半導(dǎo)體前道設(shè)備行業(yè)深度研究：國內(nèi)前道設(shè)備迎本土擴(kuò)產(chǎn)東風(fēng)

半導(dǎo)體前道設(shè)備行業(yè)深度研究：國內(nèi)前道設(shè)備迎本土擴(kuò)產(chǎn)東風(fēng)1前道半導(dǎo)體設(shè)備：半導(dǎo)體制造核心工藝設(shè)備半導(dǎo)體制造分為前道工藝（FrontEnd）和后道工藝（BackEnd），其中前道工藝指在晶圓上形成器件的工藝過程，也稱晶圓制造，后道工藝指將晶圓上的器件分離，封裝的工藝過程。當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界IDM（垂直整合）和

“fabless+foundry+OSAT”分工兩大模式中，IDM和foundry具備前道工藝生產(chǎn)線，其中頭部代表企業(yè)如IDM

英特爾、三星、海力士、美光、德州儀器，foundry如臺積電、聯(lián)電、格羅方德、中芯國際、華虹半導(dǎo)體等。前道制造工藝通過物理、化學(xué)工藝步驟在晶圓表面形成器件，并生成金屬導(dǎo)線將器件相互連接形成集成電路。前道工藝共有七大工藝步驟，分別為氧化/擴(kuò)散

（ThermalProcess）、光刻（Photo-lithography）、刻蝕（Etch）、離子注入（IonImplant）、薄膜生長（DielectricandMetalDeposition）、清洗與拋光（Clean&CMP）、金屬化（Metalization），通過循環(huán)重復(fù)上述工藝，最終在晶圓表面形成立體的多層結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)整個集成電路的制造。由于制程提升，晶圓上集成的器件和電路復(fù)雜度和密度隨之提升，先進(jìn)邏輯芯片和存儲芯片需要上千道工序去完成芯片的制造。前道設(shè)備為投資重點(diǎn)，供給端高度集中于美、日、歐頭部廠商半導(dǎo)體前道制造設(shè)備是半導(dǎo)體制造設(shè)備的投資重點(diǎn)。根據(jù)半導(dǎo)體制造中前道工藝（晶圓制造）和后道工藝（封裝測試）之分，應(yīng)用于集成電路領(lǐng)域的設(shè)備通?？煞譃榍暗拦に囋O(shè)備和后道工藝設(shè)備兩大類，其中前道設(shè)備市場占半導(dǎo)體設(shè)備主要市場份額，根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2020年全球晶圓制造（前道）設(shè)備市場占比為86.1%，后道封裝及測試設(shè)備分占5.4%和8.5%，預(yù)計(jì)2021-2023年該比重也將維持在86%左右。薄膜生長、刻蝕和光刻設(shè)備為半導(dǎo)體前道制造核心設(shè)備，其市場規(guī)模最大。對應(yīng)主要工藝，半導(dǎo)體前道設(shè)備主要包括氧化/擴(kuò)散設(shè)備、光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、離子注入設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、機(jī)械拋光設(shè)備等，其中光刻、刻蝕和薄膜生長設(shè)備市場規(guī)模最大。根據(jù)Gartner數(shù)據(jù)，2020年全球半導(dǎo)體前道薄膜生長、刻蝕和光刻設(shè)備市場規(guī)模分別為139.2億美元、136.9億美元和135.4億美元，分別以21.5%、21.1%和21.9%市占率位居前三。全球半導(dǎo)體前道設(shè)備由美、日、歐企業(yè)主導(dǎo)供給端，中國廠商市場占比較低。根據(jù)Gartner數(shù)據(jù)，2020年前十大前道半導(dǎo)體設(shè)備廠商中3家來自美國，總計(jì)市占率40%；4家來自日本，市占率19.5%；荷蘭的ASML由于其在浸潤式DUV光刻機(jī)及EUV壟斷地位，以18.1%市場份額占據(jù)全球第二。中國主要前道半導(dǎo)體設(shè)備廠商北方華創(chuàng)、屹唐旗下Mattson、中微公司和盛美總計(jì)僅占全球1.5%市場份額。擴(kuò)產(chǎn)周期內(nèi)，半導(dǎo)體設(shè)備龍頭有望迎戴維斯雙擊。根據(jù)歷年財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)，2016年至2021年，全球前道半導(dǎo)體設(shè)備龍頭應(yīng)用材料、ASML和泛林營收分別增長1.1、2.1、1.5倍，凈利潤增長2.4、3.3、3.3倍，同期（2016年12月31日至2021年12月31日），市值分別增長3、5.8、4.9倍。2022年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模有望再創(chuàng)新高半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)隨半導(dǎo)體整體需求呈顯著周期成長性。半導(dǎo)體下游需求的周期性成長是半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)周期性主要因素，根據(jù)SEMI和WSTS數(shù)據(jù)，2005年至2020年二十一年間，有十九年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額同比增長方向與全球半導(dǎo)體銷售額同比增長方向相同，且設(shè)備增長/下降幅度均顯著高于半導(dǎo)體銷售額幅度，顯示更強(qiáng)彈性。2022年全球半導(dǎo)體銷售額有望再次突破新高。根據(jù)WSTS的數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體銷售額由1999年的1494億美元提高到了2020年的4404億美元，預(yù)計(jì)2021、2022年還將分別增長19.7%、8.8%，達(dá)到5272億美元、5734億美元。