命名規(guī)則培訓(xùn)

1、Operation Planning Dept.(DaLian) Chip BUOne Team One Vision One Standard命名規(guī)則培訓(xùn)資料命名規(guī)則培訓(xùn)資料2014.11.272014.11.27PIE TeamPIE TeamOperation Planning Dept.(DaLian) Chip BUOne Team One Vision One StandardModel命名規(guī)則命名規(guī)則目前產(chǎn)品編碼公司名制程產(chǎn)品別長邊電流碼 版本別顏色新名稱B0805HEEtiSapphire80ABlueETi-S080A-BZB0805HEDEtiSapphire8AABlue

2、ETi-S08AA-BZB0805HEDEtiSapphire8AABlueETi-S08AA-BLB1006HEDEtiSapphire101ABlueETi-S101A-BZB1107HEEtiSapphire111ABlueETi-S111A-BZB1107THLEtiDiamond 111ABlueETi-D111A-BLB1307THLEtiDiamond 131ABlueETi-D131A-BZB1307THLEtiDiamond 131ABlueETi-D131A-BLB1507THEEtiCrystal 151ABlueETi-C151A-BLB1507THLEtiDiamon

3、d 151ABlueETi-D151A-BLB1507THLEtiDiamond 151ABlueETi-D151A-BZB1811THLEtiDiamond 184ABlueETi-D184A-BLB2020THLEtiPlatinum206ABlueETi-P206A-BLB2112THLEtiDiamond 214ABlueETi-D214A-BLB2609THLEtiDiamond 261ABlueETi-D261A-BLB2812PHLFEtiFlip287ABlueETi-F287A-BLB2812THLEtiDiamond 284ABlueETi-D284A-BLB2813THL

4、EtiDiamond 285ABlueETi-D285A-BLB3014THLEtiDiamond 306ABlueETi-D306A-BLB3318THLEtiDiamond 336ABlueETi-D336A-BLB3434THMEtiPlatinum348ABlueETi-P348A-BLB3522THLEtiDiamond 356ABlueETi-D356A-BLB3535PHLFEtiFlip358ABlueETi-F358A-BLB3609THLEtiDiamond 361ABlueETi-D361A-BLB3612THEEtiCrystal 361ABlueETi-C361A-B

5、LB3820THEEtiCrystal 38HABlueETi-C38HA-BLB3820THLEtiDiamond 38HABlueETi-D38HA-BLB4022THEEtiDiamond 40JBBlueETi-D40JB-BLB4022THLEtiDiamond 40JABlueETi-D40JA-BLB4040XHMVEtiHigh Voltage401ABlueETi-H401A-BLB4211THLEtiDiamond 421ABlueETi-D421A-BLB4222THLEtiDiamond 426ABlueETi-D426A-BLB4223THLEtiDiamond 42

6、JABlueETi-D42JA-BLB4330THLEtiDiamond 438ABlueETi-D438A-BLB4522XHMVEtiHigh Voltage454ABlueETi-H454A-BLG0805HEDEtiSapphire80AGreenETi-S080A-GZG0805HEDEtiSapphire80AGreenETi-S080A-GLG1006HEDEtiSapphire101AGreenETi-S101A-GZG1107HEDEtiSapphire111AGreenETi-S111A-GZ12碼對應(yīng)表電極制程以及出貨形式對應(yīng)碼Au 電極+方片LAu 電極+圓片MAl 電

7、極+方片ZAl 電極+圓片Y5碼對應(yīng)表字母名稱對應(yīng)制程SSapphire3道光罩無背鍍(以后取消該命名，由C代替)CCrystal 無LERDDiamond 有LERPPlatinum背鍍背金HHigh Voltage高壓FFlip山貓ZDemo代工例：ETi-D336A-BL1-3碼公司名稱4碼連接符5碼制程碼6-7碼芯片尺寸8碼電流碼9碼版本碼10碼連接符11碼顏色碼12碼電極制程以及出貨形式8碼對應(yīng)表 電流電流碼015mA120mA230mA340mA460mA590mA6120mA7150mA8350mA9700mAA10mAB25mAC35mAD45mAE50mAF55mAH65mA

8、I70mAJ80mAK85mAL90mAM95mAN100mAO105mAP110mAQ130mAR140mAS160mAT180mAU200mAV250mAW300mAX400mAY500mAZ600mA例：例：Operation Planning Dept.(DaLian) Chip BUOne Team One Vision One StandardProduct ID命名規(guī)則命名規(guī)則解釋：1.AA為光罩第一版，下一版本定為AB，依次類推。2.01（Run Card重大變更），包含：流程變更，Recipe變更，主要Follow 蕪湖。3.A（Run Card細微變更），包含：Recipe

