2020年高考化學(xué)二輪復(fù)習(xí)專題27物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)練習(xí)

1、專題27物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)1 .A、B、C、DX E代表5種元素。請?zhí)羁眨?1)A元素基態(tài)原子的最外層有 3個未成對電子，次外層有 2個電子，其元素名稱為 。(2)B元素的負(fù)一價離子和 C元素的正一價離子的電子層結(jié)構(gòu)都與僦相同，B的元素符號為 ,C的元素符號為。(3)D元素的正三價離子的 3d能級為半充滿，D的元素符號為 ,其基態(tài)原子的電子排布式 為。(4)E元素基態(tài)原子的 M層全充滿，N層沒有成對電子，只有一個未成對電子，E的元素符號為,其基態(tài)原子的電子排布式為 ?！敬鸢浮?1)氮 (2)Cl K (3)Fe 1s22s22p63s23p63d64s2(4)Cu 1s22s22p63s23p63

2、d104s1e解析】a元素基態(tài)原子的電子排布式是is"map"是氮元素。Q卉艮據(jù)B、C離子的電子數(shù)可以判斷j B是氯，C是鉀。02元素的正三價禽子為3523Ps3d3且基態(tài)原子的電子排布式為I由/加多艱3p"3d叫密，D是鐵。 (4)E元素基態(tài)原子的電子排布式為"2城邛”,鄧的P4心E是銅元素*2 .C、N、。Al、Si、Cu是常見的六種元素。Si位于元素周期表第 周期第 族。N的基態(tài)原子核外電子排布式為 ; Cu的基態(tài)原子最外層有 個電子。用或“V”填空：原子半徑電負(fù)性熔點沸點AlSiNO金岡J石晶體硅CHSiH4(2)O、Na、P、Cl四種元素中電負(fù)

3、性最大的是 (填元素符號)，其中P原子的核外電子排布 式為 O(3)周期表前四周期的元素 a、b、c、d、e,原子序數(shù)依次增大。a的核外電子總數(shù)與其周期數(shù)相同，b的價電子層中的未成對電子有 3個，c的最外層電子數(shù)為其內(nèi)層電子數(shù)的 3倍，d與c同族；e的 最外層只有1個電子，但次外層有 18個電子。b、c、d中第一電離能最大的是 (填 元 素 符 號 )， e 的 價 層 電 子 軌 道 示 意 圖 為(4)N、Al、Si、Zn四種元素中，有一種元素的電離能數(shù)據(jù)如下:電離能I1I 2I 3I 4I n/(kJ mol。5781 8172 74511 578則該元素是 (填寫元素符號)?；鶓B(tài)錯(G

4、e)原子的電子排布式是 。Ge的最高價氯化物的分子式是 Ge元素可能的性質(zhì)或應(yīng)用有 。A.是一種活潑的金屬元素B.其電負(fù)性大于硫C.其單質(zhì)可作為半導(dǎo)體材料D.其最高價氯化物的沸點低于其澳化物的沸點【答案】 三 WA 1s22s22p3 1V > V(2)O 1s22s22p63s23p3(或Ne3s 23p3)NOf(4)Al 1s22s22p63s23p63d104s24p2 GeCk CD【解析】UjOSi是14號元素：位于元素周期表中第三周期第IVA族*N是7號元素，其基態(tài)原子核外電 子排布式為1支羊2島ClI是普號元素J其基態(tài)原子核外電子布式為1記小2P酷：3設(shè)3不如I,故最外層

5、有 1個電子& 0同周期元素，原子序數(shù)越大，原子半徑越小，故原子半徑：>Si;同周期元素？原子序粼超大？電負(fù)性越強(qiáng)，故電負(fù)性士 N<0；金愀田和晶體桂都是原子晶體，但 鍵育"COSiSi,故熔點：金剛石 >晶體硅血和都是分子晶體,且兩者結(jié)構(gòu)相似，&啊的相分 子質(zhì)量大了故沸點：CH4<S1H4oQ)。、Na、P和Cl四種元素中，。元素的電員性最大口 P原子核外有15個電子j其基態(tài)原子的核外電子排 布式為，然型3蟆3p«或N可#3p1(3)由原子顆最小且核外電子息物與箕電子層數(shù)相同確定a為H元素j由價電子層中的未成對電子有3 個?碉定卜為

