倒裝焊工藝簡(jiǎn)介_(kāi)第1頁(yè)
倒裝焊工藝簡(jiǎn)介_(kāi)第2頁(yè)
倒裝焊工藝簡(jiǎn)介_(kāi)第3頁(yè)
全文預(yù)覽已結(jié)束

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、隨著超導(dǎo)量子比特技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展,實(shí)驗(yàn)上需要可以表面誤碼差校正以及更復(fù)雜的高 保真量子電路1-2。 相關(guān)報(bào)道介紹了一些平面二維陣列的設(shè)計(jì)3-5,但是這幾種現(xiàn)行的設(shè) 計(jì)方案中控制布線和讀出電路往往使得量子比特?cái)?shù)目與器件高保真度這二者與不能同時(shí)兼 顧。例如,二維陣列的X mon單量子位就需要利用電容耦合到四個(gè)最近量子比特和讀出諧 振腔,此外還要考慮XY驅(qū)動(dòng)線的設(shè)計(jì)6。多層膜加工工藝是解決這個(gè)問(wèn)題的一種直觀的 方案7,但是該方案中制備的量子比特基片上制備的絕緣層會(huì)造成額外的退相干,從而影 響量子比特的特性8。目前國(guó)際上解決上述困難的主流方法是通過(guò)將器件分離成兩部分, 其中一部分是密集的布線基片并在該

2、基片上制備絕緣層,另一部分上制備量子比特而不生長(zhǎng) 大面積的絕緣層,隨后將這兩種基片通過(guò)倒裝焊工藝結(jié)合起來(lái)形成一種同時(shí)滿足多量子比特 數(shù)目與高保真度的量子比特器件。該種工藝已經(jīng)在半導(dǎo)體工業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用,從手機(jī)到大型強(qiáng)子對(duì)撞機(jī)都有應(yīng)用9。而在低溫技術(shù)中的應(yīng)用還較少。該工藝對(duì)兩部分基片的連接部分提出了如下的要求: 1.連接材料應(yīng)是常規(guī)的量子比特制備工藝中常用的并可以與現(xiàn)有的量子比特制備工藝兼容。 2諧振腔的可加工數(shù)量與質(zhì)量必須達(dá)到高要求。(在布線基片上需加工數(shù)百個(gè)高Q值的諧振 腔)。3在極低溫的條件下可以保證兩部分的聯(lián)通。4.可以在不高的溫度與大氣壓下進(jìn)行兩部分基片的連接,以避免退火改變約瑟夫

3、森結(jié)臨界電 流10。5兩部分基片的連接部分必須在測(cè)量條件下進(jìn)入超導(dǎo)態(tài),以保證芯片之間的無(wú)損連接與避免 局部生熱破壞測(cè)量條件。6.相互連接偏置線臨界電流應(yīng)大于5nA,以保證可以進(jìn)行實(shí)驗(yàn)測(cè)量。銦的臨界溫度相對(duì)較高為3.4K,室溫銦焊接工藝也是一種在半導(dǎo)體工業(yè)中較為成熟的 技術(shù)11,而在量子比特的加工工藝中高純度的銦可以通過(guò)常用的熱蒸發(fā)工藝生長(zhǎng)在指定的 位置,因此基片之間連接材料可選高純銦。但是,由于量子比特的基底金屬常用鋁,而鋁和銦接觸層會(huì)形成交疊層12影響量子比特 的性能,因此熱蒸發(fā)的時(shí)候必須在鋁基底上生長(zhǎng)氮化鈦介質(zhì)緩沖層以防止上述現(xiàn)象的出現(xiàn), 氮化鈦的臨界溫度高達(dá)5.64K,并且是一種高相干性

