LED基礎知識及外延工藝-課件

3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorldLED基礎知識及外延工藝1ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorldLED的發(fā)光原理LED的特點白光LED的實現(xiàn)外延基礎知識綱要2ppt課件3ESemiconductorCreatetheLigLED是“l(fā)ightemittingdiode”的英文縮寫。中文名:發(fā)光二極管。LED是一種將電能轉(zhuǎn)換為光能的固體半導體器件。LED實質(zhì)性核心結(jié)構是由元素譜中的Ⅲ-Ⅳ族化合物材料構成的p-n結(jié)。3ppt課件LED是“l(fā)ightemittingdiode”的英文縮3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorld半導體簡介半導體：導電能力介于導體和絕緣體之間的物質(zhì)，室溫電阻率ρ介于金屬與絕緣體之間金屬 <10?6(Ω·cm)半導體10?3～106(Ω·cm)絕緣體>1012(Ω·cm)半導體有兩種載流子電子(electron,negative)和空穴(hole,positive)P-N結(jié)：通過p型和n型半導體材料緊密接觸而形成的結(jié)。半導體種類:單質(zhì)半導體：Si、Ge化合物半導體：GaN、GaAs、GaP、ZnO、SiC4ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorldN-tapeP-tape半導體簡介5ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorld價帶頂導帶底GaN：3.4evAlN:6.2evInN:1.8ev不同半導體材料的帶隙寬度半導體簡介6ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig目前發(fā)光二極管用的都是直接帶隙材料GaAsSi7ppt課件目前發(fā)光二極管用的都是直接帶隙材料GaAsSi7ppt課件LED為什么會發(fā)不同顏色的光?8ppt課件LED為什么會發(fā)8ppt課件光是一種能量的形態(tài)，是一種電磁波。在同一介質(zhì)中，能量從能源出發(fā)沿直線向四面八方傳播,這種能量傳遞的方式通常叫做輻射。通常可以用波長來表達人眼所能感受到的可見光的輻射能量。9ppt課件光是一種能量的形態(tài)，是一種電磁波。9ppt課件人眼所能見的可見光的光波只占寬闊的電磁波譜家族中的很小空間。10ppt課件人眼所能見的可見光的光波只占寬闊的電磁波譜家族中的很小空間。各種顏色光的波長11ppt課件各種顏色光的波長11ppt課件光的峰值波長λ與發(fā)光區(qū)域的半導體材料禁帶寬度Ｅg有關，即λ≈1240/Eg（mm）電子由導帶向價帶躍遷時以光的形式釋放能量，大小為禁帶寬度Eg。Eg越大，所發(fā)出的光子波長就越短，顏色就會藍移。反之，Eg越小，所發(fā)出的光子波長就越長，顏色就會紅移。若要產(chǎn)生可見光（波長在380nm紫光～780nm紅光），半導體材料的Eg應該在1.59～3.8eV之間。12ppt課件光的峰值波長λ與發(fā)光區(qū)域的半導體材料禁帶寬度Ｅg有關，即12用不同顏色及數(shù)目LED加熒光粉所做成的白光LED的優(yōu)點及缺點13ppt課件用不同顏色及數(shù)目LED加熒光粉所做成的白光LED的優(yōu)點及缺點3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorldLED(LightEmittingDiode)是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化為可見光的固態(tài)的半導體器件，它可以直接把電轉(zhuǎn)化為光。

