低頻電子線路共79張課件

《低頻電子線路》山東大學信息科學與工程學院劉志軍10/11/20221《低頻電子線路》《低頻電子線路》山東大學信息科學與工程學院10/10/2回顧上節(jié)課內(nèi)容雙極型晶體三極管雙極型晶體管的導(dǎo)電原理晶體管電流分配關(guān)系和放大晶體三極管的放大作用10/11/20222《低頻電子線路》回顧上節(jié)課內(nèi)容雙極型晶體三極管10/10/20222《低頻電本節(jié)課內(nèi)容雙極型晶體管的伏安特性曲線

三極管主要參數(shù)晶體管命名法10/11/20223《低頻電子線路》本節(jié)課內(nèi)容雙極型晶體管的伏安特性曲線

10/10/202231.3.3雙極型晶體管的伏安特性曲線

BJT的伏安特性曲線

是指其各極電壓與電流的關(guān)系。不同的放大器特性曲線內(nèi)容意義不同。10/11/20224《低頻電子線路》1.3.3雙極型晶體管的伏安特性曲線

BJT的伏安特性曲網(wǎng)絡(luò)端口特性將晶體管視為二端口網(wǎng)絡(luò)，則特性曲線應(yīng)有兩組，即輸入端和輸出端的特性曲線。vBEvCEiBiC+－+－10/11/20225《低頻電子線路》網(wǎng)絡(luò)端口特性將晶體管視為二端口網(wǎng)絡(luò)，則特性曲線應(yīng)有兩組，即輸①

輸入特性曲線（圖）

iBvBE0vCE=01v10/11/20226《低頻電子線路》①輸入特性曲線（圖）

輸入特性曲線表達式10/11/20227《低頻電子線路》輸入特性曲線表達式10/10/20227《低頻電子線路》輸入特性曲線分析VCE增大時，曲線略有右移，到一定程度則不再變化。這是管子的基調(diào)效應(yīng)。10/11/20228《低頻電子線路》輸入特性曲線分析VCE增大時，曲線略有右移，到一定程度則不再②輸出特性曲線（圖）

Ic(mA)vCE(V)0擊穿區(qū)截止區(qū)飽和區(qū)工作區(qū)10/11/20229《低頻電子線路》②輸出特性曲線（圖）Ic(mA)vCE(V)0擊穿區(qū)截止區(qū)輸出特性曲線表達式10/11/202210《低頻電子線路》輸出特性曲線表達式10/10/202210《低頻電子線路》輸出特性曲線分析有四個區(qū)飽和區(qū)工作區(qū)截止區(qū)擊穿區(qū)10/11/202211《低頻電子線路》輸出特性曲線分析有四個區(qū)10/10/202211《低頻電子線飽和區(qū)

eb結(jié)和cb結(jié)均為正偏。管子完全導(dǎo)通，其正向壓降很小。相當一個開關(guān)“閉合（Turnon）”。

10/11/202212《低頻電子線路》飽和區(qū)eb結(jié)和cb結(jié)均為正偏。10/10/2工作區(qū)

eb結(jié)正偏，cb結(jié)反偏。這是管子的正常放大狀態(tài)。此時具有“恒流特性”。

10/11/202213《低頻電子線路》工作區(qū)eb結(jié)正偏，cb結(jié)反偏。10/10/20截止區(qū)eb結(jié)和cb結(jié)均為反偏。管子不通，相當于一個“開關(guān)”打開（Turnoff）。管子的cb結(jié)承受大的反向電壓。10/11/202214《低頻電子線路》截止區(qū)eb結(jié)和cb結(jié)均為反偏。10/10/202擊穿區(qū)管子被反向電壓（太大）擊穿。管子的PN結(jié)特性破壞。

10/11/202215《低頻電子線路》擊穿區(qū)管子被反向電壓（太大）擊穿。10/10/202注意厄利電壓（基調(diào)效應(yīng)）。截止區(qū)對應(yīng)iB=－ICBO曲線以下區(qū)域。iC電流增大，?略有增大。工作區(qū)的恒流特性和厄利電壓有關(guān)。

10/11/202216《低頻電子線路》注意厄利電壓（基調(diào)效應(yīng)）。10/10/202216《低頻電1.3.4三極管主要參數(shù)

管子參數(shù)是衡量晶體管質(zhì)量好壞和選擇管子的主要依據(jù)。10/11/202217《低頻電子線路》1.3.4三極管主要參數(shù)

管子參數(shù)是衡量晶體管質(zhì)量好壞1.