9、工藝描述變更，大連廠內(nèi)部細微變更。改版后編碼A變?yōu)锽，依次類推。4.出貨時只打印“產(chǎn)品編碼”的前九位，例如:產(chǎn)品B0907AA01A，出貨時只打印B0907AA01。解釋：1.制程碼Follow產(chǎn)品Model制程碼定義2.Size碼根據(jù)實際Size定義3.A為光罩第一版，下一版本定為B，依次類推。4.A為流程第一版，下一版本定為B，依次類推。5.01（Run Card重大變更），包含：流程變更，Recipe變更，主要Follow 蕪湖。6.A（Run Card細微變更），包含：Recipe工藝描述變更，大連廠內(nèi)部細微變更。改版后編碼A變?yōu)锽，依次類推。舊舊命名命名規(guī)則規(guī)則 例：例： B3318

10、A01A B3318A01A新命名新命名規(guī)則規(guī)則 例：例： Z3318AA01A Z3318AA01AB/GB/G33183318AAAA0101A AB：Blue；G：GreenSize光罩版本光罩版本Run Card重重大變更大變更Run Card細細微變更微變更C/D/H/ZC/D/H/Z33183318A AA A0101制程碼制程碼 C：非：非LERD:LERH：HVZ：代工：代工Size光罩版本光罩版本流程版本流程版本Run Card細細微變更微變更Run Card細細微變更微變更A AOperation Planning Dept.(DaLian) Chip BUOne Team

11、 One Vision One Standard光罩版本命名規(guī)則光罩版本命名規(guī)則解釋：1.制程碼Follow產(chǎn)品Model制程碼定義2.Size碼根據(jù)實際Size定義3.A為光罩第一版，下一版本定為B，依次類推4.廠名為固定名稱5.版本類型根據(jù)實際需求定義為量產(chǎn)或研發(fā)6.機臺類型根據(jù)實際需求定義7.版本類型根據(jù)實際版本定義，下一版本定為V2.0，依次類推C/D/H/ZC/D/H/Z33183318A A3E-DL3E-DLMP/RDMP/RD制程碼制程碼 C：非：非LERD:LERH：HVZ：代工：代工Size光罩版本光罩版本廠名廠名版本類型版本類型機臺類型機臺類型(U/C/N)(U/C/N)

12、新命名新命名規(guī)則規(guī)則 例：例： Z3318A 3E-DL MP Z3318A 3E-DL MP（U U）V1.0V1.0Mask 版本版本V1.0V1.0例：例：Operation Planning Dept.(DaLian) Chip BUOne Team One Vision One StandardS-Code 命名規(guī)則命名規(guī)則12345678EPIFE ProcessEPI Tool+SubEPI RecipeMesa【0090-MESA刻蝕】ITO【0240-ITO沉積】Metal【0430-NI.AI.CR沉積】 Photo【0060-MESA對板】 Plasma【0140-SIO

13、2 CBL 沉積】Special processA-ZA-ZA-ZA-ZA-ZA-ZA-ZA-ZTThomas swan+PSS（3*1）PPHALAMAITO 700AAMetal 1.6um(ULVAC)ACanon/UshioAP-5000X大連前段制程+委外LERUThomas swan+Bare SapphireMP4BSamcoBITO 1800ABMetal 1.6um(FSE)BNikonBOxfordA大連全流程VVeeco+PSS（3*1）NP6CULVACCRPD 700AY蕪湖半成品Y蕪湖半成品CNLVSB大連前段制程+Optorun LERWVeeco+Bare Sa

14、pphire 0.3TT1Y蕪湖半成品DRPD 1800ACMetal 1.6um(化鍍)CCanon/Ushio-取消EBRY蕪湖半成品C大連前段制程+SHOWA LERAAixtron+PSS（3*1） 0.3AA1EITO 700A meshDMetal 1.6um(ULVAC+O2)DNikon-取消EBRNNo CBLD蕪湖前段制程+Optorun LERBAixtron+Bare sapphire 0.3GG1FITO 1800A meshEMetal 1.6um(FSE+O2)E蕪湖半成品新卡環(huán)DP-5000 CBL ringE蕪湖前段制程+SHOWA LERCThomas sw