發(fā)光原理：在外加電場的作用下,n型半導體載流子電子、p型半導體載流子空穴，這兩種載流子進入量子阱中并相互結(jié)合，發(fā)出不同波長的光。LED基本構造LED簡介14ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorld六方纖鋅礦結(jié)構的GaNGaN是寬禁帶直接帶隙半導體，禁帶寬度約為3.4ev.GaN簡介15ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorld1928年Royer提出了外延（Epitaxy）一詞，意思是“在……之上排列”。它是指在具有一定結(jié)晶取向的原有晶體（襯底）上延伸出按一定晶體學方向生長薄膜的方法，這個薄膜被稱為外延層。外延簡介16ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorld2.外延技術液相外延（LPE）：生長速率快，產(chǎn)量大，但晶體生長難以精確控制。金屬有機化學氣相沉積（MetalOrganicChemicalVaporDepositionMOCVD）：精確控制晶體生長、重復性好、產(chǎn)量大，適合工業(yè)化大生產(chǎn)。氫化物氣相外延（HVPE）：近幾年在MOCVD基礎上發(fā)展起來的，適應于Ⅲ-Ⅴ氮化物半導體薄膜外延生長的一種新技術。生長速率快，但晶格質(zhì)量較差。分子束外延（MBE）：超高真空系統(tǒng)，可精確控制晶體生長，晶體界面陡峭，晶格質(zhì)量非常好，但生長速率慢，成本高，常用于研究機構。1.應用1959年末，外延生長技術應用于半導體領域，它的應用與發(fā)展對于提高半導體材料的質(zhì)量和器件性能，對于新材料、新器件的開發(fā)，對于半導體科學的發(fā)展都具有重要意義。外延簡介17ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorld同質(zhì)外延：組成PN結(jié)的P型區(qū)和N型區(qū)是同種材料。（如：nGaN:Si上生長pGaN:Mg）異質(zhì)外延：兩種晶體結(jié)構相同，晶格常數(shù)相近，但帶隙寬度不同的半導體材料生長在一起形成的結(jié)，稱為異質(zhì)結(jié)。（如：GaN上生長AlGaN）量子阱(QuantumWell)：通常把勢壘較厚，以致于相鄰電子波函數(shù)不發(fā)生交迭的周期性結(jié)構，稱為量子阱。（如：InGaN/GaN/InGaN...）異質(zhì)外延藍寶石襯底GaNMQW外延簡介18ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorldVeecoK465i

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AixtronCriusiiMOCVD簡介19ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorldMOCVD的工作原理大致為：當有機源處于某一恒定溫度時，其飽和蒸汽壓是一定的；通過流量計（MFC）控制載氣的流量，就可知載氣流經(jīng)有機源時攜帶的有機源的量；多路載氣攜帶不同的源輸運到反應室入口混合，然后輸送到襯底處，在高溫作用下發(fā)生化學反應，在襯底上外延生長；反應副產(chǎn)物經(jīng)尾氣管路排出。MOCVD反應的基本原理MOCVD簡介20ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorldGa(CH3)3+NH3=GaN+3CH4

表面反應原理MOCVD簡介21ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorld常用MO源：TMGa（三甲基鎵，液態(tài)）TMAl（三甲基鋁，液態(tài)）TMIn（三甲基銦，固態(tài)，現(xiàn)已有液態(tài)）TEGa（三乙基鎵，液態(tài)）Cp2Mg（二茂基鎂，固態(tài)，現(xiàn)已有液態(tài)）載氣：純度很高（99.999999%）的H2和N2特氣：高純度（99.9999%）NH3（氨氣，液態(tài)）SiH4（硅烷，氣態(tài)）襯底：Sapphire（藍寶石襯底）,PSS（圖形化的襯底）工藝材料MOCVD簡介22ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorldn-CladActiveGaNBufferN+-GaN:Sip-GaN:MgWell:InGaNBarrierInGaN1.8umSapphirec-planeAl2O3U-GaN/BufferN--GaN:Si420um4um/250A0.7um0.15um30A70Ap-GaNMQWun-GaN襯底外延基礎23ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorld（a）襯底上成核（Buffer）

（b）形成的島狀顆粒在側(cè)面快速生長（c）島與島之間開始進行合并

（d）最后形成平整結(jié)構外延基礎在生長的外延晶體中的線缺陷能夠形成載流子的復合中心，從而降低LED的發(fā)光效率相當一部分的缺陷是由于異質(zhì)外延的晶格失配產(chǎn)生的解決方法：在藍寶石襯底上先生長一層低溫緩沖層。24ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorld外延基礎密集的、取向比較一致的小島許多單個大島

