模電復習資料0模擬電子技術基礎

歡飲閱讀第一章半導體二極管1.半導體---導電能力介于導體和絕緣體之間的物質(如硅Si、鍺Ge)。2.特性---光敏、熱敏和摻雜特性。3.本征半導體----純凈的具有單晶體結構的半導體。4.兩種載流子----帶有正、負電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。5.雜質半導體----在本征半導體中摻入微量雜質形成的半導體。體現(xiàn)的是半導體的摻雜特性。*P型半導體:在本征半導體中摻入微量的三價元素（多子是空穴，少子是電子）。*N型半導體:在本征半導體中摻入微量的五價元素（多子是電子，少子是空穴）。6.雜質半導體的特性*載流子的濃度---多子濃度決定于雜質濃度，少子濃度與溫度有關。*體電阻---通常把雜質半導體自身的電阻稱為體電阻。*轉型---通過改變摻雜濃度，一種雜質半導體可以改型為另外一種雜質半導體。7.PN結*PN結的接觸電位差---硅材料約為0.6~0.8V，鍺材料約為0.2~0.3V。*PN結的單向導電性---正偏導通，反偏截止。8.PN結的伏安特性二.半導體二極管*單向導電性------正向導通，反向截止。*二極管伏安特性----同ＰＮ結。*正向導通壓降------硅管0.6~0.7V，鍺管0.2~0.3V。*死區(qū)電壓------硅管0.5V，鍺管0.1V。3.分析方法------將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低:若V陽>V陰(正偏)，二極管導通(短路);若V陽<V陰(反偏)，二極管截止(開路)。）圖解分析法該式與伏安特性曲線的交點叫靜態(tài)工作點Q。2)等效電路法直流等效電路法*總的解題手段----將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低:若V陽>V陰(正偏)，二極管導通(短路);若V陽<V陰(反偏)，二極管截止(開路)。*三種模型微變等效電路法三.穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路*穩(wěn)壓二極管的特性---正常工作時處在PN結的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。第二章三極管及其基本放大電路一.三極管的結構、類型及特點1.類型---分為NPN和PNP兩種。2.特點---基區(qū)很薄，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸面積較?。患妳^(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。二.三極管的工作原理1.三極管的三種基本組態(tài)2.三極管內各極電流的分配*共發(fā)射極電流放大系數(shù)(表明三極管是電流控制器件式子3.共射電路的特性曲線*輸入特性曲線---同二極管。稱為穿透電流。*輸出特性曲線(飽和管壓降，用UCES表示放大區(qū)---發(fā)射結正偏，集電結反偏。截止區(qū)---發(fā)射結反偏，集電結反偏。4.溫度影響溫度升高，輸入特性曲線向左移動。溫度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。三.低頻小信號等效模型（簡化）hie---輸出端交流短路時的輸入電阻，常用rbe表示；hfe---輸出端交流短路時的正向電流傳輸比，常用β表示；四.基本放大電路組成及其原則1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。2.組成原則----能放大、不失真、能傳輸。五.放大電路的圖解分析法1.直流通路與靜態(tài)分析*概念---直流電流通的回路。*畫法---電容視為開路。*作用---確定靜態(tài)工作點*直流負載線---由VCC=ICRC+UCE確定的直線。*電路參數(shù)對靜態(tài)工作點的影響1）改變Rb：Q點將沿直流負載線上下移動。2）改變Rc：Q點在IBQ所在的那條輸出特性曲線上移動。3）改變VCC：直流負載線平移，Q點發(fā)生移動。2.交流通路與動態(tài)分析*概念---交流電流流通的回路*畫法---電容視為短路,理想直流電壓源視為短路。