標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 14146-2009 硅外延層載流子濃度測(cè)定 汞探針電容-電壓法》相比于其前版《GB/T 14146-1993 硅外延層載流子濃度測(cè)定 汞探針電容-電壓法》,主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了修訂和完善:

  1. 技術(shù)內(nèi)容更新:2009版標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)近年來(lái)硅外延層技術(shù)和測(cè)試方法的發(fā)展,對(duì)測(cè)量原理、試驗(yàn)條件、儀器設(shè)備要求等方面進(jìn)行了修訂,以更準(zhǔn)確地反映當(dāng)前技術(shù)水平和測(cè)試需求。

  2. 測(cè)量精度提升:新標(biāo)準(zhǔn)可能引入了更精確的校準(zhǔn)方法和數(shù)據(jù)處理技術(shù),旨在提高載流子濃度測(cè)定的準(zhǔn)確性和重復(fù)性,減少測(cè)量誤差。

  3. 術(shù)語(yǔ)和定義明確化:針對(duì)行業(yè)內(nèi)術(shù)語(yǔ)的發(fā)展變化,2009版標(biāo)準(zhǔn)對(duì)關(guān)鍵術(shù)語(yǔ)和定義進(jìn)行了修訂或新增,以確保標(biāo)準(zhǔn)語(yǔ)言的清晰度和專業(yè)性。

  4. 試驗(yàn)方法優(yōu)化:詳細(xì)規(guī)定了實(shí)驗(yàn)步驟和操作流程,可能包括了對(duì)汞探針的使用、電容-電壓特性曲線的獲取及分析方法的改進(jìn),使得測(cè)試過(guò)程更加標(biāo)準(zhǔn)化和可操作性增強(qiáng)。

  5. 安全與環(huán)保要求:鑒于汞探針使用中的特殊性,新版標(biāo)準(zhǔn)可能加強(qiáng)了對(duì)實(shí)驗(yàn)安全和環(huán)境保護(hù)的要求,提供了更詳細(xì)的安全操作指南和廢棄物處理規(guī)定。

  6. 適用范圍調(diào)整:可能根據(jù)行業(yè)應(yīng)用的擴(kuò)展,調(diào)整了標(biāo)準(zhǔn)的適用范圍,涵蓋了更廣泛的硅基材料和外延層類型。

  7. 參考文獻(xiàn)更新:引用了最新的科研成果和技術(shù)文獻(xiàn),為標(biāo)準(zhǔn)提供了更堅(jiān)實(shí)的理論基礎(chǔ)和實(shí)踐支持。

  8. 一致性與國(guó)際接軌:2009版標(biāo)準(zhǔn)在制定過(guò)程中可能考慮了與國(guó)際相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的協(xié)調(diào)一致,提高了中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)的國(guó)際認(rèn)可度和兼容性。

這些變動(dòng)反映了標(biāo)準(zhǔn)隨技術(shù)進(jìn)步和市場(chǎng)需求而進(jìn)行的適時(shí)調(diào)整,旨在為硅外延層載流子濃度的測(cè)定提供更為科學(xué)、精確和適用的方法指導(dǎo)。


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  • 被代替
  • 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替,建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 14146-2021
  • 2009-10-30 頒布
  • 2010-06-01 實(shí)施
?正版授權(quán)
GB/T 14146-2009硅外延層載流子濃度測(cè)定汞探針電容-電壓法_第1頁(yè)
GB/T 14146-2009硅外延層載流子濃度測(cè)定汞探針電容-電壓法_第2頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

犐犆犛29.045

犎80

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅/犜14146—2009

代替GB/T14146—1993

硅外延層載流子濃度測(cè)定

汞探針電容電壓法

犛犻犾犻犮狅狀犲狆犻狋犪狓犻犪犾犾犪狔犲狉狊犱犲狋犲狉犿犻狀犪狋犻狅狀狅犳

犮犪狉狉犻犲狉犮狅狀犮犲狀狋狉犪狋犻狅狀犿犲狉犮狌狉狔狆狉狅犫犲狏狅犾狋犪犵犲狊犮犪狆犪犮犻狋犪狀犮犲犿犲狋犺狅犱

20091030發(fā)布20100601實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書(shū)

