鍍膜機(jī)上傳課件

鍍膜機(jī)簡介迪通恒業(yè)科技聯(lián)合出品1真空鍍膜機(jī)的結(jié)構(gòu)真空鍍膜機(jī)的結(jié)構(gòu)抽真空系統(tǒng)電氣系統(tǒng)鍍膜室機(jī)械泵油擴(kuò)散泵真空鍍膜方式離子鍍膜蒸發(fā)鍍膜濺射鍍膜物理方法沉積薄膜2蒸發(fā)鍍膜(法拉第，1857)加熱方式：電阻法電子束高頻感應(yīng)3離子鍍膜(麥托克斯,1963)將氣體的輝光放電、等離子體技術(shù)與真空蒸發(fā)鍍膜結(jié)合起來真空蒸發(fā)與陰極濺射技術(shù)的結(jié)合

5濺射鍍膜(1870年)輝光放電是濺射技術(shù)的基礎(chǔ)。輝光放電：真空度為10-1~10-2Torr，兩電極間加高壓，產(chǎn)生輝光放電。電流電壓之間不是線性關(guān)系，不服從歐姆定律。67濺射與蒸鍍法的原理及特性比較

濺射法蒸鍍法沉積氣相的產(chǎn)生過程1.離子轟擊和碰撞動(dòng)量轉(zhuǎn)移機(jī)制2.較高的濺射原子能量（230eV）3.稍低的沉積速率4.濺射原子的運(yùn)動(dòng)具方向性5.可保證合金成分，但有的化合物有分解傾向6.靶材純度隨材料種類而變化1.原子的熱蒸發(fā)機(jī)制2.低的原子動(dòng)能（溫度1200K時(shí)約為0.1eV）3.較高的蒸發(fā)速率4.蒸發(fā)原子的運(yùn)動(dòng)具方向性5.蒸發(fā)時(shí)會(huì)發(fā)生元素的貧化或富集，部分化合物有分解傾向6.蒸發(fā)源純度可較高9濺射與蒸鍍法的原理及特性比較

濺射法蒸鍍法氣相過程工作壓力稍高原子的平均自由程小于靶與襯底間距，原子沉積前要經(jīng)過多次碰撞1.高真空環(huán)境2.蒸發(fā)原子不經(jīng)碰撞直接在襯底上沉積薄膜的沉積過程1.沉積原子具有較高能量2.沉積過程會(huì)引入部分氣體雜質(zhì)1.沉積原子能量較低2.氣體雜質(zhì)含量低10濺射鍍膜的特點(diǎn)總結(jié)相對(duì)于真空鍍膜，濺射鍍膜具有如下特點(diǎn)：對(duì)于任何待鍍材料，只要能作成靶材，就可實(shí)現(xiàn)濺射；濺射所獲得的薄膜與基片結(jié)合較好；濺射所獲得的薄膜純度好，致密性好；濺射工藝可重復(fù)性好，膜厚可控制，同時(shí)可以在大面積基片上獲得厚度均勻的薄膜；缺點(diǎn)是：沉積速率低，基片會(huì)受到等離子體的輻照等作用而產(chǎn)生溫升。11一般濺射方法的兩大缺點(diǎn)：濺射沉積薄膜的速率較低濺射所需的氣壓較高，否則放電現(xiàn)象不易維持兩者導(dǎo)致污染幾率增加，濺射效率低磁控濺射方法解決的辦法：磁控濺射13磁控濺射自從20世紀(jì)70年代初磁控濺射技術(shù)誕生以來，磁控濺射技術(shù)在高速率沉積金屬、半導(dǎo)體和介電薄膜方面已取得了巨大進(jìn)步。與真空蒸發(fā)、傳統(tǒng)濺射鍍膜相比，磁控濺射除了可以在較低壓強(qiáng)下得到較高的沉積率以外，它也可以在較低的基片溫度下獲得高質(zhì)量薄膜。14磁控濺射磁控濺射的原理示意圖15存在的問題：不能實(shí)現(xiàn)強(qiáng)磁性材料的低溫高速濺射用絕緣材料的靶會(huì)使基板溫度上升靶子的利用率低(1