6、N元素,由最外層電子數(shù)為其內(nèi)層電子數(shù)的3倍，確定。為。元素f由4與c同王族j確定 d為§元素，由七的最外層只有1個電子回的卜層有18個電子，確定u九Cii元素bN、O同周期第一電離 靛N>6 5 9同主族,第一電離能8S,即N, 6 S申第一電離能最大的是N元素j Cu的價電干排布 為3d四七苴價層電子軌道示意圖為?？凇？??？?1，口口 0T。(4/D由電離宵繳據(jù)可知,該元素呈斗？價。Ge的最高正價為-4價，Ge位于金屬木田E金屬的分界線上, 故其可做半導(dǎo)體材料，及宣化物和謨化物為分子晶體，相對分子質(zhì)量越大，其潴點越高.3 . I .Na、Cu、O Si、S、Cl是常見的六種元

7、素。(1)Na位于元素周期表第 周期第 族；S的基態(tài)原子核外有 個未成對電子； Si的基態(tài)原子核外 電子排布式為 。(2)用“>"或“<”填空：比離能離子半徑熔點酸性SiSONa*NaClSiHbSOHClO4n .下表是元素周期表的試回答下列問題:h的單質(zhì)在空氣中燃燒發(fā)出耀眼的白光，請用原子結(jié)構(gòu)的知識解釋發(fā)光的原因：(4)o、p兩元素的部分電離能數(shù)據(jù)列于下表:70ft0P電罔能/(kJ - mol )I 1717759I 21 5091 561I 33 2482 957比較兩元素的12、I3可知，氣態(tài)02+再失去一個電子比氣態(tài) p2+再失去一個電子難。對此，你的解釋是(

8、5)第三周期8種元素按單質(zhì)熔點高低的順序如圖甲所示，其中電負(fù)性最大的是 (填圖中的序號)。(6)表中所列的某主族元素的電離能情況如圖乙所示，則該元素是 (填元素符號)。乙(2)<> < <(子)的形式釋放能量(3)電子從能量較高的軌道躍遷到能量較低的軌道時，以光(4)Mn2+的3d軌道電子排布為半滿狀態(tài)，比較穩(wěn)定 2(6)Al【解析】dJNa元素位于元素周期表第三周期第LA族：5的基態(tài)原子核夕味成對電子處于3P能級,共2個 未成對電子彳Si原子基態(tài)電子排布式為1甲2/2p打533口(2)同一周期元素j隨著原子序數(shù)的墻加j原子核對電子的唳引力增強(qiáng)j第一電商能增大j所以第一

9、電離能; 注核外電子科制目同的離子,核電荷數(shù)越尢離子半徑越小，所以商干半隹/一般來說，!子晶體的熔點高于離子晶體(NKl)的熔點j故熔點，Si>NaCb元素的非金屬性越強(qiáng),元素最高價氧化物 的水化物的酸性越強(qiáng),因為上也屬性CL 所以酸性:HCia汨距口(32為Mg元素，yg單底在空氣中燃燒發(fā)出耀眼的白光，原因是電子從熊量較高的軌道躍遷到靛量較低的 軌指時，以光(子)的形式混放能量口。元素為Miif其基態(tài)原子電子排布式為1/2屋斗門艮學(xué)沖3#4sJ Xln;的基態(tài)離子的電子排布式為 192岸2/3993th其3d能級為半充滿結(jié)構(gòu)j相對比較穩(wěn)定，當(dāng)失去第三個電子時比較困難j而/十的基態(tài) 離子

