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文檔簡(jiǎn)介

1、一、基本結(jié)構(gòu)BECNNP基極發(fā)射極集電極NPN型1 半導(dǎo)體三極管基區(qū):較薄,摻雜濃度低集電區(qū)發(fā)射區(qū):摻雜濃度較高發(fā)射結(jié)集電結(jié):面積較大基本結(jié)構(gòu): 三區(qū)兩結(jié)三極符號(hào):PNPBCEPNP型BECBEC二、電流放大原理1、晶體管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)(以NPN型管為例) 工作條件: 發(fā)射結(jié)加正向電壓 集電結(jié)加反向電壓ECEBBCENNP二、電流放大原理1、晶體管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)(以NPN型管為例) NNPEBECIEIBICBCE發(fā)射結(jié)正偏,導(dǎo)致大量載流子注入到基區(qū),形成發(fā)射極電流IE注入到基區(qū)的少部分電子與基區(qū)的空穴復(fù)合,形成電流IB ,多數(shù)擴(kuò)散到集電結(jié)附近。多數(shù)擴(kuò)散到集電結(jié)附近的載流子被集電區(qū)收集,形

2、成IC三極管實(shí)質(zhì)上是一個(gè)電流分配器: 或者 ICbIB二、電流放大原理1、晶體管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)(以NPN型管為例) (1)發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏為什么是必要的外部條件?(2)為什么IB小,而IC很大?(3)的物理意義:發(fā)射區(qū)每向基區(qū)供給一個(gè)(份)復(fù)合用的載流子,就要向集電區(qū)供給個(gè)(份)載流子供收集。2、說(shuō)明 NNPEBECIEIBICBCE(4)ICBO和ICEO ICBO 反向飽和電流。是集電結(jié)反偏由少子的漂移形成的反向電流,受溫度的變化影響。 二、電流放大原理NNPEBECBCEICBO1、晶體管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)(以NPN型管為例) 2、說(shuō)明 (1)發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏為什么是必要的外

3、部條件?(2)為什么IB小,而IC很大?(3)的物理意義:發(fā)射區(qū)每向基區(qū)供給一個(gè)(份)復(fù)合用的載流子,就要向集電區(qū)供給個(gè)(份)載流子供收集。(4)ICBO和ICEO ICBO 反向飽和電流。是集電結(jié)反偏由少子的漂移形成的反向電流,受溫度的變化影響。 ICEO穿透電流。二、電流放大原理NNPEBECBCEICBOIC1、晶體管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)(以NPN型管為例) 2、說(shuō)明 (1)發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏為什么是必要的外部條件?(2)為什么IB小,而IC很大?(3)的物理意義:發(fā)射區(qū)每向基區(qū)供給一個(gè)(份)復(fù)合用的載流子,就要向集電區(qū)供給個(gè)(份)載流子供收集。(4)ICBO和ICEO ICBO 反向飽

4、和電流。是集電結(jié)反偏由少子的漂移形成的反向電流,受溫度的變化影響。 二、電流放大原理NNPEBECIEIBIC3、考慮了ICBO時(shí)電流分配關(guān)系為 ICBCEICBOICIBIE=IB+IC四、放大器的三種組態(tài) 1、前提:發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏:2、三極管的電流方向及放大器的三種組態(tài) 共射極共基極共集電極 3、PNP型三極管放大器 BECIBIEICBECIBIEIC三、共基極電路IE=IC+IB定義:共基極電流放大系數(shù)NNPEBECIEIBICBCEICICBO五、特性曲線1、輸入特性曲線IB=f(UBE)|UCE=常數(shù) UCE=3VUCE=0V5V1V(1)輸入特性是非線性的。 (2)有一門

