聲表產(chǎn)品生產(chǎn)制作工藝介紹課件

聲表面波器件制作工藝介紹?聲表面波器件制作工藝介紹?1一.聲表面波器件的用途?一.聲表面波器件的用途?2濾波器:電子通訊移動設備無線寬帶廣播電視-------------------------------諧振器:移動設備無匙安全系統(tǒng)?濾波器:電子通訊?3射頻識別：鑒別：身份識別，物體識別，運輸方式跟蹤-----------------------------------------傳感器：感知：壓力,溫度液體，氣體生物傳感-----------------------------------------特殊應用：特殊壓電材料，改變物理特性?射頻識別：鑒別：身份識別，?4二.聲表面波器件工作原理?二.聲表面波器件工作原理?5聲表面波—SAW（SurfaceAcousticWave）就是在壓電基片材料表面產(chǎn)生和傳播、且振幅隨深入基片材料的深度增加而迅速減少的彈性波。SAW濾波器的基本結構是在具有壓電特性的基片材料拋光面上制作兩個聲電換能器——叉指換能器（IDT）。它采用半導體集成電路的平面工藝，在壓電基片表面蒸鍍一定厚度的鋁膜，把設計好的兩個IDT的掩膜圖案，利用光刻方法沉積在基片表面，分別作為輸入換能器和輸出換能器。

?聲表面波—SAW（SurfaceAcousticWave）就6電轉換為聲（逆壓電效應）聲轉換為電（正壓電效應）工作原理是輸入換能器將電信號變成聲信號，沿晶體表面?zhèn)鞑?，輸出換能器再將接收到的聲信號變成電信號輸出。?電轉換為聲聲轉換為電工作原理是輸入換能器將電信號變7??8換能器空間圖形對應脈沖響應圖形

通過指條位置和重迭長度的設計即可控制換能器的脈沖響應，從而也就控制了換能器的頻率響應

?換能器空間圖形對應脈沖響應圖形?9SAW濾波器構成及頻響

壓電基片+IDT（半導體工藝）電--聲（SAW）--電

Hfilter(f)=HIDT1(f)*HIDT2(f)?SAW濾波器構成及頻響

壓電基片+IDT（半導體工藝）10??11三.主要聲表面波器件用晶片材料?三.主要聲表面波器件用晶片材料?12LT、LN主要功能壓電效應---表面波器件熱釋電效應----紅外探測電光效應---光開關、光調制光折變效應-----全息存儲非線性光學效應-----激光倍頻

從上面可以看出LN、LT是一種多功能晶體，我們在實踐中注意各種性能對使用和生產(chǎn)相互影響。比如熱釋電產(chǎn)生靜電吸塵、靜電擊裂晶片影響．?LT、LN主要功能壓電效應---表面波器件?13常用表面波切型簡稱主面及傳播方向簡稱主面及傳播方向128°Y-XLN128°旋轉Y切X向傳播鈮酸鋰36°Y-XLT36°旋轉Y切X向傳播鉭酸鋰64°Y-XLN64°旋轉Y切X向傳播鈮酸鋰42°Y-XLT42°旋轉Y切X向傳播鉭酸鋰Y-ZLNY切Z向傳播鈮酸鋰45°X-ZLBO45°旋轉X切Z向傳播四硼酸鋰X-112.2°YLTX切112.2°旋轉Y向傳播鉭酸鋰ST-XQUARTZST切X向傳播α-石英?常用表面波切型簡稱主面及傳播方向簡稱主面及傳播方向128°14晶片背面的加工粗糙度碳化硅規(guī)格號100#120#180#240#W28W141000#2000#W3.5粒度尺寸范圍160125806328-2014-1015.58.53.5-2.5晶片粗糙度>7≥5≥31-30.50.5-0.70.15-0.3金勝3--51.5—2.20.8-1.50.5-1.0水晶:0.5-1.0其他0.8-1.5DQ備注晶片背面粗糙度數(shù)值為LN晶片實測典型值。晶片材料不同其加工粗糙度值略有差別。?晶片背面的加工粗糙度碳化硅規(guī)格號100#120#180#2415四.聲表面波器件制作工藝流程?四.聲表面波器件制作工藝流程?161.前工序基片清洗鍍金屬膜涂膠曝光顯影腐蝕探針測試涂膠曝光顯影鍍金屬膜剝離鍍保護膜后工序?1.前工序鍍金屬膜涂膠曝光顯影腐蝕探針測試涂膠曝光顯影鍍金屬17濕法工藝?濕法工藝?18①.鍍膜鋁晶片?①.鍍膜鋁晶片?19鋁晶片光刻膠②.涂光刻膠?鋁晶片光刻膠②.涂光刻膠?20③.曝光UV光光刻膠鋁晶片?③.曝光UV光光刻膠鋁晶片?21④.顯影鋁晶片光刻膠?④.顯影鋁晶片光刻膠?22⑤.刻蝕光刻膠鋁晶片?⑤.刻蝕光刻膠鋁晶片?23⑥.去膠鋁晶片?⑥.去膠鋁晶片?24B、剝離工藝?B、剝離工藝?25①.涂光刻膠光刻膠晶片?①.涂光刻膠光刻膠晶片?26②.曝光光刻膠晶片UV光?②.曝光光刻膠晶片UV光?27③.顯影光刻膠晶片?③.顯影光刻膠晶片?28④.鍍膜光刻膠晶片鋁?④.鍍膜光刻膠晶片鋁?29⑤.去膠鋁晶片?⑤.去膠鋁晶片?30制作完成圖形?制作完成圖形?31主要工藝－清洗全自動清洗機?主要工藝－清洗全自動清洗機?32STANGL精清洗系統(tǒng)

