FLASH的基本知識(shí),

1、什么叫NAND flash NAND flash是東芝公司開(kāi)發(fā)的一種非易失閃存技術(shù)，具較高的單元密度，可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度，寫(xiě)入和擦除速度較快。NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量，具有很快的寫(xiě)入和擦除速度，主要功能是存儲(chǔ)資料，目前廣范應(yīng)用在各類(lèi)數(shù)碼產(chǎn)品中。 什么是晶圓 晶圓是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱(chēng)為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高

2、達(dá)0.99999999999。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液內(nèi)摻入一小粒的硅晶體晶種，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一顆小晶粒在熔融態(tài)的硅原料中逐漸生成，此過(guò)程稱(chēng)為“長(zhǎng)晶”。硅晶棒再經(jīng)過(guò)研磨，拋光，切片后，即成為積體電路工廠的基本原料硅晶圓片，這就是“晶圓”。 什么是FLASH制程 通常我們所說(shuō)的19nm、20nm、21nm、24nm、34nm、43nm、56nm、70nm、90nm就是指FALSH的制程工藝。 FLASH的“制作工藝”指得是在生產(chǎn)FLASH過(guò)程中，要進(jìn)行加工各種電路和電子元件，制造導(dǎo)線(xiàn)連接各個(gè)元器件。通常其生產(chǎn)的精度以微米（長(zhǎng)度單位，1微米等

3、于千分之一毫米）來(lái)表示（1納米等于千分之一微米） ，未來(lái)發(fā)展的精度越高，生產(chǎn)工藝越先進(jìn)。在同樣的材料中可以制造更多的電子元件，連接線(xiàn)也越細(xì)，提高集成度，提高處理器的制造工藝具有重大的意義，更先進(jìn)的制造工藝會(huì)使FALSH的核心面積進(jìn)一步減小，也就是說(shuō)在相同面積的晶圓上可以制造出更多的產(chǎn)品 什么是flash的型號(hào)及ID 時(shí)常有人說(shuō)到FLASH的型號(hào)，這個(gè)型號(hào)就所對(duì)應(yīng)著各個(gè)FLASH的ID。 Wafer在生產(chǎn)時(shí)會(huì)跟據(jù)生產(chǎn)參數(shù)寫(xiě)入一個(gè)數(shù)字標(biāo)識(shí)，這個(gè)標(biāo)就是我們的ID。這個(gè)ID同樣參數(shù)的產(chǎn)品也會(huì)因?yàn)闀?huì)根據(jù)各位廠商的定議方式不同而不樣。一般情況下這個(gè)ID由6*2組數(shù)字或字母組成。在PC上就是就是靠ID識(shí)別各

4、各FLASH。如：TC58NVG5D2FTA00(98,D7,94,32,76，D5),TC58NVG5D2FTA00是東芝TSOP FLASH的型號(hào)，98 D7 94 32 76 56 D5是識(shí)別這個(gè)型號(hào)的ID，是唯一的。 FLASH類(lèi)型類(lèi)型TSOP (12*20)最常用的；TSOP(14*18)L85常見(jiàn)；BGA152(14*18,12*18);BGA132(14*18,12*18)；BGA224(14*18);BGA100(12*20);LGA52(14*18,12*20);LGA60(14*18,12*20);TF（micrSD)卡類(lèi)（3*7,4*6,5*6點(diǎn)位）；M2卡類(lèi)（3*6點(diǎn)位

5、）；sipSD卡（3*7點(diǎn)位）；MSPD卡（3*11點(diǎn)位）；COB(FLASH晶圓邦定在PCB上，滴上黑色樹(shù)脂）；iNAND卡讀晶圓（44點(diǎn)）；iNAND讀卡（125點(diǎn)）等。FLASH的標(biāo)識(shí)方法 Micron IntelSamsung東芝東芝SANDISK SDTNQGAMA-008G SDTN為閃迪芯片 Q是19nm G是MLC A是1CE M未知 A是8位芯片Hynix三星東芝英特爾現(xiàn)代鎂光SLC MLC與TLC什么是SLC、MLC和TLC 什么是SLC?SLC=Single-LevelCell，即1bit/cell，代表1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元可存放1位元,SLC架構(gòu)是0和1兩個(gè)值，速度快壽命

6、長(zhǎng)，價(jià)格超貴（約MLC3倍以上的價(jià)格），約10萬(wàn)次擦寫(xiě)壽命什么是TLC什么是MLC?MLC=Multi-LevelCell，即2bit/cell，代表1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元可存放2位元,MLC架構(gòu)可以一次儲(chǔ)存4個(gè)以上的值,速度一般壽命一般，價(jià)格一般，約3000-10000次擦寫(xiě)壽命 TLC的英文全稱(chēng)是（Trinary-Level-Cell),即3bit/cell，代表1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元可存放3位元,MLC架構(gòu)可以一次儲(chǔ)存8個(gè)以上的值，速度慢壽命短，價(jià)格便宜，約500次擦寫(xiě)壽命，目前還沒(méi)有廠家能做到1000次。 SLC 、MLC和TLC品質(zhì)比較1 1、使用壽命、使用壽命SLC閃存約可以反復(fù)讀寫(xiě)10萬(wàn)