*作用---分析信號被放大的過程。*交流負載線---連接Q點和VCC’點VCC’=UCEQ+ICQRL’的直線。3.靜態(tài)工作點與非線性失真（1）截止失真*產生原因---Q點設置過低*失真現(xiàn)象---NPN管削頂，PNP管削底。*消除方法---減小Rb，提高Q。（2）飽和失真*產生原因---Q點設置過高*失真現(xiàn)象---NPN管削底，PNP管削頂。*消除方法---增大Rb、減小Rc、增大VCC。4.放大器的動態(tài)范圍（1）Uopp---是指放大器最大不失真輸出電壓的峰峰值。（2）范圍*當（UCEQ－UCES）＞（VCC’－UCEQ）時，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。*當（UCEQ－UCES）＜（VCC’－UCEQ）時，受飽和失真限制，UOPP=2UOMAX=2（UCEQ－UCES）。*當（UCEQ－UCES）＝（VCC’－UCEQ），放大器將有最大的不失真輸出電壓。六.放大電路的等效電路法1.靜態(tài)分析（1）靜態(tài)工作點的近似估算（2）Q點在放大區(qū)的條件欲使Q點不進入飽和區(qū)，應滿足RB＞βRc。2.放大電路的動態(tài)分析*放大倍數(shù)*輸入電阻*輸出電阻七.分壓式穩(wěn)定工作點共射放大電路的等效電路法1．靜態(tài)分析2．動態(tài)分析*電壓放大倍數(shù)在Re兩端并一電解電容Ce后輸入電阻在Re兩端并一電解電容Ce后*輸出電阻八.共集電極基本放大電路1．靜態(tài)分析2．動態(tài)分析*電壓放大倍數(shù)*輸入電阻*輸出電阻3.電路特點*電壓放大倍數(shù)為正，且略小于1，稱為射極跟隨器，簡稱射隨器。*輸入電阻高，輸出電阻低。第三章場效應管及其基本放大電路一.結型場效應管（JFET）2.輸出特性曲線（可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)）轉移特性曲線UP-----截止電壓二.絕緣柵型場效應管（MOSFET）分為增強型（EMOS）和耗盡型（DMOS）兩種。結構示意圖和電路符號2.特性曲線*N-EMOS的輸出特性曲線*N-EMOS的轉移特性曲線式中，IDO是UGS=2UT時所對應的iD值。*N-DMOS的輸出特性曲線注意：uGS可正、可零、可負。轉移特性曲線上iD=0處的值是夾斷電壓UP，此曲線表示式與結型場效應管一致。三.場效應管的主要參數(shù)5.低頻跨導gm(表明場效應管是電壓控制器件)四.場效應管的小信號等效模型E-MOS的跨導gm---五.共源極基本放大電路1.自偏壓式偏置放大電路*靜態(tài)分析動態(tài)分析若帶有Cs，則*靜態(tài)分析*動態(tài)分析若源極帶有Cs，則*靜態(tài)分析或*動態(tài)分析第四章多級放大電路一.級間耦合方式1.阻容耦合----各級靜態(tài)工作點彼此獨立；能有效地傳輸交流信號；體積小，成本低。但不便于集成，低頻特性差。2.變壓器耦合---各級靜態(tài)工作點彼此獨立，可以實現(xiàn)阻抗變換。體積大，成本高，無法采用集成工藝；不利于傳輸?shù)皖l和高頻信號。3.直接耦合----低頻特性好，便于集成。各級靜態(tài)工作點不獨立，互相有影響。存在“零點漂移”現(xiàn)象。*零點漂移----當溫度變化或電源電壓改變時，靜態(tài)工作點也隨之變化，致使uo偏離初始值“零點”而作隨機變動。二.單級放大電路的頻率響應1．中頻段(fL≤f≤fH)波特圖---幅頻曲線是20lgAusm=常數(shù)，相頻曲線是φ=-180o。2．低頻段(f≤fL)‘3．高頻段(f≥fH)4．完整的基本共射放大電路的頻率特性三.分壓式穩(wěn)定工作點電路的頻率1．下限頻率的估算HYPERLINK"/retype/zoom/fd543548aaea998fcc220ef7?pn=12&x=0&y=14&raww=280&rawh=60&o=png_6_0_0_135_439_185_39_892.979_1262.879&type=pic&aimh=60&md5sum=7f36a431e304c6d8c5a9767c91041de8&sign=705bea7a99&zoom=