10、的電子排布式為1峭2承印方點爐3cp,其3d靛班再失去一個電子即為半充滿緒構(gòu)，形成相對比較穩(wěn)定的 結(jié)構(gòu)，故其失去第三個電子比較容易。第三周期日種元素分別為鈉、鎂.鋁、桂、磷、硫、氯、其單質(zhì)中鈉、鐵、鋁形成金屬晶體，焙點 依次升高；璉形成原子晶體磷、硫、氟、液形成分子晶體，且常溫下磷、硫為固體，氯氣、氯為氣體1 故9種元素按單質(zhì)情點,由高到低的順序為硅、鋁、鎂、硫、璘、鈉.氯、氫,其中電負(fù)性最大的為氯。由國可知，該元素的電離能遠(yuǎn)大于心，曲為第mA族元素，周期表中所列的第皿族元素i屬干第三 周期,應(yīng)為A1。請回答：4 .a、b、c、d、e均為周期表前四周期元素，原子序數(shù)依次增大，相關(guān)信息如表所示。

11、a原子核外電子分占3個不同能級，且每個能級上排布的電子數(shù)相同b基態(tài)原子的p軌道電子數(shù)比s軌道電子數(shù)少1c在周期表所列兀素中電負(fù)性最大d位于周期表中第4縱行e基態(tài)原子M層全充滿，N層只后,個電子(1)d屬于 區(qū)的元素，其基態(tài)原子的價電子排布圖為 。(2)b與其同周期相鄰元素第一電離能由大到小的順序為 (用元素符號表示)。(3)c的氫化物水溶液中存在的氫鍵有 種，任意畫出一種 。(4)a與其相鄰?fù)髯逶氐淖罡邇r氧化物的熔點高低順序為 (用化學(xué)式表示)。若將a 元素最高價氧化物水化物對應(yīng)的正鹽酸根離子表示為A,則A的空間構(gòu)型為 ; A的中心原子的軌道雜化類型為 ;與A互為等電子體的一種分子為 (填

12、化學(xué)式)。3d 4$OOO【答案(1)d=(2)N>O>C(3)4 FH- F(或 FHF -0 或 O-5叩或 O-H- O)(4)SiO 2>CO平面三角形 sp2 SO(或BF3)(其他合理答案均可)【解析】由表中信息可知 a、b、c、d、e分別C N F、Ti、Cu元素。(1)Ti的基態(tài)原子價電子排布式為3d24s2,屬于d區(qū)元素，其基態(tài)原子的價電子排布圖為Md4sooo。，Q)b為N元素,其3P育展及半充湎，第一電箭狄于同周期相鄰元素，第一電離能由大到小順序為NXAC& GK為F元素,其氨化物水溶流中，H。分子間存在氫鍵，HF分子間存在氫鍵, HF與土。分子

13、間存在兩 種氧鍵，HfH-OH, OHH.HF,其4釉氫鍵口(4)m為C元素,同主展木器|3元素為Si, C6為分子晶體、S4：為原子晶體,熔點笈64(必A為C<S> 價屋電子對數(shù)為表442)=3,孤電子對氮為3-3=0,散為平面三角形C原子雜化方式為蚯雜化中, 原子數(shù)為九價電子物為2%與A互為等電子悻的分子為50m式BB等.5 .神化錢(GaAs)是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料， 可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等?；卮鹣铝袉栴}：(1)寫出基態(tài)As原子的核外電子排布式 。(2)根據(jù)元素周期律，原子半徑Ga As,第一電離能Ga As (填“大于”或“小于”)(3)AsCl 3分子的立體

14、構(gòu)型為,其中As的雜化軌道類型為?！敬鸢浮?1s 22s22P63s23P63d104s24p3 或Ar3d 104s24p3(2)大于 小于 (3)三角錐形 sp3【解析】(1)As元素在周期表中處于第VA 族，位于P元素的下一周期，則基態(tài) As原子核外有33 個電子，根據(jù)核外電子排布規(guī)律寫出其核外電子排布式：1s22s22p63s23p63d104s24p3或Ar3d 104s24p3。(2)同周期主族元素的原子半徑隨原子序數(shù)的遞增而逐漸減小，Ga與As在周期表中同位于第四周期，Ga位于第mA族，則原子半徑：Ga>As。G& As原子的價電子排布式分別為 4s24p 4s24

