微電阻率測(cè)井

1、主要是探測(cè)侵入帶的電阻率。另外，由于極距短，對(duì)劃分薄巖層的界面有利微電極系的三個(gè)電極之間的距離很小，常用的尺寸是A0.025M10.025M2。這三個(gè)電極組成一個(gè)微梯度電極系A(chǔ)0.025M10.025M2，一個(gè)微電位電極系A(chǔ)0.05M2。微電位和微梯度電極系的探測(cè)深度不同。實(shí)驗(yàn)證明，微電位探測(cè)范圍約為8-10厘米，而微梯度的探測(cè)范圍約為4-5厘米。因此在滲透層井段，前者所測(cè)電阻率主要反映沖洗帶電阻率；而后者測(cè)量的結(jié)果則主要反映泥餅電阻率3、微電極系測(cè)井曲線 通常采用重疊法將微電位和微梯度兩條測(cè)井曲線繪制在成果圖中，如圖所示。在有的井段是重合的，有的井段是分離的，曲線分離叫有幅度差。 當(dāng)微電位曲

2、線幅度大于微梯度曲線幅度時(shí)，稱“正幅度差”；當(dāng)微電位曲線幅度小于微梯度曲線幅度時(shí)，稱“負(fù)幅度差”。3、微電極系測(cè)井曲線當(dāng)巖層為非滲透層時(shí)，測(cè)得的Ra值與巖層電阻率和泥漿薄膜(絕緣板與井壁之間的泥漿夾層)的電阻率有關(guān)。這時(shí)測(cè)得的微電位和微梯度值相等。在微電極系曲線表現(xiàn)為無幅度差或有正、負(fù)不定的較小的幅度差。在砂泥巖剖面中泥巖是常見的非滲透性巖層，其電阻率較低，見圖中15251531m井段。泥質(zhì)粉砂巖，隨泥質(zhì)含量的增多微電極曲線幅度下降，而且幅度差變小。非滲透性的石灰?guī)r和白云巖薄層在微電極系曲線上幅度極高且無幅度差或者具有很小的正、負(fù)不定的幅度差，見圖中15681568.7m井段曲線特點(diǎn)，該層是夾

3、在砂巖和泥質(zhì)粉砂巖中的石灰?guī)r薄層。 而對(duì)于有泥漿侵入的滲透層，由于泥漿侵入地層，同時(shí)在滲透層井壁上形成泥餅，測(cè)量結(jié)果Ra主要取決于泥漿侵入帶的電阻率Ri、泥餅電阻率Rmc和泥餅的厚度Hmc。從理論上分析： 當(dāng)泥餅厚度hmc4厘米時(shí)，微梯度電極系測(cè)得的Ra值就趨近于Rmc； 而對(duì)于微電位電極系，hmc8厘米時(shí)，其Ra值才趨近于Rmc；4 微電極系測(cè)井資料應(yīng)用（1）確定巖層界面 微電極曲線的縱向分辨能力較強(qiáng)，劃分薄互層組和薄夾層比較可靠。滲透層的界面可用兩條微電極曲線的分離點(diǎn)的深度位置來確定。一般砂泥巖剖面中劃分滲透層多以微電極曲線作為主要依據(jù)。（2）確定井徑擴(kuò)大井段 在井內(nèi)，如有井壁坍塌形成的大

4、洞穴或石灰?guī)r的溶洞(當(dāng)洞穴直徑大于微電極系扶正器的直徑)時(shí)，在這些井段中微電極系的極板懸空，所測(cè)視電阻率曲線幅度降低，接近于泥漿電阻率。二、微側(cè)向測(cè)井 由微電極測(cè)井改進(jìn)而來。圖中其電極系由一個(gè)點(diǎn)狀的主電極A0和以主電極為圓心的三個(gè)同心環(huán)狀電極組成(如圖)。最外面的一個(gè)圓環(huán)電極叫屏蔽電極A1，位于主電極和屏蔽電極之間的兩個(gè)圓環(huán)電極M1、M2，叫監(jiān)視電極，也叫測(cè)量電極。目前常用的微側(cè)向電極系為A00.016M10.012M20.012A1。微側(cè)向測(cè)井的整個(gè)電極系象微電極系一樣，鑲在一塊絕緣極板上，極板靠彈簧壓向井壁使電極系貼井壁移動(dòng)測(cè)量,探測(cè)深度為8cm，主要反映泥漿沖洗帶電阻率。微側(cè)向測(cè)井由于電

5、極系尺寸小，其探測(cè)深度較淺，探測(cè)深度約為8厘米，所以測(cè)得的結(jié)果只反映井壁附近地層的電阻率，當(dāng)侵入較深(超過7.5厘米)時(shí)，泥餅電阻率對(duì)測(cè)量的結(jié)果影響不大，只反映侵入帶的電阻率。泥餅和泥漿薄膜對(duì)微側(cè)向測(cè)井的影響比微電極系測(cè)井小得多。2、微側(cè)向測(cè)井資料的應(yīng)用確定沖洗帶電阻率Rxo 沖洗帶電阻率是評(píng)價(jià)地層孔隙度和含水飽和度的重要參數(shù)，可利用圖確定Rxo。雖然微側(cè)向比微電極系受泥餅的影響小，但泥餅對(duì)微側(cè)向仍有影響。從圖中可以看出，當(dāng)hmc=0時(shí)，Ra=Rxo，當(dāng)泥餅存在時(shí)（厚度hmc6mm），Ra隨hmc的增大而降低。因此在知道泥餅厚度和泥餅電阻率的條件下，通過圖版可以確定沖洗帶電阻率。劃分薄層。 微

