擴散層厚度的試驗方法

SEMIMF110-1105

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

31

.

擊穿電壓breakdownvoltage

被測二極管出現(xiàn)漏電電流時的反向偏壓

10μA。

4方法原理

測量柵控或非柵控結(jié)或肖特基二極管的小訊號高頻電容與反向偏壓的函數(shù)關(guān)系由所測電容

p-n,

和反向偏壓值確定凈載流子濃度與深度的函數(shù)關(guān)系對于柵控二極管的測量柵極加一恒定偏壓

。,。

5測量儀器

51電容電橋或電容計

.

量程滿刻度為以倍增大或減小測量頻率范圍為每個

1pF~1000pF,10。0.09MHz~1.1MHz,

量程準確度優(yōu)于滿刻度的重復(fù)性優(yōu)于滿刻度的儀器應(yīng)能承受或絕對值更高的外

1.0%,0.25%。200V

加直流偏壓能補償不低于的外部探針架的雜散電容內(nèi)部交流測量訊號不大于

,5pF,0.05V(r.m.s)。

52數(shù)字電壓表或電位計

.

其靈敏度優(yōu)于