15、p3, 其中As原子的4P軌道處于半充滿的穩(wěn)定狀態(tài)，其第一電離能較大，則第一電離能：Gsk As。(3)As原子的價電子排布式為 4s24p3,最外層有5個電子，則AsCl3分子中As原子形成3個AsCl鍵， 且含有1對未成鍵的孤又電子，則 As的雜化軌道類型為 sp3雜化，AsCl3分子的立體構(gòu)型為三角錐 形。6 .下列反應(yīng)曾用于檢測司機(jī)是否酒后駕駛： 2Cr2O2 + 3CHCHOH 16H + 13H2O> _ _ 3+_ _ _4Cr(H 2O)6 +3CHCOOH(1)Cr 3+基態(tài)核外電子排布式為 ;配合物Cr(H 2。)63+中，與Cr3+形成配位鍵 的原子是(填元素符號)

16、。(2)CH3COO仲C原子軌道雜化類型為 ; 1 mol CH sCOOH子含有<r鍵的數(shù)目為 。 與H2O互為等電子體的一種陽離子為 (填化學(xué)式)；H2O與CHCHOH可以任意比例互溶， 除因為它們都是極性分子外，還因為 ?！敬鸢浮?1)1s 22s22P63s23P63d3 或A。3d 3 O(2)sp 3 和 sp2 7N(或 7X6.02 X 10 23)(3)H 2F+ HO與CHCHOH之間可以形成氫鍵【解析】(1)盤是24號元素？仃原子基態(tài)核外電子N怖式為止2黏純吃£3爐3爐拈】，Cr原子由外向里失去3 個電子后變?yōu)镃t*曲Q產(chǎn)基態(tài)核外電子排布式為1義史的初p已

17、也在配合物Cr(Hg同產(chǎn)中，中心原子 提供空軌道而配位原子提供孤對電子，死。分子中含有孤對電子的是。原子“Q)CH3coeIH中，甲基中C原子與其他原子形成4個仃鍵，故C原子采取叩雜化而竣基中C原子用成3H OI IIH HI個。國口 1個也鍵，故c原子采取的是*雜比.cocoon的結(jié)構(gòu)式為 H,單鍵均為了鍵，敢鍵中有1個。鍵和1個肛鍵，故1個CHKOOH分子中含有7個。鏈.因此1 mol CHmCOOH申含有 7 乂 6.02乂1伊3 個口鍵。應(yīng)用電子-電荷互換法，電子數(shù)不變j帶一個正電荷增加一個質(zhì)子.則。原子換為F原子，即可寫出 與氐O互為等電子體的陽離子H正二員。與CHjCHiOH可形成

18、分子間氫誕，是導(dǎo)致H2O與CHmCEbOH可 以任意比例互治的主要原因&7.B、C、N是幾種常見的非金屬元素，其形成的各種化合物在自然界中廣泛存在。R我方相機(jī)化mi圖zras(1)基態(tài)硼原子的電子排布式為 ; C N元素的第一電離能由大到小的順序為 (2)BF3與一定量的水可形成如圖1的晶體R。晶體R中各種微粒間的作用力涉及 (填字母)；a.離子鍵 b.共價鍵 c.配位鍵 d.金屬鍵 R中陰離子的空間構(gòu)型為。(3)乙二胺(H2N CHCHNH)與CaCl2溶液可形成配離子(結(jié)構(gòu)如圖2),乙二胺分子中氮原子的雜化類型為 ；乙二胺和三甲胺N(CH3)3均屬于俊，但乙二胺比三甲胺的沸點高得多

19、，原因是(4)氮化硼(BN)晶體有多種相結(jié)構(gòu)。六方相氮化硼是通常存在的穩(wěn)定相，其結(jié)構(gòu)與石墨相似，具有層狀結(jié)構(gòu)，可作高溫潤滑劑；它的晶體結(jié)構(gòu)如圖3所示，六方相氮化硼質(zhì)地軟的原因是【答案】1s 22s22P1 N> C (2)abc四面體(3)sp 3雜化 乙二胺分子之間可以形成氫鍵，三甲胺分子之間不能形成氫鍵(4)層與層之間通過范德華力結(jié)合在一起，作用力小，導(dǎo)致其質(zhì)地軟【解析】(1)硼原子核外有5個電子，其核外電子排布式為1s22s22p1, C N兩種元素的第一電離能由大到小的順序為 N> C=Q履體R申各種微粒間的作用力涉及離子鍵、共價鍵、配位鍵，陰離子中中心原子B原子含有4個&

