標準解讀

《GB/T 13151-2005 半導(dǎo)體器件 分立器件 第6部分:晶閘管 第三篇 電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的反向阻斷三極晶閘管空白詳細規(guī)范》與《GB/T 13151-1991 100A以上環(huán)境或管殼額定反向阻斷三極晶閘管空白詳細規(guī)范》相比,主要存在以下幾點差異和更新:

  1. 標準結(jié)構(gòu)調(diào)整:2005版標準在標題中明確體現(xiàn)了標準系列的分類(即“半導(dǎo)體器件 分立器件”的第六部分),以及細化為“電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的反向阻斷三極晶閘管”,相比1991版,其分類更為精確,便于用戶快速定位和理解。

  2. 技術(shù)內(nèi)容更新:鑒于半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展,2005版標準很可能納入了新的測試方法、性能指標及質(zhì)量要求,以適應(yīng)更高性能晶閘管產(chǎn)品的需要。這可能包括提高了對晶閘管的電流處理能力、電壓耐受度、溫度特性、可靠性和使用壽命等方面的要求。

  3. 規(guī)范細化:新版本可能對晶閘管的空白詳細規(guī)范進行了更細致的規(guī)定,包括但不限于材料、制造工藝、封裝形式、電氣參數(shù)測試條件等,以確保產(chǎn)品的一致性和互換性。

  4. 安全與環(huán)保要求:隨著電子行業(yè)對產(chǎn)品安全和環(huán)境保護的重視,2005版標準可能新增或加強了關(guān)于材料無害化、限制有害物質(zhì)使用(如RoHS指令)以及產(chǎn)品廢棄處理的相關(guān)規(guī)定。

  5. 國際標準接軌:考慮到全球貿(mào)易和技術(shù)交流的需求,新版標準可能參考并采納了更多國際標準或先進國家標準的內(nèi)容,以促進我國半導(dǎo)體器件的國際化認可度和競爭力。

  6. 術(shù)語與定義:為了與國際通行術(shù)語保持一致,并反映技術(shù)進步,2005版標準可能對相關(guān)專業(yè)術(shù)語進行了更新或補充,使標準語言更加準確和規(guī)范。

  7. 檢驗規(guī)則與合格評定:新版本可能對晶閘管的出廠檢驗、型式試驗、抽樣檢驗方法及合格判定準則進行了修訂,以提高檢驗的科學(xué)性和公正性。


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  • 2005-03-23 頒布
  • 2005-10-01 實施
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文檔簡介

ICS31.080.20K46中華人民共和國國家標準GB/T13151-2005/IEC60747-6-3:1993代替GB/T13151—1991半導(dǎo)體器件分立器件第6部分:晶閘管第三篇電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的反向阻斷三極晶閘管空白詳細規(guī)范Semiconductordevices-Discretedevices-Part6:thyristorsSectionthree-Blankdetailspecificationforreverseblockingtriodethyristors.ambientandcase-rated,forcurrentsgreaterthan100A(IEC60747-6-3/QC750113:1993,IDT)2005-03-23發(fā)布2005-10-01實施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布中國國家標準化管理委員會

中華人民共和國國家標準半導(dǎo)體器件分立器件第6部分:晶閘管第三篇電流大于100A.環(huán)境和管殼額定的反向阻斷三極晶閘管空白詳細規(guī)范GB/T13151-2005/1EC60747-6-3:1993中國標準出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號郵政編碼:100045電話:63787337、637874472005年6月第一版2005年7月電子版制作書號:155066·1-22494版權(quán)專有侵權(quán)必究舉報電話:(010)68533533