電流放大參數(shù)

電流放大參數(shù)用以衡量管子的放大性能。10/11/202218《低頻電子線路》1.

電流放大參數(shù)

電流放大參數(shù)用以衡量管子①共基直流電流放大參數(shù)10/11/202219《低頻電子線路》①共基直流電流放大參數(shù)10/10/202219《低頻電子線共基交流電流放大參數(shù)10/11/202220《低頻電子線路》共基交流電流放大參數(shù)10/10/202220《低頻電子線路》②共射直流電流放大參數(shù)

10/11/202221《低頻電子線路》②共射直流電流放大參數(shù)

10/10/共射交流電流放大參數(shù)10/11/202222《低頻電子線路》共射交流電流放大參數(shù)10/10/202222《低頻電子線管子的?取值

放大狀態(tài)一般取?=30~60。

?太小的管子放大不足。

?太大的管子工作不穩(wěn)定。10/11/202223《低頻電子線路》管子的?取值放大狀態(tài)一般取?=30~60。10/2.極間反向電流

極間反向電流是指管子各電極之間的反向漏電流參數(shù)。10/11/202224《低頻電子線路》2.極間反向電流

極間反向電流是指管子各電極之間的反向漏①C、B間反向飽和漏電流

10/11/202225《低頻電子線路》①C、B間反向飽和漏電流

10/10/202225《低頻電②管子C、E間反向飽和漏電流10/11/202226《低頻電子線路》②管子C、E間反向飽和漏電流10/10/202226《低頻

管子反向飽和漏電流硅管比鍺管小。此值與本征激發(fā)有關(guān)。取決于溫度特性（少子特性）。

10/11/202227《低頻電子線路》

管子反向飽和漏電流硅管比鍺管小。10/10/202227《3.極限參數(shù)使用時不應(yīng)超過管子的極限參數(shù)值。否則使用時可能損壞。

10/11/202228《低頻電子線路》3.極限參數(shù)使用時不應(yīng)超過管子的極限參數(shù)值。否則使用時可能損①集電極最大允許電流

ICM留有一定的余量。ICM指β下降到額定值的2/3時的IC值。

10/11/202229《低頻電子線路》①集電極最大允許電流

ICM留有一定的余量。10/1②集電極最大允許功耗PCM

＝擊穿區(qū)的功率損耗線（見下圖）

10/11/202230《低頻電子線路》②集電極最大允許功耗PCM

＝集電極最大允許功耗PCM（圖）

vCE0擊穿區(qū)iB10/11/202231《低頻電子線路》集電極最大允許功耗PCM（圖）vCE0擊穿區(qū)iB10/10/③反向擊穿電壓

10/11/202232《低頻電子線路》③反向擊穿電壓

10/10/202232《低頻電子線路》反向擊穿電壓另有VCEO＞VCER＞VCES10/11/202233《低頻電子線路》反向擊穿電壓另有10/10/202233《低頻電子線路》極限參數(shù)以上介紹的三個極限參數(shù)

PCMICMV（BR）CEO所限定的區(qū)域稱為晶體管安全工作區(qū)。10/11/202234《低頻電子線路》極限參數(shù)以上介紹的三個極限參數(shù)10/10/202234《低頻

§1.8晶體管命名法1、國產(chǎn)半導(dǎo)體分立元件標準（國標）2、國產(chǎn)半導(dǎo)體集成電路標準（國標）10/11/202235《低頻電子線路》

§1.8晶體管命名法1、國產(chǎn)半導(dǎo)體分立元件標準1、國產(chǎn)半導(dǎo)體分立元件標準（國標）

中國國家標準（GB—249—74）規(guī)定的中國半導(dǎo)體器件型號命名方法10/11/202236《低頻電子線路》1、國產(chǎn)半導(dǎo)體分立元件標準（國標）

中國國家標準（GB—2中國半導(dǎo)體器件命名法第一部分：用數(shù)字表示器件的電極數(shù)目第二部分：用漢語拼音字母表示材料和極性第三部分：用漢語拼音字母表示器件的