20、#163;7鍵目 不含孤電子對，所以B用子采用加雜化方式，為四面體構(gòu)型。乙二fifHjNYAYEfc-NHcp N原子形成3個。鍵,含有1對孤對電子，雜化軌道數(shù)為4,采取sp3 雜化：Z；二胺®N-6-CHiNit)分子之間可以柩成氯鍵，三甲聯(lián)NKHiN分子之間不育卵成氫鍵，故 Z二股的沸點技高。(4)六方相氮化硼中？每一個B原子與與個N厚子相連，每1個N原子與3個B原子相連？形成平面三角 形，向空間發(fā)展成層狀結(jié)構(gòu)。六方相氤化硼不含幾鍵j只含仃鍍，層與層之間通過范德華力結(jié)合在一起， 作用力小導(dǎo)致其質(zhì)地軟。8 .M是第四周期元素，最外層只有 1個電子，次外層的所有原子軌道均充滿電子。元

21、素 Y的負(fù)一價離子的最外層電子數(shù)與次外層的相同?；卮鹣铝袉栴}：(1)單質(zhì)M的晶體類型為 ,晶體中原子間通過 作用形成面心立方密堆積，其中 M 原子的配位數(shù)為。(2)元素 Y基態(tài)原子的核外電子排布式為 ,其同周期元素中，第一電離能最大的是(寫元素符號)。元素Y的含氧酸中，酸性最弓II的是 (寫化學(xué)式)，該酸根離子的立體構(gòu)型為。(3)M與Y形成的一種化合物的立方晶胞如圖所示。該化合物的化學(xué)式為 ,已知晶胞參數(shù)a= 0.542 nm ,此晶體的密度為 gcm3。(寫出計算式，不要求計算結(jié)果。阿伏加德羅常數(shù)為N)該化合物難溶于水但易溶于氨水，其原因是。此化合物的氨水溶液遇到空氣則被氧化為深藍(lán)色，深藍(lán)色

22、溶液中陽離子的化學(xué)式為 。【答案】(1)金屬晶體金屬鍵 12(2)1s 22s22P63s23p5 Ar HClQ 正四面體CuCl4X99.54XM CuCl觥0.5423X10T或 Mx a3x10-21Cd可與氨形成易溶于水的配位化合物(或配離子)Cu(NH3)42+【解析】(1)根據(jù)題給信息推斷 M為銅元素，丫為氯元素。單質(zhì)銅的晶體類型為金屬晶體，晶體中微粒間通過金屬鍵作用形成面心立方密堆積，銅原子的配位數(shù)為12。(2)氯元素為 17號元素，位于第三周期，根據(jù)構(gòu)造原理知其基態(tài)原子的核外電子排布式為1s22s22P63s23p5,同周期元素由左向右元素原子的第一電離能逐漸增大，故其同周期

23、元素中，第一 3 .-電離能最大的是 Ar。氯元素的含氧酸中，酸性最強(qiáng)的是HClQ,該酸根離子中氯原子為sp雜化，沒有孤對電子，立體構(gòu)型為正四面體形。(3)每個晶胞中含有銅原子個數(shù)為8X1/8+6X1/2= 4,氯原子個數(shù)為 4,該化合物的化學(xué)式為CuCl,則1 mol晶胞中含有 4 mol CuCl,1 mol晶胞的質(zhì)量為 4X99.5 g,又晶胞參數(shù) a= 0.542 nm,，八 一、，4X99.54XM CuCl3一、，一此晶體的密度為 N一042一3X10-21或沖乂 a3x10-21 g cm。該化合物難溶于水但易溶于氨水，其原因是 Cu+可與氨形成易溶于水的配位化合物。該溶液在空氣中Cu+被氧化為Cu2+,故深藍(lán)色溶液中陽離子的化學(xué)式為 Cu(NH3)4 2+。9 .神化錢(GaAs)是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料，可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等?；卮鹣铝袉栴}：(1)GaF3的熔點高于 1000 C , GaCb的熔點為 77.9 C , 其原因是 (2)Ga