2022年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額有望連續(xù)刷新歷史記錄。根據(jù)SEMI預(yù)計(jì)，2021年原始設(shè)備制造商的半導(dǎo)體制造設(shè)備全球銷售總額將達(dá)到1030億美元的新高，比2020年的710億美元的歷史記錄增長44.7%。預(yù)計(jì)2022年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備市場總額將擴(kuò)大到1140億美元，有望連續(xù)第三年創(chuàng)歷史新高。從供給端來看，2021年北美半導(dǎo)體設(shè)備銷售額單月連續(xù)創(chuàng)歷史新高，日本半導(dǎo)體設(shè)備銷售額大幅增長。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2021年北美半導(dǎo)體設(shè)備銷售額為429.93億美元，相較2020年、2019年的297.83億美元、242.89億美元增長44.4%和77.0%，其中1-7月連續(xù)刷新單月歷史新高。根據(jù)SEMI和SEAJ數(shù)據(jù)，2021年日本半導(dǎo)體設(shè)備銷售額達(dá)到30767.56億日元（約合267.1億美元），較2020年和2019年增長37.1%和51.3%。從需求端來看，中國大陸、中國臺灣和韓國成為全球前三大半導(dǎo)體設(shè)備市場。根據(jù)SEMI及SEAJ數(shù)據(jù)，2020年中國半導(dǎo)體設(shè)備銷售額從2005年的13.3億美元增加到2020年的187.2億美元，占全球比例由12%提升到26%，首次成為全球半導(dǎo)體設(shè)備第一大銷售市場。2021年前三季度中國半導(dǎo)體設(shè)備銷售額為211.1億美元，占比30%，繼續(xù)維持全球第一。中國臺灣和韓國占比24%和23%分列第二三。北美、歐洲、日本占比從2005年17.5%、9.9%、24.9%分別下滑至7.5%、3.0%和8.6%。中國大陸自2013年本土和外資的晶圓代工、存儲器項(xiàng)目以及封測項(xiàng)目同時新建、擴(kuò)建推動設(shè)備市場總體保持快速增長；中國臺灣主要由臺積電對先進(jìn)制程不斷投入拉動設(shè)備投資；韓國設(shè)備投資主要由全球存儲巨頭三星和海力士拉動，因此設(shè)備市場規(guī)模隨存儲需求波動，且波動幅達(dá)較大。前道設(shè)備規(guī)模近千億美元，Memory和foundry擴(kuò)產(chǎn)是投資主推力2022年全球前道晶圓廠設(shè)備支出有望連續(xù)第三年創(chuàng)歷史新高。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2019由于存儲器投資合理回落造成負(fù)增長外，在2016年至2021年全球前道晶圓廠設(shè)備支出呈現(xiàn)總體持續(xù)增長趨勢（CAGR18%），并于2020和2021年連續(xù)創(chuàng)歷史新高（635億美元、914億美元）。從資本開支來看，存儲芯片制造商（主要為IDM）和foundry是主要投資方。根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，2009年至2016年，存儲芯片制造商平均每年資本開支占比為33.7%,在2018年存儲芯片擴(kuò)產(chǎn)最高峰時攀升至60.3%，對應(yīng)666億美元資本開支，Omdia預(yù)計(jì)2022-2025年存儲芯片資本開支將觸底后逐步回升，占據(jù)年均43.9%資本開支，對應(yīng)520億美元/年。全球foundry資本開支占比從2009年20.4%提升至2020年24.1%，Omdia預(yù)計(jì)2022年-2025年foundry資本開支占比將提升至年均33.1%，對應(yīng)390億美元/年。SEMI則預(yù)計(jì)foundry部分占2022的總支出的46%，超過memory的37%。從晶圓產(chǎn)能增長看，本輪產(chǎn)能擴(kuò)產(chǎn)幅度最大亦為foundry和存儲器制造商。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，截止2021年第三季度，全球Memory和foundry月產(chǎn)能為768.9萬片和821.6萬片折合8寸晶圓，較2019年第一季度分別增長58.6萬片和114.8萬片折合8寸晶圓，分別占全行業(yè)新增產(chǎn)能的21.9%和42.9%。先進(jìn)制程推動foundry單位產(chǎn)能設(shè)備投資大幅增長。在摩爾定律的推動下，元器件集成度的大幅提高要求集成電路線寬不斷縮小，導(dǎo)致生產(chǎn)技術(shù)與制造工序愈為復(fù)雜，制造成本呈指數(shù)級上升趨勢。例如采用昂貴的極紫外光刻機(jī)（EUV），或采用多重模板工藝，重復(fù)多次薄膜沉積和刻蝕工序以實(shí)現(xiàn)更小的線寬，使得薄膜沉積和刻蝕次數(shù)顯著增加，意味著集成電路制造企業(yè)需要投入更多且更先進(jìn)的光刻機(jī)、刻蝕設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備等，造成巨額的設(shè)備投入。根據(jù)IBS統(tǒng)計(jì)，隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的不斷縮小，集成電路制造的設(shè)備投入呈大幅上升的趨勢。以5納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)為例，其投資成本高達(dá)數(shù)百億美元，是14納米的兩倍以上，28納米的四倍左右。新興應(yīng)用的推陳出新擴(kuò)大了foundry成熟制程、特色工藝的市場需求。