系統(tǒng)精清洗部分由以下構成：RBS1槽、RBS2槽、溢流清洗槽、QDR1槽、QDR2槽、兆聲清洗槽、甩干機。STANGL精清洗采用的是濕法批量式清洗，所用的工藝為RBS洗液超聲清洗結合SC1洗液兆聲清洗的方式，因該清洗系統(tǒng)設計時未考慮酸洗槽，有些晶片在清洗前得預先經(jīng)過一次酸浸泡處理工藝。該系統(tǒng)專用于Φ3″和Φ4″標準晶圓片的清洗，日產(chǎn)量為300-400片/班（8小時）。主要工藝－清洗?STANGL精清洗系統(tǒng)系統(tǒng)精清洗部分由以下構成：33主要工藝—鍍膜

設備名稱:BAK-SAW電子束鍍膜機

主要技術指標

均勻性單片：±1%

片與片：±2%

批與批：±2%鍍層材料AL、AL-CU2%合金、TI、CU

產(chǎn)量3英寸36片/爐4英寸18片/爐

適用工藝

剝離工藝和濕法工藝單層和多層鍍膜?主要工藝—鍍膜設備名稱:BAK-SAW電子束鍍膜機?34主要工藝—鍍膜

設備名稱:KDF磁控濺射鍍膜機

主要技術指標

均勻性單片±2%〔AL)±2～3%(sio2)

片與片±3～5%(AL)±5～8%(SIO2)

批與批±3～5%(AL)±5～8%(SIO2)