以大島為核心在水平和垂直兩個方向生長外延片表面與襯底層的反射光將發(fā)生干涉作用，反射率將開始呈現(xiàn)正弦曲線震蕩。25ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorld由于襯底（Al203）與GaN材料的晶格失配較大，故在生長GaN之前需要生長一層薄薄的緩沖層，我們將其稱為Buffer層。高壓、低溫條件下通入TMGa，在襯底表面快速沉積一層緩沖層。由于晶格失配，此時GaN結(jié)晶質(zhì)量較差。反射率曲線上升。目前通用的是低溫GaN緩沖層技術。大約在500-600度。典型LED外延結(jié)構1.Buffer26ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorldU1層(Rough)，形成結(jié)晶質(zhì)量較高的晶核，并以之為中心形成島狀生長。首先在停止通入TMGa的情況下升至高溫，在高溫高壓條件下，Buffer中結(jié)晶質(zhì)量不好的部分被烤掉，留下結(jié)晶質(zhì)量較高的晶核。此時反射率將下降至襯底本身的反射率水平。保持高溫高壓，通入TMGa，使晶核以較高的結(jié)晶質(zhì)量按島狀生長。此時反射率將降至0附近。以上為3D生長過程。2.uGaN典型LED外延結(jié)構27ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorldU2層(Recover)，此時使外延從3D生長向2D生長轉(zhuǎn)變。略微提高溫度，降低氣壓，使晶島相接處的地方開始連接，生長，直至外延表面整體趨于平整。隨著外延表面趨于平整，反射率將開始上升。此時由于外延片表面與襯底層的反射光將發(fā)生干涉作用，反射率將開始呈現(xiàn)正弦曲線震蕩。五、典型LED外延結(jié)構2.uGaN28ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorld在u-GaN之上生長n-GaN做為電子注入層。保持2D生長GaN的條件，通入SiH4，Si原子會取代Ga原子的位置，由于Ga是三價的，Si是四價的，因此多出一個電子，屬于n型摻雜。反射率曲線將保持正弦曲線震蕩。由震蕩的頻率可以計算出此時的生長速率。典型LED外延結(jié)構3.nGaN29ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorld超晶格結(jié)構發(fā)光層，主要由阱與壘反復疊加構成。當In原子取代Ga原子時，GaN的禁帶寬度將變小，構成MQW中的阱層。阱層很薄，和壘層相間分布，將使注入的載流子在外延生長的方向受到限制，從而提高電子空穴對的空間濃度，加大復合發(fā)光的幾率，提高發(fā)光效率。MQW層使用TEGa提供Ga源。阱層的溫度和In源的摻雜濃度決定了發(fā)光波長。壘層使用相對較高的溫度以提高結(jié)晶質(zhì)量。典型LED外延結(jié)構4.MQW30ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorldp型層為量子阱注入空穴。生長GaN時加入Cp2Mg，Mg原子會取代Ga原子的位置，而Mg是二價，因此會少了一個電子（等于多一個空穴），屬于p型摻雜。典型LED外延結(jié)構6.pGaN31ppt課件3ESemiconductorCreatetheLigBakeBufferTBTWDWDBEBEWLBP-SLSP-GaNP-InGaNLT-nGaNHP-nGaNLP-nGaN32ppt課件BakeBufferTBTWDWDBEBEWLBP-SLSP3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorldPSS襯底PSS:PatternedSapphireSubstrate(圖形化襯底)使用PSS襯底以提高出光效率外延基礎33ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorldMicroscopePLELXRDBowing觀察表面是否有異常外延片表面等級判定光致發(fā)光波長強度均勻性電致發(fā)光波長亮度電壓晶體質(zhì)量材料組分周期厚度外延片翹曲度外延片測量LEI表面電阻外延測量34ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorldPL測量光致發(fā)光是半導體的一種發(fā)光現(xiàn)象，利用光照射到材料表面，其電子吸收光子而躍遷到高能級，處于高能級的電子不穩(wěn)定，會回落到低能級，同時伴隨著能級差的能量以光輻射的形式發(fā)射出來。這個過程就是光致發(fā)光，即PL。Photoluminescence（PL）：光致發(fā)光35ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorldPL測量Peakwavelength:峰值波長（446~452）Dominantwave:主波長FWHM：半峰寬Thickness:外延片的總厚度36ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorldEL測量Electroluminescent（EL）通過加在兩電極的電壓產(chǎn)生電場，被電場激發(fā)的電子碰擊發(fā)光中心，而引致電子能級的躍進、變化、復合導致發(fā)光的一種物理現(xiàn)象。Pout：在一定的激發(fā)電流下得到的發(fā)光亮度。通過積分球收集激發(fā)出的光子得到。VF1：0.1uA驅(qū)動電流下的正向電壓VF4:20mA驅(qū)動電流下的正向電壓37ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorld什么樣的wafer是好的產(chǎn)品？通過光致發(fā)光譜查看生長的wafer的波長分布X射線衍射得到晶體質(zhì)量的數(shù)據(jù)

