太陽(yáng)能電池及相關(guān)技術(shù)簡(jiǎn)介

太陽(yáng)能電池簡(jiǎn)介及先關(guān)技術(shù)介紹

太陽(yáng)能電池及相關(guān)技術(shù)簡(jiǎn)介共15頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第1頁(yè)!1太陽(yáng)能電池定義2原理3應(yīng)用4太陽(yáng)能電池的材料非晶硅薄膜（構(gòu)成、優(yōu)勢(shì)和不足）多晶硅薄膜（沉底選擇、制備方法）學(xué)習(xí)主要內(nèi)容太陽(yáng)能電池及相關(guān)技術(shù)簡(jiǎn)介共15頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第2頁(yè)!太陽(yáng)能電池英文名稱(chēng)：solarcell定義：將太陽(yáng)輻射直接轉(zhuǎn)化電能的器件所屬學(xué)科：電力、可再生能源太陽(yáng)能電池及相關(guān)技術(shù)簡(jiǎn)介共15頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第3頁(yè)!太陽(yáng)能電池的原理

太陽(yáng)光照在半導(dǎo)體p-n結(jié)上，形成新的空穴-電子對(duì)，在p-n結(jié)電場(chǎng)的作用下，空穴由n區(qū)流向p區(qū)，電子由p區(qū)流向n區(qū)，接通電路后就形成電流。這就是光電效應(yīng)太陽(yáng)能電池的工作原理

太陽(yáng)能電池及相關(guān)技術(shù)簡(jiǎn)介共15頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第4頁(yè)!太陽(yáng)電池的材料在太陽(yáng)電池的產(chǎn)業(yè)鏈中，硅原料的短缺限制了傳統(tǒng)單晶或多晶硅基太陽(yáng)電池的發(fā)展，也是阻礙太陽(yáng)電池降價(jià)和普及的重要因素之一。因此，比較便宜的玻璃為基板的薄膜硅太陽(yáng)電池，或其他種類(lèi)的電池，逐步受到大家的重視。太陽(yáng)能電池及相關(guān)技術(shù)簡(jiǎn)介共15頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第5頁(yè)!其優(yōu)勢(shì)成本低易于大規(guī)模生產(chǎn)受雨雪天氣影響小，發(fā)電時(shí)間長(zhǎng)具有透光性，易于光伏建筑一體化其不足不穩(wěn)定性（光電轉(zhuǎn)換會(huì)隨著光照時(shí)間的延續(xù)而衰弱）光電轉(zhuǎn)換效率較低太陽(yáng)能電池及相關(guān)技術(shù)簡(jiǎn)介共15頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第6頁(yè)!襯底選擇非硅襯底：可以大幅度降低成本，但是所獲得的多晶硅薄膜晶粒小，工藝要求比較高。太陽(yáng)能電池及相關(guān)技術(shù)簡(jiǎn)介共15頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第7頁(yè)!制備方法目前制備多晶硅薄膜電池多采用等離子化學(xué)氣相沉積法（PECVD）、液相外延法（LPPE）、化學(xué)氣相沉積法（CVD）和區(qū)熔再結(jié)晶法（ZMR）、等離子噴涂法（PSM）、疊層法、固相結(jié)晶法（SPC）.太陽(yáng)能電池及相關(guān)技術(shù)簡(jiǎn)介共15頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第8頁(yè)!多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池的生長(zhǎng)方法及特點(diǎn)對(duì)比生長(zhǎng)方法沉積溫度沉積率結(jié)晶質(zhì)量等離子體低低差液相外延低低-中差化學(xué)氣相沉積高高良好太陽(yáng)能電池及相關(guān)技術(shù)簡(jiǎn)介共15頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第9頁(yè)!

光伏發(fā)電國(guó)際空間太陽(yáng)能電池板太陽(yáng)能綠色能源太陽(yáng)能電池汽車(chē)多晶硅太陽(yáng)能電池太陽(yáng)能電池及相關(guān)技術(shù)簡(jiǎn)介共15頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第10頁(yè)!非晶硅（a-Si）薄膜太陽(yáng)電池非晶硅太陽(yáng)電池主要由玻璃、不銹鋼為襯體的薄膜太陽(yáng)電池為減少串聯(lián)電阻通常用激光器將導(dǎo)電氧化物薄膜（TCO）、非晶硅（a-Si）和鋁電極薄膜切割成條狀。太陽(yáng)能電池及相關(guān)技術(shù)簡(jiǎn)介共15頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第11頁(yè)!多晶硅（Poly-Si）薄膜電池多晶硅薄膜由許多大小不等，具有不同晶面取向的小晶粒構(gòu)成，其晶粒大小在幾十至幾百納米級(jí)，大幅度的降低了晶粒的用量。研究重點(diǎn)有兩方面：一是電池襯底的選擇，二是制備方法。太陽(yáng)能電池及相關(guān)技術(shù)簡(jiǎn)介共15頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第12頁(yè)!低品質(zhì)硅襯底：

可以直接外延生長(zhǎng)多晶硅薄膜，并且可以得到較大顆粒尺寸的多晶硅薄膜，工藝簡(jiǎn)單，效率較高，易于實(shí)現(xiàn)大規(guī)模工業(yè)化。太陽(yáng)能電池及相關(guān)技術(shù)簡(jiǎn)介共15頁(yè)，您現(xiàn)在瀏覽的是第13頁(yè)!等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法是利用PEVCD技術(shù)在非襯底上制備晶粒較小多晶硅薄膜的一種方法。液相外延法（LPE）是通過(guò)將硅熔融在母液里，降低溫度將硅析出成膜。化學(xué)氣相沉積法（CVD）就是將襯底加熱到適當(dāng)溫度，然后通以反應(yīng)氣體（如SiH2Cl2、SiH3Cl、SiCl4、SiH4等），在