鍍層材料AL、AL-CU2%合金、TI

產(chǎn)量

3英寸16片/爐、4英寸9片/爐適用工藝

濕法工藝

單層金屬膜和SIO2保護膜?主要工藝—鍍膜設備名稱:KDF磁控濺射鍍35主要工藝—鍍膜

設備名稱:LEYBOLD(萊寶)電子束鍍膜機主要技術指標

均勻性單片±1.5%片與片：±2.5%批與批：±2.5%鍍層材料AL、AL-CU2%合金、TI

產(chǎn)量3英寸36片/爐4英寸18片/爐

適用工藝剝離剝離和濕法工藝

單層和多層金屬膜?主要工藝—鍍膜設備名稱:LEYBOLD(萊寶)電子束鍍36主要工藝—鍍膜膜厚測試:FRT表面輪廓儀

ALPHA-STEP臺階儀?主要工藝—鍍膜膜厚測試:FRT表面輪廓儀37主要工藝－光刻分布重復式投影曝光主要技術指標:最小分辨率：0.5um最大視場：15×19mm掩膜版尺寸：5英寸晶片尺寸：3英寸光源波長：I線（365nm）縮影倍率：5：1曝光工作臺定位精度：100nm適用工藝：剝離工藝和濕法工藝?主要工藝－光刻分布重復式投影曝光主要技術指標:適用工藝：剝離38主要工藝－光刻3＂和4＂標準圓片的光刻膠涂覆及曝光后圖形顯影，滿足特征尺寸CD≤0.35μm聲表面波器件的光刻膠涂覆及曝光后圖形顯影工藝制作要求涂敷光刻膠均勻性和一致性：4＂片內為±2%，片與片之間達到±2%；GAMMA涂膠顯影機?主要工藝－光刻3＂和4＂標準圓片的光刻膠涂覆及曝光后圖形顯影39M2000涂膠顯影機3“、4”標準圓片的光刻膠涂覆及曝光后圖形顯影，滿足特征尺寸CD≥0.5μm聲表面波器件的光刻膠涂覆及曝光后圖形顯影工藝制作要求；涂敷光刻膠均勻性和一致性：3＂片內為±2%，片與片之間達到±2%；顯影均勻性和一致性：當以CD=0.5um作為測試線寬時，3＂片內為±6%，片與片之間達到±6%；涂膠產(chǎn)能達40片/小時，顯影產(chǎn)能達40片/小時；主要工藝－光刻?M2000涂膠顯影機3“、4”標準圓片的光刻膠涂覆及曝光后圖40半自動探針測試主要工藝－探針測試?半自動探針測試主要工藝－探針測試?412.后工序工藝流程點焊入庫終測標記儲能封帽篩選試驗絲網(wǎng)涂膠劃片光刻檢驗粘片前工序點焊檢驗初測預焊平行封帽編帶?2.后工序工藝流程點焊入庫終測標記儲能封帽篩選試驗絲網(wǎng)涂膠劃42主要工藝－絲網(wǎng)涂膠（吸聲膠）絲網(wǎng)涂膠?主要工藝－絲網(wǎng)涂膠（吸聲膠）絲網(wǎng)涂膠?43SAW濾波器凃膠的重要性?SAW濾波器凃膠的重要性?44主要工藝－絲網(wǎng)涂膠吸聲膠將吸聲膠涂到器件兩端，以消除反射回來的聲波對器件性能的干擾?主要工藝－絲網(wǎng)涂膠吸聲膠將吸聲膠涂到器件兩端，以消除反射回來45主要工藝－劃片半自動砂輪劃片機利用高速旋轉的樹脂刀片將晶圓分割成一個個小芯片。?主要工藝－劃片半自動砂輪劃片機利用高速旋轉的?46主要工藝－劃片?主要工藝－劃片?47主要工藝－粘片（自動SMD）將芯片通過粘片膠粘貼固定到外殼底座上?主要工藝－粘片（自動SMD）將芯片通過粘片膠粘貼固定到外殼底48主要工藝－粘片自動粘片?主要工藝－粘片自動粘片?49主要工藝－點焊（自動鋁絲鍵合）降到第一焊點加超聲能量鍵合上升到線弧高度?主要工藝－點焊（自動鋁絲鍵合）降到第一焊點加超聲能量鍵合上升50降到第二焊點加超聲形成第二個焊點斷線主要工藝－點焊（自動鋁絲鍵合）?降到第二焊點加超聲形成第二個焊點斷線主要工藝－點焊（自動鋁絲51主要工藝－點焊6400型自動點焊機?主要工藝－點焊6400型自動點焊機?52主要工藝－點焊線拉力和芯片剪切力測試?主要工藝－點焊線拉力和芯片剪切力測試?53主要工藝－預焊預焊工序用于將表貼器件的蓋板與基座固定起來。?主要工藝－預焊預焊工序用于將表貼器件的蓋板與基54主要工藝－平行封焊封焊工序將預焊后的器件焊接完畢。?