類型第四部分：用數(shù)字表示器件序號第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號10/11/202237《低頻電子線路》中國半導(dǎo)體器件命名法第一部分：用數(shù)字表示器件的電極數(shù)目10/第一部分用數(shù)字表示器件的電極數(shù)目符號和意義2二極管3三極管10/11/202238《低頻電子線路》第一部分用數(shù)字表示器件的電極數(shù)目10/10/202238《低第二部分用漢語拼音字母表示材料和極性10/11/202239《低頻電子線路》第二部分用漢語拼音字母表示材料和極性10/10/202239第二部分（二極管）

AN型鍺材料BP型鍺材料CN型硅材料DP型硅材料10/11/202240《低頻電子線路》第二部分（二極管）10/10/202240《低頻電子線路》第二部分（三極管）APNP型鍺材料BNPN型鍺材料CPNP型硅材料DNPN型硅材料E化合物材料10/11/202241《低頻電子線路》第二部分（三極管）APNP型鍺材料10/10/202第三部分用漢語拼音字母表示器件的類型P普通管V微波管W穩(wěn)壓管C參量管10/11/202242《低頻電子線路》第三部分用漢語拼音字母表示器件的類型10/10/202242第三部分用漢語拼音字母表示器件的類型Z整流管L整流堆S隧道管N阻尼管U光電器件K開關(guān)管10/11/202243《低頻電子線路》第三部分用漢語拼音字母表示器件的類型10/10/202243第三部分X低頻小功率管（f<3MHz,Pc<1W）G高頻小功率管（f≥3MHz,Pc<1W）D低頻大功率管（f<3MHz,Pc≥1W）A高頻大功率管（f≥3MHz,Pc≥1W）10/11/202244《低頻電子線路》第三部分X低頻小功率管（f<3MHz,Pc<1W第三部分T閘流管（可控整流器）Y體效應(yīng)器件B雪崩管J階躍恢復(fù)管CS場效應(yīng)管BT特殊器件FH復(fù)合管PINPIN型管JG激光器件10/11/202245《低頻電子線路》第三部分T閘流管（可控整流器）10/10/2022第三部分注：有些半導(dǎo)體器件（如場效應(yīng)管、特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件等）的型號第三部分只有其中的三、四、五部分10/11/202246《低頻電子線路》第三部分注：有些半導(dǎo)體器件（如場效應(yīng)管、特殊器件、復(fù)合管、P第四部分用數(shù)字表示器件序號10/11/202247《低頻電子線路》第四部分用數(shù)字表示器件序號10/10/202247《低頻電子第五部分用漢語拼音字母表示規(guī)格號10/11/202248《低頻電子線路》第五部分用漢語拼音字母表示規(guī)格號10/10/202248《低示例鍺PNP型高頻小功率三極管3AG11C

規(guī)格號序號高頻小功率PNP型鍺材料

三極管

10/11/202249《低頻電子線路》示例鍺PNP型高頻小功率三極管示例CS2B

規(guī)格號

序號場效應(yīng)器件10/11/202250《低頻電子線路》示例CS2B10/10/20225日本半導(dǎo)體型號標準日本工業(yè)標準（JIS-C-7012）規(guī)定的日本半導(dǎo)體分立器件型號命名方法由五個基本部分組成，這五個基本部分的符號及意義見實驗講義。10/11/202251《低頻電子線路》日本半導(dǎo)體型號標準日本工業(yè)標準（JIS-C-7012）規(guī)定的示例

2SA495

JEIA登記號

PNP高頻管

JEIA注冊產(chǎn)品三極管10/11/202252《低頻電子線路》示例

2SA示例2SC502A

2SC502改進型JEIA登記號NPN高頻管

JEIA注冊產(chǎn)品

三極管10/11/202253《低頻電子線路》示例2SC502歐洲半導(dǎo)體器件型號命名法歐洲各國（德國、法國、意大利、荷蘭等和匈牙利、羅馬尼亞、波蘭等國家），大都是用國際電子聯(lián)合會的標準半導(dǎo)體分立器件型號命名法。這種命名法由四個基本部分組成，各部分的符號及意義見實驗講義。10/11/202254《低頻電子線路》歐洲半導(dǎo)體器件型號命名法10/10/202254《低頻電子線示例

