第一節(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)

第一節(jié)

晶體管的結(jié)構(gòu)第二節(jié)

晶體管的放大作用第三節(jié)

晶體管的三種工作狀態(tài)第四節(jié)

晶體管的主要參數(shù)第五節(jié)

晶體管的管型和管腳判斷本章小結(jié)第八章

晶體管第一節(jié)

晶體管的結(jié)構(gòu)

1．結(jié)構(gòu)和符號(hào)

（1）結(jié)構(gòu)：

三個(gè)區(qū)對(duì)應(yīng)引出三個(gè)極：

如圖所示

（2）符號(hào)發(fā)射極的箭頭表示電流的方向，文字符號(hào)用“V”表示。

PNP型如圖（a）所示，NPN型如圖（b）所示。第一節(jié)

晶體管的結(jié)構(gòu)

2．晶體管類(lèi)型按結(jié)構(gòu)分按材料分按功率分按工作頻率分

3．型號(hào)及命名可通過(guò)晶體管手冊(cè)查閱。第一節(jié)

晶體管的結(jié)構(gòu)第二節(jié)

晶體管的放大作用

1．晶體管的工作電壓晶體管工作在放大狀態(tài)的條件：

如圖所示為NPN型和PNP型晶體管工作在放大狀態(tài)采用的雙電源接線圖。NPN型PNP型

（2）注意：

①電源極性：兩種晶體管外接電源的正、負(fù)極相反。

③集射極間反向電壓為幾伏至十幾伏。

②

基、射極之間的正向電壓（偏壓）：

第二節(jié)

晶體管的放大作用

2．晶體管的放大作用實(shí)驗(yàn)電路。第二節(jié)

晶體管的放大作用

操作：調(diào)節(jié)(或改變E1)以改變基極電流IB的大小,記錄每一次測(cè)得的數(shù)據(jù)次數(shù)電流12345IB/mA00.010.020.030.04IC/mA0.010.561.141.742.33IE/mA0.010.571.161.772.37

（1）直流電流分配關(guān)系：

由于IB<<IC，則IEIC。第二節(jié)

晶體管的放大作用（2）電流放大作用

可見(jiàn)，基極電流的微小變化可引起集電極電流的較大變化，即為晶體管的放大作用，用表示，即

①交流放大系數(shù)，根據(jù)實(shí)驗(yàn)的數(shù)據(jù)有第二節(jié)

晶體管的放大作用

不同的晶體管，值不同，即電流的放大能力不同，一般為20～

200。

②直流電流放大系數(shù)

通常

晶體管的放大作用的意義：基極電流的微小變化引起集電極電流的較大變化，當(dāng)基極電路中輸入一個(gè)小的信號(hào)電流ib，就可以在集電極電路中得到一個(gè)與輸入信號(hào)規(guī)律相同的放大的電流信號(hào)ic。可見(jiàn)，晶體管是一個(gè)電流控制元件。第二節(jié)

晶體管的放大作用第三節(jié)

晶體管的三種工作狀態(tài)

1．除了放大狀態(tài)（工作在模擬電路中）以外，還有兩種工作狀態(tài)即截止?fàn)顟B(tài)和飽和狀態(tài)（工作在脈沖數(shù)字電路中）。

（1）截止?fàn)顟B(tài)故晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)的條件：發(fā)射結(jié)反偏（或零偏），集電結(jié)反偏。

低于發(fā)射結(jié)的死區(qū)電壓時(shí)，IB=0，此時(shí)IC

0，稱(chēng)為穿透電流，但很小，可以認(rèn)為IC=ICEO

0。晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)，c、e間呈現(xiàn)很大電阻，相當(dāng)于斷開(kāi)，此時(shí)UCE

E2。

判斷方法：用萬(wàn)用表的直流電壓擋三極點(diǎn)電位，有VC>VB，VB≤VE。第三節(jié)

晶體管的三種工作狀態(tài)

（2）放大狀態(tài)

UBE

大于死區(qū)電壓，IB>0，集電極電流IC

受IB

控制，即

或

晶體管處于放大狀態(tài)的條件是：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，即VC>VB>VE。第三節(jié)

晶體管的三種工作狀態(tài)

