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文檔簡介

在半導(dǎo)體物理中，化學(xué)勢 m 稱為。在感興趣的溫度范圍內(nèi)，對半導(dǎo)體的導(dǎo)帶可以假定 e-mkBT，于是當(dāng) fe 1 時(shí)，上式近似于傳導(dǎo)電子軌道被占據(jù)的概率 導(dǎo)帶中電子的能量帶邊能量電子的有效質(zhì)量1統(tǒng)計(jì)計(jì)算時(shí)的能量標(biāo)度圖溫度 kBTkBT如果價(jià)帶頂附近的空穴的行為如同有效質(zhì)量為 mh 的粒子，則空穴的態(tài)密度為價(jià)帶邊的能量4 價(jià)帶中空穴的濃度為平衡關(guān)系式上述推導(dǎo)過程沒有假定材料是本征的，該結(jié)果對存在雜質(zhì)的情況同樣成立。唯一假設(shè)是費(fèi)米能級離兩個(gè)帶邊的距離同 kBT 相比是大的不依賴于費(fèi)米能級5 因?yàn)榻o定溫度下電子和空穴的濃度之乘積是一不依賴于雜質(zhì)濃度的常數(shù)，因此引入少量適當(dāng)?shù)碾s質(zhì)而使 n 增大，那么必定會使 p 較小該結(jié)果在實(shí)踐中很重要：通過有控制地引入適當(dāng)?shù)碾s質(zhì)，可以減少非純晶體內(nèi)的總載流子濃度 n+p。6 在本征半導(dǎo)體中，電子的數(shù)目等于空穴的數(shù)目。令下表 i 表示本征，則上兩式相等，并讓費(fèi)米能級從價(jià)帶頂開始量度(Ev=0)，則費(fèi)米能級位于帶隙中央指數(shù)依賴于78.3. 1 本征遷移率 遷移率是單位電場強(qiáng)度引起的帶電載流子漂移速度的大小電子和空穴的遷移率都定義為正的，記為 me 和 mh注意和化學(xué)勢的區(qū)別 電導(dǎo)率是電子和空穴的貢獻(xiàn)之和由電荷 q 的漂移

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