通過面電阻測試得到n型半導體的摻雜量（Si摻雜）

通過顯微鏡觀察wafer表面形貌(是否有缺陷存在)

通過芯片制程驗證wafer的各項電性能數(shù)據(jù)肉眼觀察下的wafer顯微鏡觀察下的wafer38ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorldChangeTMGa(Totalthickness)ChangeTEGa(XRD1P)ChangeTMIn(Wavelength)ChangeCp2Mg(PGaNDoping)PM(Changereactorcondition)設備PM對工藝影響39ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorld發(fā)光二極管的伏安特性曲線ESD：靜電擊穿性能

由于人體自身會產(chǎn)生靜電(電壓能夠達

到上萬伏)，因此人體與LED芯片直接接觸時會造成芯片擊穿。從而使其不

能使用芯片光電參數(shù)40ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorldAboutLED–LEDProcessRAWWAFEREPITAXYCHIPPROCESSPACKAGEMODULEMOCVD原材料外延工藝芯片制程封裝模組LED工藝流程直徑4’41ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorldThank

you!42ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorldLED基礎知識及外延工藝43ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorldLED的發(fā)光原理LED的特點白光LED的實現(xiàn)外延基礎知識綱要44ppt課件3ESemiconductorCreatetheLigLED是“l(fā)ightemittingdiode”的英文縮寫。中文名:發(fā)光二極管。LED是一種將電能轉(zhuǎn)換為光能的固體半導體器件。LED實質(zhì)性核心結(jié)構是由元素譜中的Ⅲ-Ⅳ族化合物材料構成的p-n結(jié)。45ppt課件LED是“l(fā)ightemittingdiode”的英文縮3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorld半導體簡介半導體：導電能力介于導體和絕緣體之間的物質(zhì)，室溫電阻率ρ介于金屬與絕緣體之間金屬 <10?6(Ω·cm)半導體10?3～106(Ω·cm)絕緣體>1012(Ω·cm)半導體有兩種載流子電子(electron,negative)和空穴(hole,positive)P-N結(jié)：通過p型和n型半導體材料緊密接觸而形成的結(jié)。半導體種類:單質(zhì)半導體：Si、Ge化合物半導體：GaN、GaAs、GaP、ZnO、SiC46ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorldN-tapeP-tape半導體簡介47ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorld價帶頂導帶底GaN：3.4evAlN:6.2evInN:1.8ev不同半導體材料的帶隙寬度半導體簡介48ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig目前發(fā)光二極管用的都是直接帶隙材料GaAsSi49ppt課件目前發(fā)光二極管用的都是直接帶隙材料GaAsSi7ppt課件LED為什么會發(fā)不同顏色的光?50ppt課件LED為什么會發(fā)8ppt課件光是一種能量的形態(tài)，是一種電磁波。在同一介質(zhì)中，能量從能源出發(fā)沿直線向四面八方傳播,這種能量傳遞的方式通常叫做輻射。通?？梢杂貌ㄩL來表達人眼所能感受到的可見光的輻射能量。51ppt課件光是一種能量的形態(tài)，是一種電磁波。9ppt課件人眼所能見的可見光的光波只占寬闊的電磁波譜家族中的很小空間。52ppt課件人眼所能見的可見光的光波只占寬闊的電磁波譜家族中的很小空間。各種顏色光的波長53ppt課件各種顏色光的波長11ppt課件光的峰值波長λ與發(fā)光區(qū)域的半導體材料禁帶寬度Ｅg有關，即λ≈1240/Eg（mm）電子由導帶向價帶躍遷時以光的形式釋放能量，大小為禁帶寬度Eg。Eg越大，所發(fā)出的光子波長就越短，顏色就會藍移。反之，Eg越小，所發(fā)出的光子波長就越長，顏色就會紅移。若要產(chǎn)生可見光（波長在380nm紫光～780nm紅光），半導體材料的Eg應該在1.59～3.8eV之間。54ppt課件光的峰值波長λ與發(fā)光區(qū)域的半導體材料禁帶寬度Ｅg有關，即12用不同顏色及數(shù)目LED加熒光粉所做成的白光LED的優(yōu)點及缺點55ppt課件用不同顏色及數(shù)目LED加熒光粉所做成的白光LED的優(yōu)點及缺點3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorldLED(LightEmittingDiode)是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化為可見光的固態(tài)的半導體器件，它可以直接把電轉(zhuǎn)化為光。