主要工藝－平行封焊封焊工序將預焊后的器件焊接完畢。?55主要工藝－平行焊接現(xiàn)有平行封裝設備工藝能力：能夠封裝從3mm×3mm到25mm×9mm的表貼器件（SMD），深腔外殼最大尺寸可達250mm×30mm；軍品水汽含量能夠控制在5000PPM以下?主要工藝－平行焊接現(xiàn)有平行封裝設備工藝能力：?56主要工藝－平行焊接?主要工藝－平行焊接?57主要工藝－儲能封焊同樣利用電阻放電原理，使用大型電容組對焊接面進行充電，放電瞬間在封焊面形成高熱，融化器件封焊環(huán)，達到焊接到目的，同時對器件內部水汽含量也可以進行控制。?主要工藝－儲能封焊同樣利用電阻放電原理，使用大型電容組對焊接58主要工藝－測試?主要工藝－測試?59主要工藝－測試自動SMD測試分選系統(tǒng)?主要工藝－測試自動SMD測試分選系統(tǒng)?60成品?成品?61加強做責任心，責任到人，責任到位才是長久的發(fā)展。12月-2212月-22Saturday,December17,2022弄虛作假要不得，踏實肯干第一名。20:22:0920:22:0920:2212/17/20228:22:09PM安全象只弓，不拉它就松，要想保安全，常把弓弦繃。12月-2220:22:0920:22Dec-2217-Dec-22重于泰山，輕于鴻毛。20:22:0920:22:0920:22Saturday,December17,2022安全在于心細，事故出在麻痹。12月-2212月-2220:22:0920:22:09December17,2022加強自身建設，增強個人的休養(yǎng)。2022年12月17日8:22下午12月-2212月-22追求至善憑技術開拓市場，憑管理增創(chuàng)效益，憑服務樹立形象。17十二月20228:22:09下午20:22:0912月-22嚴格把控質量關，讓生產(chǎn)更加有保障。十二月228:22下午12月-2220:22December17,2022重標準，嚴要求，安全第一。2022/12/1720:22:0920:22:0917December2022好的事情馬上就會到來，一切都是最好的安排。8:22:09下午8:22下午20:22:0912月-22每天都是美好的一天，新的一天開啟。12月-2212月-2220:2220:22:0920:22:09Dec-22務實，奮斗，成就，成功。2022/12/1720:22:09Saturday,December17,2022相信相信得力量，創(chuàng)造應創(chuàng)造的事情。12月-222022/12/1720:22:0912月-22謝謝大家！加強做責任心，責任到人，責任到位才是長久的發(fā)展。12月-2262聲表面波器件制作工藝介紹?聲表面波器件制作工藝介紹?63一.聲表面波器件的用途?一.聲表面波器件的用途?64濾波器:電子通訊移動設備無線寬帶廣播電視-------------------------------諧振器:移動設備無匙安全系統(tǒng)?濾波器:電子通訊?65射頻識別：鑒別：身份識別，物體識別，運輸方式跟蹤-----------------------------------------傳感器：感知：壓力,溫度液體，氣體生物傳感-----------------------------------------特殊應用：特殊壓電材料，改變物理特性?射頻識別：鑒別：身份識別，?66二.聲表面波器件工作原理?二.聲表面波器件工作原理?67聲表面波—SAW（SurfaceAcousticWave）就是在壓電基片材料表面產(chǎn)生和傳播、且振幅隨深入基片材料的深度增加而迅速減少的彈性波。SAW濾波器的基本結構是在具有壓電特性的基片材料拋光面上制作兩個聲電換能器——叉指換能器（IDT）。它采用半導體集成電路的平面工藝，在壓電基片表面蒸鍍一定厚度的鋁膜，把設計好的兩個IDT的掩膜圖案，利用光刻方法沉積在基片表面，分別作為輸入換能器和輸出換能器。