GB/T13151-2005/IEC60747-6-3:1993前本標準是品閘管空白詳細規(guī)范系列國家標準之一.這一系列國家標準現(xiàn)包括-GB/T6352半導(dǎo)體器件分立器件第6部分:閘流晶體管第一篇100A以下環(huán)境或管殼額定反向阻斷三極閘流晶體管空白詳細規(guī)范GB/T6590半導(dǎo)體器件分立器件第6部分:閘流晶體管第二篇100A以下環(huán)境或管殼額定的雙向三極閘流晶體管空白詳細規(guī)范GB/T13150半導(dǎo)體器件分立器件電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的雙向三極晶閘管空白詳細規(guī)范-GB/T13151半導(dǎo)體器件分立器件第6部分:晶閘管第三篇電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的反向阻斷三極晶閘管空白詳細規(guī)范-GB/T131535A以上環(huán)境或管殼額定可關(guān)斷品閘管空白詳細規(guī)范本標準等同采用IEC60747-6-3:1993《半導(dǎo)體器件分立器件第6部分:晶閘管第三篇:電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的反向阻斷三極晶閘管空白詳細規(guī)范》英文版)本標準代替GB/T13151—1991《100A以上環(huán)境或管殼額定反向阻斷三極晶閘管空白詳細規(guī)范》本標準等同翻譯IEC60747-6-3:1993。為便于使用,本標準作了下列編輯性修改:“本國際標準”一詞改為“本標準":引用的IEC標準一律改為等同或等效采用國際標準的國家標準;為與本國“前言”區(qū)別.IEC的“前言”稱"IEC前言”;在極限值表中補充了安裝力矩和安裝力的符號M和F:按照IEC標準中方括號的用法·將原文中*whereappropriat”加不加括號和加圓括號、方括號的不統(tǒng)一,統(tǒng)一成加方括號,即為"適用時J"。本標準(本版)與前版(GB/T13151—1991)相比,主要變化如下:標準名稱中增加了引導(dǎo)要素文字:半導(dǎo)體器件分立器件第6部分:晶閘管第三篇“并作了個別文字修改(前版的封面和首頁:本版的封面和首頁)增加了“前言"和"IEC前言".刪去了“附加說明”前版的“附加說明";本版的“前言"和"IEC前育)刪去了第8章各表中的抽樣方案及附錄A追加抽樣表,增加了對A、B、C、D組抽樣要求的文字說明(前版第8章各表和附錄A;本版第8章方括號中的文字):在極限值參數(shù)表中,符號Va、Vo、Ir.di/d分別修改為Ve、Vw、lr、(dir/di)。(前版第4章;本版第4章):在電特性參數(shù)表中,增加了a、Q..lrv和a四個特性參數(shù);符號dv/d修改為(dwu/d)a·laev和1mew分別修改為1ueu丶leuc和1mw、1nmne:前版第5章:本版第5章);-A4分組中刪去"q"項目、C2e分組中刪去了di/d項目:C4分組中增加了“耐焊接熱”項目:B5分組和C7分組修改為均按空腔、非空腔器件分別規(guī)定檢驗項目(前版第8章;本版第8章)。本標準中引用的國家標準如下:GB/T2423.23-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗記試驗Q:密封GB/T4589.1—1989半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路總規(guī)范(idtIEC60747-10:1984)GB/T4937—1995半導(dǎo)體器件機械和氣候試驗方法(idtIEC60749:1984)

GB/T13151-2005/IEC60747-6-3:1993GB/T7581-1987半導(dǎo)體分立器件外形尺寸(neqIEC60191-2:1974)GB/T12560-1999半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范(idtIEC60747-11:1985)GB/T15291-1994半導(dǎo)體器件第6部分晶閘管(eqvIEC60747-6:1983)本標準由中國電器工業(yè)協(xié)會提出。本標準由全國半導(dǎo)體器件標準化技術(shù)委員會歸口本標準起草單位:中國南車集團棟洲電力機車研究所半導(dǎo)體廠、北京金自天正智能控制股份有限公司半導(dǎo)體部、北京變壓器有限公司、天津市整流器廠、中國北車集團永濟電機廠元件分廠、襄樊臺基半導(dǎo)體有限公司、西安電力電子技術(shù)研究所。本標準主要起草人:童宗鑒、黎明、王伯升、韓立文、張紅衛(wèi)、顏家圣、秦賢滿。本標準首次發(fā)布時間:1991年8月29日。