（3）飽和狀態(tài)基極電流IB

不斷增大，當(dāng)IB增大到一定數(shù)值時(shí)，IC不再隨IB增加而增大，晶體管輸出回路有

當(dāng)IC隨IB曾加而增大時(shí)，UCE逐漸下降，由于UCE的下降有一定的限度，所以IC的增加也是有一定限度的。假設(shè)UCE=0，那么IC達(dá)到最大，即，IC不再隨IB

增大了。這就是飽和狀態(tài)，此時(shí)IB失去了對(duì)IC的控制作用。集電極和發(fā)射極之間相當(dāng)于短路或認(rèn)為是一個(gè)導(dǎo)通開(kāi)關(guān)。

晶體管處于飽和狀態(tài)的條件：集電結(jié)、發(fā)射結(jié)處于正偏狀態(tài)，VB>VE，VB>VC。

第三節(jié)

晶體管的三種工作狀態(tài)第四節(jié)

晶體管的主要參數(shù)通常取值在60

～

100之間。

2．穿透電流

ICEO

1．電流放大系數(shù)或。

共發(fā)射極交流和直流放大系數(shù)

（1）定義：基極開(kāi)路IB=0時(shí)，集電極和發(fā)射極之間的反向電流ICEO稱(chēng)為穿透電流。

（2）特點(diǎn)：①I(mǎi)CEO隨溫度升高而增大。②ICEO越小，管子的性能越好。

（3）應(yīng)用：ICEO越小，管子的性能越好。

3．集電極最大允許電流ICM。

（1）定義：晶體管正常工作時(shí)集電極所允許的最大電流稱(chēng)為集電極最大允許電流ICM

。

（2）特點(diǎn)：IC增大，

開(kāi)始下降，直到IC超過(guò)了ICM

，就下降到不允許的程度了。

（3）應(yīng)用：IC<ICM第四節(jié)

晶體管的主要參數(shù)

4．反向擊穿電壓UCEO

（1）定義：基極開(kāi)路時(shí)，加在集電極和發(fā)射極之間的最大允許電壓。（2）應(yīng)用：UCE<UCEO

，否則三極管擊穿。

5．集電極最大耗散功率PCM（1）定義：晶體管正常工作時(shí)，集電結(jié)允許的最大耗散功率為集電極最大耗散功率。小功率管：≤1W；大功率管：

1W。（2）特點(diǎn)：當(dāng)實(shí)際功率超過(guò)，晶體管會(huì)因工作溫度過(guò)高而損壞。大功率管的值是在常溫下并帶有散熱器的數(shù)值。第四節(jié)

晶體管的主要參數(shù)第五節(jié)

晶體管的管型和管腳的判斷利用萬(wàn)用表來(lái)測(cè)試晶體管的各個(gè)管腳。

1．判定晶體管的基極和管型（1）測(cè)試原則：依據(jù)PN結(jié)正向電阻小，反向電阻大的特點(diǎn)。利用萬(wàn)用表的電阻擋來(lái)判斷基極和管型。

①萬(wàn)用表轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)，選擇R100或R1k擋。

②黑表筆（內(nèi)接電池正極）接晶體管假想的基極，用紅表筆接其余兩只管腳，若兩次測(cè)量阻值都很小，則黑表筆接的是基極，且管型為NPN型；紅表筆重復(fù)上述步驟，有相同結(jié)果，則管型為PNP型。（2）測(cè)試方法如圖所示：第五節(jié)

晶體管的管型和管腳的判斷

2．判定集電極和發(fā)射極

（1）測(cè)試方法如圖所示

①測(cè)定基極后，假設(shè)其余兩只管腳中的一只為集電極c，在b、c之間接入一個(gè)電阻Rb（10～100k），或用手捏兩極以代替。

②用手指捏住基極b和假定的集電極c（兩極不能接觸），用黑表筆接觸c極，紅表筆接觸e極，測(cè)出一個(gè)數(shù)值。

以NPN型管為例第五節(jié)

晶體管的管型和管腳的判斷

③將假定兩極對(duì)調(diào)，以同樣方法再次測(cè)出一個(gè)數(shù)值。

④比較兩次讀數(shù)大小，讀數(shù)較小的即電流較大的一次假設(shè)為正確。第五節(jié)

晶體管的管型和管腳的判斷本章小結(jié)

1．晶體管結(jié)構(gòu)概括為：三區(qū)