PN結(jié)及半導(dǎo)體二極管認(rèn)識

1、PN結(jié)一一. PN 結(jié)的形成結(jié)的形成在同一片半導(dǎo)體基片上在同一片半導(dǎo)體基片上采用不同的摻雜工藝分采用不同的摻雜工藝分別制造別制造P 型半導(dǎo)體和型半導(dǎo)體和N 型半導(dǎo)體，由于濃度的型半導(dǎo)體，由于濃度的不同，經(jīng)過載流子的不同，經(jīng)過載流子的擴擴散散，在它們的交界面處，在它們的交界面處就形成了就形成了PN 結(jié)。結(jié)。PN 結(jié)具有單向?qū)щ娦越Y(jié)具有單向?qū)щ娦杂捎跐舛炔疃a(chǎn)生的運動稱為由于濃度差而產(chǎn)生的運動稱為擴散運動擴散運動。在電場力的作用下，載流子的運動稱為在電場力的作用下，載流子的運動稱為漂移運動漂移運動。隨著擴散運動的進行，空間電荷區(qū)加寬，內(nèi)電場增強，隨著擴散運動的進行，空間電荷區(qū)加寬，內(nèi)電場增強，阻止

2、擴散運動的進行，但有利于少子的漂移，當(dāng)擴散的多子阻止擴散運動的進行，但有利于少子的漂移，當(dāng)擴散的多子和漂移的少子數(shù)目相等時，達到和漂移的少子數(shù)目相等時，達到動態(tài)平衡動態(tài)平衡，形成，形成PN 結(jié)。結(jié)?？臻g電荷區(qū)，也稱耗盡層。空間電荷區(qū)中沒有載流子。空間電荷區(qū)，也稱耗盡層?？臻g電荷區(qū)中沒有載流子。1 1、PN 結(jié)加正向電壓（正向偏置）結(jié)加正向電壓（正向偏置）內(nèi)電場內(nèi)電場外電場外電場變薄變薄+REPN+_外電場使耗盡層變窄，外電場使耗盡層變窄，內(nèi)電場被削弱，多子內(nèi)電場被削弱，多子的擴散加強，能夠形的擴散加強，能夠形成較大的擴散電流。成較大的擴散電流。即為很大的正向電流，即為很大的正向電流，P區(qū)區(qū)N區(qū)

3、，稱為正向區(qū)，稱為正向?qū)▽?dǎo)通二二. PN結(jié)的單向?qū)щ娦越Y(jié)的單向?qū)щ娦? 2、PN 結(jié)反向偏置結(jié)反向偏置P負(fù)負(fù)N 正，截止正，截止內(nèi)電場內(nèi)電場外電場外電場變厚變厚外電場使耗盡層變寬，外電場使耗盡層變寬，內(nèi)電場被加強，多子的內(nèi)電場被加強，多子的擴散受抑制。少子漂移擴散受抑制。少子漂移加強，形成漂移電流，加強，形成漂移電流，但少子數(shù)量有限，只能但少子數(shù)量有限，只能形成較小的反向電流。形成較小的反向電流。 N區(qū)區(qū)P區(qū)區(qū)+NP+_RE反向反向 飽和電流飽和電流3、PN結(jié)的反向擊穿PN 結(jié)處于反向偏置時，反向電壓超過某一數(shù)值時，結(jié)處于反向偏置時，反向電壓超過某一數(shù)值時，反向電流急劇增加，這種現(xiàn)象稱反向電

4、流急劇增加，這種現(xiàn)象稱反向擊穿。反向擊穿。齊納擊穿：齊納擊穿：外加反向電壓很大，形成很強的電場，直接破壞共價鍵，把電子拉出來，產(chǎn)生電子空穴對，使反向電流急劇增加。雪崩擊穿：雪崩擊穿：反向電壓逐漸增加，電場加強，少子受到加速，高速運動可能將價電子碰撞出共價鍵，產(chǎn)生電子空穴對，產(chǎn)生的電子繼續(xù)碰撞，像雪崩一樣。齊納擊穿：齊納擊穿：6V以下，可恢復(fù)雪崩擊穿：雪崩擊穿：6V以下，不可恢復(fù)，短路報廢三、三、PN 結(jié)的伏安特性結(jié)的伏安特性UI正向特性正向特性（u0）反向特性反向特性（u0）反向擊穿部分反向擊穿部分四、四、PN 結(jié)的電容效應(yīng)（了解）結(jié)的電容效應(yīng)（了解）在一定條件下，在一定條件下，PN 結(jié)具有電

5、容效應(yīng)：勢壘電容，擴散電容結(jié)具有電容效應(yīng)：勢壘電容，擴散電容半導(dǎo)體二極管的認(rèn)識學(xué)習(xí)任務(wù)1、認(rèn)識二極管2、了解二極管的特性3、掌握二極管的應(yīng)用電路一、半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)和類型1、結(jié)構(gòu)及符號 PN結(jié)加上引線之后，進行封裝，P區(qū)為正極，N區(qū)為負(fù)極點接觸型點接觸型：高頻、小功率整流高頻、小功率整流面接觸型面接觸型：整流：整流平面型平面型：大功率整流、開關(guān)：大功率整流、開關(guān)符號符號2、類型按材料分：硅二極管，鍺二極管，砷化鎵二極管等按結(jié)構(gòu)分：點接觸型、面接觸型等按封裝分：塑料、玻璃、金屬按用途分：開關(guān)、整流、穩(wěn)壓、發(fā)光、光電、變?nèi)莸劝垂β史郑捍蠊β?、小功率?、命名方法一般分為5個部分2AP2D數(shù)字表示電極數(shù)目字母表示材料 A：N型鍺材料 B：