GB/T 10262-1988小面積鍍(涂)層β反散射厚度計(jì)

UDC681.2:621.793F83中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB10262-88小面積鍍(涂)層B反散射厚度計(jì)Betabackscatteringthicknessmeterforsmallareaofplatirg（coating)1989-10-01實(shí)施1988-12-30發(fā)布國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)UDC681.2:621.793小面積鍍（涂）層B反散射厚度計(jì)GB10262-88Beta'backscatteringthicknessmeterforsmallareaofplatingCoating)主題內(nèi)容與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了利用電離輻射反散射原理，在金屬或非金屬基體上對其表面鍍(涂)層的厚度進(jìn)行非破壞性測最的B反散射厚度計(jì)的基本性能與其分級，設(shè)計(jì)要求和性能測量方法與步驟。本標(biāo)準(zhǔn)適用于小面積鍍（涂）層B反散射厚度計(jì)。本標(biāo)準(zhǔn)也適用于微處理機(jī)作為數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，其軟、硬件的技術(shù)要求,可由制造廠自行制訂企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，但B反散射測量的各種要求，應(yīng)符合本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定。2引用標(biāo)準(zhǔn)GB4075，密封放射源分級GB4076；密封放射源一般規(guī)定GB8993.1～8993.12核儀器環(huán)境試驗(yàn)基本要求與方法術(shù)語（電離輻射）厚度計(jì)（ionizingradiation)thicknessmeter3.1包括一個(gè)電離輻射源，并利用其電離輻射對材料的厚度進(jìn)行非破壞性測最的一種裝置。3.2散射scattering人射的粒子或射線與物質(zhì)相互作用，而使其方向或能量發(fā)生變化的過程。3.3反散射backscattering粒子從它進(jìn)人物體的同一表面而離開該物體的散射。3.4A反散射式測址系統(tǒng)backscattermeasurementsystem。利用由待測材料和緊埃替它的襯底材料反散射的電離輻射來測量待測材料厚度的一種測量系統(tǒng)3.55（物體的）反散射系數(shù)backscatteringcoefficient物體反散射的粒子數(shù)與其人射粒子數(shù)之比，它與放射性活度和測量時(shí)間無關(guān)。9等效原子序數(shù)equivalentalomicmumber3.6如果某一元素的反散射系數(shù)R與一種材料（可能是合金或化合物）相同。則該元素的原子序數(shù)可以被認(rèn)為是這種材料的等效原子序數(shù)。3.7飽和厚度saturationthickness當(dāng)散射體厚度增加而所產(chǎn)生的反散射不再變化時(shí)的最小材料厚度值。3.8絕對反散射計(jì)數(shù)XabsolutebackscateringcountX在給定時(shí)間內(nèi)，探測器接受到的反散射粒子數(shù)