特色工藝主要包括圖像傳感器、指紋識別、特殊存儲、嵌入式非易失性存儲器、功率分立器件、模擬和電源管理IC、高壓、射頻和微機(jī)電系統(tǒng)等，一般以28nm及以上工藝制造。特色工藝多數(shù)具備產(chǎn)品研發(fā)投入較低,不依賴于先進(jìn)設(shè)備和先進(jìn)技術(shù),以及產(chǎn)品門類繁多等特點(diǎn)。特色工藝正得到全球主要晶圓代工廠的關(guān)注，成為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的另一個重要發(fā)展機(jī)遇。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)顯示，成熟制程的需求增長主要由電源管理、CIS、射頻器件等需求驅(qū)動。隨著5G、新能源汽車、物聯(lián)網(wǎng)的滲透率提升將帶動射頻器件、CIS芯片和電源管理芯片市場規(guī)模提升，加大成熟制程的晶圓需求。根據(jù)Yole預(yù)計(jì)到2023年全球成熟制程晶圓需求為6640萬片（以8英寸計(jì)），其中電源管理芯片消耗最多占比為57%，其次為CIS芯片占比為27%，射頻器件占比為11%，而增速最快的主要為射頻及CIS芯片需求。全球成熟制程強(qiáng)需求促使全球主要晶圓代工企業(yè)進(jìn)入成熟制程擴(kuò)產(chǎn)周期。IHSMarkit預(yù)測，28nm及以上成熟制程2025年市場規(guī)模可達(dá)431億美元，主要應(yīng)用于MCU、移動設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等領(lǐng)域。應(yīng)對新興領(lǐng)域成熟制程芯片需求提升，臺積電、聯(lián)電、格芯、力積電、中芯國際、華虹半導(dǎo)體等全球主要晶圓代工企業(yè)正在進(jìn)行或規(guī)劃成熟制程產(chǎn)能擴(kuò)充。本土需求、外部因素催生本土擴(kuò)產(chǎn)強(qiáng)周期，國產(chǎn)前道設(shè)備進(jìn)入快車道中國是全球最大的半導(dǎo)體市場，但國產(chǎn)化率較低。我國是全球半導(dǎo)體銷售規(guī)模最大的市場，根據(jù)SIA的數(shù)據(jù)，2020年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模為4360億美元，中國半導(dǎo)體市場規(guī)模為1512億美元，占比35%。中國半導(dǎo)體本土企業(yè)，相比海外公司有著地理位置、文化交流等優(yōu)勢，能夠更好的為本地客戶提供支持。與市場規(guī)模全球第一形成鮮明對的是我國半導(dǎo)體產(chǎn)能不足，自給率明顯偏低。根據(jù)ICInsights的數(shù)據(jù)，2020年中國半導(dǎo)體企業(yè)僅占全球半導(dǎo)體5%的份額，其中IDM低于1%，F(xiàn)abless相對占比較高，為15%。從國產(chǎn)化率來看，2020年中國芯片市場規(guī)模為1430億美元，中國制造的芯片價(jià)值227億美元，占比15.9%，但這里面還包括了海外半導(dǎo)體大廠在中國大陸設(shè)立的廠商。若僅考慮總部在中國的企業(yè)，國產(chǎn)化率僅5.8%，未來國產(chǎn)替代空間廣闊。從來料加工驅(qū)動逐步過渡到本土創(chuàng)新驅(qū)動，復(fù)雜國際環(huán)境下半導(dǎo)體供應(yīng)鏈安全至關(guān)重要。隨著中國進(jìn)入經(jīng)濟(jì)升級的時代，我國數(shù)字經(jīng)濟(jì)規(guī)模已超過5萬億美元（中國信通院，2020年數(shù)據(jù)），5G、AIoT、新能源汽車等應(yīng)用創(chuàng)新逐步走在世界前列，我們認(rèn)為國內(nèi)半導(dǎo)體需求增長推力從過去以來料加工、組裝電子產(chǎn)品的“世界工廠”模式驅(qū)動過渡到本土創(chuàng)新驅(qū)動。因此，在中美貿(mào)易摩擦升級和全球新冠疫情影響下，作為電子信息關(guān)鍵元器件的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈安全至關(guān)重要。本土芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)進(jìn)入爆發(fā)期，晶圓制造需求有望不斷擴(kuò)大。在政策支持下，大量社會資本開始涌入半導(dǎo)體行業(yè)，根據(jù)云岫資本的統(tǒng)計(jì)，2020年我國半導(dǎo)體行業(yè)股權(quán)投資413起，約是2019年的兩倍，投資金額超1400億元，相比2019年約300億人民幣的投資額增長近4倍。在此情況下，我國半導(dǎo)體企業(yè)數(shù)量激增，2020年我國設(shè)計(jì)企業(yè)數(shù)量達(dá)2218家，是2015年的3倍。另一方面，出于提升自身產(chǎn)品競爭力、供應(yīng)鏈安全等目的，作為已經(jīng)成長起來的本土消費(fèi)電子制造商、互聯(lián)網(wǎng)廠商、OEM、通信設(shè)備等業(yè)外廠商紛紛投資進(jìn)入半導(dǎo)體設(shè)計(jì)領(lǐng)域。在此背景下，本土晶圓制造需求有望隨之不斷擴(kuò)大。國產(chǎn)先進(jìn)存儲芯片技術(shù)實(shí)現(xiàn)突破，未來五年有望產(chǎn)能顯著提升。截至2021年，國內(nèi)先進(jìn)DRAM制造商長鑫存儲已開始商業(yè)量產(chǎn)19nmDDR4DRAM產(chǎn)品，長江存儲實(shí)現(xiàn)商業(yè)量產(chǎn)64層3DNANDflash芯片，開始商業(yè)量產(chǎn)128層3DNAND。根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，2021年長鑫存儲和長江存儲產(chǎn)能合計(jì)僅占全球約2.5%，根據(jù)Yole預(yù)計(jì)未來五年中國存儲芯片產(chǎn)能年均增長40-50%，形成較高的市場競爭力。中國晶圓制造擴(kuò)產(chǎn)大周期已拉開。根據(jù)SIA數(shù)據(jù)，僅2021年，中國本土廠商宣布了28個新增制造產(chǎn)線項(xiàng)目，涉及總投資達(dá)260億美元，其中既包括了總投資89億美元和24億美元的中芯國際