發(fā)光原理：在外加電場的作用下,n型半導體載流子電子、p型半導體載流子空穴，這兩種載流子進入量子阱中并相互結(jié)合，發(fā)出不同波長的光。LED基本構造LED簡介56ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorld六方纖鋅礦結(jié)構的GaNGaN是寬禁帶直接帶隙半導體，禁帶寬度約為3.4ev.GaN簡介57ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorld1928年Royer提出了外延（Epitaxy）一詞，意思是“在……之上排列”。它是指在具有一定結(jié)晶取向的原有晶體（襯底）上延伸出按一定晶體學方向生長薄膜的方法，這個薄膜被稱為外延層。外延簡介58ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorld2.外延技術液相外延（LPE）：生長速率快，產(chǎn)量大，但晶體生長難以精確控制。金屬有機化學氣相沉積（MetalOrganicChemicalVaporDepositionMOCVD）：精確控制晶體生長、重復性好、產(chǎn)量大，適合工業(yè)化大生產(chǎn)。氫化物氣相外延（HVPE）：近幾年在MOCVD基礎上發(fā)展起來的，適應于Ⅲ-Ⅴ氮化物半導體薄膜外延生長的一種新技術。生長速率快，但晶格質(zhì)量較差。分子束外延（MBE）：超高真空系統(tǒng)，可精確控制晶體生長，晶體界面陡峭，晶格質(zhì)量非常好，但生長速率慢，成本高，常用于研究機構。1.應用1959年末，外延生長技術應用于半導體領域，它的應用與發(fā)展對于提高半導體材料的質(zhì)量和器件性能，對于新材料、新器件的開發(fā)，對于半導體科學的發(fā)展都具有重要意義。外延簡介59ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorld同質(zhì)外延：組成PN結(jié)的P型區(qū)和N型區(qū)是同種材料。（如：nGaN:Si上生長pGaN:Mg）異質(zhì)外延：兩種晶體結(jié)構相同，晶格常數(shù)相近，但帶隙寬度不同的半導體材料生長在一起形成的結(jié)，稱為異質(zhì)結(jié)。（如：GaN上生長AlGaN）量子阱(QuantumWell)：通常把勢壘較厚，以致于相鄰電子波函數(shù)不發(fā)生交迭的周期性結(jié)構，稱為量子阱。（如：InGaN/GaN/InGaN...）異質(zhì)外延藍寶石襯底GaNMQW外延簡介60ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorldVeecoK465i

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AixtronCriusiiMOCVD簡介61ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorldMOCVD的工作原理大致為：當有機源處于某一恒定溫度時，其飽和蒸汽壓是一定的；通過流量計（MFC）控制載氣的流量，就可知載氣流經(jīng)有機源時攜帶的有機源的量；多路載氣攜帶不同的源輸運到反應室入口混合，然后輸送到襯底處，在高溫作用下發(fā)生化學反應，在襯底上外延生長；反應副產(chǎn)物經(jīng)尾氣管路排出。MOCVD反應的基本原理MOCVD簡介62ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorldGa(CH3)3+NH3=GaN+3CH4

表面反應原理MOCVD簡介63ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorld常用MO源：TMGa（三甲基鎵，液態(tài)）TMAl（三甲基鋁，液態(tài)）TMIn（三甲基銦，固態(tài)，現(xiàn)已有液態(tài)）TEGa（三乙基鎵，液態(tài)）Cp2Mg（二茂基鎂，固態(tài)，現(xiàn)已有液態(tài)）載氣：純度很高（99.999999%）的H2和N2特氣：高純度（99.9999%）NH3（氨氣，液態(tài)）SiH4（硅烷，氣態(tài)）襯底：Sapphire（藍寶石襯底）,PSS（圖形化的襯底）工藝材料MOCVD簡介64ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorldn-CladActiveGaNBufferN+-GaN:Sip-GaN:MgWell:InGaNBarrierInGaN1.8umSapphirec-planeAl2O3U-GaN/BufferN--GaN:Si420um4um/250A0.7um0.15um30A70Ap-GaNMQWun-GaN襯底外延基礎65ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorld（a）襯底上成核（Buffer）