15、an+PSS（2*1） 0.3FFCGRPD 700A meshF Metal 1.6um(化鍍+O2)EOxford CBL ringF蕪湖前段制程+委外LERDVeeco+PSS（2*1） 0.3BPH+藍寶石手冊HRPD 1800A meshG蕪湖半成品(O2)CD上線后統(tǒng)一切換，AB停用FNLVS CBL ringG大連前段制程+無LEREAixtron+PSS（2*1） 0.3CP6+藍寶石手冊IITO 350A(CBL 2100A+PV 750A)GP-5000 CBL ring 10umH蕪湖前段制程+無LERF廠外Thomas swan+PSS（2*1） 0.3DT1+藍寶石手

16、冊JRPD 350A(CBL 2100A+PV 750A)HOxford CBL ring 10umI蕪湖前段制程+蚌埠SHOWA LERG廠外Veeco+PSS（2*1） 0.3Y蕪湖半成品INLVS CBL ring 10umJ蕪湖前段制程+蚌埠無LERH廠外Aixtron+PSS（2*1） 0.3J蕪湖半成品CBL ring 10umK蚌埠前段制程+蚌埠SHOWA LERIThomas swan+PSS（3*1） 0.2KHV CBL ring 10um+CBL不包邊L蚌埠前段制程+蚌埠無LERJThomas swan+Bare Sapphire 0.2第3/4/5/7可統(tǒng)一合收，第8碼

17、可分委外/廠內(nèi)Showa/廠內(nèi)Optorun三類分收 外延投片時決定KVeeco+PSS（3*1） 0.2第6碼目前Nikon center key與canon&Ushio的center key不同（可實現(xiàn)相同），在手動選?。?,0）點時可以合收，在自動選?。?,0）點時不可合收 生管投片時決定LVeeco+Bare Sapphire 0.2經(jīng)過站點check out才顯示*BCDEFGH上線后停用A代碼MThomas swan+PSS（2*1） 0.2ESD-經(jīng)由alloy ESD test才帶出*蕪湖前段制程第37和10碼記錄為YNVeeco+PSS（2*1） 0.2未給出 0.2

18、 廠內(nèi) Aixtron編碼黑白墊-BST後增加黑白墊判定O廠外Thomas swan+PSS（2*1） 0.2取消U/W/B/F/G/H化鍍機臺編號為ADMEP009*未使用S code請以【Z】顯示P廠外Veeco+PSS（2*1） 0.22X1與3X1不可合收Q廠外Aixtron+PSS（2*1） 0.20.2與0.3可以合收Operation Planning Dept.(DaLian) Chip BUOne Team One Vision One StandardS-Code 命名規(guī)則命名規(guī)則910111213alloyBE Process黑白墊ESD測試BackupESDBacken

19、dQCESD測試規(guī)格A-ZA-ZA-ZA-ZA-ZU測試電壓2000V下，ESD92%A130umB正常A抽測ZS測試電壓2000V下，92%ESD80%B150umA輕微B200V全測A測試電壓2000V下，80%ESD60%CSoft polish+130umF嚴重C400V全測B測試電壓2000V下，ESDESD60%E110umE800V全測D測試電壓800V下，ESD92%FSoft polish+110umF2000V全測E測試電壓800V 下，92%ESD80%G200umF測試電壓800V下，80%ESD60%V蕪湖半成品 Polish+150umG測試電壓800V下，ESD9

20、2%X蕪湖半成品 Polish+130umI測試電壓4000V下，92%ESD80%Y蕪湖半成品Soft polish+130um11位前段passi刻蝕后檢查，發(fā)現(xiàn)異常hold，由IT后臺改等級J測試電壓4000V下，80%ESD60%H100umK測試電壓4000V下，ESD92%J蕪湖半成品Soft polish+蚌埠150umM測試電壓6000V下，92%ESD80%K蕪湖半成品 Polish+蚌埠130umO測試電壓6000V下，80%ESD60%L蕪湖半成品Soft polish+蚌埠130umP測試電壓6000V下，ESD92%N蚌埠前段制程Soft polish+蚌埠150um

21、R測試電壓8000V下，92%ESD80%O蚌埠前段制程 Polish+蚌埠130umT測試電壓8000V下，80%ESD60%P蚌埠前段制程Soft polish+蚌埠130umV測試電壓8000V下，ESD92%GVFD OKP變更前的默認值, 可代表 WLD 2.5mn, WLP 3nm 分BINMP4S測試電壓2000V下，92%ESD80%NVFD NGAWLD 2.5nm 分BINNP6A測試電壓2000V下，80%ESD60%XLER委外BWLP 3.0nm 分BINTT1B測試電壓2000V下，ESDESD60%DWLP 2.5nm 分BINGG1D測試電壓800V下，ESD92%FFCE測試電壓800V 下，92%ESD80%BPH+藍寶石手冊F測試電壓800V下，80%