?聲表面波—SAW（SurfaceAcousticWave）就68電轉換為聲（逆壓電效應）聲轉換為電（正壓電效應）工作原理是輸入換能器將電信號變成聲信號，沿晶體表面?zhèn)鞑ィ敵鰮Q能器再將接收到的聲信號變成電信號輸出。?電轉換為聲聲轉換為電工作原理是輸入換能器將電信號變69??70換能器空間圖形對應脈沖響應圖形

通過指條位置和重迭長度的設計即可控制換能器的脈沖響應，從而也就控制了換能器的頻率響應

?換能器空間圖形對應脈沖響應圖形?71SAW濾波器構成及頻響

壓電基片+IDT（半導體工藝）電--聲（SAW）--電

Hfilter(f)=HIDT1(f)*HIDT2(f)?SAW濾波器構成及頻響

壓電基片+IDT（半導體工藝）72??73三.主要聲表面波器件用晶片材料?三.主要聲表面波器件用晶片材料?74LT、LN主要功能壓電效應---表面波器件熱釋電效應----紅外探測電光效應---光開關、光調制光折變效應-----全息存儲非線性光學效應-----激光倍頻

從上面可以看出LN、LT是一種多功能晶體，我們在實踐中注意各種性能對使用和生產(chǎn)相互影響。比如熱釋電產(chǎn)生靜電吸塵、靜電擊裂晶片影響．?LT、LN主要功能壓電效應---表面波器件?75常用表面波切型簡稱主面及傳播方向簡稱主面及傳播方向128°Y-XLN128°旋轉Y切X向傳播鈮酸鋰36°Y-XLT36°旋轉Y切X向傳播鉭酸鋰64°Y-XLN64°旋轉Y切X向傳播鈮酸鋰42°Y-XLT42°旋轉Y切X向傳播鉭酸鋰Y-ZLNY切Z向傳播鈮酸鋰45°X-ZLBO45°旋轉X切Z向傳播四硼酸鋰X-112.2°YLTX切112.2°旋轉Y向傳播鉭酸鋰ST-XQUARTZST切X向傳播α-石英?常用表面波切型簡稱主面及傳播方向簡稱主面及傳播方向128°76晶片背面的加工粗糙度碳化硅規(guī)格號100#120#180#240#W28W141000#2000#W3.5粒度尺寸范圍160125806328-2014-1015.58.53.5-2.5晶片粗糙度>7≥5≥31-30.50.5-0.70.15-0.3金勝3--51.5—2.20.8-1.50.5-1.0水晶:0.5-1.0其他0.8-1.5DQ備注晶片背面粗糙度數(shù)值為LN晶片實測典型值。晶片材料不同其加工粗糙度值略有差別。?晶片背面的加工粗糙度碳化硅規(guī)格號100#120#180#2477四.聲表面波器件制作工藝流程?四.聲表面波器件制作工藝流程?781.前工序基片清洗鍍金屬膜涂膠曝光顯影腐蝕探針測試涂膠曝光顯影鍍金屬膜剝離鍍保護膜后工序?1.前工序鍍金屬膜涂膠曝光顯影腐蝕探針測試涂膠曝光顯影鍍金屬79濕法工藝?濕法工藝?80①.鍍膜鋁晶片?①.鍍膜鋁晶片?81鋁晶片光刻膠②.涂光刻膠?鋁晶片光刻膠②.涂光刻膠?82③.曝光UV光光刻膠鋁晶片?③.曝光UV光光刻膠鋁晶片?83④.顯影鋁晶片光刻膠?④.顯影鋁晶片光刻膠?84⑤.刻蝕光刻膠鋁晶片?⑤.刻蝕光刻膠鋁晶片?85⑥.去膠鋁晶片?⑥.去膠鋁晶片?86B、剝離工藝?B、剝離工藝?87①.涂光刻膠光刻膠晶片?①.涂光刻膠光刻膠晶片?88②.曝光光刻膠晶片UV光?②.曝光光刻膠晶片UV光?89③.顯影光刻膠晶片?③.顯影光刻膠晶片?90④.鍍膜光刻膠晶片鋁?④.鍍膜光刻膠晶片鋁?91⑤.去膠鋁晶片?⑤.去膠鋁晶片?92制作完成圖形?制作完成圖形?93主要工藝－清洗全自動清洗機?主要工藝－清洗全自動清洗機?94STANGL精清洗系統(tǒng)

系統(tǒng)精清洗部分由以下構成：RBS1槽、RBS2槽、溢流清洗槽、QDR1槽、QDR2槽、兆聲清洗槽、甩干機。STANGL精清洗采用的是濕法批量式清洗，所用的工藝為RBS洗液超聲清洗結合SC1洗液兆聲清洗的方式，因該清洗系統(tǒng)設計時未考慮酸洗槽，有些晶片在清洗前得預先經(jīng)過一次酸浸泡處理工藝。該系統(tǒng)專用于Φ3″和Φ4″標準晶圓片的清洗，日產(chǎn)量為300-400片/班（8小時）。主要工藝－清洗?STANGL精清洗系統(tǒng)系統(tǒng)精清洗部分由以下構成：95主要工藝—鍍膜

設備名稱:BAK-SAW電子束鍍膜機

主要技術指標

均勻性單片：±1%

片與片：±2%

批與批：±2%鍍層材料AL、AL-CU2%合金、TI、CU

產(chǎn)量3英寸36片/爐4英寸18片/爐

適用工藝

剝離工藝和濕法工藝單層和多層鍍膜?主要工藝—鍍膜設備名稱:BAK-SAW電子束鍍膜機?96主要工藝—鍍膜

設備名稱:KDF磁控濺射鍍膜機

主要技術指標

均勻性單片±2%〔AL)±2～3%(sio2)

片與片±3～5%(AL)±5～8%(SIO2)

批與批±3～5%(AL)±5～8%(SIO2)