28nm及以上成熟foundry生產(chǎn)線，也包括了如眾多模擬、分立器件、化合物半導(dǎo)體產(chǎn)線以及實(shí)驗(yàn)線。根據(jù)前道設(shè)備占據(jù)70%-80%的晶圓產(chǎn)線建設(shè)成本，結(jié)合建廠時間預(yù)測，僅2021年新增產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目有望在2021-2024年釋放總計(jì)182億-208億美元的前道設(shè)備市場需求。中國晶圓制造擴(kuò)產(chǎn)周期有望延續(xù)多年，本土前道設(shè)備部分環(huán)節(jié)取得突破有望份額顯著提升。根據(jù)Omdia預(yù)測，2021-2025年中芯國際、華虹、長江存儲、長鑫存儲、華潤微等本土主要晶圓制造廠商每年資本開支合計(jì)將繼續(xù)維持在110-130億美元，加上其他IDM、圓制造項(xiàng)目主體在內(nèi)，有望達(dá)到150-200億美元，對應(yīng)每年釋放超過120-160億美元前道設(shè)備需求。根據(jù)芯謀研究的統(tǒng)計(jì)，2020年中國晶圓廠設(shè)備采購中僅7%來自于中國企業(yè)，由于以北方華創(chuàng)、中微公司、盛美、屹唐等我國半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)正在逐步突破，甚至在部分細(xì)分市場全球領(lǐng)先，我們認(rèn)為，在國產(chǎn)化和中國大陸晶圓廠擴(kuò)建的大背景下，本土前道設(shè)備企業(yè)有望獲得突破成長新機(jī)遇。2前道設(shè)備細(xì)分賽道梳理：前道設(shè)備國產(chǎn)化曙光漸顯光刻：

ASML光刻機(jī)一枝獨(dú)秀，芯源微領(lǐng)銜涂膠/顯影國產(chǎn)替代光刻工藝是半導(dǎo)體集成電路制造的核心圖形（patterning）工藝。光刻的基本原理是將對光敏感的光刻膠旋涂在晶圓上，在表面形成一層薄膜，光源透過光罩（掩模版）照射在光刻膠上，使得光刻膠選擇性的曝光，接著對光刻膠顯影，完成光罩上電路特定層的圖形的轉(zhuǎn)移。經(jīng)典八步基本工藝即襯底的準(zhǔn)備、光刻膠涂覆、軟烘焙、曝光、曝光后烘培、顯影、硬烘焙和顯影檢測，涉及主要設(shè)備有光刻機(jī)、涂膠顯影設(shè)備、清洗設(shè)備和量測設(shè)備。在集成電路制造工藝中，光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的35%，并且耗費(fèi)時間約占整個芯片工藝的40%-60%。光刻機(jī)：ASML一家獨(dú)大地位繼續(xù)穩(wěn)固，上海微電子肩負(fù)國產(chǎn)化破局使命光刻機(jī)是光刻工藝對準(zhǔn)和曝光的核心設(shè)備。光刻機(jī)通過一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模，經(jīng)物鏡補(bǔ)償各種光學(xué)誤差，將線路圖成比例縮小后映射到硅片上，然后使用化學(xué)方法顯影，得到刻在硅片上的電路圖。光刻機(jī)的主要性能指標(biāo)有：支持基片的尺寸范圍，分辨率、對準(zhǔn)精度、曝光方式、光源波長、光強(qiáng)均勻性、生產(chǎn)效率等。投影透鏡的分辨率、對準(zhǔn)精度及吞吐量是光刻機(jī)系統(tǒng)三大關(guān)鍵指標(biāo)。光刻機(jī)由激光器、測量臺、曝光臺（雙工件臺）、光束矯正器、能量控制器、光束形狀設(shè)置、遮光器、能量探測器、掩膜臺、物鏡、內(nèi)部封閉框架和減振器等組件構(gòu)成，隨著摩爾定律延續(xù)，晶體管數(shù)量不斷翻倍增加，曝光精度迅速從幾微米到幾納米以內(nèi)，對應(yīng)光刻機(jī)制造難度急劇增加。光刻機(jī)在發(fā)展過程中，不斷追求曝光更短波長輔以高精度的對準(zhǔn)技術(shù)，確保曝光精度和套刻精度提升。根據(jù)瑞利公式：CD=k1*(λ/NA)，主要改進(jìn)方向就是降低波長λ，提高鏡頭的數(shù)值孔徑NA，降低綜合因素k1。由于光具有波粒二象性，波長越短粒子性越強(qiáng)，波性越弱，用更短的波長能有效避免波的衍射現(xiàn)象，確保光刻精度和成影效果。目前，光刻機(jī)曝光波長以從436nm/365nm到238nm、193nm到13.5nm極紫外光，加工至最小3nm特征尺寸的器件。光刻機(jī)從類型上也經(jīng)歷了從曝光式（Aligner）、接觸式（contact）、步進(jìn)式

（stepper）、掃描式scanner、浸沒式（Immersion）到現(xiàn)在EUV光刻機(jī)。全球前道制造光刻機(jī)市場規(guī)模超130億美元，市場份額異常集中，ASML市占率一枝獨(dú)秀。根據(jù)Gartner數(shù)據(jù)，2020年全球前道光刻機(jī)市場規(guī)模為135.4億億美元，較2019年增長15.6%，其中包括最先進(jìn)的EUV光刻機(jī)在內(nèi)的步進(jìn)式光刻機(jī)（stepper）占95%市場份額。2020年ASML、尼康和佳能壟斷全球前道光刻機(jī)市場，其中AMSL以88.8%市場份額絕對領(lǐng)先。其他光刻機(jī)廠商如應(yīng)用材料、SuSS、Veeco產(chǎn)品主要應(yīng)用于后道封裝、光罩制造等領(lǐng)域。從出貨機(jī)型分析，ASML幾乎壟斷高端光刻機(jī)，市場份額有望繼續(xù)鞏固。從光刻機(jī)出貨量來看，根據(jù)芯思想研究院數(shù)據(jù)，2020年ASML、Nikon、Cannon分別出貨258、31、122臺光刻機(jī)，ASML是唯一EUV光刻機(jī)提供商以及占據(jù)86%浸潤式ArF光刻機(jī)和67%干法ArF光刻機(jī)，牢牢掌控全球高端光刻機(jī)市場。