BTX64—200

最大反向峰值電壓200伏

專用器件登記號

大功率可控硅

硅材料

10/11/202255《低頻電子線路》示例10/10/202255《低頻電子線路》美國半導(dǎo)體型號命名方法美國電子工業(yè)協(xié)會(EIA)的半導(dǎo)體分立器件型號命名方法規(guī)定，半導(dǎo)體分立器件型號由五部分組成。第一部分為前綴，第五部分為后綴，中間三部分為型號的基本部分。這五部分的符號及其意義見實驗講義。10/11/202256《低頻電子線路》美國半導(dǎo)體型號命名方法美國電子工業(yè)協(xié)會(EIA)的半導(dǎo)體分立示例JAN2N3553

登記號

注冊標志

三極管

軍用品10/11/202257《低頻電子線路》示例JAN2N示例2N1050C2N1050的C檔EIA登記號EIA注冊標志非軍用品10/11/202258《低頻電子線路》示例2N1050

2、國產(chǎn)半導(dǎo)體集成電路標準第一部分：用字母表示器件符號（國標）

第二部分：用字母表示器件類型

第三部分：用阿拉伯數(shù)字表示器件系列和品種代號

第四部分：用字母表示器件的工作溫度范圍

第五部分：用字母表示器件的封裝

10/11/202259《低頻電子線路》

2、國產(chǎn)半導(dǎo)體集成電路標準第一部分：用字母表示器件符

第一部分

C（中國制造）

10/11/202260《低頻電子線路》

第一部分C（中國制造）10/10/202260《第二部分

用字母表示器件類型TTTLHHTLEECLCCMOS10/11/202261《低頻電子線路》第二部分

用字母表示器件類型10/10/202261《低頻電第二部分（續(xù)）F線性放大器D音響電視電路W穩(wěn)壓器J接口電路B非線性電路M存儲器μ微機電路

10/11/202262《低頻電子線路》第二部分（續(xù)）F線性放大器10/10/202262《第三部分第三部分：用阿拉伯數(shù)字表示器件系列10/11/202263《低頻電子線路》第三部分第三部分：用阿拉伯數(shù)字表示器件系列10/10/20第四部分用字母表示器件的工作溫度范圍C0～70oC

E－40～85oC

R－55～85oC

M－55～125oC

10/11/202264《低頻電子線路》第四部分用字母表示器件的工作溫度范圍10/10/202264第五部分

用字母表示器件的封裝W陶管扁平

B塑料扁平

F全密封扁平

D陶瓷直插

P塑料直插

J黑陶瓷直插

K金屬菱形

T金屬圓形------------

10/11/202265《低頻電子線路》第五部分

用字母表示器件的封裝10/10/202265《低頻實例CF0741CT線性通用運放0～70oC金屬圓形封裝10/11/202266《低頻電子線路》實例CF0741CT10/10/202266《低頻電子線實例

CC14512MF

CMOS8選一數(shù)據(jù)選擇器－55～125oC

全密封扁平封裝

10/11/202267《低頻電子線路》實例

CC14512MF

10/10/202267歐洲集成電路型號命名法歐洲各國生產(chǎn)的集成電路絕大部分按歐洲電子聯(lián)盟規(guī)定命名。10/11/202268《低頻電子線路》歐洲集成電路型號命名法歐洲各國生產(chǎn)的集成電路絕大部分按歐洲電歐洲集成電路型號基本規(guī)律型號由三部分組成。10/11/202269《低頻電子線路》歐洲集成電路型號基本規(guī)律型號由三部分組成。10/10/202第一部分由三個字母組成，第一個字母表示無線電類；第二個字母表示使用范圍，如表示0~70℃，表示—55~125℃，表示—25~70℃。第三個字符沒有特殊規(guī)定。10/11/202270《低頻電子線路》第一部分由三個字母組成，10/10/202270《低頻電子線第二部分由阿拉伯數(shù)字組成，表示器件的序號及類型。10/11/202271《低頻電子線路》第二部分由阿拉伯數(shù)字組成，表示器件的序號及類型。10/10/第三部分是尾標，表示封裝形式。通常有兩種：一種是用一個字母表示。如：表示圓柱型；表示塑料雙列；表示陶瓷雙列；表示四列引線；表示扁平；表示芯片。

另一種用兩個字母表示，第一個字母表示封裝形式，如表示柱行；表