（b）形成的島狀顆粒在側(cè)面快速生長（c）島與島之間開始進行合并

（d）最后形成平整結(jié)構外延基礎在生長的外延晶體中的線缺陷能夠形成載流子的復合中心，從而降低LED的發(fā)光效率相當一部分的缺陷是由于異質(zhì)外延的晶格失配產(chǎn)生的解決方法：在藍寶石襯底上先生長一層低溫緩沖層。66ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorld外延基礎密集的、取向比較一致的小島許多單個大島

以大島為核心在水平和垂直兩個方向生長外延片表面與襯底層的反射光將發(fā)生干涉作用，反射率將開始呈現(xiàn)正弦曲線震蕩。67ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorld由于襯底（Al203）與GaN材料的晶格失配較大，故在生長GaN之前需要生長一層薄薄的緩沖層，我們將其稱為Buffer層。高壓、低溫條件下通入TMGa，在襯底表面快速沉積一層緩沖層。由于晶格失配，此時GaN結(jié)晶質(zhì)量較差。反射率曲線上升。目前通用的是低溫GaN緩沖層技術。大約在500-600度。典型LED外延結(jié)構1.Buffer68ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorldU1層(Rough)，形成結(jié)晶質(zhì)量較高的晶核，并以之為中心形成島狀生長。首先在停止通入TMGa的情況下升至高溫，在高溫高壓條件下，Buffer中結(jié)晶質(zhì)量不好的部分被烤掉，留下結(jié)晶質(zhì)量較高的晶核。此時反射率將下降至襯底本身的反射率水平。保持高溫高壓，通入TMGa，使晶核以較高的結(jié)晶質(zhì)量按島狀生長。此時反射率將降至0附近。以上為3D生長過程。2.uGaN典型LED外延結(jié)構69ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorldU2層(Recover)，此時使外延從3D生長向2D生長轉(zhuǎn)變。略微提高溫度，降低氣壓，使晶島相接處的地方開始連接，生長，直至外延表面整體趨于平整。隨著外延表面趨于平整，反射率將開始上升。此時由于外延片表面與襯底層的反射光將發(fā)生干涉作用，反射率將開始呈現(xiàn)正弦曲線震蕩。五、典型LED外延結(jié)構2.uGaN70ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorld在u-GaN之上生長n-GaN做為電子注入層。保持2D生長GaN的條件，通入SiH4，Si原子會取代Ga原子的位置，由于Ga是三價的，Si是四價的，因此多出一個電子，屬于n型摻雜。反射率曲線將保持正弦曲線震蕩。由震蕩的頻率可以計算出此時的生長速率。典型LED外延結(jié)構3.nGaN71ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorld超晶格結(jié)構發(fā)光層，主要由阱與壘反復疊加構成。當In原子取代Ga原子時，GaN的禁帶寬度將變小，構成MQW中的阱層。阱層很薄，和壘層相間分布，將使注入的載流子在外延生長的方向受到限制，從而提高電子空穴對的空間濃度，加大復合發(fā)光的幾率，提高發(fā)光效率。MQW層使用TEGa提供Ga源。阱層的溫度和In源的摻雜濃度決定了發(fā)光波長。壘層使用相對較高的溫度以提高結(jié)晶質(zhì)量。典型LED外延結(jié)構4.MQW72ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorldp型層為量子阱注入空穴。生長GaN時加入Cp2Mg，Mg原子會取代Ga原子的位置，而Mg是二價，因此會少了一個電子（等于多一個空穴），屬于p型摻雜。典型LED外延結(jié)構6.pGaN73ppt課件3ESemiconductorCreatetheLigBakeBufferTBTWDWDBEBEWLBP-SLSP-GaNP-InGaNLT-nGaNHP-nGaNLP-nGaN74ppt課件BakeBufferTBTWDWDBEBEWLBP-SLSP3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorldPSS襯底PSS:PatternedSapphireSubstrate(圖形化襯底)使用PSS襯底以提高出光效率外延基礎75ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLight,LighttheWorldMicroscopePLELXRDBowing觀察表面是否有異常外延片表面等級判定光致發(fā)光波長強度均勻性電致發(fā)光波長亮度電壓晶體質(zhì)量材料組分周期厚度外延片翹曲度外延片測量LEI表面電阻外延測量76ppt課件3ESemiconductorCreatetheLig3ESemiconductorCreatetheLi