2021年公司出貨EUV光刻機(jī)42臺，占總營收46%，浸潤式ArF光刻機(jī)81臺。高強(qiáng)度研發(fā)投入鑄起ASML光刻機(jī)技術(shù)壁壘。2011年至2021年，ASML平均研發(fā)費(fèi)用率達(dá)到22.8%,大幅超過全球半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)用材料（13.8%）和泛林（14.2%）。從絕對值上看，10年間ASML總計(jì)投入146.2億美元，接近應(yīng)用材料161.8億美元并大幅超過泛林86.24億美元。通過持續(xù)高強(qiáng)度研發(fā)投入，ASML在高端光刻機(jī)領(lǐng)域構(gòu)建起絕對領(lǐng)先的技術(shù)壁壘。根據(jù)ASML官網(wǎng)，ASMLEUV光刻機(jī)研發(fā)時間超過17年，總計(jì)投入研發(fā)費(fèi)用60億歐元。2013年ASML收購光刻機(jī)光源公司Cymer以提速研發(fā)EUV光源，構(gòu)建起EUV光刻機(jī)壟斷地位。同時，ASML仍在不斷改進(jìn)浸潤式ArF光刻機(jī)，從分辨率上，ASML最新浸潤式ArF光刻機(jī)可支持至5nm先進(jìn)邏輯工藝及先進(jìn)DRAM制程；從生產(chǎn)效率上，最新NXT2050i提供一天6000片晶圓生產(chǎn)效率，進(jìn)一步領(lǐng)先其競爭對手。由于先進(jìn)邏輯制程、先進(jìn)存儲工工藝以及28nm成熟邏輯制程全球性擴(kuò)產(chǎn)，ASML有望憑借其高端光刻機(jī)繼續(xù)穩(wěn)固其絕對龍頭市場地位。上海微電子為中國目前唯一前道晶圓制造光刻機(jī)整機(jī)制造商，具備制造支持90nm工藝節(jié)點(diǎn)光刻機(jī)。上海微電子裝備(集團(tuán))股份有限公司(簡稱SMEE)主要致力于半導(dǎo)體裝備、泛半導(dǎo)體裝備、高端智能裝備的開發(fā)、設(shè)計(jì)、制造、銷售及技術(shù)服務(wù)。公司設(shè)備廣泛應(yīng)用于集成電路前道、先進(jìn)封裝、FPD面板、MEMS、LED、PowerDevices等制造領(lǐng)域。2017年4月，公司承擔(dān)的國家02重大科技專項(xiàng)任務(wù)“浸沒光刻機(jī)關(guān)鍵技術(shù)預(yù)研項(xiàng)目”通過了國家正式驗(yàn)收；2017年10月，公司承擔(dān)的02重大科技專項(xiàng)

“90nm光刻機(jī)樣機(jī)研制”任務(wù)通過了02專項(xiàng)實(shí)施管理辦公室組織的專家組現(xiàn)場測試；2018年3月，90nm光刻機(jī)項(xiàng)目通過正式驗(yàn)收，目前為國內(nèi)獲得驗(yàn)證通過的最先進(jìn)前道光刻機(jī)，此外，公司目前在研可應(yīng)用于28nm工藝節(jié)點(diǎn)制造的ArF浸潤式光刻機(jī)。涂膠顯影設(shè)備：東京電子占全球九成份額，芯源微進(jìn)入量產(chǎn)周期涂膠顯影設(shè)備（

Track或Coater＆Developer）是光刻工序中與光刻機(jī)配套使用的涂膠、烘烤及顯影設(shè)備，包括涂膠機(jī)（又稱涂布機(jī)、勻膠機(jī)，英文簡稱SpinCoater）、噴膠機(jī)（適用于不規(guī)則表面晶圓的光刻膠涂覆，英文簡稱SprayCoater）和顯影機(jī)（英文簡稱Developer）。涂膠/顯影機(jī)分別作為光刻機(jī)的輸入（曝光前光刻膠涂覆）和輸出（曝光后圖形的顯影），主要通過機(jī)械手使晶圓在各系統(tǒng)之間傳輸和處理，從而完成晶圓的光刻膠涂覆、固化、顯影、堅(jiān)膜等工藝過程，其不僅直接影響到光刻工序細(xì)微曝光圖案的形成，顯影工藝的圖形質(zhì)量對后續(xù)蝕刻和離子注入等工藝中圖形轉(zhuǎn)移的結(jié)果也有著深刻的影響，是集成電路制造過程中不可或缺的關(guān)鍵處理設(shè)備。全球前道涂膠顯影設(shè)備整體呈現(xiàn)增長態(tài)勢。根據(jù)VLSI數(shù)據(jù)，全球前道涂膠顯影設(shè)備銷售額由2013年的14.07億美元增長至2023年的24.76億美元，另據(jù)Gartner數(shù)據(jù)，2019年和2020年全球前道涂膠顯影設(shè)備銷售額已達(dá)到20.67億美元和25.47億美元，高于VLSI預(yù)測。東京電子占據(jù)全球近90%市場份額，為細(xì)分市場絕對龍頭。根據(jù)Gartner數(shù)據(jù)，2020年東京電子（日）、SEMES（韓）、SCREEN（日）和SUSSMicroTec（德）分別占據(jù)全球87.4%、6.9%、4.7%、1.0%前道涂膠顯影機(jī)市場份額。東京電子提供從8寸到12寸、涵蓋i-line到EUV全面的前道涂膠顯影設(shè)備，獨(dú)占細(xì)分市場第一。芯源微前道涂膠顯影設(shè)備通過驗(yàn)證漸進(jìn)規(guī)?；慨a(chǎn)周期。公司作為項(xiàng)目責(zé)任單位承擔(dān)并完成了兩項(xiàng)與所處涂膠顯影設(shè)備領(lǐng)域相關(guān)的“02重大專項(xiàng)”項(xiàng)目，分別是“凸點(diǎn)封裝涂膠顯影、單片濕法刻蝕設(shè)備的開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目和“300mm晶圓勻膠顯影設(shè)備研發(fā)”項(xiàng)目，成功突破了包括凸點(diǎn)封裝工藝相關(guān)的超厚光刻膠膜的涂覆、顯影、單片濕法多工藝藥液同腔分層刻蝕以及193nm（ArF）光刻工藝超薄膠膜均勻涂敷、精細(xì)化顯影、精密溫控?zé)崽幚淼仍趦?nèi)的多項(xiàng)核心關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)出國產(chǎn)涂膠顯影設(shè)備并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。