6、側(cè)向主電流層厚度較小，約為4.4cm，它的縱向分層能力較強(qiáng)，可劃分出h5cm的薄層。 確定沖洗帶電阻率Rxo(侵入厚度未知情況下） 右上圖是微梯度和微側(cè)向組合圖版： 橫坐標(biāo)為微側(cè)向的視電阻率RMLL與泥餅電阻率Rmc的比值(RMLLRmc) 縱坐標(biāo)為微梯度視電阻率RML與泥餅電阻率Rmc的比值(RMLRmc) 實(shí)線號(hào)碼是RxoRmc，虛線號(hào)碼是Hmc(mm)，可由該圖版同時(shí)確定Rxo及Hmc。 三、鄰近側(cè)向測(cè)井 為增加探測(cè)深度對(duì)電極系做了改進(jìn)，建立了鄰近側(cè)向測(cè)井。鄰近側(cè)向受泥餅影響較小，可用于泥漿電阻率較高、泥餅較厚的井中，測(cè)量方法與微側(cè)向相似。在測(cè)井工作中，為了克服泥餅的影響，極板上增加屏蔽

7、電極，而且增大了極板的橫截面積。鄰近側(cè)向測(cè)井電極系結(jié)構(gòu)及電流分布圖如圖所示。極板中心為主電極A0，主電極之外的第一圈為屏蔽電極A1，然后是附加屏蔽電極A2。它們的橫截面積即聚焦能力比微側(cè)向的電極大。因此增強(qiáng)了聚焦能力，增加了探測(cè)深度，其探測(cè)深度約為15-25cm。 當(dāng)侵入帶直徑大于1m，鄰近側(cè)向測(cè)井測(cè)得的視電阻率Rpl與侵入帶電阻率Rxo差別很小。侵入帶直徑小于1m時(shí)，鄰近側(cè)向測(cè)井測(cè)得的視電阻率Ra除了受侵入帶影響外，還受原狀地層的影響。這時(shí)，鄰近側(cè)向測(cè)井的視電阻率不能作為侵入帶電阻率。所以，微側(cè)向測(cè)井適用于侵入淺的地層，而鄰近側(cè)向測(cè)井適用于侵入深的地層。 鄰近側(cè)向測(cè)井資料的應(yīng)用與微側(cè)向相同，

8、當(dāng)hmc10mm時(shí)，鄰近側(cè)向比微側(cè)向測(cè)井要好。由于探測(cè)深度較大，鄰近側(cè)向受泥餅影響小，但隨探測(cè)深度增大，易受原狀地層電阻率Rt的影響。 實(shí)驗(yàn)表明，若侵入較深，即侵入帶直徑dilm，且hmc19mm時(shí)，可認(rèn)為Rpl=Rxo；當(dāng)hmc19mm時(shí)，需用泥餅校正圖版求Rxo。當(dāng)dilm時(shí)，測(cè)量結(jié)果受Rt影響較大，這種方法不能使用。由此可見，用鄰近側(cè)向確定Rxo也不理想，于是提出了微球形聚焦測(cè)井。 四、微球形聚焦測(cè)井微球形聚焦測(cè)井既具備了兩者的優(yōu)點(diǎn)，又克服了兩者的缺點(diǎn)，是沖洗帶測(cè)井系列中較好的方法。它的探測(cè)深度近于微側(cè)向測(cè)井，但受泥餅的影響小于微側(cè)向，受原狀地層的影響又小于鄰近側(cè)向測(cè)井。 三、資料應(yīng)用

9、l、劃分薄層 由于I0是以很細(xì)的電流束穿過泥餅進(jìn)入地層，受泥餅影響小，對(duì)地層的電阻率變化十分敏感，在巖性不同的界面處有明顯的變化，縱向分辨能力強(qiáng)。利用RMSFL曲線劃分薄層及滲透層中的夾層都比微側(cè)向資料略勝一籌。 2確定Rxo 泥餅對(duì)RMSFL資料的影響界于對(duì)微側(cè)向和鄰近側(cè)向測(cè)井資料的影響之間從泥餅校正圖版可以明顯看出這一點(diǎn)。從微球形聚焦測(cè)井泥餅校正圖版上觀察到，當(dāng)hmc在的范圍內(nèi)，且RMSFLRmc20時(shí)，圖版的縱坐標(biāo)校正系數(shù)均近似等于1。在此條件下可直接用RMSFLRxo，只有當(dāng)hmc，且RMSFLRmc20時(shí)，則應(yīng)對(duì)RMSFL進(jìn)行泥餅校正，從而得到Rxo值。圖版結(jié)構(gòu)、使用和微側(cè)向圖版類似。3參加測(cè)井組合提供Rxo資料 目前國(guó)內(nèi)常用電阻率組合測(cè)井取得地層中徑向各帶的電阻率，以便進(jìn)行解釋。 雙側(cè)向-微球形聚焦測(cè)井組合是常用的一種，組合測(cè)井儀示意圖見圖。 上半部分是雙側(cè)向電極系 下部推靠器下方是微球形聚焦測(cè)井電極系極板。利用深、淺側(cè)向和微球形聚焦測(cè)井的探測(cè)深度不同；可同時(shí)測(cè)得儲(chǔ)集層的原狀地層電阻率Rt、侵入帶電阻率Ri和沖洗帶電阻率RX0。深側(cè)向所測(cè)的RL