GB/T13151-2005/IEC60747-6-3:1993IEC前育1)國際電工委員會(IEC)是世界范圍的標準化組織,它由各國家電工委員會(IEC國家委員會)組成。IEC的目的是促進在電氣、電子領(lǐng)域有關(guān)所有標準化問題的國際合作。為此目的并開展了另外一些活動,IEC發(fā)布了國際標準。標準的制定委托給各技術(shù)委員會.對標準涉及的問題感興趣的任何IEC國家委員會可以參加有關(guān)的制定工作。國際上,政府和非政府組織與IEC聯(lián)絡(luò)也可參加有關(guān)的制定工作。IEC與ISO(國際標準化組織)按照兩個組織一致決定的條件密切協(xié)作。2)由各技術(shù)委員會制定的技術(shù)問題的IEC正式?jīng)Q議或協(xié)議,是所有國家委員會特別感興趣的,并盡可能就涉及的各種問題表示、表達了國際上的一致意見。33)這些決議和協(xié)議用標準、技術(shù)報告或?qū)t的形式發(fā)表,以推薦方式為國際上采用,并在此意義上為各國家委員會所接受。4)為促進國際上的一致,IEC各國家委員會承諾了在本國標準或區(qū)域標準中,以最大限度的可能、透明地采用IEC國際標準。IEC標準和國家標準或區(qū)域標準的任何分歧之處,應(yīng)在國家標準或區(qū)域標準中清楚地指出。IEC60747-6-3國際標準由IEC的TC47《半導(dǎo)體器件》技術(shù)委員會制定,本標準是電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的反向阻斷三極品閘管空白詳細規(guī)范.本標準的內(nèi)容基于如下文件:國際標準草案表決報告47(C0135047(C0)1347表決贊成本標準的完整投票情況可在上表指出的表決報告中查閱本標準封面上的QC編號是IEC電子元器件質(zhì)量評定體系(IECQ)的規(guī)范編號。本標準引用了下列IEC標準:IEC60068-2-17(1978)環(huán)境試驗第2部分:試驗Q密封第4號修訂件(1991)1EC60191-2(1966)半導(dǎo)體器件機械標準化第2部分:尺寸(正在修訂中)IEC60747-6(1983)半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第6部分:晶閘管第1號修訂件(1991)IEC60747-10(1991)半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路:第10部分:分立器件和集成電路總規(guī)范TEC60747-11(1985半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第11部分:分立器件分規(guī)范第1號修訂件(1991)IEC60749(1984半導(dǎo)體器件機械和氣候試驗方法第1號修訂件(1991)

GB/T13151-2005/IEC60747-6-3:1993半導(dǎo)體器件分立器件第6部分:晶閘管第三篇電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的反向阻斷三極晶閘管空白詳細規(guī)范引育國際電工委員會電子元器件質(zhì)量評定體系(IECQ)遵循國際電工委員會的章程.在國際電工委員會授權(quán)下開展工作。評定體系的目的是以這樣一種方式確定質(zhì)量評定程序.即一個成員國按照符合適用規(guī)范要求所放行的電子元器件在其他所有成員國無需再試驗同樣為合格。本空白詳細規(guī)范是半導(dǎo)體器件一系列空白詳細規(guī)范的一個,應(yīng)與下列國家標準一起使用。GB/T4589.1—1989半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路總規(guī)范-GB/T12560—1999半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范要求的資料本頁及下頁方括號內(nèi)的數(shù)字與下列各項要求的內(nèi)容相對應(yīng),這些內(nèi)容應(yīng)填入相應(yīng)空欄中詳細規(guī)范的識別[1授權(quán)發(fā)布詳細規(guī)范的國家標準化機構(gòu)名稱L27詳細規(guī)范的IECQ編號?!?7總規(guī)范和分規(guī)范的編號和版本號【47詳細規(guī)范的國家編號、發(fā)布日期和國家體系要求的任何更多的資料器件的識別L57器件的型號?!?7典型結(jié)構(gòu)和應(yīng)用的資料。如果設(shè)計一種器件滿足幾

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