鍍層材料AL、AL-CU2%合金、TI

產(chǎn)量

3英寸16片/爐、4英寸9片/爐適用工藝

濕法工藝

單層金屬膜和SIO2保護膜?主要工藝—鍍膜設備名稱:KDF磁控濺射鍍97主要工藝—鍍膜

設備名稱:LEYBOLD(萊寶)電子束鍍膜機主要技術指標

均勻性單片±1.5%片與片：±2.5%批與批：±2.5%鍍層材料AL、AL-CU2%合金、TI

產(chǎn)量3英寸36片/爐4英寸18片/爐

適用工藝剝離剝離和濕法工藝

單層和多層金屬膜?主要工藝—鍍膜設備名稱:LEYBOLD(萊寶)電子束鍍98主要工藝—鍍膜膜厚測試:FRT表面輪廓儀

ALPHA-STEP臺階儀?主要工藝—鍍膜膜厚測試:FRT表面輪廓儀99主要工藝－光刻分布重復式投影曝光主要技術指標:最小分辨率：0.5um最大視場：15×19mm掩膜版尺寸：5英寸晶片尺寸：3英寸光源波長：I線（365nm）縮影倍率：5：1曝光工作臺定位精度：100nm適用工藝：剝離工藝和濕法工藝?主要工藝－光刻分布重復式投影曝光主要技術指標:適用工藝：剝離100主要工藝－光刻3＂和4＂標準圓片的光刻膠涂覆及曝光后圖形顯影，滿足特征尺寸CD≤0.35μm聲表面波器件的光刻膠涂覆及曝光后圖形顯影工藝制作要求涂敷光刻膠均勻性和一致性：4＂片內為±2%，片與片之間達到±2%；GAMMA涂膠顯影機?主要工藝－光刻3＂和4＂標準圓片的光刻膠涂覆及曝光后圖形顯影101M2000涂膠顯影機3“、4”標準圓片的光刻膠涂覆及曝光后圖形顯影，滿足特征尺寸CD≥0.5μm聲表面波器件的光刻膠涂覆及曝光后圖形顯影工藝制作要求；涂敷光刻膠均勻性和一致性：3＂片內為±2%，片與片之間達到±2%；顯影均勻性和一致性：當以CD=0.5um作為測試線寬時，3＂片內為±6%，片與片之間達到±6%；涂膠產(chǎn)能達40片/小時，顯影產(chǎn)能達40片/小時；主要工藝－光刻?M2000涂膠顯影機3“、4”標準圓片的光刻膠涂覆及曝光后圖102半自動探針測試主要工藝－探針測試?半自動探針測試主要工藝－探針測試?1032.后工序工藝流程點焊入庫終測標記儲能封帽篩選試驗絲網(wǎng)涂膠劃片光刻檢驗粘片前工序點焊檢驗初測預焊平行封帽編帶?2.后工序工藝流程點焊入庫終測標記儲能封帽篩選試驗絲網(wǎng)涂膠劃104主要工藝－絲網(wǎng)涂膠（吸聲膠）絲網(wǎng)涂膠?主要工藝－絲網(wǎng)涂膠（吸聲膠）絲網(wǎng)涂膠?105SAW濾波器凃膠的重要性?SAW濾波器凃膠的重要性?106主要工藝－絲網(wǎng)涂膠吸聲膠將吸聲膠涂到器件兩端，以消除反射回來的聲波對器件性能的干擾?主要工藝－絲網(wǎng)涂膠吸聲膠將吸聲膠涂到器件兩端，以消除反射回來107主要工藝－劃片半自動砂輪劃片機利用高速旋轉的樹脂刀片將晶圓分割成一個個小芯片。?主要工藝－劃片半自動砂輪劃片機利用高速旋轉的?108主要工藝－劃片?主要工藝－劃片?109主要工藝－粘片（自動SMD）將芯片通過粘片膠粘貼固定到外殼底座上?主要工藝－粘片（自動SMD）將芯片通過粘片膠粘貼固定到外殼底110主要工藝－粘片自動粘片?主要工藝－粘片自動粘片?111主要工藝－點焊（自動鋁絲鍵合）降到第一焊點加超聲能量鍵合上升到線弧高度?主要工藝－點焊（自動鋁絲鍵合）降到第一焊點加超聲能量鍵合上升112降到第二焊點加超聲形成第二個焊點斷線主要工藝－點焊（自動鋁絲鍵合）?降到第二焊點加超聲形成第二個焊點斷線主要工藝－點焊（自動鋁絲113主要工藝－點焊6400型自動點焊機?主要工藝－點焊6400型自動點焊機?114主要工藝－點焊線拉力和芯片剪切力測試?主要工藝－點焊線拉力和芯片剪切力測試?115主要工藝－預焊預焊工序用于將表貼器件的蓋