4計(jì)算機(jī)組成部件—內(nèi)存ppt課件

1、計(jì)算機(jī)組成部件內(nèi)存 李舉 winterlenyahoo計(jì)算機(jī)組成部件內(nèi)存 定義 分類 封裝 作用 性能指標(biāo)技術(shù)廠商選購(gòu)裝置計(jì)算機(jī)組成部件內(nèi)存 定義 內(nèi)存,即內(nèi)部存儲(chǔ)器,是指全部系統(tǒng)內(nèi)的存儲(chǔ)設(shè)備,包括CPU的寄存器、各級(jí)緩存、各種功能卡中的緩存以及BIOS芯片系統(tǒng)主內(nèi)存等。 內(nèi)存是計(jì)算機(jī)用來(lái)存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的電子設(shè)備。 單位：b B KB MB GB TB 速度單位：納秒讀寫(xiě)時(shí)間和讀寫(xiě)周期）計(jì)算機(jī)組成部件內(nèi)存 分類 1、ROM -Read Only Memory 只讀存儲(chǔ)器 BIOS 2、RAM-Random Access memory 隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM(Static RAM)靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器高速

2、緩存）DRAMDynamic RAM）動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器內(nèi)存）計(jì)算機(jī)組成部件內(nèi)存SRAM：運(yùn)行速度快，價(jià)格昂貴，體積相對(duì)較大DRAM：運(yùn)行速度慢，價(jià)格低，體積相對(duì)較小DDR.SDRAMDouble Data Rage SDRAM）雙速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SDRAM(Synchronous DRAM)同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)組成部件內(nèi)存 封裝模式 SIMM (Single Inline Memory Module)內(nèi)存條：在單面有很多芯片的印刷電路 30線 1MB 4MB 72線 16MB 32MB 32位數(shù)據(jù)帶寬 DIMM(Double Inline Memory Module)內(nèi)存條：在兩面有很

3、多芯片的印刷電路 168線常用） 32M 64M 128M 256M 64位數(shù)據(jù)帶寬計(jì)算機(jī)組成部件內(nèi)存 作用 內(nèi)存是程序運(yùn)行的場(chǎng)所，向CPU提供程序運(yùn)行的指令和運(yùn)行程序所需要的數(shù)據(jù)。負(fù)責(zé)程序運(yùn)行的結(jié)果和中間結(jié)果的存儲(chǔ)。 程序執(zhí)行完以后要釋放內(nèi)存給下一個(gè)程序使用。計(jì)算機(jī)組成部件內(nèi)存 性能指標(biāo) 存取周期 數(shù)據(jù)寬度和帶寬 “線數(shù) 容量 電壓 CL tCk計(jì)算機(jī)組成部件內(nèi)存 內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展 FPM RAM EDO RAM SDRAM DDR FPM RAM:快頁(yè)模式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 在內(nèi)存芯片和內(nèi)存控制器的配合下才能完成EDO RAM：擴(kuò)充數(shù)據(jù)輸出動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器性能提高5%，改變內(nèi)存控制器技術(shù)計(jì)算機(jī)組成

4、部件內(nèi)存 SDRAM:同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 “同步是指與CPU的外頻同步工作 可高達(dá)150Mhz DDR:雙速率的SDRAM 對(duì)數(shù)據(jù)做了精確的定位，在不提高系統(tǒng)時(shí)鐘的情況下，數(shù)據(jù)傳輸提高了1倍。 與SDRA M的插槽不兼容計(jì)算機(jī)組成部件內(nèi)存 生產(chǎn)廠商 三星SAM SUNG 現(xiàn)代HY 勝創(chuàng)KingMax NEC公司計(jì)算機(jī)組成部件內(nèi)存 選購(gòu) 個(gè)人需求：256M 與主板匹配 容量 速度 廠家 售后服務(wù)計(jì)算機(jī)組成部件內(nèi)存 裝置 1、72線需插兩條 2、不同品牌、不同頻率的內(nèi)存，最好不要插在一起內(nèi)存條上各部分線長(zhǎng)最大值與最小值內(nèi)存條上各部分線長(zhǎng)最大值與最小值線寬與間距的精確規(guī)格線寬與間距的精確規(guī)格6層層P

5、CB具備完整的電源層與地線層具備完整的電源層與地線層每一電路層之間距離的詳細(xì)規(guī)格每一電路層之間距離的詳細(xì)規(guī)格PC100規(guī)范：規(guī)范： 符合精確發(fā)送、載入、終止等請(qǐng)求時(shí)間符合精確發(fā)送、載入、終止等請(qǐng)求時(shí)間詳細(xì)的詳細(xì)的SDRAM組成規(guī)格組成規(guī)格詳細(xì)的詳細(xì)的EPROM編程規(guī)格編程規(guī)格 特殊的標(biāo)記要求特殊的標(biāo)記要求電磁干擾標(biāo)記要求電磁干擾標(biāo)記要求可選鍍金印刷電路板可選鍍金印刷電路板BACKPC133規(guī)范規(guī)范168pin腳腳工作頻率：工作頻率：133MHz工作電壓：工作電壓：3.3V=3tCK不超過(guò)不超過(guò)5.4ns BACKtCK (Clock Cycle Time)時(shí)鐘周期時(shí)鐘周期 代表內(nèi)存運(yùn)行的最大工作頻率，代表內(nèi)存運(yùn)行的最大工作頻率，數(shù)字越小，頻率越高。數(shù)字越小，頻率越高。 返回CL(CAS Latency)CAS延遲時(shí)間延遲時(shí)間內(nèi)存性能的一個(gè)重要指標(biāo)，是內(nèi)存縱向地址內(nèi)存性能的