公司前道涂膠顯影設(shè)備已陸續(xù)獲得了上海華力、長江存儲、武漢新芯、中芯紹興、廈門士蘭集科、上海積塔、株洲中車、青島芯恩、中芯寧波、等多個客戶訂單。刻蝕機(jī)：泛林、TEL、應(yīng)材占比九成，中微、北方華創(chuàng)份額逐步提升刻蝕工藝（Etch）通過選擇性地移除沉積過程中添加的介電（絕緣）材料和金屬（導(dǎo)電）材料，協(xié)助形成芯片構(gòu)件，是與光刻相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝?？涛g影響圖形工藝的工藝參數(shù)包括不完全刻蝕、過刻蝕、鉆蝕、選擇比和側(cè)邊的各項(xiàng)異性/各向同性刻蝕。刻蝕工藝分為導(dǎo)體刻蝕、介電質(zhì)刻蝕或多晶硅刻蝕，分別用于去除晶圓上不同類型的薄膜。介電質(zhì)刻蝕作用在刻蝕氧化層以留下“氧化絕緣體”來分隔器件；

多晶硅刻蝕用于制作晶體管內(nèi)的柵極；采用介電質(zhì)刻蝕來刻蝕用于鋪設(shè)金屬導(dǎo)電路徑的通孔和溝槽；同時，金屬刻蝕可去除鋁、鎢或銅層，以在逐級疊加的芯片結(jié)構(gòu)中生成互聯(lián)導(dǎo)線圖形。干法刻蝕是目前集成電路制造主流的刻蝕技術(shù)。刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕，濕法刻蝕各向異性較差，側(cè)壁容易產(chǎn)生橫向刻蝕造成刻蝕偏差，通常用于工藝尺寸較大的應(yīng)用，或用于干法刻蝕后清洗殘留物等；干法刻蝕具備選擇比高，可控性、靈活性、重復(fù)性好、潔凈度高等特點(diǎn)，在半導(dǎo)體圖像尺寸發(fā)展到2微米以下時成為主流刻蝕工藝。干法刻蝕主要包括等離子刻蝕、離子束刻蝕、反應(yīng)離子刻蝕（RIE）等，其中反應(yīng)離子刻蝕結(jié)合了等離子刻蝕和離子束刻蝕原理。等離子體刻蝕設(shè)備主要包括電容性等離子體刻蝕設(shè)備（CCP,CapacitivelyCoupledPlasma）和電感性等離體刻蝕設(shè)備（ICP,InductivelyCoupledPlasma）。等離子刻蝕是將電磁能量施加到含有化學(xué)反應(yīng)成分（如氟或氯）的氣體中實(shí)現(xiàn)。等離子會釋放帶正電的離子來撞擊晶圓以去除（刻蝕）材料，并和活性自由基產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，與刻蝕的材料反應(yīng)形成揮發(fā)性或非揮發(fā)性的殘留物。電容性等離子體刻蝕設(shè)備主要用于刻蝕氧化物、氮化物等硬度高、需要高能量離子反應(yīng)刻蝕的介質(zhì)材料。電感性等離子體刻蝕設(shè)備主要用于刻蝕單晶硅、多晶硅等材料。由于微觀器件越做越小，薄膜厚度越來越薄，線寬控制越來越嚴(yán)，ICP刻蝕機(jī)取代以往的CCP刻蝕設(shè)備成為市場規(guī)模占主導(dǎo)地位的設(shè)備。先進(jìn)邏輯、DRAM制程由于線寬不斷縮小、芯片結(jié)構(gòu)3D化引入多重模板工藝

（多重曝光）使得刻蝕工藝步驟大幅增長，3DNAND層數(shù)不斷增加既增加了刻蝕步驟，又提升了高深寬比刻蝕需求，因此刻蝕相關(guān)需求隨之不斷增長。根據(jù)中微公司數(shù)據(jù)，7nm邏輯工藝總刻蝕步驟約為140道，相對40nm、28nm的約35道、50道有大幅提升。根據(jù)SEMI的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，刻蝕機(jī)在前道晶圓制造設(shè)備市場占比已從2010年約14%提升至2020年約21%。根據(jù)Gartner統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2020年全球集成電路制造干法刻蝕設(shè)備市場規(guī)模預(yù)計(jì)將回升至136.89億美元，同比增長25.36%，在全球集成電路制造設(shè)備市場的規(guī)模占比達(dá)21.10%；2025年，全球集成電路制造干法刻蝕設(shè)備市場規(guī)模預(yù)計(jì)將增長至181.85億美元，年復(fù)合增長率約為5.84%。泛林、東京電子、應(yīng)用材料合計(jì)市占超9成，國內(nèi)廠商具備較大發(fā)展空間。根據(jù)Gartner數(shù)據(jù)，泛林、東京電子、應(yīng)用材料分別占據(jù)全球前道刻蝕機(jī)47%、27%、17%市場份額，其中東京電子和泛林在介質(zhì)刻蝕設(shè)備占據(jù)53%、38%市場份額，泛林和應(yīng)用材料在導(dǎo)體刻蝕設(shè)備占據(jù)54%、30%市場份額。相比之下，國內(nèi)廠商起步較晚，如中微公司、北方華創(chuàng)、屹唐半導(dǎo)體等企業(yè)尚處于追趕階段，全球市場占有率較低，但近年產(chǎn)品通過全球和國內(nèi)主要晶圓代工廠和存儲芯片大廠驗(yàn)證并進(jìn)大規(guī)模出貨，具備較大的發(fā)展空間。中微公司從主打CCP刻蝕機(jī)，向ICP刻蝕機(jī)拓展。中微公司先期開發(fā)了CCP刻蝕機(jī)，近年來進(jìn)入ICP刻蝕機(jī)領(lǐng)域，公司的兩種刻蝕設(shè)備都有單反應(yīng)臺反應(yīng)器，每臺設(shè)備可以帶有六個獨(dú)立的反應(yīng)器，可以滿足高端刻蝕應(yīng)用的需求。中微公司的CCP刻蝕設(shè)備已廣泛的被國內(nèi)外客戶廣泛接受，已在5納米器件上實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并在5納米以下器件的試生產(chǎn)上實(shí)現(xiàn)了突破性的進(jìn)展。中微公司的ICP刻蝕機(jī)進(jìn)入市場后迎來高速發(fā)展階段，出貨量正在攀升。北方華創(chuàng)

