中國功率半導(dǎo)體行業(yè)現(xiàn)狀、競爭及前景分析2027年市場規(guī)模將超230億美元

中國功率半導(dǎo)體行業(yè)現(xiàn)狀、競爭及前景分析2027年市場規(guī)模將超230億美元一、功率半導(dǎo)體行業(yè)現(xiàn)狀1。市場規(guī)模\t"/market/202208/_blank"顯示，近年來隨著工業(yè)控制、通信和消費(fèi)電子等核心下游產(chǎn)業(yè)發(fā)展，中國功率半導(dǎo)體需求逐漸增多，行業(yè)市場規(guī)模持續(xù)增長。據(jù)數(shù)據(jù)，2021年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模達(dá)183億美元左右，較上年同比增長6。3%。2。進(jìn)出口規(guī)模2017年以來中國功率半導(dǎo)體進(jìn)出口貿(mào)易市場情況良好，進(jìn)出口總額呈增長態(tài)勢。數(shù)據(jù)顯示，2021年中國功率半導(dǎo)體進(jìn)出口總額為3094424萬美元，較上年同比增長27。9%；其中進(jìn)口金額為1835061萬美元，較上年同比增長27。4%，出口金額為1259363萬美元，較上年同比增長27。4%，貿(mào)易逆差為1259363萬美元。從主要進(jìn)出口地區(qū)看，中國功率半導(dǎo)體主要進(jìn)口來源地為中國保稅區(qū)、馬來西亞、日本、菲律賓、臺(tái)澎金馬關(guān)稅區(qū)、德國、韓國、匈牙利、泰國、墨西哥、馬來西亞，進(jìn)口金額分別占比49。49%、11。43%、7。52%、5。90%、、5。75%、3。67%、3。44%、2。85%、2。47%、1。38%、0。44%。中國功率半導(dǎo)體主要出口至中國香港、新加坡、德國、臺(tái)澎金馬關(guān)稅區(qū)、日本、美國、韓國、越南、印度、泰國，出口金額分別占比18。37%、12。91%、9。75%、5。19%、4。29%、3。26%、2。45%、2。21%、1。91%和1。81%。二、功率半導(dǎo)體行業(yè)競爭中國功率半導(dǎo)體市場梯隊(duì)化競爭格局明顯。第一梯隊(duì)為美國德州儀器、歐洲英飛凌、日本東芝等國際大型半導(dǎo)體公司，這些企業(yè)憑借先進(jìn)技術(shù)和豐富經(jīng)驗(yàn)處于行業(yè)領(lǐng)先地位；第二梯隊(duì)為國內(nèi)領(lǐng)先規(guī)模較大的功率半導(dǎo)體企業(yè)，如銀河微電、聞泰科技、士蘭微、揚(yáng)杰科技等，這些企業(yè)具備IDM經(jīng)營能力和一定的自主創(chuàng)新能力，近年來在國家政策的助力下在部分優(yōu)勢領(lǐng)域逐步實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代；第三梯隊(duì)是從事特定環(huán)節(jié)生產(chǎn)制造的企業(yè)，如某種芯片設(shè)計(jì)制造或幾種規(guī)格封裝測試。中國功率半導(dǎo)體企業(yè)產(chǎn)品布局領(lǐng)域企業(yè)名稱產(chǎn)品類型營收規(guī)模凈利潤聞泰科技二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaNFET)以及模擬IC和邏輯IC。527.2926.32華潤微功率器件、功率模塊和功率集成電路。92.4922.58士蘭徽分立器件成品、IPM智能功率模塊、IGBT及其他功率模塊、AC-DC電路和柵極驅(qū)動(dòng)集成電路。71.9415.18揚(yáng)杰科技整流器件、保護(hù)器件、小信號(hào)、模塊和SiC。43.978.26捷捷微電防護(hù)器件、功率模塊與組件、MOSFETSilicon-carbide(SiC)PowerDevice、漏電保護(hù)專用電路、絕緣柵雙極性晶體管、運(yùn)算放大器和比較器和整流二極管和墊流橋產(chǎn)品系列。17.734.92新潔能MOSFET、IGBT和MODULE。14.984.10斯達(dá)半導(dǎo)600V/650VIGBT模塊、1200VIGBT模塊、1700VIGBT模塊、3300VIGBT模塊、分立器件、MOSFET模塊、IPM

模塊、FRD/整流模塊/晶閘管、專用模塊和SiC.17.073.99蘇州固锝分立器件成品、IPM智能功率模塊、IGBT

及其他功率模塊、AC-DC電路和柵極驅(qū)動(dòng)集成電路。24.762.21華徽電子雙極型晶體管/BIT、場效應(yīng)晶體管MOSFET、肖特基二極管/SBD、快恢復(fù)二極管/FRED、絕緣柵雙極型晶體管、LED照明驅(qū)動(dòng)IC、智能功率模塊、硅整流二極管/SR、整流橋/BR和穩(wěn)壓二極管。22.101.16銀河微電二極管和整流器、保護(hù)器件、MOSFETs

