簡述薄膜生長試題

1、簡述薄膜在形成穩(wěn)定核之前的生長過程？沉積原子到達基片表面，會發(fā)生三種狀態(tài)。一種是能量較大，在到達基片表面時就會發(fā)生反射離開；如果能量較低，變會停留在基片表面，而另一部分原子能量較大，在到達基片表面時，會發(fā)生表面遷移擴散。如果擴散原子在駐留時間內(nèi)不能與其它原子結(jié)合形成更大原子團，就會發(fā)生再蒸發(fā)離開基片表面，而擴散原子團在駐留時間內(nèi)不能與其它原子相結(jié)合，便會發(fā)生分解。如果表面原子或原子團在駐留時間內(nèi)能與其它原子結(jié)合，便形成更大原子團；原子團繼續(xù)吸附其它原子就會不斷長到形成穩(wěn)定核。從熱力學(xué)角度分析，薄膜的形核主要分哪兩類？形成機制是什么？從熱力學(xué)角度，形核主要分：自發(fā)形核和非自發(fā)形核；自發(fā)形核主要是

2、由于相變自由能差導(dǎo)致的，而非自發(fā)形核不但受到相變自由能差的影響，還受到其它一些因素的影響，如界面，缺陷等。簡述掃描電子顯微鏡的成像原理？X射線衍射技術(shù)的基本原理？掃描電子顯微鏡：入射電子激發(fā)樣品表面產(chǎn)生二次電子，由于樣品表面起伏變化造成二次電子發(fā)射數(shù)目和發(fā)射角度的不同，從而形成明暗相間的襯度像。X射線衍射技術(shù)：布拉格衍射公式。簡述四種薄膜的成份分析方法？X射線能量色散譜（EDX）；2.電子探針（EPMA）；3. 俄歇電子能譜（AES）；4. X射線光電子譜（XPS）；5. 盧瑟福背散射（RBS）; 6. 二次離子質(zhì)譜（SIMS）。 任意四種。薄膜的組織結(jié)構(gòu)可以分為哪四類？無定型結(jié)構(gòu)； 2. 多

3、晶結(jié)構(gòu)； 3. 纖維結(jié)構(gòu)； 4. 單晶結(jié)構(gòu)；列舉出連續(xù)薄膜形成的三種重要影響機制？奧斯瓦爾德吞并機制、熔結(jié)機制、原子團遷移機制。下列描述不屬于薄膜組織結(jié)構(gòu)的是 （） （1）無定形結(jié)構(gòu) （2）多晶結(jié)構(gòu)（3）單晶結(jié)構(gòu) （4）復(fù)合結(jié)構(gòu)下列儀器設(shè)備不能用于薄膜表面形貌分析的是： （1）掃描電子顯微鏡 （2）原子力顯微鏡 （3）透射電子顯微鏡 （4）X射線衍射B卷：簡述薄膜的生長過模式及主要的控制因素？生長模式：島狀生長模式、層狀生長模式和島狀-層狀生長模式；控制因素主要分兩類：晶格失配度和基片表面（或者基片濕潤性或浸潤性）；從沉積速率和沉積溫度出發(fā)，簡述如何形成單晶或者粗大晶粒？如何形成多晶、微晶甚至非晶？請給出簡單圖示？提高溫度或降低沉積速率可以形成單晶或者粗大晶粒；降低溫度或提高沉積速率可形成多晶、微晶甚至非晶。簡述基片主要分為哪三大類？簡述Si基片的清洗方法？單晶基片、多晶基片和非晶基片；將Si基片分別放入丙酮、酒精和去離子水進行超聲清洗；之后放硫酸和磷酸混合液中一段時間，去除基片表面的油污及其它污染物；最后用去離子水清洗；列出四種薄膜的表面形貌分析方法？掃描電子顯微鏡；原子力顯微鏡；掃描隧道顯微鏡；透射電子顯微鏡；列出兩種薄膜結(jié)構(gòu)分析方法？并簡述其中一種的工作原理？1. 透射電子顯微鏡：電子束穿過很薄樣品并于樣品原子點陣發(fā)生相互作用。2. X射線衍射技術(shù)：布拉格衍射公式。簡述