ICP刻蝕機(jī)積累深厚，累計(jì)出貨超千臺。2005年公司第一臺8寸ICP刻蝕機(jī)交付客戶生產(chǎn)線，2016年公司首臺14nm硅刻蝕設(shè)備交付客戶，2017年公司首臺應(yīng)用于8英寸0.13um及以下技術(shù)的Al金屬刻蝕機(jī)交付客戶，2019年公司原子層刻蝕設(shè)備進(jìn)入客戶生產(chǎn)線，截止2020年12月，北方華創(chuàng)ICP刻蝕機(jī)累計(jì)交付量破千臺。目前公司形成涵蓋8寸、12寸集成電路、先進(jìn)封裝、MEMS、LED、功率器件等應(yīng)用領(lǐng)域等離子刻蝕機(jī)產(chǎn)品矩陣。薄膜沉積設(shè)備：北方華創(chuàng)、拓荊科技多線突破薄膜沉積是指在硅片襯底上沉積一層待處理的薄膜材料，利用沉積工藝可形成用于構(gòu)建半導(dǎo)體器件的介電（絕緣）層和金屬（導(dǎo)電）材料，并促使器件集成為電路。所沉積薄膜材料可以是二氧化硅、氮化硅、多晶硅等非金屬以及銅等金屬，依據(jù)具體的材料和結(jié)構(gòu)類型，需要采用不同的技術(shù)，主要工藝有化學(xué)氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）、原子沉積（ALD）、電氣化學(xué)沉積（ECD）、外延等。半導(dǎo)體薄膜需要滿足的一般標(biāo)準(zhǔn)包括厚度或均勻性、表面平整度或粗糙度、組成或核粒尺寸、無應(yīng)力、純凈度、完整性等?；瘜W(xué)氣相沉積（CVD）是通過化學(xué)反應(yīng)的方式，利用加熱、等離子或光輻射等各種能源，在反應(yīng)器內(nèi)氣態(tài)或蒸汽狀態(tài)的化學(xué)物質(zhì)在氣相或氣固界面上經(jīng)化學(xué)反應(yīng)形成固態(tài)沉積物的技術(shù)，是一種通過氣體混合的化學(xué)反應(yīng)在硅片表面沉積薄膜的工藝。典型應(yīng)用包括淺溝槽隔離層、金屬前電介質(zhì)層、金屬層間電介質(zhì)層和鈍化保護(hù)層。該工藝也在應(yīng)變工程中發(fā)揮重要作用，采用壓縮或拉伸應(yīng)力薄膜來改善導(dǎo)電性，從而提升晶體管的性能。CVD設(shè)備由氣相反應(yīng)室（進(jìn)氣方向與樣品表面成水平或垂直），能量系統(tǒng)（加熱或射頻），反應(yīng)氣體控制系統(tǒng)，真空系統(tǒng)及廢氣處理裝置等組成。常用CVD設(shè)備包括PECVD、SACVD、APCVD、LPCVD、ALD等，適用于不同工藝節(jié)點(diǎn)對膜質(zhì)量、厚度以及孔隙溝槽填充能力等的不同要求。常壓化學(xué)氣相沉積(APCVD)是指在大氣壓下進(jìn)行的一種化學(xué)氣相淀積的方法，是化學(xué)氣相淀積最初所采用的方法。這種工藝所需的系統(tǒng)簡單，反應(yīng)速度快，并且其淀積速率可超過1000埃/min，特別適于介質(zhì)淀積，但是它的缺點(diǎn)是均勻性較差，所以，APCVD一般用在厚的介質(zhì)淀積。低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)是指系統(tǒng)工作在較低的壓強(qiáng)下的一種化學(xué)氣相淀積的方法。隨著半導(dǎo)體工藝特征尺寸的減小，對薄膜的均勻性要求及膜厚的誤差要求不斷提高，發(fā)展出低壓化學(xué)氣相淀積。LPCVD技術(shù)沉積出來的薄膜均勻性和臺階覆蓋性較好，且具有較低的淀積速率和較高的淀積溫度。LPCVD技術(shù)不僅用于制備硅外延層，還廣泛用于各種無定形鈍化膜及多晶硅薄膜的淀積，是一種重要的薄膜淀積技術(shù)。等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積(PECVD)是指采用高頻等離子體驅(qū)動的一種氣相淀積技術(shù)，是一種射頻輝光放電的物理過程和化學(xué)反應(yīng)相結(jié)合的技術(shù)。該氣相淀積的方法可以在非常低的襯底溫度下淀積薄膜，例如在鋁(AL)上淀積二氧化硅。工藝上等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積主要用于淀積絕緣層。先進(jìn)制程發(fā)展下，ALD（原子層沉積）應(yīng)用越來越廣泛。ALD工藝直接在芯片表面堆積材料，一次沉積單層薄膜幾分之一的厚度，以盡可能生成最薄、最均勻的薄膜。從原理上說，ALD是通過化學(xué)反應(yīng)得到生成物，但在沉積反應(yīng)原理、沉積反應(yīng)條件的要求和沉積層的質(zhì)量上都與傳統(tǒng)的CVD不同。相對于傳統(tǒng)的沉積工藝而言，ALD工藝具有自限制生長的特點(diǎn)，可精確控制薄膜的厚度，制備的薄膜具有均勻的厚度和優(yōu)異的一致性，臺階覆蓋率高，特別適合深槽結(jié)構(gòu)中的薄膜生長。ALD設(shè)備在Finfet的fin結(jié)構(gòu)形成、高k材料、金屬柵、STI、BSI等工藝中均存在大量應(yīng)用。物理氣相沉積(PhysicalVaporDeposition，PVD)技術(shù)表示在真空條件下，采用物理方法，將固體或液體等材料源表面氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子，并通過低壓氣體（或等離子體）過程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)。半導(dǎo)體前道物理氣相沉積的主要方法有真空蒸鍍、濺射鍍膜等，PVD沉積工藝用于為先進(jìn)晶體管高k柵介質(zhì)/金屬柵極生成超薄蓋帽層和金屬柵極薄膜，也用于在互連結(jié)構(gòu)中形成超薄阻擋膜和種子層。濺射（Sputtering）工藝目前為集成電路前道制造物理氣相沉積制備薄膜的主要技術(shù)。濺射主要利用離子源產(chǎn)生的離子，在高真空中經(jīng)過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體（濺射靶材）表面，離子和濺射靶材表面原子發(fā)生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面。