和模擬Ics。8.321.41從發(fā)展趨勢看，中國功率半導(dǎo)體市場逐漸向頭部企業(yè)靠攏，2020-2021年中國功率半導(dǎo)體行業(yè)CR5由22。05%提升至29。58%。三、功率半導(dǎo)體行業(yè)前景功率半導(dǎo)體是下游消費(fèi)電子、新能源汽車等領(lǐng)域的剛需產(chǎn)品。在下游需求的持續(xù)帶動(dòng)以及相關(guān)政策的支持下，中國功率半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模將繼續(xù)保持平穩(wěn)增長，預(yù)計(jì)2027年市場規(guī)模達(dá)238億美元。中國功率半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)政策時(shí)間政策部門主要內(nèi)容2010.03《關(guān)于組織實(shí)施2010年新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項(xiàng)的通知》發(fā)改委確立了工半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)化專項(xiàng)重點(diǎn)，支持MOSFET、IGCT、IGBT、FRD等量大面廣的新型電力電子芯片和器件的產(chǎn)業(yè)化，重點(diǎn)解決芯片設(shè)計(jì)、制造和封裝技術(shù)，包括結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、可靠性設(shè)計(jì)，以及光刻、刻蝕、表面鈍化、背面研磨、背面金屬化、測試等工藝技術(shù)，提高產(chǎn)品檔次。2011.03《產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄(2011年本)》發(fā)改委將“新型電子元器件(片式元器件、頻率元器件、混合集成電路、電力電子器件、光電子器件、敏感元器件及傳感器、新型機(jī)電元件、高密度印刷電路板和柔性電路板等)制造”列人鼓勵(lì)類。2011.06當(dāng)前優(yōu)先發(fā)展的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化重點(diǎn)領(lǐng)域指南(2011年度)發(fā)改委等五部門將集成電路電路、信息功能材料與器件、新型元器件等列人重點(diǎn)領(lǐng)域，其中包括中大功率高壓絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、快恢復(fù)二極管(FRD)芯片和模塊，中小功率智能模塊;高電壓的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET);大功率集成門極換流場效應(yīng)管(IGCT);6時(shí)大功率場效應(yīng)管。2016.07《國家信息化發(fā)展戰(zhàn)略綱要》中共中央、國務(wù)院制定國家信息領(lǐng)域核心技術(shù)設(shè)備發(fā)展戰(zhàn)略綱要，以體系化思維彌補(bǔ)單點(diǎn)弱勢，打造國際先進(jìn)、安全可控的核心技術(shù)體系，帶動(dòng)集成電路、基礎(chǔ)軟件、核心元器件等薄弱環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)根本性突破2017.02《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)產(chǎn)品和服務(wù)指導(dǎo)目錄》發(fā)改委重點(diǎn)支持電子核心產(chǎn)業(yè)，包括絕緣山雙擊晶體管芯片(IGBT)及模塊。2019.05《關(guān)于集成電路和軟件產(chǎn)業(yè)企業(yè)所得稅政策的公告》財(cái)政部、稅務(wù)總局依法成立且符合條件的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)和軟件企業(yè)，在2018年12月31日前自獲利年度起計(jì)算優(yōu)惠期，第-年至第二年免征企業(yè)所得稅，第三年至第五年按照25%的法定稅率減半征收企業(yè)所得稅，并享受至期滿為止。2020.08《關(guān)于印發(fā)新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展若千政策的通知》國務(wù)院從財(cái)稅、投融資、研究開發(fā)、進(jìn)出口、人才、知識(shí)產(chǎn)權(quán)、市楊應(yīng)用、國際合作等方面切人，促進(jìn)集成電路和軟件產(chǎn)業(yè)發(fā)展。提出要聚焦高端芯片、集成電路裝備和工藝技術(shù)、集成電路關(guān)鍵材料等關(guān)鍵核心技術(shù)研發(fā)。2020.12《長三角科技創(chuàng)新共同體建設(shè)發(fā)展規(guī)劃》科技部依托“雙一流”建設(shè)高校在集成電路等領(lǐng)城布局建設(shè)-批國家產(chǎn)教融合創(chuàng)新平臺(tái)，為高校和企業(yè)協(xié)同開展人才培養(yǎng)、科學(xué)研究、學(xué)科建設(shè)提供支撐。圍繞集成電路、人工智能、量子信息、生物醫(yī)藥、先進(jìn)制造、物聯(lián)網(wǎng)、互聯(lián)網(wǎng)等高端高新產(chǎn)業(yè)，建立完善區(qū)域產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新鏈，聯(lián)合突破-

批關(guān)鍵核心技術(shù)，形成-批關(guān)鍵標(biāo)準(zhǔn)，解決產(chǎn)業(yè)核心難題。2021.01《基礎(chǔ)電子元器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動(dòng)計(jì)劃(2021-2023年》》工信部面向我國蓬勃發(fā)展的高鐵列車、民用航空航天、海洋工程裝備、高技術(shù)船舶、能源裝備等高端裝備制造領(lǐng)域，推動(dòng)海底光電纜、水下連接器、功率器件、高壓直流繼電器等高可靠電子元器件的應(yīng)用。2021.04《關(guān)于開展第三批專精特新“小巨人”企業(yè)培育工作的通知》工信部專精特新“小巨人”企業(yè)主導(dǎo)產(chǎn)品應(yīng)優(yōu)先聚焦制造業(yè)短板弱項(xiàng)，符合《工業(yè)“四基”發(fā)展目錄》所列重點(diǎn)領(lǐng)域，從事細(xì)分產(chǎn)品市場屬于制造業(yè)核心基礎(chǔ)零部件、先進(jìn)基礎(chǔ)工藝和關(guān)鍵基礎(chǔ)材料;或符合制造強(qiáng)國戰(zhàn)略十大重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)城;或?qū)儆诋a(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)及關(guān)鍵領(lǐng)城“補(bǔ)短板”“鍛長板"“填空白”產(chǎn)品;或圍繞重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)鏈開展關(guān)鍵基礎(chǔ)技術(shù)和產(chǎn)品