4、能的量子比特材料13, 14。倒裝焊的簡(jiǎn)要工藝步驟如下:通過(guò)電子束蒸發(fā)生長(zhǎng) 100nm 的鋁膜,后利用電子束曝光或激光直寫(xiě)工藝制備所需的圖形再 利用干法刻蝕或濕法刻蝕工藝獲得所需的金屬圖形。在加工好的第一層金屬上利用超高真空的磁控濺射工藝生長(zhǎng)氮化鈦層與剝離工藝在指定 的位置獲得緩沖層。此后,將樣品置于超高真空環(huán)境下利用離子束將緩沖層清理干凈。最后 利用熱蒸發(fā)的工藝分別在布線基片的緩沖層上生長(zhǎng)5gm的連接用銦柱,在量子比特基片的 緩沖層上生長(zhǎng)2gm的連接用銦柱,后將基片冷卻到0C靜止一段時(shí)間。用(氫、氦和氮的混合)離子束轟擊以去除銦表面的氧化物并對(duì)銦表面進(jìn)行鈍化,以保證 焊接過(guò)程中銦柱之間的良好

5、連接15。 然后,翻轉(zhuǎn)布線基片并對(duì)齊兩個(gè)芯片,在室溫下使 用SET FC-15 OFlip芯片鍵合器將二者焊接在一起,要求兩部分之間的旋轉(zhuǎn)小于0.5mRad, 對(duì)齊誤差在2gm以內(nèi)。ReferencesBarends R et al 2014 Superconducting quantum circuits at the surface code threshold for faulttolerance Nature 508 500-3Fowler A G, Mariantoni M, Martinis J M and Cleland A N 2012 Surface codes: towar

6、ds practical large-scale quantum computation Phys. Rev. A 86 032324 C6rcoles A D, Magesan E, Srinivasan S J, Cross A W, Steffen M, Gambetta J M and Chow J MDemonstration of a quantum error detection code using a square lattice of four superconducting qubits Nat. Commun. 6 6979Riste D, Poletto S, Hua

7、ng M-Z, Bruno A, Vesterinen V, Saira O-P and DiCarlo L 2015 Detecting bit-flflip errors in a logical qubit using stabilizer measurements Nat. Commun. 6 6983Takita M, Corcoles A D, Magesan E, Abdo B, Brink M, Cross A, Chow J M and Gambetta J MDemonstration of weight-four parity measurements in the su

8、rface code architecture Phys. Rev. Lett. 117 210505Barends R et al 2013 Coherent josephson qubit suitable for scalable quantum integrated circuits Phys. Rev. Lett. 111 080502Harris R et al 2010 Experimental demonstration of a robust and scalable flflux qubit Phys. Rev.B 81 134510OConnell A D et al 2

9、008 Microwave dielectric loss at single photon energies and millikelvin temperatures Appl. Phys. Lett. 92 112903Broennimann C, Glaus F, Gobrecht J, Heising S, Horisberger M, Horisberger R, Kstli H C, Lehmann J, Rohe T and Streuli S 2006 Development of an indium bump bond process for siliconpixel det

10、ectors at psi Nuclear Instruments and Methods in Physics Research section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment 565 3038 Proc. of the International Workshop on Semiconductor Pixel Detectors for Particles and Imaging.Pop I M, Fournier T, Crozes T, Lecocq F, Matei I, Panne

11、tier B, Buisson O and Guichard W 2012 Fabrication of stable and reproducible submicron tunnel junctionsJournal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena 30 010607Datta M, Osaka T and Schultze J W 2004 New Trends in Electr

12、ochemical Technology Microelectronic Packaging (Boca Ranton, FL: CRC Press)Wade K and Banister A J 1973 Pergamon texts in Inorganic Chemistry The Chemistry of Aluminium, Gallium, Indium and Thallium (Elmsford, NY: Pergamon Press)Chang J B et al 2013 Improved superconducting qubit coherence using titanium nitride Appl. Phys. Lett. 103 012602Ohya S et al 2014 Room temperature deposition of sputtered tin fifilms for superconducting coplanar waveguide resonators Superconductor Science and Technology 27 015009Schulte E F, Coop

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論