如同刻蝕工藝，由于先進(jìn)邏輯、DRAM制程由于線寬不斷縮小、芯片結(jié)構(gòu)3D化引入多重模板工藝（多重曝光）以及3DNAND層數(shù)不斷增加，薄膜沉積工藝步驟隨之顯著增加。根據(jù)MaximizeMarketResearch預(yù)測，至2025年全球全球薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模將達(dá)到340億美元，2017年至2025年維持13.3%復(fù)合增長率。薄膜沉積設(shè)備占據(jù)最大前道設(shè)備市場份額。根據(jù)Gartner數(shù)據(jù)，2020年薄膜沉積設(shè)備在前道晶圓制造設(shè)備市場占比約25.1%，合計(jì)139.2億美元，超過光刻和刻蝕設(shè)備市場份額成為最大的前道工藝設(shè)備細(xì)分市場。其中PECVD占比達(dá)到34%為最高，ALD占據(jù)13%，LPCVD占據(jù)7%；屬于PVD濺射和電鍍ECD分別占據(jù)21%和4%市場份額。應(yīng)用材料、泛林、東京電子占據(jù)全球前道薄膜沉積設(shè)備市場超7成市場份額。根據(jù)Gartner數(shù)據(jù)，2020年應(yīng)用材料、泛林、東京電子分別占據(jù)全球前道薄膜沉積設(shè)備43%、19%、11%市場份額，CR3集中度達(dá)73%。從主要CVD設(shè)備看，應(yīng)用材料、泛林分別占據(jù)PECVD的48.7%、34.4%市場份額，荷蘭的ASMInternational東京電子、泛林占據(jù)ALD的45.8%、28.5%和10.1%市場份額。而在PVD濺射設(shè)備市場，應(yīng)用材料以86.8%份額主導(dǎo)市場。北方華創(chuàng)薄膜沉積設(shè)備布局全面。PVD方面，北方華創(chuàng)微電子憑借十余年的微電子領(lǐng)域高端工藝設(shè)備開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，公司突破了濺射源設(shè)計(jì)技術(shù)、等離子產(chǎn)生與控制技術(shù)、顆?？刂萍夹g(shù)、腔室設(shè)計(jì)與仿真模擬技術(shù)、軟件控制技術(shù)等多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，建立了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)優(yōu)勢，形成了國產(chǎn)集成電路領(lǐng)域高端薄膜制備設(shè)備零的突破，設(shè)備應(yīng)用跨越多個技術(shù)代，代表著國產(chǎn)集成電路薄膜制備工藝設(shè)備的較高水平，并成功進(jìn)入國際供應(yīng)鏈體系。CVD方面，公司先后完成了PECVD、APCVD、LPCVD、ALD等設(shè)備的開發(fā)，滿足集成電路、半導(dǎo)體照明、微機(jī)電系統(tǒng)、功率半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、新能源光伏等領(lǐng)域多種制造工藝需求。拓荊科技主要從事高端半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù)。公司主要產(chǎn)品包括等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備、原子層沉積（ALD）設(shè)備和次常壓化學(xué)氣相沉積（SACVD）設(shè)備三個產(chǎn)品系列，根據(jù)其招股書，公司產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于國內(nèi)晶圓廠14nm及以上制程集成電路制造產(chǎn)線，并已展開10nm及以下制程產(chǎn)品驗(yàn)證測試。清洗設(shè)備：多家本土公司穩(wěn)健起步，有望率先國產(chǎn)替代半導(dǎo)體清洗工藝用于去除半導(dǎo)體硅片制造、晶圓制造和封裝測試每個步驟中可能存在的雜質(zhì)，避免雜質(zhì)影響芯片良率和芯片產(chǎn)品性能。隨著芯片制造工藝先進(jìn)程度的持續(xù)提升，清洗是貫穿半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的重要工藝環(huán)節(jié)，對晶圓表面污染物的控制要求不斷提高，每一步光刻、刻蝕、沉積等重復(fù)性工序后，都需要一步清洗工序。半導(dǎo)體清洗去除半導(dǎo)體制造過程中的顆粒、自然氧化層、金屬污染、有機(jī)物、犧牲層、拋光殘留物等雜質(zhì)，將晶圓制造過程中晶圓表面的上述各種污染物控制在工藝要求的范圍之內(nèi)，并保證晶圓表面無損傷，以保證芯片的良率及性能。隨著工藝節(jié)點(diǎn)不斷發(fā)展，對晶圓表面污染物的控制要求越來越高。晶圓制造產(chǎn)線上通常以濕法清洗為主，少量特定步驟采用濕法和干法清洗相結(jié)合的方式互補(bǔ)所短，構(gòu)建清洗方案。根據(jù)清洗介質(zhì)的不同，目前半導(dǎo)體清洗技術(shù)主要分為濕法清洗和干法清洗兩種工藝路線，根據(jù)盛美上海招股書，濕法清洗是主流的清洗技術(shù)路線，占芯片制造清洗步驟數(shù)量的90%以上。濕法清洗是針對不同的工藝需求，采用特定的化學(xué)藥液和去離子水，對晶圓表面進(jìn)行無損傷清洗，以去除晶圓制造過程中的顆粒、自然氧化層、有機(jī)物、金屬污染、犧牲層、拋光殘留物等物質(zhì)，可同時采用超聲波、加熱、真空等輔助技術(shù)手段。干法清洗是指不使用化學(xué)溶劑的清洗技術(shù)，主要包括等離子清洗、超臨界氣相清洗、束流清洗等技術(shù)。干法清洗主要是采用氣態(tài)的氫氟酸刻蝕不規(guī)則分布的有結(jié)構(gòu)的晶圓二氧化硅層，雖然具有對不同薄膜有高選擇比