5、限電壓開始導(dǎo)通時(shí)的基極電壓(硅管0.5V,鍺管0.1V)。(3)晶體管正常工作時(shí),發(fā)射結(jié)的壓降變化不大(硅管0.7V,鍺管0.3V)。IB/mA204060UBE/V8010000.40.60.81.00.2RBECEBICmAUCEVUBEVIBA(4)UCE=0,相當(dāng)于兩個(gè)二極管并聯(lián)運(yùn)用。(5)UCE0時(shí),整個(gè)曲線往右移。當(dāng)UCE0.5V后,曲線幾乎重合。50AIC(mA )1234UCE(V)246108502、輸出特性曲線IC=f(UCE)|IB=常數(shù)(1)UCE=0IC=0。發(fā)射區(qū)注入到基區(qū)的電子不能被集電區(qū)所收集;(2)當(dāng)IB=0時(shí),IC= ICEO 0;(3)IB上移,反映了IC

6、=bIB ;(4)中間部分幾乎平行等距;(5)實(shí)際的輸出特性是中間稀疏,上下密集;五、特性曲線IB=020A40AIB=60A80A100AICEORBECEBICmAUCEVUBEVIBA160A140A120A(5)當(dāng)UCE1V,UCEIC。(6)UCE1V以后,隨著UCE的增加,IC幾乎不變。2、輸出特性曲線IC=f(UCE)|IB=常數(shù)五、特性曲線NNPEBECIEIBICBCEIC(mA )1234UCE(V)24610850IB=020A40AIB=60A80A100A160A140A120AIC(mA )1234UCE(V)24610850IB=020A40AIB=60A80A1

7、00A160A140A120A2、輸出特性曲線IC=f(UCE)|IB=常數(shù)(6)整個(gè)曲線可分為三個(gè)區(qū)五、特性曲線IB=020A40AIB=60A80A100ARBECEBICmAUCEVUBEVIBA放大區(qū):發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏。IC=bIB ,曲線幾乎平行等距。截止區(qū):發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏。ICbIB,IC=ICEO,此時(shí)UBErbe 則Ri rbe (5)求輸出電阻 輸出電阻:加壓求流法0所以:三、微變等效電路分析法(三)用h參數(shù)等效電路分析法分析共射極放大器2、 計(jì)算放大器的性能指標(biāo)biiRLRBuiuoceibiciorbe+hreuce- ib rceRC RL I小結(jié): 分析

8、步驟:(1) 由圖解法或近似估算法確定Q點(diǎn);(2) 求Q點(diǎn)附近的h參數(shù);(3) 畫出微變等效電路;(4) 列出電路方程并求解。適用范圍:(1)適用于任何復(fù)雜電路的分析;(2) 只能解決小信號(hào)交流分量的計(jì)算問(wèn)題,不能確定Q點(diǎn)。技巧:輸入和輸出回路是通過(guò)基極電流溝通起來(lái)的。三、微變等效電路分析法(三)用h參數(shù)等效電路分析法分析共射極放大器2、 計(jì)算放大器的性能指標(biāo)兩個(gè)最重要:b,rbe =300W+(1+b)26mV/IE例1:電路中,晶體管的參數(shù)為hie=1k, hfe=30, hre=910-4,hoe=3010-6s, 求性能指標(biāo) 詳細(xì)計(jì)算:近似估算:Ai-b=-30這些誤差是允許的。Ri=RB/hie hie 1k則Ro= RC=3k若:hie=1k, hre=2210-4, hfe=80,hoe=810-5s,RC=10k,求Au和Ai? 精確計(jì)算:Au=-2104,Ai=-44.4簡(jiǎn)化計(jì)算:Au=-8102,Ai=-80因?yàn)镽C與1/hoe可以比擬,1/hoe不能忽略,hreUce也不能忽略。 三、微變等效電路分析法RB+EC=6VRC200k3kT例2:電路及參數(shù)如圖所示,已知b=50,電容足夠大,試求:Au和Aus=Uo/Us解(1)先計(jì)算rbe IB=EC/RB=40mA, IE=(1+b)IBbIB=2mA rbe

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