7、次左右，而MLC約3000-10000次，TLC約500次擦寫(xiě)壽命。2 2、讀寫(xiě)速度、讀寫(xiě)速度在相同條件下，SLC速度最快，理論上約MLC 3倍以上；TLC最慢。3 3、能耗、能耗MLC能耗比SLC高，在相同使用條件下比SLC要多15%左右的電流消耗;TLC工作電流最大。4、容量、容量同樣的單位面積MLC比SLC容量大了一倍；TLC比MLC容量大了1/2倍。5、價(jià)格、價(jià)格SLC約是MLC 3倍以上的價(jià)格，TLC最便宜。容量的計(jì)算 日常生活中我們用的是十進(jìn)制記數(shù)，而電腦只能用二進(jìn)制， 電路里有電流為1，否則為0。因?yàn)殡娮娱_(kāi)關(guān)只有高電平和低電平兩種狀態(tài) 。2的7次方是64，8次方是128，9次方是

8、512，10次方是1024。這是二進(jìn)制的整數(shù),所以?xún)?nèi)存沒(méi)有100MB,200MB這樣的存儲(chǔ)器存的也是這樣的信息，都是二進(jìn)制的，當(dāng)然是2的指數(shù)倍，64MB,128MB,512MB，1024MB，1MB=1024K，1K1024B， 計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)信息的最小單位，稱(chēng)之為位（bit，又稱(chēng)比特）存儲(chǔ)器中所包含存儲(chǔ)單元的數(shù)量稱(chēng)為存儲(chǔ)容量，其計(jì)量基本單位是字節(jié)Byte。簡(jiǎn)稱(chēng)B，8個(gè)二進(jìn)制位稱(chēng)為1個(gè)字節(jié)，此外還有KB、MB、GB、TB等，它們之間的換算關(guān)系是1Byte8bit，1KB=1024B，1MB=1024KB，1GB=1024MB，1TB=1024GB。 正片/白片/黑片正片 由原Deescriptio

9、n生產(chǎn)廠商打片封裝測(cè)試出廠并打上原廠標(biāo)。這類(lèi)的FLASH的品質(zhì)性能和穩(wěn)定性都有一定的保證，價(jià)格有會(huì)較高。主要生產(chǎn)廠商有Hynix /Micron/ Samsung /Intel/TOSHIBA白片 由于某些渠道廠商從原廠按每月合約數(shù)大批量購(gòu)入bie生產(chǎn)某些同類(lèi)型的產(chǎn)品。但由于產(chǎn)能過(guò)剩為了降低庫(kù)存把部分晶原做成封裝片出售。這類(lèi)片子由于廠商封裝測(cè)試技術(shù)上的差別，品質(zhì)會(huì)稍差一些。目前我廠主要使用的就是白片黑片 就是所謂的Downgrade，三星、東芝、現(xiàn)代、鎂光、英特爾等芯片廠商在生產(chǎn)NAND FLASH時(shí)，良品率沒(méi)有可能是100%的 ，簡(jiǎn)單的說(shuō)就是黑片就是指芯片工廠選出的淘汰的次品同時(shí)還有是在晶原

10、切割時(shí)剩下的邊角料。FLASH的使用 正片 一般正片出廠時(shí)都會(huì)經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的測(cè)試，并在FLASH里面存有一個(gè)精度相當(dāng)高的壞塊信息表，我們?cè)谑褂脮r(shí)只須調(diào)用原廠壞塊表然后寫(xiě)入指定方案MP便可以工作。這就是我們常說(shuō)的“高格” 白片 正規(guī)的測(cè)試流程是很費(fèi)時(shí)，因此提高了成本，買(mǎi)到裸片的廠家，同時(shí)為省錢(qián)減少測(cè)試項(xiàng)目，致使一些本來(lái)在半導(dǎo)體廠不能通過(guò)的die用在了最終的產(chǎn)品中，造成產(chǎn)品質(zhì)量的不穩(wěn)定。白片雖然也存有壞塊信息表。但是這個(gè)壞塊表是用某一個(gè)方案重新掃描建立遠(yuǎn)沒(méi)有正品的精度高，并且每個(gè)方案塊壞表的存放地址不一樣，不同的方案基本上沒(méi)法通用，因此要重新做一次壞塊掃描的動(dòng)作。就是我們常說(shuō)的“低格”。 黑片 凡是不

11、符合正規(guī)品規(guī)格的Flash都會(huì)降低即被稱(chēng)為 Downgrade Flash,這一部分產(chǎn)品不論Samsung、Hynix還是Micron，哪個(gè)品牌都會(huì)存在。Downgrade Flash是生產(chǎn)中出現(xiàn)的不良，有些是容量不足，有些是讀寫(xiě)測(cè)試不通過(guò)，有些是溫度環(huán)境測(cè)試有問(wèn)題，還有電流不正常，老化實(shí)驗(yàn)不通過(guò)等等。Downgrade Flash產(chǎn)生的原因主要有： 1、晶圓Wafer是圓片，而切割的Die是方形的，這樣必然有些邊角余料被剩下，這是產(chǎn)Downgrade Flash的一個(gè)主要部分。 2、在切割的過(guò)程中，工藝控制不良，會(huì)在Wafer上產(chǎn)生一些裂縫，這對(duì)后續(xù)的溫度性能影響很大。 3、在Flash制程更換時(shí)，nm級(jí)別越來(lái)越低，難免有部分光照不良的die，這些也將成為Downgrade Flash。 容量不足的Downgrade Flash，一般是降低容量級(jí)別，如387MB量產(chǎn)成為256MB的；720MB的量產(chǎn)成為512MB產(chǎn)品。這樣的產(chǎn)品一般能夠保證用戶(hù)的使用，質(zhì)量也過(guò)得去。這也是我廠常用的部分。 一些