犌犅/犜14146—2009

前言

本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T14146—1993《硅外延載流子濃度測(cè)定汞探針電容電壓法》。

本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T14146—1993相比,主要有如下變動(dòng):

———測(cè)量范圍由原1013cm-3~1018cm-3改為4×1013cm-3~8×1016cm-3,并增加了對(duì)外延層厚

度的測(cè)試要求和拋光片的測(cè)試適用性;

———增加了引用標(biāo)準(zhǔn);

———增加了干擾因素;

———試劑中氫氟酸(ρ1.15g/mL)改為氫氟酸(分析純),刪除硝酸(ρ1.4g/mL),增加雙氧水(分析

純),去離子水電阻率由大于2MΩ·cm改為大于10MΩ·cm;

———對(duì)“測(cè)量?jī)x器及環(huán)境”,“樣品處理”,“儀器校準(zhǔn)”,“測(cè)量步驟”的內(nèi)容進(jìn)行了全面修改;

———?jiǎng)h除“測(cè)量結(jié)果的計(jì)算”;

———增加了重復(fù)性和再現(xiàn)性;

———增加了附錄“硅片接觸良好測(cè)試”的判定指標(biāo)。

本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A為規(guī)范性附錄。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:南京國(guó)盛電子有限公司、寧波立立電子股份有限公司、信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量

監(jiān)督檢驗(yàn)中心。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:馬林寶、唐有青、劉培東、李靜、金龍、呂立平。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:

———GB/T14146—1993。

書(shū)

犌犅/犜14146—2009

硅外延層載流子濃度測(cè)定

汞探針電容電壓法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅外延層載流子濃度汞探針電容電壓測(cè)量方法。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于同質(zhì)的硅外延層載流子濃度測(cè)量。測(cè)量范圍為:4×1013cm-3~8×1016cm-3。

本標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試的硅外延層的厚度必須大于測(cè)試偏壓下耗盡層的深度。

本標(biāo)準(zhǔn)也可適用于硅拋光片的載流子濃度測(cè)量。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有

的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn),然而,鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

GB/T1550非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法

GB/T1552硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直排四探針?lè)?/p>

GB/T14847重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測(cè)量方法

3方法原理

汞探針與硅外延片表面接觸,形成一個(gè)肖特基勢(shì)壘。在汞探針與硅外延片之間加一反向偏壓,結(jié)的

勢(shì)壘寬度向外延層中擴(kuò)展。結(jié)的勢(shì)壘電容(犆)及其電壓(犞)的變化率(d犆/d犞)與勢(shì)壘擴(kuò)展寬度(狓)及

其相應(yīng)的載流子濃度[犖(狓)]有如式(1)和式(2)關(guān)系:

犆31

犖(狓)=2×…………(1)

εε0犲犃d犆

(d犞)

狓=ε·ε0·犃/犆…………(2)

式中:

狓———?jiǎng)輭緮U(kuò)展寬度,單位為厘米(cm);

犖(狓)———載流子濃度,單位為每立方厘米(cm-3);

犆———?jiǎng)輭倦娙?,單位為法(F)?/p>

犲———電子電荷,1.602×10-19,單位為庫(kù)侖(C);

ε———相對(duì)介電常數(shù),其值為11.75;

-14

ε0———真空介電常數(shù),其值為8.859×10,單位為法每厘米(F/cm);

犃———汞硅接觸面積,單位為平方厘米(cm2)。

只要測(cè)得犆,d犆/d犞和犃,便可由式(1)和式(2)計(jì)算得到勢(shì)壘擴(kuò)展寬度狓

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