標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 13178-2008 金硅面壘型探測(cè)器》相比于《GB/T 13178-1991 金硅面壘型探測(cè)器》，主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了更新與調(diào)整：

  1. 技術(shù)指標(biāo)的修訂：新標(biāo)準(zhǔn)對(duì)金硅面壘型探測(cè)器的技術(shù)性能指標(biāo)進(jìn)行了詳細(xì)修訂，包括但不限于探測(cè)效率、能量分辨率、穩(wěn)定性和可靠性等方面，以適應(yīng)近年來(lái)技術(shù)進(jìn)步和應(yīng)用需求的變化。

  2. 測(cè)試方法的完善：為確保探測(cè)器性能評(píng)估的一致性和準(zhǔn)確性，2008版標(biāo)準(zhǔn)引入了更具體、更科學(xué)的測(cè)試方法和程序，對(duì)探測(cè)器的特性測(cè)試、環(huán)境適應(yīng)性評(píng)估等環(huán)節(jié)給出了明確指導(dǎo)。

  3. 材料與制造工藝的要求：鑒于材料科學(xué)與制造技術(shù)的發(fā)展，新版標(biāo)準(zhǔn)對(duì)探測(cè)器所用材料的純度、均勻性以及制造工藝流程提出了更高要求，旨在提升探測(cè)器的整體性能和使用壽命。

  4. 安全與環(huán)保要求：隨著對(duì)產(chǎn)品安全及環(huán)境保護(hù)意識(shí)的增強(qiáng)，2008版標(biāo)準(zhǔn)增加了關(guān)于探測(cè)器生產(chǎn)、使用及廢棄過(guò)程中的安全與環(huán)保要求，確保符合國(guó)家相關(guān)法律法規(guī)。

  5. 術(shù)語(yǔ)與定義的更新：為了與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)接軌并清晰界定專業(yè)術(shù)語(yǔ)，新標(biāo)準(zhǔn)對(duì)部分術(shù)語(yǔ)進(jìn)行了修訂或新增，以便于行業(yè)內(nèi)溝通交流和標(biāo)準(zhǔn)的國(guó)際對(duì)比。

  6. 質(zhì)量控制與管理體系：強(qiáng)調(diào)了生產(chǎn)過(guò)程中質(zhì)量控制的重要性，并推薦采用現(xiàn)代質(zhì)量管理體系，如ISO 9001，來(lái)保證產(chǎn)品的質(zhì)量和可追溯性。

這些變動(dòng)反映了自1991年以來(lái)金硅面壘型探測(cè)器技術(shù)的演進(jìn)趨勢(shì)，以及對(duì)產(chǎn)品性能、安全、環(huán)保等方面的更高追求。


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  • 2009-04-01 實(shí)施
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文檔簡(jiǎn)介

犐犆犛２７．１２０

犉８８

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜１３１７８—２００８

代替ＧＢ／Ｔ１３１７８—１９９１

金硅面壘型探測(cè)器

犘犪狉狋犻犪犾犾狔犱犲狆犾犲狋犲犱犵狅犾犱狊犻犾犻犮狅狀狊狌狉犳犪犮犲犫犪狉狉犻犲狉犱犲狋犲犮狋狅狉狊

２００８０７０２發(fā)布２００９０４０１實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書(shū)

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

金硅面壘型探測(cè)器

ＧＢ／Ｔ１３１７８—２００８

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京復(fù)興門(mén)外三里河北街１６號(hào)

郵政編碼：１０００４５

網(wǎng)址ｗｗｗ．ｓｐｃ．ｎｅｔ．ｃｎ

電話：６８５２３９４６６８５１７５４８

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社秦皇島印刷廠印刷

各地新華書(shū)店經(jīng)銷

開(kāi)本８８０×１２３０１／１６印張０．７５字?jǐn)?shù)１６千字

２００８年１１月第一版２００８年１１月第一次印刷

書(shū)號(hào)：１５５０６６·１３３５７７

如有印裝差錯(cuò)由本社發(fā)行中心調(diào)換

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書(shū)

犌犅／犜１３１７８—２００８

前言

本標(biāo)準(zhǔn)參考了ＩＥＣ６０３３３：１９９３《核儀器半導(dǎo)體帶電粒子探測(cè)器測(cè)試程序》。

本標(biāo)準(zhǔn)代替ＧＢ／Ｔ１３１７８—１９９１《金硅面壘型探測(cè)器》（以下簡(jiǎn)稱原標(biāo)準(zhǔn)）。

本標(biāo)準(zhǔn)保留ＧＢ／Ｔ１３１７８—１９９１的大部分內(nèi)容，對(duì)其的主要修改如下：

———增加前言；

———引用新的規(guī)范性文件；

———產(chǎn)品的外形及結(jié)構(gòu)尺寸僅保留Ａ型，刪去原標(biāo)準(zhǔn)的Ｂ型和Ｃ型；

———部分耗盡金硅面壘型探測(cè)器的分類僅保留最小耗盡層深度為３００μｍ一類，而主要性能增加

“允許最大噪聲”。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)核工業(yè)集團(tuán)公司提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)核儀器儀表標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：中核（北京）核儀器廠。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：李志勇。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：ＧＢ／Ｔ１３１７８—１９９１。

Ⅰ

書(shū)

犌犅／犜１３１７８—２００８

金硅面壘型探測(cè)器

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了部分耗盡金硅面壘型探測(cè)器（簡(jiǎn)稱探測(cè)器）的產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、測(cè)試方法、檢驗(yàn)規(guī)

則等。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于部分耗盡金硅面壘型探測(cè)器（不包括位置靈敏探測(cè)器）。鋰漂移金硅面壘型探測(cè)器也

可參照?qǐng)?zhí)行。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ５２０１帶電粒子半導(dǎo)體探測(cè)器測(cè)試方法（ＧＢ／Ｔ５２０１—１９９４，ｎｅｑＩＥＣ６０３３３：１９９３）

ＧＢ／Ｔ１０２５７—２００１核儀器和核輻

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